PL191130B1 - Przezroczyste powlekane podłoże, jego zastosowanie oraz sposób wytwarzania przezroczystego powlekanego podłoża - Google Patents
Przezroczyste powlekane podłoże, jego zastosowanie oraz sposób wytwarzania przezroczystego powlekanego podłożaInfo
- Publication number
- PL191130B1 PL191130B1 PL336930A PL33693099A PL191130B1 PL 191130 B1 PL191130 B1 PL 191130B1 PL 336930 A PL336930 A PL 336930A PL 33693099 A PL33693099 A PL 33693099A PL 191130 B1 PL191130 B1 PL 191130B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- substrate
- coating layer
- substrate according
- additive
- coating
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 104
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 title description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 44
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims abstract description 41
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 37
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 32
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims abstract description 27
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 14
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims abstract description 13
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical class [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 9
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 4
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 81
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 64
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- IINYAMSVRHVISG-UHFFFAOYSA-N CCCCC1=CC[ClH][ClH][ClH]C=C1 Chemical compound CCCCC1=CC[ClH][ClH][ClH]C=C1 IINYAMSVRHVISG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 5
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K antimony trichloride Chemical compound Cl[Sb](Cl)Cl FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 4
- 150000001805 chlorine compounds Chemical group 0.000 claims description 4
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical group Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 4
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- -1 Sb (OCH2CH3) 3 Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910021627 Tin(IV) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VMPVEPPRYRXYNP-UHFFFAOYSA-I antimony(5+);pentachloride Chemical compound Cl[Sb](Cl)(Cl)(Cl)Cl VMPVEPPRYRXYNP-UHFFFAOYSA-I 0.000 claims description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims description 3
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- GGAUUQHSCNMCAU-ZXZARUISSA-N (2s,3r)-butane-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C[C@H](C(O)=O)[C@H](C(O)=O)CC(O)=O GGAUUQHSCNMCAU-ZXZARUISSA-N 0.000 claims 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 239000007805 chemical reaction reactant Substances 0.000 abstract 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 abstract 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 9
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 7
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N tin(ii) oxide Chemical class [Sn]=O QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N acetic acid Substances CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000037072 sun protection Effects 0.000 description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 239000005329 float glass Substances 0.000 description 2
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 2
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M sodium;oxocalcium;hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+].[Ca]=O HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 2
- XBIUWALDKXACEA-UHFFFAOYSA-N 3-[bis(2,4-dioxopentan-3-yl)alumanyl]pentane-2,4-dione Chemical compound CC(=O)C(C(C)=O)[Al](C(C(C)=O)C(C)=O)C(C(C)=O)C(C)=O XBIUWALDKXACEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101500024185 Actinia tenebrosa ATPI-I Proteins 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001669679 Eleotris Species 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 description 1
- GVFOJDIFWSDNOY-UHFFFAOYSA-N antimony tin Chemical class [Sn].[Sb] GVFOJDIFWSDNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N antimony(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sb+3].[Sb+3] GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXLJGBGJDROPKW-UHFFFAOYSA-N antimony;oxotin Chemical class [Sb].[Sn]=O XXLJGBGJDROPKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- UBEWDCMIDFGDOO-UHFFFAOYSA-N cobalt(II,III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Co+2].[Co+3].[Co+3] UBEWDCMIDFGDOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000012362 glacial acetic acid Substances 0.000 description 1
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 1
- 238000005816 glass manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008447 perception Effects 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003380 propellant Substances 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000000475 sunscreen effect Effects 0.000 description 1
- 239000000516 sunscreening agent Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000000689 upper leg Anatomy 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
- C03C17/3417—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials all coatings being oxide coatings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
- C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
- C03C17/2453—Coating containing SnO2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/211—SnO2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/24—Doped oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/24—Doped oxides
- C03C2217/244—Doped oxides with Sb
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
- C03C2218/152—Deposition methods from the vapour phase by cvd
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Joining Of Glass To Other Materials (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
1. Przezroczyste powlekane podloze wykonane ze szkla sodowo-wapniowego podtrzymuja- ce wytwarzana pirolitycznie warstwe powlokowa zawierajaca tlenki cyny i antymonu w stosunku molowym Sb/Sn wynoszacym od 0,01 do 0,5, znamienne tym, ze warstwa powlokowa ma gru- bosc wynoszaca od 100 do 500 nm oraz ta warstwa powlokowa zawiera ponadto dodatek sklada- jacy sie z jednego lub kilku metali z grupy obejmujacej glin, chrom, kobalt, zelazo, mangan, ma- gnez, nikiel, wanad, cynk oraz cyrkon, i jest wolna od fluoru, przy czym tak powlekane podloze ma wspólczynnik odbicia swiatla RL wynoszacy co najmniej 10%. 19. Zastosowanie przezroczystego powlekanego podloza okreslonego w zastrz. 1 do wytwa- rzania szyby oszkleniowej. 25. Sposób wytwarzania przezroczystego powlekanego podloza obejmujacy pirolityczne osadzanie na drodze chemicznego naparowywania prózniowego CVD z mieszaniny substratów reakcji na podlozu warstwy powlokowej zawierajacej tlenki cyny i antymonu w stosunku molowym Sb/Sn wynoszacym od 0,01 do 0,5, przy czym mieszanina substratów reakcji zawiera zródlo cyny i zródlo antymonu, znamienny tym, ze stosuje sie mieszanine substratów reakcji zawierajaca ponadto dodatek skladajacy sie z jednego lub kilku metali z grupy obejmujacej glin, chrom, kobalt, zelazo, mangan, magnez, nikiel, wanad, cynk oraz cyrkon, i wolna od fluoru, przy czym dodatek ten jest obecny w mieszaninie substratów reakcji w zakresie od 0,2 do 3,6% wagowych, otrzymu- jac powlekane podloze, które ma wspólczynnik odbicia swiatla RL wynoszacy co najmniej 10%. PL PL PL
Description
Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest przezroczyste powlekane podłoże, jego zastosowanie oraz sposób wytwarzania przezroczystego powlekanego podłoża.
Przezroczyste powlekane szyby przeciwsłoneczne o dużym współczynniku odbicia stały się szeroko stosowane jako zewnętrzne oszklenie budynków. Oprócz korzystnego wyglądu ich zaletą jest także ochrona przed promieniowaniem słonecznym i działanie maskujące zapewniające użytkownikom budynku osłonę przed przegrzaniem i olśnieniem.
Szyby takie zawierają co najmniej jeden arkusz przezroczystego podłoża, zwykle szkła sodowowapniowego, z naniesioną powłoką nadającą specjalne pożądane właściwości. Właściwości przeciwsłoneczne oznaczają, że szyba nie powinna przepuszczać zbyt dużej części całkowitego padającego promieniowania słonecznego, aby w ten sposób zapobiec przegrzewaniu się wnętrza budynku. Przepuszczanie całkowitego padającego promieniowania słonecznego można przedstawić za pomocą „współczynnika słonecznego” (FS). Stosowane w niniejszym opisie określenie „współczynnik słoneczny” oznacza sumę całkowitej energii przekazywanej bezpośrednio oraz energii pochłoniętej i ponownie wypromieniowanej na stronie przeciwnej do źródła energii, jako część całkowitej energii promieniowania padającego na powlekane podłoże.
Chociaż architekci w poszukiwaniu szyb do zastosowania w budynkach wybierali tradycyjnie raczej szyby o małych wartościach współczynnika odbicia, to zmiana percepcji wyglądu spowodowała wzrost zainteresowania szybami o dużych wartościach współczynnika odbicia, z jednoczesnym zachowaniem małego współczynnika słonecznego.
Omawiane w niniejszym opisie właściwości powlekanego podłoża opierają się na standardowych definicjach Międzynarodowej Komisji Oświetleniowej - Commission International de l'Eclairage („CIE”).
„Przepuszczalność światła (TL) oznacza strumień światła przepuszczony przez podłoże wyrażany jako procentpadającego strumienia światła.
„Współczyn nik odbicia światła (RL) oznacza strumień światła odbitego od podłoża wyrażany jako procent padającego strumienia światła.
„Selektywność” powlekanego podłoża stosowanego w szybach do oszklenia budynków jest to stosunek przepuszczalności światła do współczynnika słonecznego (TL/FS).
„Czystość” (p) barwy podłoża odnosi się do czystości wzbudzenia podczas przepuszczania lub odbicia określonej za pomocą Oświetlacza C. Jest on określony w skali liniowej, w której określone źródło białego światła ma czystość zerową, a czysta barwa ma czystość 100%. Oświetlacz C oznacza średnie światło słoneczne o temperaturze barwy 6700°K.
Określenie „współczynnika załamania światła” (n) zdefiniowano w CIE International Lighting Vocabulary, 1987, str. 138.
Określenie „podstawowa długość fali światła” (lD)oznacza długość fali światła dla piku w zakresie przenoszonym lub odbijanym przez powlekane podłoże.
Znany jest szereg technik wytwarzania powłok na szklistym podłożu, włącznie z pirolizą. Zaletą pirolizy jest zwykle wytwarzanie twardej powłoki bez konieczności stosowania powłoki ochronnej. Powłoki wytwarzane przez pirolizę mają trwałe właściwości odporności na ścieranie i na korozje. Uważa się, że jest to spowodowane przede wszystkim przez fakt, że sposób ten polega na osadzaniu materiału powłoki na gorącym podłożu. Piroliza jest zwykle tańsza od alternatywnych sposobów powlekania, takich jak rozpylanie jonowe, zwłaszcza pod względem nakładów inwestycyjnych.
Zaproponowano różne materiały powłokowe do modyfikowania właściwości optycznych szyb. Szeroko stosuje się tlenek cyny (SnO2), często w mieszaninie z innymi materiałami, takimi jak inne tlenki metali.
Opis patentowy Wielkiej Brytanii GB 1455148 ujawnia sposób pirolitycznego wytwarzania na podłożu powłoki z jednego lub kilku tlenków (na przykład ZrO2, SnO2, Sb2O3, TiO2, Co3O4, Cr2O3, SiO2), przede wszystkim przez rozpylanie związków metalu lub krzemu, aby zmodyfikować przepuszczanie i/lub odbicie światła podłoża.
Brytyjski opis patentowy GB 2078213, który dotyczy sposobu pirolitycznego wytwarzania powłoki za pomocą dwóch natrysków, aby uzyskać duże szybkości wytwarzania powłoki, ujawnia powłoki tlenku cyny zawierające domieszki fluorulub antymonu. Brytyjski opis patentowy GB 2200139 dotyczy wytwarzania pirolitycznej powłoki tlenku cyny z prekursora zawierającego co najmniej dwa dodatki, takie jak środki utleniające, źródła fluoru i źródła metali.
PL 191 130 B1
Stwierdzono, że zastosowanie powłoki z tlenku cyny z małą zawartością tlenku antymonu umożliwia uzyskanie kilku korzystnych kombinacji właściwości optycznych. Brytyjskie opisy zgłoszeń patentowych GB 2302101 (¢101) oraz GB 2302102 (¢ 102) opisują szyby przeciwsłoneczne zawierające pirolityczną warstwę powłokową tlenków cyny i antymonu, w których stosunek molowy Sb/Sn jest w zakresie od 0,01 do 0,5. Powłokę według ¢ 101 nanosi się przez natrysk cieczy i ma ona grubość co najmniej 400 nm, przepuszczalność światła poniżej 35% i selektywność co najmniej 1,3. Powłokę według ¢102 nanosi się sposobem chemicznego naparowywania próżniowego (CVD) i ma ona współczynnik słoneczny poniżej 70%.
Celem niniejszego wynalazku jest wytwarzanie pirolitycznie powlekanego podłoża, które nadaje właściwości osłony przeciwsłonecznej oraz duży współczynnik odbicia.
Stwierdzono, że można to uzyskać przez wprowadzenie określonych dodatków podczas nanoszenia na podłoże pirolitycznej powłoki zawierającej tlenki cyny i antymonu.
Według wynalazku przezroczyste powlekane podłoże wykonane ze szkła sodowo-wapniowego podtrzymujące wytwarzaną pirolitycznie warstwę powłokową zawierającą tlenki cyny i antymonu w stosunku molowym Sb/Sn wynoszącym od 0,01 do 0,5, charakteryzuje się tym, że warstwa powłokowa ma grubość wynoszącą od 100 do 500 nm oraz ta warstwa powłokowa zawiera ponadto dodatek składający się z jednego lub kilku metali z grupy obejmującej glin, chrom, kobalt, żelazo, mangan, magnez, nikiel, wanad, cynk oraz cyrkon, i jest wolna od fluoru, przy czym tak powlekane podłoże ma współczynnik odbicia światła RL wynoszący co najmniej 10%. Podłoże korzystnie zawiera dodatkowo podkład umieszczony pomiędzy podłożem a warstwą powłokową. Stosunek molowy Sb/Sn w warstwie powłokowej korzystnie wynosi od 0,03 do 0,21, a korzystniej wynosi od 0,03 do 0,16.
Dodatek korzystnie jest wybrany spośród glinu, chromu, kobaltu, żelaza, manganu, magnezu, niklu, wanadu i cynku, korzystniej spośród glinu, chromu, kobaltu, żelaza, magnezu i cynku, a jeszcze korzystniej spośród chromu, żelaza i magnezu.
Podłoże według wynalazku ma współczynnik odbicia światła RL korzystnie wynoszący co najmniej 13%. Warstwa powłokowa ma grubość od 220 do 500 nm. Korzystne źródło cyny dla warstwy powłokowej stanowi SnCl4 i/lub monobutylotrichlorocyna MBTC. Korzystne źródło antymonu dla warstwy powłokowej stanowi jeden lub kilka związków spośród SbCl5, SbCl3, związki antymonoorganiczne, takie jak Sb(OCH2CH3)3, Cl1,7Sb(OCH2CH3)1,3, Cl2SbOCHClCH3, Cl2SbOCH2CHCH3Cl lub Cl2SbOCH2C(CH3)2Cl. Natomiast korzystne źródło dodatku dla warstwy powłokowej stanowi chlorek lub związek metaloorganiczny danego pierwiastka. Korzystnie podkład zawiera tlenek glinu z dodatkiem tlenku wanadu. Geometryczna grubość podkładu wynosi od 40 do 100 nm. Podkład nadaje powłoce neutralny odcień w odbiciu.
Korzystnie podłoże według wynalazku ma współczynnik słoneczny FS wynoszący co najwyżej 70%, korzystniej co najwyżej 65%; podłoże ma przepuszczalność światła TL wynoszącą od 35 do 76%.
Warstwa powłokowa korzystnie składa się z utlenionej mieszaniny cyny, antymonu oraz dodatku.
Przedmiotem wynalazku jest także zastosowanie przezroczystego powlekanego podłoża określonego powyżej do wytwarzania szyby oszkleniowej. Podłoże korzystnie stosuje się jako jeden z arkuszy do wytwarzania szyby oszkleniowej zawierającej dwa lub więcej arkuszy podłoża. Wytworzoną szybę oszkleniową stosuje się jako szybę oszkleniową w budownictwie lub jako szybę oszkleniową w pojazdach.
Wytworzoną szybę oszkleniową stosuje się jako szybę oszkleniową w budownictwie lub w pojazdach korzystnie kierując jej warstwę powłokową powierzchnią czołową na zewnątrz budynku lub pojazdu.
Wytworzoną szybę oszkleniową stosuje się jako szybę oszkleniową korzystnie umieszczając jej warstwę powłokową na zewnętrznej powierzchni czołowej zewnętrznej szyby.
Według wynalazku sposób wytwarzania przezroczystego powlekanego podłoża, obejmujący pirolityczne osadzanie na drodze chemicznego naparowywania próżniowego CVD z mieszaniny substratów reakcji na podłożu warstwy powłokowej zawierającej tlenki cyny i antymonu w stosunku molowym Sb/Sn wynoszącym od 0,01 do 0,5, przy czym mieszanina substratów reakcji zawiera źródło cyny i źródło antymonu, charakteryzuje się tym, że stosuje się mieszaninę substratów reakcji zawierającą ponadto dodatek składający się z jednego lub kilku metali z grupy obejmującej glin, chrom, kobalt, żelazo, mangan, magnez, nikiel, wanad, cynk oraz cyrkon, i wolna od fluoru, przy czym dodatek ten jest obecny w mieszaninie substratów reakcji w zakresie od 0,2 do 3,6% wagowych, otrzymując powlekane podłoże, które ma współczynnik odbicia światła RL wynoszący co najmniej 10%.
PL 191 130 B1
Warstwę powłokową korzystnie osadza się w temperaturze w zakresie od 550°C do 750°C. Korzystnie wytwarza się ją na arkuszu szkła w piecu tunelowym lub na wstędze szkła podczas jej wytwarzania, gdy jest jeszcze gorąca.
Pomiędzy podłożem a warstwą powłokową korzystnie wytwarza się podkład. Korzystnie podkład wytwarza się pirolitycznie w stanie niecałkowicie utlenionym przez kontaktowanie podłoża w komorze podkładowej z materiałem prekursora podkładu w obecności tlenu w ilości nie wystarczającej do całkowitego utlenienia materiału podkładowego na podłożu. Jako podkład korzystnie stosuje się tlenek glinu z dodatkiem tlenku wanadu. Korzystnie wytwarza się podkład o geometrycznej grubości wynoszącej od 40 do 100 nm.
Stwierdzono, że powłoka tlenków cyny i antymonu modyfikowana przez wprowadzenie opisanego powyżej dodatku (nazywana w niniejszym opisie „modyfikowana powłoką tlenku cyny i antymonu”) zachowuje właściwości przeciwsłoneczne powłoki bez dodatku, ale może ponadto wykazywać znacznie większa wartość współczynnika odbicia.
Powlekane podłoże według wynalazku można stosować w postaci pojedynczych szyb lub alternatywnie w postaci zestawów szyb wielokrotnych lub laminowanych. W zestawie szyb wielokrotnych lub laminowanych jest korzystne, aby tylko jedna ze składowych szyb miała naniesioną powłokę.
Chociaż niniejszy wynalazek opisano przede wszystkim w odniesieniu do szyb dla budynków, to szyby według wynalazku nadają się także do innych zastosowań, takich jak na przykład szyby w pojazdach, zwłaszcza szyby przeciwsłoneczne w pojazdach.
Ponieważ wytwarzane pirolitycznie powłoki mają zwykle większą wytrzymałość mechaniczną niż powłoki wytwarzane innymi sposobami, to wyboru sposobu umieszczenia powłoki można dokonać raczej w zależności od otrzymywanych właściwości szyby, a nie ze względu na ochronę powlekanej powierzchni przed ścieraniem lub korozją.
Powlekane szyby podłoża według wynalazku mają korzystnie mały współczynnik słoneczny, około 70% lub poniżej, korzystniej najwyżej 65%. W przypadku szyb wielokrotnych umieszczenie powłoki na zewnętrznej stronie, to jest na stronie zwróconej w kierunku źródła energii, zwykle bardziej poprawia współczynnik słoneczny niż w przypadku powłoki odwróconej od źródła energii.
Stosunek molowy Sb/Sn w warstwie powłoki wynosi korzystnie co najmniej 0,03, najkorzystniej co najmniej 0,05. Ułatwia to uzyskanie dużej absorpcji. Z drugiej strony wymieniony stosunek ma korzystnie wartość poniżej 0,21, aby uzyskać duża przepuszczalność światła (TL). Najkorzystniej stosunek ten ma wartość poniżej 0,16, ponieważ powyżej tej wartości warstwa powłokowa wykazuje zbyt dużą absorpcję w połączeniu ze słabą selektywnością.
Jest korzystne, gdy szyba przepuszcza znaczną część światła widzialnego, aby zapewnić zarówno dobre naturalne oświetlenie wewnątrz budynku lub pojazdu, jak również dobrą widoczność z zewnątrz. Tak wiec jest korzystne zwiększenie selektywności powłoki, to jest zwiększenie stosunku przepuszczalności do współczynnika słonecznego. Korzystne jest, aby selektywność była możliwie jak największa. Przepuszczalność światła (TL) powlekanego podłoża według wynalazku zwykle jest w zakresie od 35 do 76%, w zależności od zastosowanego dodatku.
Modyfikowana powłoka tlenku cyny i antymonu ma grubość od 100 do 500 nm.
Jak wspomniano powyżej w odniesieniu do poprzednich dokumentów, takich jak brytyjski opis patentowy GB 2078213, jednym z proponowanych poprzednio pierwiastków w powłokach z tlenku cyny i tlenku antymonu był fluor, wytwarzany na przykład z substratów reakcji zawierających cynę, antymon i fluor w stosunkach Sb/Sn = 0,028, F/Sn = 0,4. Stwierdzono jednak, że obecność fluoru przeszkadza we wprowadzeniu antymonu do powłoki. Na przykład substraty reakcji zawierające antymon i cynę w stosunku Sb/Sn = 0,028 dawały powłokę o stosunku Sb/Sn około 0,057, podczas gdy te same substraty reakcji plus substrat reakcji zawierający fluor, w takiej ilości, że F/Sn = 0,04, dawały powłokę o stosunku Sb/Sn około 0,038. Z tego powodu usunięto fluor z powłok według niniejszego wynalazku.
Aby zapewnić dobrą jakość optyczną, ewentualne zamglenie w wyrobie powinno korzystnie być powyżej 2%.
Możliwość zmniejszenia zamglenia przez zastosowanie podkładu omówiono w dalszej części niniejszego opisu.
Korzystna grupa metali, spośród których należy wybierać dodatek, zawiera glin, chrom, kobalt, żelazo, mangan, nikiel, wanad i cynk. Zastosowanie tych dodatków umożliwia wytwarzanie powłok o małych wartościach zamglenia.
PL 191 130 B1
Inna grupa metali, spośród których należy wybierać dodatek, zawiera glin, chrom, kobalt, żelazo, magnez i cynk. Te dodatki wpływają bardzo korzystnie na współczynnik odbicia produktu.
Tak więc, w celu wytwarzania powłok o dużym współczynniku odbicia i małym zamgleniu, wybiera się dodatek korzystnie spośród glinu, chromu, kobaltu, żelaza, magnezu i cynku, korzystniej spośród chromu, żelaza i magnezu. Najkorzystniejszy jest chrom, ponieważ umożliwia otrzymywanie produktu o bardzo dobrym współczynniku odbicia i bardzo małym zamgleniu, który ma obojętny aspekt pod względem odbicia.
Jako to opisano i zastrzeżono w naszym równoległym zgłoszeniu patentowym o takiej samej dacie pierwszeństwa jak zgłoszenie obecne, współczynnik odbicia powłoki można jeszcze bardziej poprawić przez nałożenie zewnętrznej warstwy odbijającej o geometrycznej grubości w zakresie od 30 do 150 nm i współczynniku załamania światła w zakresie od 2,0 do 2,8.
Nanoszenie powłoki pirolitycznej na płaskie szkło można wykonać najlepiej podczas wytwarzania szkła, gdy szkło opuszcza linię pływania szkła. Daje to dodatkowe korzyści, ponieważ unika się konieczności ponownego ogrzewania szkła, aby mogły przebiegać reakcje pirolityczne oraz dla uzyskania poprawy jakości powłoki, ponieważ nowo tworząca się powierzchnia szkła jest w stanie obnażonym.
Źródło cyny wybiera się korzystnie spośród jednego lub obu następujących związków: SnCl4 i monobutylotrichlorocyny (MiBTC). Źródło antymonu można wybrać spośród jednego lub kilku związków, takich jak SbCl5, SbCl3, związków antymonoorganicznych, takich jak Sb(OCH2CH3)3, Cl1,7Sb(OCH2CH3)1,3, Cl2SbOCHClCH3, Cl2SbOCH2CHCH3Cl i Cl2SbOCH2C(CH3)2Cl. Źródłem dodatku może być podobnie odpowiedni chlorek lub związek metaloorganiczny danego pierwiastka.
Źródła cyny, antymonu i dodatku wytwarza się korzystnie w postaci pojedynczego roztworu wyjściowego, nazywanego w niniejszym opisie „mieszaniną substratów reakcji”, którą nanosi się jednocześnie na podłoże.
Mieszaninę substratów reakcji można nanosić na podłoże sposobem chemicznego naparowywania próżniowego (CVD lub „pirolizy oparowej”) lub na drodze rozpylania cieczy („piroliza cieczowa”). Zwłaszcza w sposobie nanoszenia przez rozpylanie cieczy zawartości cyny, antymonu i dodatku w wytwarzanej powłoce mogą różnić się znacznie od ich zawartości w mieszaninie substratów reakcji i z tego powodu jest konieczna zmiana względnych stężeń substratów reakcji dla otrzymania warstw z pożądanymi ich zawartościami w powłoce.
W mieszaninie substratów reakcji zawartość cyny mieści się zwykle w zakresie od 20 do 45% wagowych, a zawartość antymonu wynosi zwykle od 0,5 do 2,5% wagowych, w przeliczeniu na całą mieszaninę. Zawartość dodatku korzystnie wynosi od 0,2 do 3,6% wagowych. Ponieważ oznaczenie zawartości dodatku w gotowej powłoce może być utrudnione, to zawartość stosowanego dodatku oznacza się na etapie wytwarzania mieszaniny substratów reakcji.
W celu wytworzenia modyfikowanej powłoki tlenku cyny / antymonu na drodze CVD kontaktuje się podłoże w komorze nanoszenia z mieszaniną substratów reakcji zawierającą źródła cyny, antymonu i dodatku. Mieszaninę substratów reakcji wprowadza się zwykle przez pierwszą dyszę. Gdy mieszanina zawiera chlorki, które są ciekłe w temperaturze pokojowej, to odparowuje się ją w ogrzewanym strumieniu bezwodnego gazu nośnego, takiego jak azot. Odparowanie ułatwia rozpylenie tych substratów reakcji w gazie nośnym. W celu otrzymywania tlenków kontaktuje się chlorki z parą wodną wprowadzaną przez drugą dyszę.
Sposoby i urządzenia do wytwarzania takiej powłoki opisano na przykład we francuskim opisie patentowym 2348166 lub we francuskim zgłoszeniu patentowym 2 648 451 A1. Te sposoby i urządzenia umożliwiają wytwarzanie szczególnie mocnych powłok o korzystnych właściwościach optycznych.
W celu wytworzenia powłoki sposobem rozpylania można kontaktować podłoże z rozpylonymi kropelkami zawierającymi źródła cyny, antymonu i dodatku. Rozpylone kropelki nanosi się za pomocą jednej lub kilku dysz rozpylających rozstawionych tak, aby wyznaczały drogę, która daje powłokę na całej szerokości powlekanej wstęgi.
Sposób CVD jest korzystny w porównaniu do rozpylania cieczy, ponieważ daje powłoki o regularnej grubości i składzie, przy czym taka równomierność powłoki jest szczególnie ważna, gdy produkt ma pokrywać dużą powierzchnię. Rozpylana powłoka może także zachowywać ślady rozpylanych kropelek i przebiegu pistoletu natryskowego. Ponadto, piroliza rozpylanych cieczy jest zasadniczo ograniczona do wytwarzania powłok tlenkowych, takich jak SnCO2 i TiCO2.
PL 191 130 B1
Utrudnione jest także wytwarzanie wielowarstwowych powłok przy użyciu rozpylanych cieczy, ponieważ naniesienie każdej powłoki powoduje wyraźne ochłodzenie podłoża. Ponadto sposób CVD jest bardziej ekonomiczny, ponieważ powoduje powstawanie mniejszej ilości odpadów.
Jednak pomimo tych wad sposób rozpylania jest wygodny i tani w przypadku nanoszenia i stosuje proste urządzenia. Tak więc stosuje się go często, zwłaszcza do wytwarzania grubych warstw powłokowych.
Jeśli jest to pożądane, to można umieścić pośrednią warstwę powłokową pomiędzy podłożem i modyfikowaną powłoką tlenku cyny i antymonu, jako „podkład dla modyfikowanej warstwy, w celu nastawienia właściwości optycznych powłoki. Stwierdzono na przykład, że w pirolitycznym nanoszeniu powłoki tlenku cyny z chlorku cyny na podłożu ze szkła sodowo-wapniowego wprowadzany jest do powłoki chlorek sodu w wyniku reakcji szkła z prekursorem powłoki lub z produktami jego reakcji, co powoduje zamglenie powłoki.
Obecność podkładu może zmniejszyć lub eliminować zamglenie. Jednym ze skutków zastosowania podkładu jest zahamowanie migracji jonów sodu z podłoża szkła sodowo-wapniowego, czy to na drodze dyfuzji czy w inny sposób, do modyfikowanej powłoki tlenku cyny i antymonu. Taka dyfuzja może mieć miejsce podczas tworzenia powłoki lub podczas następnej obróbki w podwyższonej temperaturze.
Stwierdziliśmy także, że w przypadku powłoki tlenku cyny i antymonu wybrany podkład może dawać w odbiciu bardziej neutralny odcień, co uważa się powszechnie za korzystne dla wyglądu powłoki.
W jednej odmianie niniejszego wynalazku warstwa podkładowa może być wytwarzana pirolitycznie w stanie niecałkowicie utlenionym przez kontaktowanie podłoża w komorze podkładowej z prekursorem podkładu w obecności tlenu w ilości nie wystarczającej do całkowitego utlenienia materiału podkładowego na podłożu. Użyte w niniejszym opisie określenie „materiał niecałkowicie utleniony” oznacza prawdziwy podtlenek, to znaczy tlenek na niższym stopniu wartościowości wielowartościowego pierwiastka (na przykład VO2 lub TiO), a także oznacza materiał tlenkowy, który zawiera w swej budowie luki tlenowe: jako przykład takiego materiału można wymienić SiOx, w którym x ma wartość poniżej i który może mieć ogólną budowę SiO2, lecz zawiera pewną ilość luk, które w ditlenku byłyby wypełnione tlenem.
Jeśli podłoże szkła z niecałkowicie utlenioną powłoką poddać działaniu utleniającej atmosfery w ciągu dostatecznie długiego okresu czasu, to można oczekiwać, że powłoka zostanie całkowicie utleniona i jej pożądane właściwości będą stracone. Dlatego taki podkład powleka się dodatkowo warstwą modyfikowanej powłoki tlenku cyny i antymonu, gdy jest on jeszcze w stanie niecałkowicie utlenionym i gdy podłoże jest jeszcze gorące, aby w ten sposób zachować te powłokę w stanie niecałkowicie utlenionym. Czas, podczas którego podłoże szklane ze świeżym podkładem może być poddane działaniu atmosfery utleniającej, takiej jak powietrze i przed powleczeniem podkładu bez pogorszenia właściwości podkładu, zależy od temperatury szkła podczas takiego działania i od rodzaju podkładu.
Wymieniona komora podkładowa jest korzystnie otoczona przez atmosferę redukującą. Zapobiega to przechodzeniu tlenu do komory z otoczenia i odpowiednio umożliwia lepszą kontrolę warunków utleniania. Tlen potrzebny w reakcji podkładu nie musi być czystym tlenem i dlatego może być dostarczany z kontrolowanego źródła powietrza.
Szyby zawierające powlekane podłoża według wynalazku można wytwarzać w następujący sposób: każdy etap pirolitycznego powlekania można wykonywać w temperaturze co najmniej 400°C, najkorzystniej w zakresie od 550°C do 750°C. Powłoki można wytwarzać na arkuszu szkła, który przesuwa się w tunelowym piecu lub na wstędze szkła podczas jej wytwarzania, gdy jest jeszcze gorąca. Powłoki można wytwarzać w odprężarce tunelowej, która następuje po urządzeniu wytwarzającym wstęgę szkła, lub wewnątrz zbiornika pływakowego na górnej powierzchni wstęgi szkła, gdy ta ostatnia unosi się na kąpieli stopionej cyny.
Wynalazek będzie przedstawiony bardziej szczegółowo na podstawie następujących nie ograniczających przykładów.
W przykładach oznaczano stosunek molowy Sb/Sn w warstwach powłokowych metodą analizy rentgenowskiej, w której porównywano liczbę zliczeń rentgenowskich danych pierwiastków. Jakkolwiek metoda ta nie jest tak dokładna, jak kalibracja dawkami chemicznymi, to podobieństwo antymonu i cyny oznacza, że odpowiadają one podobnie na promienie rentgenowskie. Tak wiec, stosunek liczby obserwowanych zliczeń danych pierwiastków stanowi bliskie przybliżenie ich stosunku molowego.
Skróty literowe w załączonych tabelach (TL, TE itd.) mają znaczenia podane powyżej.
PL 191 130 B1
P r zyk ł a dy od I do XIII
Powłokę nanoszono na przezroczyste flotacyjne szkło sodowo-wapniowe o grubości 6 mm na stanowisku powlekania, umieszczonym w takim miejscu w komorze flotacyjnej, w którym szkło miało temperaturę powyżej 550°C. Roztwór mieszaniny substratów reakcji zawierający monobutylotrichlorocynę (MBTC), Cl1,7Sb (OCH2CH3)1/3, prekursor chromowy i 4% wagowych stabilizatora, ketonu metylowo-izobutylowego C4H9COOCH3, rozpylono na szkle przez postępowo-zwrotną głowicę rozpylającą w celu wytworzenia powłoki zawierającej utlenioną mieszaninę cyny, antymonu i chromu. Zawartości Sn, Sb i Cr w roztworze wynosiły odpowiednio 37,35%, 0,783% i 0,5% wagowych, to jest stosunek Sb/Sn w roztworze wynosił 0,02.
Podana tabela 1 przedstawia grubość otrzymanego powlekanego podłoża i jego stosunek Sb/Sn, razem ze współczynnikiem odbicia i innymi właściwościami optycznymi.
W innych przykładach zastosowano sposób postępowania z przykładu I, lecz zmieniano rodzaj dodatku i jego zawartość w mieszaninie substratów reakcji, co przedstawiono w tabeli 2 poniżej. Zawartości składników podawano w% wagowych w stosunku do całej mieszaniny.
Należy pamiętać, że wartości współczynników odbicia dla różnych przykładów można porównywać tylko dla podobnych grubości i stosunków Sb/Sn, ponieważ parametry te mają duży wpływ na wartości współczynnika odbicia. Na przykład dwie powłoki o takim samym składzie wykazują różnice współczynnika odbicia w funkcji ich grubości.
Przykłady od I do IV pokazują, że chrom jako dodatek daje powłokę o małym zamgleniu i zwiększonym współczynniku odbicia. Czasem występuje zamglenie, ale jest ono bardzo małe, jeśli pomiędzy szkłem i powłoką osadzono podkład SiO2 (patrz przykład IV).
Przykłady z Fe i przykłady z Mg jako dodatkiem wykazują bardzo duże wartości współczynnika odbicia.
PL 191 130 B1
Tabela 1
| Sb/Sn | LO O O | LO O 0 | to o o | CN 1-1 o | P* «—1 o | T-1 o | rd CN O | ΟΊ O O | σ o o | CN CN O | O’ CN O | P1-1 o | o PN O | N PN O | 0,06 | | to o o | rd PN O | LO O o | rd s—1 O | ||||
| O | |||||||||||||||||||||||
| 'CO | |||||||||||||||||||||||
| o | |||||||||||||||||||||||
| Λ | |||||||||||||||||||||||
| h | oo | Ν' | σ | CN | o | LO | rd | r- | r- | PO | P* | rd | rd | σ | σ | PO | P- | «śT* | o | ||||
| Li | g | LO | lo | I—1 | 0Ί | rd | rr | PO | PO | o | CN | o | PO | N | CN | co | P- | PO | LO | LO | |||
| Co | d | PO | PO | PO | PO | PO | PO | PO | PO | co | PO | PO | PO | PN | PO | PO | LO | PO | CN | PO | |||
| CD | |||||||||||||||||||||||
| -id | |||||||||||||||||||||||
| 1 — | |||||||||||||||||||||||
| a> | Ό g | -—. | |||||||||||||||||||||
| rd | O Φ | LO | r* | ||||||||||||||||||||
| CO | a ή | CN | CN | P- | CO | LO w | *T | CO | |||||||||||||||
| h | co | LO | LO | kh. | LO | LO | P- | LO | co | CN | N1 | Ό | N | LO | LO | * PN | LO | =4* | r- | ||||
| fTł | N rL | s | s | O | k | h. | K | K | k | k. | rd | k | h. | h. | k | O rd | k | k | tk | ||||
| N | — A! | rd | PO | rd | c-d | rd | rd | LO | PO | rd | rd | LO | rd | O | O | PN | O | O | o | ||||
| w | |||||||||||||||||||||||
| f-1 | σ | O | CN | PO | τ—1 | LO | p- | p- | LO | LO | o | Ν’ | CO | o | CN | CO | LO | LO | co | ||||
| \ | i-1 | τ—1 | O | CN | vd | CN | o | rd | rd | rd | CN | CN | o | CN | PO | PO | O | PN | PN | ||||
| A | kh | s. | kfc | ||||||||||||||||||||
| A | 1-1 | ί—1 | c—1 | ę—1 | τ—1 | r—1 | c—1 | τ—1 | i—1 | i—1 | rd | τ—1 | T-1 | τ—1 | ę—1 | τ—1 | ϊ—1 | ,—1 | τ—1 | ||||
| CO | |||||||||||||||||||||||
| U | lo | O | CN | CO | τ—1 | OO | p- | PO | LO | Cd | O | o | PN | LO | ΟΊ | r~ | |||||||
| \ | o | o | CT, | co. | O | er, | er, | O | σ | σ | σ | σ | co | σ | O | σ | P- | O | 00 | ||||
| A | hk | k | i | «k, | <k | < | s. | h. | s. | K | < | k | *k | »k | s. | s. | k. | ||||||
| CI | rd | τ—1 | O | o | τ—1 | o | O | rd | o | O | O | o | o | o | t—1 | o | o | i—1 | O | ||||
| ω | lo | P- | LO | ’φ | co | n- | N’ | P- | p- | co | CN | rd | σ | PO | LO | P' | LO | LO | r- | ||||
| U | 0\° | LD | tO | LO | LO | LO | LO | LO | LO | LO | LO | LO | LO | N | LO | LO | ^r | LO | |||||
| fc] | co | rd | O | PO | CN | CN | CO | ΟΊ | LO | CC | O | [— | Ό | r—1 | ‘N1 | CN | CN | p- | CN | ||||
| H | oO | m | to | LO | rr | LO | ’Ν' | LO | LO | N1 | PO | PO | ’χΓ | PO | PO | LO | PO | ||||||
| p- | LO | ||||||||||||||||||||||
| i-l | LO | lo | i—1 | p~ | r- | rd | O | LO | N | o | O | <—1 | PN | ,—1 | o | CN | CN | ||||||
| ffi | o\o | rd | rd | LO | i—i | rd | rd | CN | rd | rd | rd | rd | rd | rd | rd | rd | rd | rd | rd | rd | |||
| A | O | P* | r-1 | PO | σ | PO | CN | σι | PO | LO | CO | LO | σ | σ | CO | r—1 | τ—1 | ||||||
| Eh | θ\° | LO | LO | LO | lO | LO | LO | LO | Ό | LO | LO | N1 | N | co | LO | ^r | PO | P· | |||||
| 34 | |||||||||||||||||||||||
| CD | 1 Φ | ||||||||||||||||||||||
| 1-’ | N N | + | |||||||||||||||||||||
| nj | O Li | LO | LO | P- | CN | Ν’ | |||||||||||||||||
| Ό | b 0 | m | lo | ST | LO | σ | LO | LO | PO | o | O | O | |||||||||||
| u | 3 | h. | t. | w | k | k» | <k | k | k | k | k | ||||||||||||
| Ό | 3 +J | o | I—'1 | CN | rd | o | rd | CN | o | τ—1 | o | PO | O | o | LO | PN | CN | o | O | O | |||
| 34 | |||||||||||||||||||||||
| >1 | (D | rQ | Ά | Λ | |||||||||||||||||||
| c | 1 4-» | ω | σ) | C/J | |||||||||||||||||||
| Li iO | |||||||||||||||||||||||
| η | ω <0 | g | g | g | |||||||||||||||||||
| O | Ή -Η | L| | LI | L| | L| | o | a? | <U | tT. | c | F-1 | o | c | -rf | Sd | 5d | ΐΰ | (0 | |||||
| T3 | a 3 | u | o | u | u | U | Cm | Ui | Ξ | tsi | υ | s | Z | > | £N | ISJ | w | w | w | ||||
| >, | |||||||||||||||||||||||
| rM N U | |||||||||||||||||||||||
| Ό | > 3 | ||||||||||||||||||||||
| Π3 | n nj | ||||||||||||||||||||||
| Pd | μ a | ||||||||||||||||||||||
| 34 | a 3 | I—I | PN | ro | |||||||||||||||||||
| >1 | 1—1 | I-d | o | & | & | & | |||||||||||||||||
| N | I-d | I-d | I-d | I-d | H | > | U 5d | g | B | g | |||||||||||||
| L| | hd | I-d | > | I-d | I-d | I-d | X | I-d | I-d | H | I-d | > | > 0 | o | o | 0 | |||||||
| U | I-I | I-I | I-d | I-d | > | > | > | > | Hd | X | X | X | X | X | X | x a | X | X | X |
I-1
Ή
U
AA
N rtf
Ή
N
-H
O 'co
O c
I-1 •H
Xi r3
4J
CO >1 £
Π3
Li
CL
O
CL
Π3 l—I T5
Ή
E-i
O\o
O
O
4J
Ί3 rO q
o
CL
Π3
Li
CL)
H £
rO
N
L| '0
-P
N
O
LI
-X
PL 191 130 B1
T ab e l a 2
| Przykład | Zawartość metalu | Zawartość Sn,% wagowych | Zawartość Sb,% wagowych | Sb/Sn |
| I' | 0,5% Cr | 37,35 | 0,747 | 0,02 |
| II' | 1,0% Cr | 35,55 | 0,711 | 0,02 |
| III' | 2,0% Cr | 32,00 | 0,640 | 0,02 |
| IV' | 1,0% Cr | 35,58 | 1,423 | 0,04 |
| V' | 0,5% Fe | 36,23 | 2,530 | 0,07 |
| VI' | 1,0% Fe | 34,57 | 2,420 | 0,07 |
| VII' | 2,4% Fe | 31,14 | 2,180 | 0,07 |
| VIII' | 0,5% Mg | 35,51 | 2,470 | 0,07 |
| IX' | 1,0% Zn | 35,69 | 2,500 | 0,07 |
| X' | 0,90% Al | 32,29 | 2,260 | 0,07 |
| XI' | 3,55% Co | 31,14 | 2,180 | 0,07 |
| XII' | 0,5% Mn | 36,06 | 2,520 | 0,07 |
| XIII' | 0,35% Ni | 36,60 | 2,560 | 0,07 |
P r zyk ł a d XIV
Roztwór mieszaniny substratów reakcji zawierający monobutylotrichlorocynę (MBTC), SbCl3, prekursor wanadowy (triacetyloacetonian wanadu) i 4% wagowych stabilizatora (ketonu metylowo-izobutylowego C4H9COOCH3), rozpylono na szkle przez postępowo-zwrotną głowicę rozpylającą w celu wytworzenia powłoki zawierającej utlenioną mieszaninę cyny, antymonu i wanadu. Stosunek Sb/Sn w roztworze wynosił 0,07. Wartość współczynnika odbicia otrzymanego dla tego przykładu była mała.
P r zyk ł a dy XV i XVI.
Zastosowano sposób postępowania z przykładu I, lecz zmieniano rodzaj dodatku i jego zawartość w mieszaninie substratów reakcji. Dodatkiem był cyrkon.
Przykłady te dawały dobry współczynnik odbicia, ale miały duże zamglenie, nawet w przypadku użycia podkładu.
P r zyk ł a d y od XVII do XXVII.
Powłokę nanoszono na przezroczyste flotacyjne szkło sodowo-wapniowe o grubości 6 mm na stanowisku powlekania, umieszczonym w takim miejscu w komorze flotacyjnej, w którym szkło miało temperaturę powyżej 550°C. Roztwór w lodowatym kwasie octowym zawierający 220 g/l acetyloacetonianu glinu i 12 g/l triacetylacetonianu wanadu rozpylono na szkle przez postępowo-zwrotną głowicę rozpylająca w celu wytworzenia powłoki zawierającej utlenioną mieszaninę glinu i wanadu.
Podłoże szklane z podkładem doprowadzono do drugiego stanowiska powlekania, na którym roztwór mieszaniny substratów reakcji zawierający monobutylotrichlorocynę (MBTC), Cl1,7Sb(OCH2CH3)1,3 i prekursor dodatku rozpylono na szkle przez postępowo-zwrotną głowicę rozpylającą w celu wytworzenia powłoki zawierającej utlenioną mieszaninę cyny, antymonu i glinu. Zawartości dodatku i stosunek Sb/Sn w roztworze były takie, jak wymieniono w poniższej tabeli 3, która podaje także grubość otrzymanego powlekanego podłoża i jego stosunek Sb/Sn, razem z jego współczynnikiem odbicia i innymi właściwościami optycznymi.
P r zyk ł a dy od XXVIII do XXXIII
Powlekane podłoża szklane wytworzone w przykładach XVII i XVIII wytworzono w postaci podwójnych szyb zawierających powlekane podłoże i podobny, lecz nie powlekany arkusz szkła sodowowapniowego.
Współczynnik odbicia i inne właściwości optyczne takich szyb przedstawiono w poniższej tabeli 4. Położenie powłoki wskazano za pomocą oznaczeń P1, P2 lub P3, przy czym P1 oznacza skierowana na zewnątrz powierzchnię zewnętrznego arkusza, P2 oznacza skierowaną do środka powierzchnię zewnętrznego arkusza i P3 oznacza skierowaną na zewnątrz powierzchnię wewnętrznego arkusza.
PL 191 130 B1
Wyniki dla przykładów XVII i XVIII (z arkuszem monolitowym) powtórzono w tabeli 3 dla ułatwienia porównania z szybami podwójnymi.
| gru- bość | £ 0 | 240 1 | 1220 I | o Od rd | 240 1 | 220 I | 320 | | o CM | o CM | 220 | | o LO CM | O en | o CM |
| <0 | LO | m | LO | O | O | en | en | CM | sr | [ | |||
| Λ c | o | rd | rd | 1-1 | 7—1 | CM | CM | CM | rn | CM | 7-1 | CM | |
| ω ot | o | O | O | o | o | O | o | o | o | o | O | O | |
| 1 I | en | 00 | r- | M1 | σ | co | 7—1 | OT | en | LO | |||
| fi tu o <0 r—d -rd | CM | ud | CM | 'T | O | CD | LO | r- | en | en | 7—1 | LO | |
| N & C | o\O | O | O | O | rd | rd | 7—1 | o | o | o | 7—1 | 7-1 | O |
| Γ | ΟΊ | CM | CM | τ—1 | en | σ | tn | LO | CM | ||||
| o | σ | τ—1 | O | CO | O | o | σ | o | σ | LO | |||
| en E-ι bu | i—1 | O | 7-1 | τ—1 | «—1 | τ—1 | 7-1 | 7-1 | o | 7-1 | o | O | |
| r- | LD | M1 | O | en | CM | 7—1 | l—1 | CO | LD | 7-1 | |||
| rd | 7—1 | 7—1 | rd | rd | 7—1 | i-d | CM | rd | 7—1 | CM | σ | ||
| χ ω | -h | h. | h. | h. | <h | h | hi | h. | >h | hi | >h | ||
| Η H | i—1 | ϊ—1 | 7—1 | 7—1 | 7—1 | i—1 | 7-1 | 7-1 | 7-1 | 7-1 | 7-1 | o | |
| cm | 7—1 | LO | Γ | en | σ | LD | LD | σ | CM | σ | |||
| h. | hi | h. | u | K | hi | K | h. | h. | h. | hi | |||
| en | i—1 | CM | CO | en | CO | 7-1 | CM | C- | LO | r- | |||
| Pd | QP | t~- | OT | LO | LO | o | LO | r~ | LO | LO | LO | LO | νί |
| co | CM | LO | LO | n- | 7—t | LO | 7-1 | CM | LO | ||||
| h. | h. | «. | h. | h. | K | h. | rd | κ. | |||||
| OT | 'TT | CO | LO | 7-1 | Γ- | 7-1 | LO | en | O | Γ | ih | CM | |
| c\° | LO | LO | LO | LD | LD | LO | LO | LO | LD | LO | 7-1 | en | |
| (fi Ό ~ | r~- | en | LO | σ | en | ||||||||
| LO | «. | *=r | «, | h | LO | h | ·, | 7—1 | |||||
| n o Di | h | h | LO | h. | CM | OT | •k | CM | CM | h. | |||
| U -J — | d\0 | CM | i—l | LO | rd | 7—1 | rd | σ | rd | rd | LO | ||
| LD | xT | O- | 7-1 | r~ | LO | Cd | σ | ||||||
| o | LO | LO | LO | LO | en | LO | LO | LO | o | ||||
| n | fi | o | r* | LO | LO | !> | LO | LO | LO | LO | LO | LO | LO |
| m4 | β | OT | LO | LO | 1 | LO | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| _____ | 7-1 | Γ· | 7-1 | T—1 | en | σ | σ | 7—1 | Γ- | 7—1 | |||
| ot | h. | h. | h | h | h | w. | h | h | h | LO | |||
| A u | on | en | m | rd | •=r | χΓ | CM | 7—1 | rd | CM | o | Th | |
| 05 — | 0\0 | i—i | 7-1 | 7-1 | τ—1 | rd | 7—t | 7—1 | 7-1 | 7-1 | 7-1 | 7-1 | σ |
| O 1 'to --- | en | σ | |||||||||||
| X O A | LD | en | r- | 00 | LO | OT | h. | OT | h. | ||||
| N P A | h. | K | h. | h. | Th | rM | K | h. | rM | ||||
| u to — | c\o | 7~1 | CM | CM | co | CM | OT | 7—1 | CM | LD | en | LD | cd |
| Cd | 00 | LO | rd | en | OT | 7—1 | en | O | LD | -LT | LO | ||
| e | LO | CO | CO | Γ | LO | LD | [— | r— | LO | CO | r~- | ||
| mi | c | lO | lO | lo | lO | LO | LO | lO | lO | ||||
| en | Γ- | en | 00 | LO | m· | LO | r- | σ | LO | ||||
| > | h | ·* | h. | h | <h | h. | h | h | h. | ||||
| OT | LO | τ—1 | LO | O | OT | LO | r- | rd | σ | ||||
| cK5 | r- | OT | LO | r- | Γ | LO | r- | LO | LO | LO | LO | CM | |
| 1 N 0 | |||||||||||||
| C 0 N ot d w | CM | *=? | r- | r~- | c- | r- | r~ | r- | r~ | r- | |||
| '-^ o | O | O | O | O | o | o | o | O | o | o | O | o | |
| p s | h | h. | h» | «. | hi | hi | h | hi | hi | h- | |||
| ω S p | o | o | O | O | o | O | o | O | o | O | o | o | |
| ii i <y n <d P 0 N a u i T O | LO | ŁO | LO | LO | LO | σ | LO | ||||||
| O S | h. | h | Th | Ih | Th | Th | Th | ||||||
| OSP | ó>° | o | o | O | CM | o | O | CM | rd | o | rd | o | o |
| 1 1 14 | fi | ||||||||||||
| ΰ 'ϋ (P | M | H | fi | σ | (1) | (1) | 0) | 1-1 | c | c | (U ,Q | ||
| Τ Τ P | O | U | O | o | X | bu | Eu | lu | EM) | X | en en | ||
| 1 | Hd | hd | M | ||||||||||
| >1-0 | hd | hd | hd | hd | > | hd | hd | o, | |||||
| N <0 | hd | I-d | X | hd | hd | hd | hd | > | !> | i> | fi | ||
| fi rM | > | > | hd | X | X | X | X | X | X | X | X | 0 | |
| 0,14 | X | X | X | X | X | X | X | X | X | X | X | X |
PL 191 130 B1
Έ|cd
Ο
| 1 α Μ Φ | bóść | Ε C | 240 | 1 | 1 | 1 | 220 | 1 | J | 1 | |||
| G | |||||||||||||
| W | CD | LO | |||||||||||
| \ | Ο | P | |||||||||||
| Χϊ | h. | ta | |||||||||||
| ω | Ο | 1 | 1 | 1 | o | 1 | 1 | ||||||
| , | φ | ||||||||||||
| •Η | σ | co | |||||||||||
| Ε | ΰ | CM | P | ||||||||||
| π3 | Φ | *. | ta | ||||||||||
| Ν | Ρ | ο\° | Ο | 1 | 1 | 1 | o | i | 1 | 1 | |||
| οο | |||||||||||||
| Uj | Ρ | σ | σ | 00 | P | P | P | P | |||||
| \ | ο | ο | o | σ | o | o | O | 00 | |||||
| (-1 | ta | «« | ta | ta | ta | ta | ta | ||||||
| Η | Ρ | Ρ11 | P | o | P | P | τ-H | O | |||||
| ω | |||||||||||||
| Η | Ρ | ο | o | o | 00 | 00 | σ | σ | |||||
| Pta | ι—1 | CM | CM | CM | ,Pi | P | τ—1 | P | |||||
| *. | κ | ». | ta | ta | ta | ta | |||||||
| Η | Ρ | Ρ | P | P | P | P | P | P | |||||
| CM | CD | oo | P | CM | CM | P | co | ||||||
| «. | ta | ta. | w | ta | »ta | ||||||||
| ω | τ-1 | co | CO | o | p | P | P | P | |||||
| CU | ο\ο | Ρ | CD | CD | ρ | LO | LO | LO | CD | ||||
| 03 | T—t | r—1 | 1—1 | p | P | 00 | CO | ||||||
| % | ta | ta | ». | *. | ta | ta | ta. | ||||||
| ω | Ρ | OO | 00 | 00 | P | p | P | P | |||||
| Η | θ\° | CD | LO | LO | LO | P | P | P | P | ||||
| 1 w | Ό | ||||||||||||
| >Ί | 'C0 | J | CD | P | r—1 | CO | σ | σ | P | P | |||
| Ν | ο | οί | ·. | ta. | ta | ta | K | ta | ta. | ||||
| υ | -Ρ | '—' | 0\Ο | CM | CM | P | P | CD | CD | CD | LO | ||
| Ο | p | LO | LO | CD | LO | 00 | co | ||||||
| Ω | Ε | Ο | 00 | P | oo | p | P | LO | P | ||||
| X | δ | CD | lO | LO | LO | LO | LO | LO | LO | ||||
| 00 | i—1 | CD | i—1 | CO | τ—1 | P | |||||||
| ω | «. | ta | h. | «. | ta. | ta | |||||||
| a | υ | co | P | p | 00 | co | CD | P | 00 | ||||
| οί | dp | Ρ | T—1 | P | P | P | P | i—1 | i—1 | ||||
| 1 w | Ό | ||||||||||||
| '(0 | a | CD | σ | co | oo | co | co | CM | CM | ||||
| Ν | ο | Η | «. | ta | ta | ta | ta | ta | ». | ta | |||
| υ | Ρ | ο\ο | τ—1 | τ—1 | P | P | CM | CM | CM | CM | |||
| CM | CM | p1 | 1—I, | 00 | O | O | O | ||||||
| Ω | Ε | LO | LD | LO | lo | 00 | σ | σ | σ | ||||
| ί< | C | m | LO | LO | to | P | P | P | P | ||||
| σ | CD | CD | CD | p | LO | P | P | ||||||
| *. | •h | *. | ta | ta | ta | ta | ta | ||||||
| |J | LO | σ | σ | σ | τ—1 | CD | CD | CD | |||||
| Η | ο\° | ρ | CD | CD | CD | CD | LO | l0 | LO | ||||
| , | φ | I | 1 | ||||||||||
| Ο | Ρ | ο | • | o | |||||||||
| Ρ | (4 | C | Ρ | c | P | ||||||||
| ο | ω | ο | Ή | P | CM | co | o | -H | P | CM | co | ||
| CL. | Ν | ε | *—1 | CU | Cu | CU | E | 1—1 | CU | CU | CU | ||
| P | P | ||||||||||||
| 1 | P | P | P | P | |||||||||
| >1 | Ό | Ρ | P | X | P | P | P | P | |||||
| Ν | (d | Ρ | > | P | X | P | X | X | X | ||||
| Κ| | Ρ | > | X | X | X | > | X | X | X | ||||
| a | Λί | X | X | X | X | X | X | X |
φ
Ό
Ή
CO
Ό (Ρ
-Ρ
Π3
Ο ϋ
rd
C id <Ρ
I-1 £
ο ίΧ ίϋ d
ο
Μ
-Ρ
C0
Π ο
Claims (31)
- Zastrzeżenia patentowe1. Przezroczyste powlekane podłoże wykonane ze szkła sodowo-wapniowego podtrzymujące wytwarzaną pirolitycznie warstwę powłokową zawierającą tlenki cyny i antymonu w stosunku molowym Sb/Sn wynoszącym od 0,01 do 0,5, znamienne tym, że warstwa powłokowa ma grubość wynoszącą od 100 do 500 nm oraz ta warstwa powłokowa zawiera ponadto dodatek składający się z jednego lub kilku metali z grupy obejmującej glin, chrom, kobalt, żelazo, mangan, magnez, nikiel, wanad, cynk oraz cyrkon, i jest wolna od fluoru, przy czym tak powlekane podłoże ma współczynnik odbicia światła RL wynoszący co najmniej 10%.
- 2. Podłoże według zastrz. 1, znamienne tym, że zawiera dodatkowo podkład umieszczony pomiędzy podłożem a warstwą powłokową.
- 3. Podłoże według zastrz. 1 albo 2, znamienne tym, że stosunek molowy Sb/Sn w warstwie powłokowej wynosi od 0,03 do 0,21.
- 4. Podłoże według zastrz. 3, znamienne tym, że stosunek molowy Sb/Sn w warstwie powłokowej wynosi od 0,03 do 0,16.
- 5. Podłoże według zastrz. 1 albo 2, znamienne tym, że dodatek jest wybrany spośród glinu, chromu, kobaltu, żelaza, manganu, magnezu, niklu, wanadu i cynku.
- 6. Podłoże według zastrz. 5, znamienne tym, że dodatek jest wybrany spośród glinu, chromu, kobaltu, żelaza, magnezu i cynku.
- 7. Podłoże według zastrz. 6, znamienne tym, że dodatek jest wybrany spośród chromu, żelaza i magnezu.
- 8. Podłoże według zastrz. 1 albo 2, znamienne tym, że współczynnik odbicia światła RL wynosi co najmniej 13%.
- 9. Podłoże według zastrz. 1 albo 2, znamienne tym, że warstwa powłokowa ma grubość od 220 do 500 nm.
- 10. Podłoże według zastrz. 1 albo 2, znamienne tym, że źródło cyny dla warstwy powłokowej stanowi SnCl4 i/lub monobutylotrichlorocyna MBTC.
- 11. Podłoże według zastrz. 1 albo 2, znamienne tym, że źródło antymonu dla warstwy powłokowej stanowi jeden lub kilka związków spośród SbCl5, SbCl3, związki antymonoorganiczne, takie jak Sb (OCH2CH3)3, Cl1,7Sb(OCH2CH3)1,3, Cl2SbOCHClCH3, Cl2SbOCH2CHCH3Cl lub Cl2SbOCH2C(CH3)2Cl.
- 12. Podłoże według zastrz. 1 albo 2, znamienne tym, że źródło dodatku dla warstwy powłokowej stanowi chlorek lub związek metaloorganiczny danego pierwiastka.
- 13. Podłoże według zastrz. 2, znamienne tym, że podkład zawiera tlenek glinu z dodatkiem tlenku wanadu.
- 14. Podłoże według zastrz. 13, znamienne tym, że geometryczna grubość podkładu wynosi od 40 do 100 nm.
- 15. Podłoże według zastrz. 13 albo 14, znamienne tym, że podkład nadaje powłoce neutralny odcień w odbiciu.
- 16. Podłoże według zastrz. 1 albo 2, znamienne tym, że współczynnik słoneczny FS wynosi co najwyżej 70%, korzystnie co najwyżej 65%.
- 17. Podłoże według zastrz. 1 albo 2, znamienne tym, że jego przepuszczalność światła TL wynosi od 35 do 76%.
- 18. Podłoże według zastrz. 1 albo 2, znamienne tym, że warstwa powłokowa składa się z utlenionej mieszaniny cyny, antymonu oraz dodatku.
- 19. Zastosowanie przezroczystego powlekanego podłoża określonego w zastrz. 1 do wytwarzania szyby oszkleniowej.
- 20. Zastosowanie przezroczystego powlekanego podłoża według zastrz. 19, znamienne tym, że podłoże stosuje się jako jeden z arkuszy do wytwarzania szyby oszkleniowej zawierającej dwa lub więcej arkuszy podłoża.
- 21. Zastosowanie przezroczystego powlekanego podłoża według zastrz. 19 albo 20, znamienne tym, że wytworzoną szybę oszkleniową stosuje się jako szybę oszkleniową w budownictwie.
- 22. Zastosowanie przezroczystego powlekanego podłoża według zastrz. 19 albo 20, znamienne tym, że wytworzoną szybę oszkleniową stosuje się jako szyba oszkleniową w pojazdach.
- 23. Zastosowanie przezroczystego powlekanego podłoża według zastrz. 19 albo 20, znamienne tym, że wytworzoną szybę oszkleniową stosuje się jako szybę oszkleniową w budownictwie lub w pojazdach kierując jej warstwę powłokową powierzchnią czołową na zewnątrz budynku lub pojazdu.PL 191 130 B1
- 24. Zastosowanie przezroczystego powlekanego podłoża według zastrz. 19, znamienne tym, że wytworzoną szybę oszkleniową stosuje się jako szybę oszkleniową umieszczając jej warstwę powłokową na zewnętrznej powierzchni czołowej zewnętrznej szyby.
- 25. Sposób wytwarzania przezroczystego powlekanego podłoża obejmujący pirolityczne osadzanie na drodze chemicznego naparowywania próżniowego CVD z mieszaniny substratów reakcji na podłożu warstwy powłokowej zawierającej tlenki cyny i antymonu w stosunku molowym Sb/Sn wynoszącym od 0,01 do 0,5, przy czym mieszanina substratów reakcji zawiera źródło cyny i źródło antymonu, znamienny tym, że stosuje się mieszaninę substratów reakcji zawierającą ponadto dodatek składający się z jednego lub kilku metali z grupy obejmującej glin, chrom, kobalt, żelazo, mangan, magnez, nikiel, wanad, cynk oraz cyrkon, i wolna od fluoru, przy czym dodatek ten jest obecny w mieszaninie substratów reakcji w zakresie od 0,2 do 3,6% wagowych, otrzymując powlekane podłoże, które ma współczynnik odbicia światła RL wynoszący co najmniej 10%.
- 26. Sposób według zastrz. 25, znamienny tym, że warstwę powłokową osadza się w temperaturze w zakresie od 550°C do 750°C.
- 27. Sposób według zastrz. 25 albo 26, znamienny tym, że warstwę powłokową wytwarza się na arkuszu szkła w piecu tunelowym lub na wstędze szkła podczas jej wytwarzania, gdy jest jeszcze gorąca.
- 28. Sposób według zastrz. 25, znamienny tym, że pomiędzy podłożem a warstwą powłokową wytwarza się podkład.
- 29. Sposób według zastrz. 28, znamienny tym, że podkład wytwarza się pirolitycznie w stanie niecałkowicie utlenionym przez kontaktowanie podłoża w komorze podkładowej z materiałem prekursora podkładu w obecności tlenu w ilości nie wystarczającej do całkowitego utlenienia materiału podkładowego na podłożu.
- 30. Sposób według zastrz. 28, znamienny tym, że jako podkład stosuje się tlenek glinu z dodatkiem tlenku wanadu.
- 31. Sposób według zastrz. 28, albo 29, albo 30, znamienny tym, że wytwarza się podkład o geometrycznej grubości wynoszącej od 40 do 100 nm.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GBGB9806030.4A GB9806030D0 (en) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | Solar control coated substrate with high reflectance |
| PCT/BE1999/000035 WO1999048827A1 (en) | 1998-03-20 | 1999-03-17 | Solar control coated substrate with high reflectance |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL336930A1 PL336930A1 (en) | 2000-07-17 |
| PL191130B1 true PL191130B1 (pl) | 2006-03-31 |
Family
ID=10828980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL336930A PL191130B1 (pl) | 1998-03-20 | 1999-03-17 | Przezroczyste powlekane podłoże, jego zastosowanie oraz sposób wytwarzania przezroczystego powlekanego podłoża |
Country Status (18)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6387514B1 (pl) |
| EP (1) | EP0986521B1 (pl) |
| JP (1) | JP2002509515A (pl) |
| CN (1) | CN1128770C (pl) |
| AT (1) | ATE212606T1 (pl) |
| AU (1) | AU738600B2 (pl) |
| BR (1) | BR9906333A (pl) |
| CA (1) | CA2290609C (pl) |
| CZ (1) | CZ299250B6 (pl) |
| DE (1) | DE69900835T2 (pl) |
| ES (1) | ES2172309T3 (pl) |
| GB (1) | GB9806030D0 (pl) |
| HU (1) | HU224059B1 (pl) |
| ID (1) | ID24273A (pl) |
| PL (1) | PL191130B1 (pl) |
| RU (1) | RU2248945C2 (pl) |
| TR (1) | TR199902861T1 (pl) |
| WO (1) | WO1999048827A1 (pl) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020155299A1 (en) * | 1997-03-14 | 2002-10-24 | Harris Caroline S. | Photo-induced hydrophilic article and method of making same |
| US7508567B1 (en) | 2008-01-08 | 2009-03-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Metal etalon with enhancing stack |
| CN102060447B (zh) * | 2010-11-26 | 2012-07-04 | 武汉理工大学 | 具有防止静电和截止紫外线双功能的透明镀膜玻璃及其制备方法 |
| CN102127326B (zh) * | 2010-12-28 | 2012-10-31 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种二氧化钒基复合镀膜液和复合薄膜及其制备方法和应用 |
| KR102235595B1 (ko) * | 2013-07-08 | 2021-04-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 주석 산화물 반도체용 조성물 및 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법 |
| WO2016132131A1 (en) * | 2015-02-19 | 2016-08-25 | Pilkington Group Limited | A chemical vapour deposition process for depositing an iron doped tin oxide coating and a coated glass article formed thereby |
| CN112337767A (zh) * | 2020-11-03 | 2021-02-09 | 南京航空航天大学 | 一种太阳能吸光涂层及其制备方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT996924B (it) * | 1972-12-21 | 1975-12-10 | Glaverbel | Procedimento per formare uno strato di ossido metallico |
| GB8630791D0 (en) * | 1986-12-23 | 1987-02-04 | Glaverbel | Coating glass |
| GB2247691B (en) * | 1990-08-31 | 1994-11-23 | Glaverbel | Method of coating glass |
| GB9019117D0 (en) * | 1990-09-01 | 1990-10-17 | Glaverbel | Coated glass and method of manufacturing same |
| BR9205672A (pt) * | 1991-12-26 | 1994-08-02 | Atochem North America Elf | Composição gasosa |
| US5721054A (en) * | 1994-04-27 | 1998-02-24 | Glaverbel | Glazing panel and process for forming the same |
| GB2302102B (en) * | 1995-06-09 | 1999-03-10 | Glaverbel | A glazing panel having solar screening properties and a process for making such a panel |
| GB2302101B (en) | 1995-06-09 | 1999-03-10 | Glaverbel | A glazing panel having solar screening properties |
| MY129739A (en) * | 1996-01-09 | 2007-04-30 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Coated glass for buildings |
| US6124026A (en) * | 1997-07-07 | 2000-09-26 | Libbey-Owens-Ford Co. | Anti-reflective, reduced visible light transmitting coated glass article |
-
1998
- 1998-03-20 GB GBGB9806030.4A patent/GB9806030D0/en not_active Ceased
-
1999
- 1999-03-17 CA CA002290609A patent/CA2290609C/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-03-17 EP EP99910041A patent/EP0986521B1/en not_active Revoked
- 1999-03-17 ES ES99910041T patent/ES2172309T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-17 US US09/424,291 patent/US6387514B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-17 TR TR1999/02861T patent/TR199902861T1/xx unknown
- 1999-03-17 AU AU29165/99A patent/AU738600B2/en not_active Ceased
- 1999-03-17 PL PL336930A patent/PL191130B1/pl unknown
- 1999-03-17 AT AT99910041T patent/ATE212606T1/de not_active IP Right Cessation
- 1999-03-17 CZ CZ0411499A patent/CZ299250B6/cs not_active IP Right Cessation
- 1999-03-17 HU HU0003182A patent/HU224059B1/hu not_active IP Right Cessation
- 1999-03-17 WO PCT/BE1999/000035 patent/WO1999048827A1/en not_active Ceased
- 1999-03-17 BR BR9906333-6A patent/BR9906333A/pt not_active Application Discontinuation
- 1999-03-17 CN CN99800508A patent/CN1128770C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1999-03-17 ID IDW991408A patent/ID24273A/id unknown
- 1999-03-17 DE DE69900835T patent/DE69900835T2/de not_active Revoked
- 1999-03-17 JP JP54750299A patent/JP2002509515A/ja active Pending
- 1999-03-17 RU RU99126756/03A patent/RU2248945C2/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2248945C2 (ru) | 2005-03-27 |
| CA2290609A1 (en) | 1999-09-30 |
| CN1263513A (zh) | 2000-08-16 |
| DE69900835D1 (de) | 2002-03-14 |
| US6387514B1 (en) | 2002-05-14 |
| CA2290609C (en) | 2007-03-06 |
| GB9806030D0 (en) | 1998-05-20 |
| HUP0003182A2 (hu) | 2001-01-29 |
| AU2916599A (en) | 1999-10-18 |
| CN1128770C (zh) | 2003-11-26 |
| EP0986521A1 (en) | 2000-03-22 |
| BR9906333A (pt) | 2002-01-02 |
| ES2172309T3 (es) | 2002-09-16 |
| TR199902861T1 (xx) | 2000-06-21 |
| HUP0003182A3 (en) | 2001-05-28 |
| ID24273A (id) | 2000-07-13 |
| WO1999048827A1 (en) | 1999-09-30 |
| PL336930A1 (en) | 2000-07-17 |
| HU224059B1 (hu) | 2005-05-30 |
| EP0986521B1 (en) | 2002-01-30 |
| CZ411499A3 (cs) | 2000-07-12 |
| ATE212606T1 (de) | 2002-02-15 |
| CZ299250B6 (cs) | 2008-05-28 |
| AU738600B2 (en) | 2001-09-20 |
| DE69900835T2 (de) | 2002-09-12 |
| JP2002509515A (ja) | 2002-03-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7803463B2 (en) | Glazing panel having solar screening properties | |
| ES2205665T3 (es) | Hojas de vidrio para control solar. | |
| US6881505B2 (en) | Coated substrate with high reflectance | |
| ES2198904T3 (es) | Sustrato revestido de alta reflectancia. | |
| GB2302102A (en) | Glazing panel having solar screening properties | |
| PL191130B1 (pl) | Przezroczyste powlekane podłoże, jego zastosowanie oraz sposób wytwarzania przezroczystego powlekanego podłoża | |
| CA2178033C (en) | Glazing panel having solar screening properties and a process for making such a panel | |
| US7776460B2 (en) | Coated substrate with high reflectance | |
| MXPA99010635A (en) | Solar control coated substrate with high reflectance | |
| AU2002300125B2 (en) | Coated substrate with high reflectance | |
| CA2607846A1 (en) | Glazing panel having solar screening properties and a process for making such a panel | |
| CZ363199A3 (cs) | Protisluneční povlečené sklo |