PL195792B1 - Sposób i kompozycja do inhibitowania adsorpcji sodu do powierzchni obwodów scalonych podczas usuwania fotomaski lub oczyszczania po trawieniu metalu za pomocą kompozycji zawierającej organiczny rozpuszczalnik - Google Patents
Sposób i kompozycja do inhibitowania adsorpcji sodu do powierzchni obwodów scalonych podczas usuwania fotomaski lub oczyszczania po trawieniu metalu za pomocą kompozycji zawierającej organiczny rozpuszczalnikInfo
- Publication number
- PL195792B1 PL195792B1 PL01357383A PL35738301A PL195792B1 PL 195792 B1 PL195792 B1 PL 195792B1 PL 01357383 A PL01357383 A PL 01357383A PL 35738301 A PL35738301 A PL 35738301A PL 195792 B1 PL195792 B1 PL 195792B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- composition
- weight
- weak acid
- amount
- acid
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
- C11D7/3245—Aminoacids
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
- C11D7/265—Carboxylic acids or salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/50—Solvents
- C11D7/5004—Organic solvents
- C11D7/5009—Organic solvents containing phosphorus, sulfur or silicon, e.g. dimethylsulfoxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/50—Solvents
- C11D7/5004—Organic solvents
- C11D7/5013—Organic solvents containing nitrogen
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/426—Stripping or agents therefor using liquids only containing organic halogen compounds; containing organic sulfonic acids or salts thereof; containing sulfoxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/24—Hydrocarbons
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/34—Organic compounds containing sulfur
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
- H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
- H10P50/28—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials
- H10P50/286—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of organic materials
- H10P50/287—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of organic materials by chemical means
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Emergency Medicine (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
1. Sposób inhibitowania adsorpcji sodu do powierzchni obwodów scalonych podczas usuwa- nia fotomaski lub oczyszczania po trawieniu metalu za pomoca kompozycji zawierajacej organiczny rozpuszczalnik, znamienny tym, ze kontaktuje sie powierzchnie z kompozycja zawierajaca rozpusz- czalnik organiczny, która zawiera kwas 1,2-diaminocykloheksanotetrakarboksylowy (CYDTA) w ilosci od 0,1 do 0,9% wagowych kompozycji, amine nukleofilowa wystepujaca w ilosci od 1 do 50% wagowych kompozycji, slaby kwas nie zawierajacy azotu w ilosci wystarczajacej do czesciowego zobojetnienia nu- kleofilowej aminy, w taki sposób, ze kompozycja do usuwania ma wartosc wodnego pH, po rozcien- czeniu 10-cioma czesciami wody, równa 9,6 do 10,9, przy czym slaby kwas ma wartosc pK w roz- tworze wodnym równa 2,0 lub wieksza, a ciezar równowaznikowy mniejszy niz 140, oraz jako roz- puszczalnik uklad rozpuszczalnikowy o parametrze rozpuszczalnosci od 8 do 15, wystepujacy w ilosci od 50% do 98% wagowych kompozycji. PL PL PL PL
Description
Opis wynalazku
Niniejszy wynalazek dotyczy usuwania fotomaski i innych substancji z substratów mikroobwodów przy wytwarzaniu obwodów scalonych.
Integralną częścią produkcji mikroelektronicznej jest stosowanie fotomasek dla przenoszenia obrazu z maski lub siatki na pożądaną warstwę obwodu. Po dokonaniu przeniesienia pożądanego obrazu usuwa się fotomaskę przez zdarcie, przed przystąpieniem do określonego kolejnego etapu procesu.
Zanieczyszczenie ruchliwymi jonami, szczególnie jonami sodu, jest przyczyną wielu wad obwodów scalonych, szczególnie podczas pracy w wysokiej temperaturze podczas testów spawania i cięcia. Zanieczyszczenie ruchliwymi jonami może nastąpić na różnych etapach wytwarzania obwodu scalonego.
Specjaliści związani z rozwojem technologii obwodów scalonych szukali wciąż materiałów i technik pozwalających zmniejszyć zanieczyszczenie ruchliwymi jonami. W opisie patentowym US Nr 5.417.802 zastosowano etery koronowe do maskowania jonów grupy I i grupy II w organicznych rozpuszczalnikach stosowanych do usuwania fotomaski.
Przedmiotem wynalazku jest sposób inhibitowania adsorpcji sodu do powierzchni obwodów scalonych podczas usuwania fotomaski lub oczyszczania po trawieniu metalu za pomocą kompozycji zawierającej organiczny rozpuszczalnik, charakteryzujący się tym, że kontaktuje się powierzchnię z kompozycją zawierającą rozpuszczalnik organiczny, która zawiera kwas 1,2-diaminocykloheksanotetrakarboksylowy (CYDTA) w ilości od 0,1 do 0,9% wagowych kompozycji, aminę nukleofilową występującą w ilości od 1 do 50% wagowych kompozycji, słaby kwas nie zawierający azotu w ilości wystarczającej do częściowego zobojętnienia nukleofilowej aminy, w taki sposób, że kompozycja do usuwania ma wartość wodnego pH, po rozcieńczeniu 10-cioma częściami wody, równą 9,6 do 10,9, przy czym słaby kwas ma wartość pK w roztworze wodnym równą 2,0 lub większą, a ciężar równoważnikowy mniejszy niż 140, oraz jako rozpuszczalnik układ rozpuszczalnikowy o parametrze rozpuszczalności od 8 do 15, występujący w ilości od 50% do 98% wagowych kompozycji.
Korzystnie stosuje się słaby kwas w ilości od 0,05% do 25% wagowych kompozycji, o wartości pK równej 2,5 lub więcej.
Korzystnie jako słaby kwas stosuje się 1,2-dihydroksybenzen, a jako aminę nukleofilową stosuje się 2-aminoetanol, natomiast jako układ rozpuszczalnika stosuje się N-metylo-2-pirolidynon i tetrahydrotiofeno-1,1-ditlenek i ewentualnie do 10% wody.
W sposobie według wynalazku korzystnie stosuje się wagowo w przeliczeniu na masę kompozycji od 50% do 98% N-metylo-2-pirolidynonu, od 1 do 20% tetrahydrotiofeno-1,1-ditlenku, od 1 do 20% wody, od 1 do 50% 2-aminoetanolu, od 0,05% do 25% 1,2-dihydroksybenzenu i od 0,1% do 0,9% kwasu 1,2-diaminocykloheksanotetrakarboksylowego (CYDTA).
Przedmiotem wynalazku jest kompozycja do inhibitowania adsorpcji sodu do powierzchni obwodów scalonych podczas usuwania fotomaski lub oczyszczania po trawieniu metalu za pomocą kompozycji zawierającej organiczny rozpuszczalnik, charakteryzująca się tym, że zawiera kwas 1,2-diaminocykloheksanotetrakarboksylowy (CYDTA) w ilości od 0,1 do 0,9% wagowych kompozycji, aminę nukleofilową występującą w ilości od 1 do 50% wagowych kompozycji, słaby kwas nie zawierający azotu w ilości wystarczającej do częściowego zobojętnienia nukleofilowej aminy, w taki sposób, że kompozycja do usuwania ma wartość wodnego pH, po rozcieńczeniu 10-cioma częściami wody, równą 9,6 do 10,9, przy czym słaby kwas ma wartość pK w roztworze wodnym równą 2,0 lub większą, a ciężar równoważnikowy mniejszy niż 140, oraz jako rozpuszczalnik układ rozpuszczalnikowy o parametrze rozpuszczalności od 8 do 15, występujący w ilości od 50% do 98% wagowych kompozycji.
Kompozycja korzystnie zawiera od 0,05% do 25% wagowych słabego kwasu w przeliczeniu na masę kompozycji. Słaby kwas ma korzystnie wartość pK równą 2,5 lub więcej.
Kompozycja według wynalazku jako słaby kwas korzystnie zawiera 1,2-dihydroksybenzen a jako nukleofilową aminę korzystnie zawiera 2-aminoetanol.
Kompozycja według wynalazku jako układ rozpuszczalnika korzystnie zawiera N-metylo-2-pirolidynon i tetrahydrotiofeno-1,1-ditlenek i ewentualnie do 10% wody.
Kompozycja według wynalazku korzystnie zawiera wagowo od 50% do 98% N-metylo-2-pirolidynonu, od 1do 20% tetrahydrotiofeno-1,1-ditlenku, od 1do 20% wody, od 1do 50% 2-aminoetanolu,
PL 195 792 B1 od 0,05% do 25% 1,2-dihydroksybenzenu i od 0,1% do 0,9% kwasu 1,2-diaminocykloheksanotetrakarboksylowego (CYDTA).
Zgodnie z niniejszym wynalazkiem, przedstawiono sposób i kompozycję do usuwania materiału zawierającego sód, takiego jak fotomaska. Kompozycja do usuwania obejmuje kwas 1,2-diaminocykloheksanotetrakarboksylowy (CYDTA) w organicznym rozpuszczalniku. Sposób według wynalazku obejmuje zetknięcie wymienionego substratu z wymienioną kompozycją do usuwania.
Rozpuszczalniki organiczne stosowane do usuwania fotomaski i oczyszczania po trawieniu metalu są częstym źródłem zanieczyszczeń ruchliwymi jonami. Typowe rozpuszczalniki obejmują mieszanki amin pierwszorzędowych i drugorzędowych i inne obojętne rozpuszczalniki, takie jak dimetylosulfotlenek i dimetyloacetamid. Te rozpuszczalniki przechowuje się zwykle w pojemnikach z tworzyw sztucznych (na przykład z polietylenu o dużej gęstości). Wytwarzanie tych pojemników z tworzyw sztucznych wymaga stosowania nieorganicznych katalizatorów, które mogą zawierać sód. Dlatego, gdy przechowuje się rozpuszczalniki w tych pojemnikach z tworzyw sztucznych, sód może przeniknąć do rozpuszczalnika. Stężenie sodu w rozpuszczalniku wzrasta wraz z dłuższym okresem zetknięcia z tworzywem sztucznym.
Stwierdzono, że kwas 1,2-diaminocykloheksanotetrakarboksylowy (CYDTA), który łatwo tworzy związki koordynacyjne z jonami sodu, zapobiega adsorpcji sodu na powierzchniach obwodów scalonych. Stwierdzono, że dodanie kwasu 1,2-diaminocykloheksanotetrakarboksylowego do rozpuszczalników organicznych stosowanych tradycyjnie bądź do usuwania fotomasek bądź też do oczyszczania metalu po trawieniu, znacząco zmniejsza stężenie sodu występującego na powierzchni uzyskanych oczyszczonych obwodów scalonych.
Badania wykorzystujące azotek tytanu osadzony na silikonowych substratach, prowadzone przy pomocy jonowej spektroskopii masowej (SIMS) wykazują, że dodanie kwasu 1,2-diaminocykloheksanotetrakarboksylowego do takich tradycyjnych mieszanek rozpuszczalnikowych jak ALEG-310®, stanowiącej znak towarowy firmy Mallinckrodt Baker Incorporated of Phillipsburg, N.J., znacząco zmniejszyło stężenie sodu na powierzchni tych substratów. Bezpośrednie porównanie do równoległych działań przy użyciu uprzednio ujawnionych eterów koronowych wykazało, że niniejszy wynalazek doprowadził do znacznie mniejszych stężeń sodu na uzyskanych oczyszczonych powierzchniach.
W typowym zastosowaniu, odwzorowaną fotomaskę można usunąć z trawionego substratu tlenkowego, metalicznego lub półprzewodnikowego używając rozpuszczalnik organiczny zmodyfikowany dodatkiem kwasu 1,2-diaminocykloheksanotetrakarboksylowego, przez co zmniejsza się zakres zanieczyszczenia sodem uzyskanych obwodów scalonych. Alternatywnie, fotomaskę można usunąć częściowo przez poddanie działaniu plazmy tlenowej, a powstałe niepożądane pozostałości usunąć następnie stosując sposób według wynalazku.
Jedna z realizacji przewiduje użycie rozpuszczalnika do usuwania, aminy nukleofilowej, słabego kwasu nie zawierającego azotu w ilości wystarczającej do częściowego zobojętnienia nukleofilowej aminy, tak, aby kompozycja do usuwania miała wodne pH, po rozcieńczeniu 10-cioma częściami wody, około 9,6 do około 10,9, a wymieniony słaby kwas miał wartość pK w roztworze wodnym równą 2,0 lub większą i ciężar równoważnikowy mniejszy niż 140, i kwas 1,2-diaminocykloheksanotetrakarboksylowy, dzięki czemu wymieniona kompozycja do usuwania może usuwać niepożądaną fotomaskę lub pozostałości fotomaski przy minimalnym wzroście stężenia sodu na powierzchni oczyszczonego obwodu scalonego.
Słabe kwasy, nie zawierające azotu, które można stosować w tym wynalazku, obejmują kwasy organiczne, takie jak kwasy karboksylowe lub fenole, a także sole kwasów nieorganicznych, takich jak kwas węglowy lub kwas fluorowodorowy.
Jako słabe kwasy uważa się kwasy o mocy wyrażonej jako „pK, tj. stała dysocjacji w roztworze wodnym równa co najmniej 2,0 lub więcej, korzystnie 2,5 lub więcej. Szczególnie korzystne są słabe kwasy o wartości pK > 2,0 i mające korzystnie ciężar równoważnikowy mniejszy niż około 140. Przykładami takich słabych kwasów, nie zawierających azotu, użytecznych w niniejszym wynalazku, mogą być, na przykład, kwasy karboksylowe, takie jak kwas octowy, kwas ftalowy, kwas fenoksyoctowy i podobne, kwasy organiczne takie jak kwas 2-merkaptobenzoesowy, 2-merkaptoetanol i podobne, fenole mające zwykle wartość pK w zakresie od 9 do 10, takie jak fenol, 1,3,5-trihydroksybenzen, pirogalol, rezorcyna, 4-tert-butylokatechina i podobne i kwasy nieorganiczne takie jak kwas węglowy, kwas fluorowodorowy i podobne. Ilość użytego słabego kwasu w kompozycjach do usuwania, według wynalazku, wynosi od 0,05% do 25% wagowych wymienionej kompozycji i występuje w ilości wymaganej do zobojętnienia około 19% do 75% wagowych aminy występującej w kompozycji do usuwania
PL 195 792 B1 i dlatego pH wodnego roztworu do płukania dla wymienionych kompozycji do usuwania wynosi od9,6 do 10,9.
Zasadowe składniki usuwające, które można stosować w niniejszym wynalazku, również mieszczą się w szerokim zakresie typów budowy. Ich stałe dysocjacji, wyrażone jako wartości pK, mieszczą się w zakresie od 9 do 11 dla amin podstawionych w pozycji beta przez tlen lub azot, do 8,3 dla aminy drugorzędowej, morfoliny i hydroksyloamin i pochodnych hydroksyloaminy o nieco niższych wartościach pK. Wśród zasadowych składników, które można stosować, należy wymienić aminy nukleofilowe, korzystnie, na przykład, 1-amino-2-propanol, 2-(2-aminoetoksy)etanol, 2-aminoetanol, 2-(2-aminoetyloamino)etanol, 2-(2-aminoetylo-amino)etyloaminę i podobne. Ważniejszą niż aktualna wartość pK aminy jest jej nukleofilowość, która powinna być wysoka. Ilość użytego składnika aminowego w kompozycjach do usuwania, według wynalazku, wynosi od 1% do 50% wagowych wymienionej kompozycji.
Uważa się, że współdziałanie tych zasadowych składników usuwających z grupą słabych kwasów, stosowanych w niniejszym wynalazku, jest zasadniczo odwracalne:
Składnik zasadowy + kwas = kompleks podobny do soli
Z uwagi na odwracalność tej reakcji, istotne do soli stężenia składnika zasadowego pozostaną niezmienne podczas procesu usuwania nawet, jeśli duża część składnika zasadowego zostanie zobojętniona, ze stechiometrycznego punktu widzenia. Powoduje to nieoczekiwanie błyskawiczne prędkości usuwania, które zauważono nawet w obecności tych kwasów.
Kompozycje do usuwania fotomasek, według wynalazku, obejmują układ rozpuszczalników organicznych. Układ rozpuszczalników organicznych posiada parametr rozpuszczalności od około 8 do około 15, obliczony jako pierwiastek kwadratowy z sumy kwadratów trzech parametrów rozpuszczalności według Hansena (wiązanie dyspersyjne, jonowe i wodorowe). Układ rozpuszczalnikowy może zawierać dowolną liczbę pojedynczych rozpuszczalników lub mieszaninę szeregu różnych rozpuszczalników. Jako przykład takich rozpuszczalników można wymienić różne związki pirolidynonowe, takie jak 2-pirolidynon, 1-metylo-2-pirolidynon, 1-etylo-2-pirolidynon, 1-propylo-2-pirolidynon, 1-hydroksy-etylo-2-pirolidynon, 1-hydroksypropylo-2-pirolidynon i podobne, monoalkilowe etery glikolu dietylenowego, takie jak związki o wzorze HOCH2CH2-O-CH2CH2-O-R, w którym R oznacza rodnik alkilowy zawierający od 1 do 4 atomów węgla, związki zawierające tlenki siarki, takie jak dialkilosulfony o wzorze ο
R1 — S-R2
I o
w którym R1 i R2 oznaczają grupy alkilowe zawierające 1 do 4 atomów węgla, dimetylosulfotlenek (DMSO), związki typu tetrahydrotiofeno-1,1-ditlenku o wzorze
3 w którym R3 oznacza atom wodoru, grupę metylową lub etylową, taką jak grupa sulfolanowa, metylosulfolanowa i etylosulfolanowa, jak również glikole polietylenowe, dimetyloacetoamid lub dimetyloformamid. Układ rozpuszczalnikowy stanowiący część kompozycji do usuwania, według wynalazku, zawiera na ogół od 50% do 98% wagowych kompozycji, korzystnie od 85% do 98% wagowych.
Korzystnymi rozpuszczalnikami są N-alkilo-2-pirolidynony, takie jak N-metylo, N-etylo-N-propyloi N-(2-hydroksyetylo)pirolidynon, dimetylosulfotlenek, dimetyloacetoamid i dimetyloformamid.
PL 195 792 B1
Szczególnie korzystnymi rozpuszczalnikami są N-metylo-2-pirolidynon i tetrahydrotiofeno-1,1-ditlenek.
Przykład
Tysiąc gramów rozpuszczalnika do usuwania, zawierającego około 50 części N-metylo-2-pirolidynonu, około 10 części tetrahydrotiofeno-1,1-ditlenku, około 25 części 2-aminoetanolu, około 5 części 1,2-dihydroksybenzenu i około 10 części wody umieszczono w zlewce z polimeru fluorowego. Dodatki, kwas 1,2-diaminocykloheksanotetrakarboksylowy lub 18-korona-6, odważono i rozpuszczono w rozpuszczalniku do usuwania, zgodnie z potrzebą. Następnie roztwór ogrzano do pożądanej temperatury i umieszczono w roztworze płytkę pokrytą azotkiem tytanu (TiN), na okres dwudziestu minut, po czym usunięto ją i płukano wodą dejonizowaną i analizowano stosując SIMS. Wszystkie doświadczenia prowadzono w pomieszczeniu o klasie czystości 100, uważając szczególnie, aby zapobiec zanieczyszczeniu płytki przez sód.
Trzy płytki poddano tylko płukaniu wodą i suszeniu, aby ustalić wartość podstawową dla sodu bez działania jakiegokolwiek rozpuszczalnika do usuwania. Niemodyfikowany rozpuszczalnik do usuwania badano w 65°C i w 85°C przez dwadzieścia minut, aby oznaczyć względne poziomy sodu pozostawione na powierzchni TiN po przeprowadzeniu tego procesu. Wyniki przedstawiono w tabeli 1. W drugiej serii doświadczeń do rozpuszczalnika do usuwania dodano 0,1% wagowego jednowodnego kwasu 1,2-diaminocykloheksanotetrakarboksylowego (CYDTA). W trzeciej serii doświadczeń udział procentowy wagowy jednowodnego kwasu 1,2-diaminocykloheksanotetrakarboksylowego zwiększono do 0,5%. W czwartej serii doświadczeń udział procentowy wagowy jednowodnego kwasu 1,2-diaminocykloheksanotetrakarboksylowego zwiększono do 0,9%. W piątej serii dodano 0,1% wagowego 18-korona-6 do rozpuszczalnika do usuwania i badano w 45°C, 65°C i 85°C.
Te dane (Tabela 1 wskazują wyraźnie, że dodatek kwasu 1,2-diaminocykloheksanotetrakarboksylowego do rozpuszczalnika do usuwania powoduje znacznie mniejsze powierzchniowe stężenia sodu niż w przypadku rozpuszczalnika niezmodyfikowanego. Dodatek eteru koronowego nie miał żadnego korzystnego wpływu.
T ab e l a 1
| Proces | Temperatura obróbki | Względne powierzchniowe stężenie sodu (stosując SIMS) |
| Płukanie wodą i suszenie | (nie poddane obróbce) | 0,0052, 0,0046, 0,0051 |
| Sam rozpuszczalnik do usuwania | 65°C | 0,16 |
| 85°C | 0,25 | |
| Rozpuszczalnik + 0,1% CYDTA | 65°C | 0,04 |
| 85°C | 0,07 | |
| Rozpuszczalnik + 0,5% CYDTA | 65°C | 0,02 |
| 85°C | 0,05 | |
| Rozpuszczalnik + 0,9% CYDTA | 65°C | 0,03 |
| 85°C | 0,04 | |
| Rozpuszczalnik + 0,1% 18-korona-6 | 45°C | 0,33 |
| 65°C | 0,41 | |
| 85°C | 0,45 |
Zastrzeżenia patentowe
Claims (14)
- Zastrzeżenia patentowe1. Sposób inhibitowania adsorpcji sodu do powierzchni obwodów scalonych podczas usuwania fotomaski lub oczyszczania po trawieniu metalu za pomocą kompozycji zawierającej organiczny rozpuszczalnik, znamienny tym, że kontaktuje się powierzchnię z kompozycją zawierającą rozpuszczalnik organiczny, która zawiera kwas 1,2-diaminocykloheksanotetrakarboksylowy (CYDTA) w ilości od 0,1 do 0,9% wagowych kompozycji, aminę nukleofilową występującą w ilości od 1 do 50% wagowych kompozycji,PL 195 792 B1 słaby kwas nie zawierający azotu w ilości wystarczającej do częściowego zobojętnienia nukleofilowej aminy, w taki sposób, że kompozycja do usuwania ma wartość wodnego pH, po rozcieńczeniu 10-cioma częściami wody, równą 9,6 do 10,9, przy czym słaby kwas ma wartość pK w roztworze wodnym równą 2,0 lub większą, a ciężar równoważnikowy mniejszy niż 140, oraz jako rozpuszczalnik układ rozpuszczalnikowy o parametrze rozpuszczalności od 8 do 15, występujący w ilości od 50% do 98% wagowych kompozycji.
- 2. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że stosuje się słaby kwasw ilości od 0,05% do 25% wagowych kompozycji.
- 3. Sposób według zastrz. 2, znamienny tym, że stosuje się słaby kwaso wartości pK równej 2,5 lub więcej.
- 4. Sposób według zastrz. 3, znamienny tym, że jako słaby kwas stosuje się 1,2-dihydroksybenzen.
- 5. Sposób według zastrz. 4, znamienny tym, że jako aminę nukleofilową stosuje się 2-aminoetanol.
- 6. Sposób według zastrz. 5, znamienny tym, że jako układ rozpuszczalnika stosuje się N-metylo-2-pirolidynon i tetrahydrotiofeno-1,1-ditlenek i ewentualnie do 10% wody.
- 7. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że stosuje się wagowo w przeliczeniu na masę kompozycji od 50% do 98% N-metylo-2-pirolidynonu, od 1 do 20% tetrahydrotiofeno-1,1-ditlenku, od 1 do 20% wody, od 1 do 50% 2-aminoetanolu, od 0,05% do 25% 1,2-dihydroksybenzenu i od 0,1% do 0,9% kwasu 1,2-diaminocykloheksanotetrakarboksylowego (CYDTA).
- 8. Kompozycja do inhibitowania adsorpcji sodu do powierzchni obwodów scalonych podczas usuwania fotomaski lub oczyszczania po trawieniu metalu za pomocą kompozycji zawierającej organiczny rozpuszczalnik, znamienna tym, że zawiera kwas 1,2-diaminocykloheksanotetrakarboksylowy (CYDTA) w ilości od 0,1 do 0,9% wagowych kompozycji, aminę nukleofilową występującą w ilości od 1 do 50% wagowych kompozycji, słaby kwas nie zawierający azotu w ilości wystarczającej do częściowego zobojętnienia nukleofilowej aminy, w taki sposób, że kompozycja do usuwania ma wartość wodnego pH, po rozcieńczeniu 10-cioma częściami wody, równą 9,6do 10,9, przy czym słaby kwas ma wartość pK w roztworze wodnym równą 2,0 lub większą, a ciężar równoważnikowy mniejszy niż 140, oraz jako rozpuszczalnik układ rozpuszczalnikowy o parametrze rozpuszczalności od 8 do 15, występujący w ilości od 50% do 98% wagowych kompozycji.
- 9. Kompozycja według zastrz. 8, znamienna tym, że zawiera od 0,05% do 25% wagowych słabego kwasu w przeliczeniu na masę kompozycji.
- 10. Kompozycja według zastrz. 9, znamienna tym, że zawiera słaby kwas o wartości pK równej 2,5 lub większej.
- 11. Kompozycja według zastrz. 10, znamienna tym, że jako słaby kwas zawiera 1,2-dihydroksybenzen.
- 12. Kompozycja według zastrz. 11, znamienna tym, że jako nukleofilową aminę zawiera 2-aminoetanol.
- 13. Kompozycja według zastrz. 12, znamienna tym, że jako układ rozpuszczalnika zawiera N-metylo-2-pirolidynon i tetrahydrotiofeno-1,1-ditlenek i ewentualnie do 10% wody.
- 14. Kompozycja według zastrz. 8, znamienna tym, że zawiera wagowo od 50% do 98% N-metylo-2-pirolidynonu, od 1 do20% tetrahydrotiofeno-1,1-ditlenku, od 1 do 20% wody, od 1 do 50% 2-aminoetanolu, od 0,05% do 25% 1,2-dihydroksybenzenu i od 0,1% do 0,9% kwasu 1,2-diaminocykloheksanotetrakarboksylowego (CYDTA).
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US19007100P | 2000-03-20 | 2000-03-20 | |
| PCT/US2001/008772 WO2001071429A1 (en) | 2000-03-20 | 2001-03-19 | Method and composition for removing sodium-containing material from microcircuit substrates |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL357383A1 PL357383A1 (pl) | 2004-07-26 |
| PL195792B1 true PL195792B1 (pl) | 2007-10-31 |
Family
ID=22699906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL01357383A PL195792B1 (pl) | 2000-03-20 | 2001-03-19 | Sposób i kompozycja do inhibitowania adsorpcji sodu do powierzchni obwodów scalonych podczas usuwania fotomaski lub oczyszczania po trawieniu metalu za pomocą kompozycji zawierającej organiczny rozpuszczalnik |
Country Status (15)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1307786B1 (pl) |
| JP (1) | JP4671575B2 (pl) |
| KR (1) | KR100876067B1 (pl) |
| CN (1) | CN1230718C (pl) |
| AT (1) | ATE467154T1 (pl) |
| AU (1) | AU2001245861A1 (pl) |
| CA (1) | CA2403730C (pl) |
| DE (1) | DE60142054D1 (pl) |
| ES (1) | ES2345872T3 (pl) |
| IL (2) | IL151792A0 (pl) |
| MY (1) | MY129673A (pl) |
| NZ (1) | NZ522079A (pl) |
| PL (1) | PL195792B1 (pl) |
| TW (1) | TWI239435B (pl) |
| WO (1) | WO2001071429A1 (pl) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6326130B1 (en) | 1993-10-07 | 2001-12-04 | Mallinckrodt Baker, Inc. | Photoresist strippers containing reducing agents to reduce metal corrosion |
| EP1512050A2 (en) * | 2002-06-07 | 2005-03-09 | Mallinckrodt Baker, Inc. | Cleaning compositions for microelectronic substrates |
| KR100649418B1 (ko) | 2002-08-22 | 2006-11-27 | 다이킨 고교 가부시키가이샤 | 박리액 |
| JP4005092B2 (ja) | 2004-08-20 | 2007-11-07 | 東京応化工業株式会社 | 洗浄除去用溶剤 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5417802A (en) | 1994-03-18 | 1995-05-23 | At&T Corp. | Integrated circuit manufacturing |
| JPH10171130A (ja) * | 1996-12-10 | 1998-06-26 | Fuji Film Oorin Kk | フォトレジスト剥離液 |
| US6465403B1 (en) | 1998-05-18 | 2002-10-15 | David C. Skee | Silicate-containing alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates |
-
2001
- 2001-02-08 MY MYPI20010558A patent/MY129673A/en unknown
- 2001-02-21 TW TW090103920A patent/TWI239435B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-03-19 AU AU2001245861A patent/AU2001245861A1/en not_active Abandoned
- 2001-03-19 ES ES01918830T patent/ES2345872T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-19 NZ NZ522079A patent/NZ522079A/en not_active IP Right Cessation
- 2001-03-19 IL IL15179201A patent/IL151792A0/xx active IP Right Grant
- 2001-03-19 DE DE60142054T patent/DE60142054D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-19 CN CNB018067050A patent/CN1230718C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-03-19 KR KR1020027012303A patent/KR100876067B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2001-03-19 CA CA002403730A patent/CA2403730C/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-03-19 AT AT01918830T patent/ATE467154T1/de active
- 2001-03-19 EP EP01918830A patent/EP1307786B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-19 PL PL01357383A patent/PL195792B1/pl not_active IP Right Cessation
- 2001-03-19 WO PCT/US2001/008772 patent/WO2001071429A1/en not_active Ceased
- 2001-03-19 JP JP2001569560A patent/JP4671575B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-09-17 IL IL151792A patent/IL151792A/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1307786B1 (en) | 2010-05-05 |
| NZ522079A (en) | 2004-06-25 |
| KR100876067B1 (ko) | 2008-12-26 |
| DE60142054D1 (de) | 2010-06-17 |
| MY129673A (en) | 2007-04-30 |
| CN1418330A (zh) | 2003-05-14 |
| ATE467154T1 (de) | 2010-05-15 |
| ES2345872T3 (es) | 2010-10-05 |
| JP4671575B2 (ja) | 2011-04-20 |
| PL357383A1 (pl) | 2004-07-26 |
| KR20030051416A (ko) | 2003-06-25 |
| IL151792A (en) | 2006-07-05 |
| WO2001071429A1 (en) | 2001-09-27 |
| CN1230718C (zh) | 2005-12-07 |
| AU2001245861A1 (en) | 2001-10-03 |
| CA2403730A1 (en) | 2001-09-27 |
| IL151792A0 (en) | 2003-04-10 |
| TWI239435B (en) | 2005-09-11 |
| EP1307786A1 (en) | 2003-05-07 |
| JP2003528353A (ja) | 2003-09-24 |
| CA2403730C (en) | 2009-09-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7807613B2 (en) | Aqueous buffered fluoride-containing etch residue removers and cleaners | |
| KR100323326B1 (ko) | 플라즈마 에칭 잔류물 제거용 비부식성 세정 조성물 | |
| KR100714951B1 (ko) | 수성 박리 및 세정 조성물 | |
| US20060063687A1 (en) | Composition and process for ashless removal of post-etch photoresist and/or bottom anti-reflective material on a substrate | |
| US9327966B2 (en) | Semi-aqueous polymer removal compositions with enhanced compatibility to copper, tungsten, and porous low-K dielectrics | |
| EP1178359A2 (en) | Stripping composition | |
| CA2590325A1 (en) | Resist, barc and gap fill material stripping chemical and method | |
| KR101221560B1 (ko) | 변성된 포토레지스트 제거를 위한 반도체 소자용 박리액조성물 | |
| US20020068684A1 (en) | Stripping and cleaning compositions | |
| PL195792B1 (pl) | Sposób i kompozycja do inhibitowania adsorpcji sodu do powierzchni obwodów scalonych podczas usuwania fotomaski lub oczyszczania po trawieniu metalu za pomocą kompozycji zawierającej organiczny rozpuszczalnik | |
| WO2002095502A1 (en) | Resist remover composition | |
| CN115895800B (zh) | 半水基晶圆基底清洗液组合物及其使用方法 | |
| US6899818B2 (en) | Method and composition for removing sodium-containing material from microcircuit substrates | |
| KR101319217B1 (ko) | 포토레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용하는포토레지스트의 박리방법 | |
| KR102836356B1 (ko) | 포토레지스트 박리 조성물 | |
| KR100378551B1 (ko) | 레지스트 리무버 조성물 | |
| KR100410612B1 (ko) | 스트립후 세정제 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Decisions on the lapse of the protection rights |
Effective date: 20120319 |