PL219948B1 - ZnIrSiO nanocrystalline layer and a method for preparation the layer - Google Patents
ZnIrSiO nanocrystalline layer and a method for preparation the layerInfo
- Publication number
- PL219948B1 PL219948B1 PL396936A PL39693611A PL219948B1 PL 219948 B1 PL219948 B1 PL 219948B1 PL 396936 A PL396936 A PL 396936A PL 39693611 A PL39693611 A PL 39693611A PL 219948 B1 PL219948 B1 PL 219948B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- layer
- znirsio
- layers
- transparent
- target
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 6
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VVTSZOCINPYFDP-UHFFFAOYSA-N [O].[Ar] Chemical compound [O].[Ar] VVTSZOCINPYFDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 claims description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 229910052566 spinel group Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007669 ZnRh2O4 Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920005570 flexible polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002173 high-resolution transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000002707 nanocrystalline material Substances 0.000 description 1
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003450 rhodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
Opis wynalazkuDescription of the invention
Przedmiotem wynalazku jest przezroczysta nanokrystaliczna półprzewodnikowa warstwa ZnIrSiO o przewodnictwie typu p i sposób wytwarzania tej warstwy.The subject of the invention is a transparent nanocrystalline ZnIrSiO semiconductor layer with p-type conductivity and a method of producing this layer.
Najbardziej perspektywicznym polem zastosowań półprzewodników szerokoprzerwowych o dużej transmisji optycznej w obszarze widzialnym i podczerwieni są przezroczyste przyrządy elektroniczne na elastycznych podłożach. Wykorzystanie giętkich polimerowych lub szklanych podłoży narzuca jednak bardzo istotny wymóg technologiczny odnośnie maksymalnej temperatury, w jakiej można wykonywać procesy osadzania poszczególnych warstw półprzewodnikowych w takich przyrządach. Dla podłoży najbardziej termoodpornych temperatura ta nie powinna być wyższa niż 350°C. [Myeon-CheonChoi i inni, Prog. Polym. Sci. 33, 581 (2008)].The most promising field of applications of wide-bandwidth semiconductors with high optical transmission in the visible and infrared region are transparent electronic devices on flexible substrates. The use of flexible polymer or glass substrates, however, imposes a very important technological requirement regarding the maximum temperature at which the deposition processes of individual semiconductor layers in such devices can be performed. For the most heat-resistant substrates, this temperature should not be higher than 350 ° C. [Myeon-CheonChoi et al., Prog. Polym. Sci. 33, 581 (2008)].
Istnieje cała klasa materiałów półprzewodnikowych, które mogą być hodowane w niskich temperaturach i wykazują właściwości odpowiednie do konstrukcji przezroczystych przyrządów. Są to amorficzne półprzewodniki tlenkowe typu n oparte o ZnO jak np. InGaZnO. Jednakże zasadniczą przeszkodą dla realizacji pełnego potencjału przezroczystej elektroniki jest trudność w uzyskaniu materiałów o przewodnictwie typu p, a w szczególności brak materiałów, które mogłyby być wytwarzane w odpowiednio niskich temperaturach.There is a class of semiconductor materials that can be grown at low temperatures and exhibit properties suitable for the construction of transparent devices. These are amorphous n-type oxide semiconductors based on ZnO, such as eg InGaZnO. However, a major obstacle to realizing the full potential of transparent electronics is the difficulty of obtaining p-type materials, and in particular the lack of materials that can be produced at sufficiently low temperatures.
W ostatnich latach, w poszukiwaniu odpowiedniego półprzewodnika szerokoprzerwowego typu n, uwaga badawcza koncentruje się na wykorzystaniu materiałów tlenkowych na bazie ZnO o strukturze spinelu. Z publikacji H. Mizoguchi [Appl. Phys. Lett. 80, 1207 (2002)] i z publikacji H. K. Kim [J. Appl.In recent years, in the search for a suitable n-type wide-gap semiconductor, research attention has been focused on the use of ZnO-based oxide materials with spinel structure. From the publication of H. Mizoguchi [Appl. Phys. Lett. 80, 1207 (2002)] and from H. K. Kim [J. Appl.
Phys. 95, 7387 (2004)] znane są krystaliczne warstwy spineli ZnRh2O4 i ZnCO2O4, które wykazują samoistne przewodnictwo dziurowe. Przewodnictwo i szerokość przerwy energetycznej w warstwie -1 -1Phys. 95, 7387 (2004)], crystalline spinel layers of ZnRh2O4 and ZnCO2O4 which exhibit intrinsic hole conductivity are known. Conductivity and bandwidth in layer -1 -1
ZnRh2O4 wynosi 0.7 Scm- i 2.1 eV, a w warstwie ZnCO2O4 - ok. 1 Scm- i 2.6 eV.ZnRh 2 O 4 is 0.7 Scm - and 2.1 eV, and in the ZnCO layer 2 O 4 - approx. 1 Scm - and 2.6 eV.
Z publikacji S. E. Dali [J. Mater. Sci. Lett. 18, 915 (1999)] znana jest technologia wytwarzania monokrystalicznych spineli, w której jako materiały wyjściowe wykorzystuje się tlenek cynku i tlenek rodu lub kobaltu w postaci proszków. Tlenki te podawane są najpierw wielogodzinnemu mieszaniu w młynach kulowych a następnie są prasowane i zgrzewane w wysokich temperaturach. Otrzymane w ten sposób spieki kruszy się na drobnoziarnisty proszek i poddaje ponownej obróbce od młynów kulowych do zgrzewania. Po kilku, czy kilkunastu takich cyklach uzyskuje się w miarę jednorodny spiek, który w wyniku wygrzania w temperaturach 1000-1300°C, monokrystalizuje pozwalając na uzyskanie spineluFrom the publication of S. E. Dali [J. Mater. Sci. Lett. 18, 915 (1999)], a technology for the production of monocrystalline spinels is known, in which zinc oxide and rhodium or cobalt oxide in the form of powders are used as starting materials. These oxides are first mixed for many hours in ball mills and then pressed and welded at high temperatures. The sinters obtained in this way are crushed to a fine-grained powder and re-processed from ball mills to welding. After a few or a dozen such cycles, a relatively homogeneous sinter is obtained, which, as a result of heating at temperatures of 1000-1300 ° C, monocrystallizes, allowing to obtain a spinel
Z publikacji M. Dekkers [Appl. Phys. Lett. 90, 021903 (2007)], S. Narushima [Adv. Mater. 15,From the publication by M. Dekkers [Appl. Phys. Lett. 90, 021903 (2007)], S. Narushima [Adv. Mater. 15,
1409 (2003)] i H. K. Kim [J. Appl. Phys. 95, 7387 (2004)] znane są rozwiązania alternatywne dla monokrystalicznych spineli, a mianowicie materiały w postaci cienkich warstw o podobnym składzie, ale strukturalnie polikrystaliczne bądź amorficzne. Warstwy te wytwarza się na drodze ablacji laserowej bądź rozpylania katodowego.1409 (2003)] and H. K. Kim [J. Appl. Phys. 95, 7387 (2004)], there are known alternatives to monocrystalline spinels, namely thin film materials of similar composition but structurally polycrystalline or amorphous. These layers are produced by laser ablation or sputtering.
W opisanych sposobach, materiał wyjściowy stanowią polikrystaliczne spinele, spieki tlenków odpowiednich metali, bądź przy zastosowaniu metody jednoczesnego reaktywnego rozpylania katodowego czyste metale. W publikacjach tych pokazano, że dla określonych parametrów procesu osadzania, zarówno warstwy polikrystaliczne jak i amorficzne charakteryzują się podobnie jak kryształy objętościowe, przewodnictwem typu p.In the methods described, the starting material is polycrystalline spinels, sinters of oxides of appropriate metals, or pure metals using the method of simultaneous reactive sputtering. These publications show that for certain parameters of the deposition process, both polycrystalline and amorphous layers are characterized, similarly to bulk crystals, by p-type conductivity.
Z rozprawy doktorskiej Transparent Conducting Oxides on Polymeric Substrates by Pulsed Laser Deposition [Dekkers, Jan Matthijn (2007) thesis http://purl.utwente.nl/publications/57879] znane są obliczenia teoretyczne, które wskazują, że samoistne przewodnictwo typu p wykazują trzy spineleTheoretical calculations are known from the doctoral dissertation Transparent Conducting Oxides on Polymeric Substrates by Pulsed Laser Deposition [Dekkers, Jan Matthijn (2007) thesis http://purl.utwente.nl/publications/57879] three spinels
ZnM2O4 gdzie M = Co, Rh, Ir. Natomiast wyniki doświadczaln e zamieszczone w tej pracy wskazu-1 ją na to, ze spinel ZnIr2O4 ma przewodnictwo typu p ok. 3 Scm-1 i największą przerwę energetyczną ok. 3 eV, spełniającą wymagania przezroczystej elektroniki. Należy w tym miejscu podkreślić, że w znanych i stosowanych materiałach o składzie spineli na bazie ZnO podstawowym problemem jestZnM2O4 where M = Co, Rh, Ir. On the other hand, the experimental results presented in this work indicate that the ZnIr2O4 spinel has a p-type conductivity of approx. 3 Scm -1 and the largest energy gap of approx. 3 eV, meeting the requirements of transparent electronics. It should be emphasized here that in the known and used materials with the composition of ZnO spinels the basic problem is
21 -3 bardzo wysoka koncentracja swobodnych nośników ładunku (1020-1021 cm-3), co sprawia, że materiały te nie mogą być wykorzystanie w konstrukcji aktywnych obszarów przyrządów półprzewodnikowych, a jedynie jako przezroczyste warstwy przewodzące.21 -3 very high concentration of free charge carriers (10 20 -10 21 cm -3 ), which means that these materials cannot be used in the construction of active areas of semiconductor devices, but only as transparent conductive layers.
Celem wynalazku jest opracowanie składu przeznaczonej dla przezroczystej elektroniki warstwy półprzewodnikowej o przewodnictwie typu p i przerwie energetycznej większej niż 3 eV, oraz sposobu wytwarzania takiej warstwy.The object of the invention is to provide a composition for a transparent electronics semiconductor layer with a p-type conductivity and an energy gap greater than 3 eV, and a method for producing such a layer.
PL 219 948 B1PL 219 948 B1
Warstwę według wynalazku stanowi nanokrystaliczna warstwa ZnIrSiO, w której zawartość krzemu wynosi 25-35% at., zawartość tlenu wynosi 55-65% at., zaś proporcja atomowa irydu do cynku wynosi 2.5-3.5.The layer according to the invention is a nanocrystalline ZnIrSiO layer in which the silicon content is 25-35 at.%, The oxygen content is 55-65 at.%, And the atomic ratio of iridium to zinc is 2.5-3.5.
Sposób wytwarzania przezroczystej warstwy ZnIrSiO według wynalazku polega na tym, że najpierw z targetów jednoskładnikowych Zn, Ir, Si sporządza się metodą rozpylania katodowego target złożony. Target złożony ma postać wielowarstwowej struktury, która zawiera co najmniej jedną sekwencję warstw Ir/Zn/Si/lr, o takiej grubości poszczególnych warstw że jego skład atomowy po ujednorodnieniu, czyli dwustopniowym wygrzewaniu, najpierw w temperaturze 300°C przez co najmniej 30 min. a następnie w temperaturze < 400°C również przez co najmniej 30 min przy przepływie gazu obojętnego, korzystnie w atmosferze argonu, bądź w próżni wynosi 50 ± 5% lr, 25 ± 2,5% Zn, 25 ± 2,5% Si, a jego sumaryczna grubość jest większa niż 5 μm. Następnie z takiego targetu, za pomocą reaktywnego rozpylania katodowego w atmosferze argonowo-tlenowej, osadza się na podłożu przezroczystym, korzystnie kwarcowym lub szafirowym warstwę ZnIrSiO.The method for producing the ZnIrSiO transparent layer according to the invention consists in firstly preparing a composite target from the single-component Zn, Ir, Si targets by the method of sputtering. The complex target is in the form of a multilayer structure which contains at least one sequence of Ir / Zn / Si / Ir layers, with the thickness of the individual layers such that its atomic composition after homogenization, i.e. two-stage annealing, first at 300 ° C for at least 30 min. and then at a temperature of <400 ° C also for at least 30 min with an inert gas flow, preferably under argon, or in a vacuum, it amounts to 50 ± 5% lr, 25 ± 2.5% Zn, 25 ± 2.5% Si, and its total thickness is greater than 5 µm. Then, from such a target, a ZnIrSiO layer is deposited on a transparent substrate, preferably quartz or sapphire, by means of reactive cathode sputtering in an argon-oxygen atmosphere.
Otrzymana warstwa jest warstwą nanokrystalicznego materiału ZnIrSiO typu p, charakteryzuje się przerwą energetyczną powyżej 3 eV, obniżoną koncentracją swobodnych nośników ładunku i podwyższoną ich ruchliwością. Tak dobre parametry warstwy uzyskano dzięki wprowadzeniu do podstawowego składu warstwy ZnIr2O4 czwartego składnika w postaci krzemu.The obtained layer is a layer of p-type ZnIrSiO nanocrystalline material, it is characterized by an energy gap above 3 eV, a reduced concentration of free charge carriers and their increased mobility. Such good parameters of the layer were obtained by introducing the fourth component in the form of silicon into the basic composition of the ZnIr2O4 layer.
Sposób wytwarzania warstwy według wynalazku zostanie bliżej objaśniony na przykładzie wytwarzania warstwy ZnIrSiO na podłożu kwarcowym i szafirowym.The method of producing the layer according to the invention will be explained in more detail on the example of the production of a ZnIrSiO layer on a quartz and sapphire substrate.
W przykładzie, jako metody osadzania warstwy użyto stałoprądowego reaktywnego rozpylania katodowego w atmosferze argonu z tlenem. Najpierw na drodze rozpylania katodowego stałoprądowego z targetów jednoskładnikowych Zn, Ir i Si, o czystości 5N wykonano specjalny target IrZnSi. W tym celu, na krążku metalowym o średnicy 75 mm (standardowa średnica targetu w urządzeniu do rozpylania katodowego) osadzano strukturę wielowarstwową złożoną z 40 sekwencji warstw Ir/Zn/Si/lr o łącznej grubości 10 μm. Następnie osadzoną strukturę wygrzewano dwustopniowo, najpierw w temperaturze 300°C przez 30 min, a następnie w temperaturze 400°C również przez 30 min. Obydwa wygrzewania prowadzono w przepływie argonu.In the example, DC reactive cathode sputtering under an argon-oxygen atmosphere was used as the layer deposition method. First, a special IrZnSi target was made from single-component Zn, Ir and Si targets of 5N purity by means of DC cathode sputtering. To this end, a multilayer structure consisting of 40 sequences of Ir / Zn / Si / Ir layers with a total thickness of 10 μm was deposited on a metal disc with a diameter of 75 mm (standard target diameter in a sputtering device). Then, the deposited structure was annealed in two stages, first at 300 ° C for 30 minutes, and then at 400 ° C also for 30 minutes. Both annealing was carried out in the argon flow.
Na podstawie wyników pomiarów profili składu metodą spektrometrii masowej jonów wtórnych (SIMS) stwierdzono, że taka procedura zapewnia otrzymanie jednorodnego targetu IrZnSi.Based on the results of measurements of the composition profiles by the secondary ion mass spectrometry (SIMS) method, it was found that such a procedure ensures the obtaining of a homogeneous IrZnSi target.
Następnie przystąpiono do osadzania właściwej warstwy nanokrystalicznej ZnIrSiO. W przykładzie, jako podłoży do osadzania tej warstwy użyto płytek kwarcowych i szafirowych. Najpierw powierzchnię podłoży oczyszczano przez zanurzenie kolejno we wrzącym trójchloroetylenie, acetonie i etanolu. W przypadku podłoży szafirowych, powierzchnię dodatkowo stabilizowano w atmosferze tlenu w 800°C przez 15 min.Then, the deposition of the actual ZnIrSiO nanocrystalline layer was started. In the example, quartz and sapphire plates were used as the substrates for depositing this layer. First, the surface of the substrates was cleaned by immersing successively in boiling trichlorethylene, acetone and ethanol. In the case of sapphire substrates, the surface was additionally stabilized in an oxygen atmosphere at 800 ° C for 15 min.
Przed procesem osadzania cienkiej warstwy ZnIrSiO komorę próżniową stanowiska do rozpylania katodowego odpompowywano do ciśnienia poniżej 5x10-6 mbar, a następnie odświeżano powierzchnię targetu rozpylając go jonami argonu przez 10 min. Całkowite ciśnienie w trakcie procesuPrior to the ZnIrSiO thin layer deposition process, the vacuum chamber of the cathode sputtering station was pumped down to a pressure below 5x10 -6 mbar, and then the target surface was refreshed by spraying it with argon ions for 10 min. Total pressure during the process
-3 2 rozpylania katodowego wynosiło 8x10-3 mbar, gęstość mocy -2,85 W/cm2, zaś atmosfera gazowa zawierała 50% argonu i 50% tlenu. Warstwę osadzano na niegrzanych podłożach.2 -3 sputtering was 8x10 -3 mbar, the power density of 2.85 W / cm 2, and the gas atmosphere containing 50% argon and 50% oxygen. The layer was deposited on unheated substrates.
W wyniku tak prowadzonego procesu wytworzono zarówno na podłożu kwarcowym jak i na szafirowym warstwy o grubości 150 nm, które wykazywały przewodnictwo typu p, były przezroczyste i miały strukturę rentgenowsko amorficzną. Pomiary SIMS wykazały, że warstwy te są głębokościowe, jednorodne. Badania metodą rozpraszania Rutherforda jonów He2+ o energii 2 MeV pozwoliły precyzyjnie określić zawartość atomową poszczególnych pierwiastków w ZnIrSiO: 3% Zn, 8% Ir, 33% Si, 56% O.As a result of the process carried out in this way, layers with a thickness of 150 nm were produced on both quartz and sapphire substrates, which showed p-type conductivity, were transparent and had an x-ray amorphous structure. SIMS measurements showed that these layers are deep and homogeneous. Research on the Rutherford scattering of He 2+ ions with an energy of 2 MeV made it possible to precisely determine the atomic content of individual elements in ZnIrSiO: 3% Zn, 8% Ir, 33% Si, 56% O.
Badania mikrostruktury warstw metodą wysokorozdzielczej transmisyjnej mikroskopii elektronowej pozwoliły stwierdzić, że wytworzone warstwy składają się z nanokrystalitów o rozmiarach 2-3 nm osadzonych w amorficznej osnowie.Examination of the microstructure of the layers by high-resolution transmission electron microscopy allowed to state that the produced layers consist of nanocrystallites with a size of 2-3 nm embedded in an amorphous matrix.
Pomiary efektu Halla w konfiguracji van der Pauwa wykazały, że warstwy ZnIrSiO charakteryzują się przewodnictwem σ = 1,7 Scm-1 koncentracją dziur p = 5x1018 cm-3 i ruchliwością μ = 2 cm2/Vs. Transmisja warstw osadzonych na podłożach kwarcowych, określona z pomiarów elipsometrycznych, wynosiła T = 70% w całym zakresie widzialnym, a wyznaczona szerokość przerwy energetycznej - Eg = 3,17 eV.Measurements of the Hall effect in the van der Pauw configuration showed that ZnIrSiO layers are characterized by conductivity σ = 1.7 Scm -1, hole concentration p = 5x10 18 cm -3 and mobility μ = 2 cm 2 / Vs. The transmission of the layers deposited on quartz substrates, determined from the ellipsometric measurements, was T = 70% in the entire visible range, and the determined band gap width - Eg = 3.17 eV.
Przedstawione powyżej wyniki charakteryzacji strukturalnej, elektrycznej i optycznej warstw ZnIrSiO świadczą o tym, że wytworzone cienkie warstwy charakteryzują się właściwościami predestynującymi je do zastosowań w konstrukcji przyrządów przeznaczonych dla przezroczystej elektroniki.The results of the structural, electrical and optical characterization of ZnIrSiO layers presented above prove that the produced thin layers are characterized by properties predestining them to be used in the construction of devices intended for transparent electronics.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL396936A PL219948B1 (en) | 2011-11-09 | 2011-11-09 | ZnIrSiO nanocrystalline layer and a method for preparation the layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL396936A PL219948B1 (en) | 2011-11-09 | 2011-11-09 | ZnIrSiO nanocrystalline layer and a method for preparation the layer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL396936A1 PL396936A1 (en) | 2013-05-13 |
| PL219948B1 true PL219948B1 (en) | 2015-08-31 |
Family
ID=48522630
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL396936A PL219948B1 (en) | 2011-11-09 | 2011-11-09 | ZnIrSiO nanocrystalline layer and a method for preparation the layer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL219948B1 (en) |
-
2011
- 2011-11-09 PL PL396936A patent/PL219948B1/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL396936A1 (en) | 2013-05-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Fan et al. | α-Cu2Se thermoelectric thin films prepared by copper sputtering into selenium precursor layers | |
| Gupta et al. | Preparation and characterization of highly conducting and transparent Al doped CdO thin films by pulsed laser deposition | |
| Liu et al. | Investigation of high temperature electrical insulation property of MgO ceramic films and the influence of annealing process | |
| Kudo et al. | Anisotropic analysis of nanocrystalline bismuth telluride thin films treated by homogeneous electron beam irradiation | |
| He et al. | Enhancement of thermoelectric performance of N-type Bi2Te3 based thin films via in situ annealing during magnetron sputtering | |
| KR100819621B1 (en) | Oxide sinstered body, transparent conduction film and manufacturing method thereof | |
| Lennon et al. | Effects of annealing in a partially reducing atmosphere on sputtered Al-doped ZnO thin films | |
| CN101956158A (en) | Preparation method of rare earth-doped Bi2Te3-based thermoelectric thin film material | |
| Ullah et al. | Continuous large area few layers MoS2 films by pulsed laser deposition and effect of annealing in sulfur environment | |
| Igamov et al. | Investigation of optical and electrophysical properties of Mn4Si7 coatings of different thickness | |
| Zhao et al. | Protective properties of magnetron-sputtered Ti coating on CoSb3 thermoelectric material | |
| Li et al. | Characteristics of Ni-doped ZnO: Al films grown on glass by direct current magnetron co-sputtering | |
| JP5387247B2 (en) | Conductive oxide | |
| CN101645464B (en) | TbMnO p-n heterojunction having two-way rectifying characteristic and preparation method thereof | |
| PL219948B1 (en) | ZnIrSiO nanocrystalline layer and a method for preparation the layer | |
| Cornett et al. | Pulsed laser deposition and annealing of Bi2− xSbxTe3 thin films for p-type thermoelectric elements | |
| JP2007246318A (en) | Oxide sintered body, manufacturing method thereof, manufacturing method of oxide transparent conductive film, and oxide transparent conductive film | |
| CN101280414A (en) | ZnO:Bi photoelectric thin film and its preparation method | |
| Zhao et al. | Protective properties of YSZ/Ti film deposited on CoSb3 thermoelectric material | |
| Qi | Cluster-assembled cobalt doped ZnO nanostructured film prepared by low energy cluster beam deposition | |
| Potera et al. | Optical properties of ZnCoO layers obtained by PLD method | |
| Zhao et al. | Protective properties of various coatings on CoSb3 thermoelectric material | |
| RU2756135C1 (en) | Technology for creating a magnetically controlled memristor based on titanium dioxide nanotubes | |
| Fang et al. | Effects of growth temperature on Mg-doped ZnO films fabricated by pulsed-laser deposition | |
| Skaria | Studies on Copper Indium based Oxide Transparent Semiconducting Thin Films. |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LICE | Declarations of willingness to grant licence |
Effective date: 20150108 |