PL223757B1 - Sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej tranzystora polowego mocy z izolowaną bramką - Google Patents
Sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej tranzystora polowego mocy z izolowaną bramkąInfo
- Publication number
- PL223757B1 PL223757B1 PL400744A PL40074412A PL223757B1 PL 223757 B1 PL223757 B1 PL 223757B1 PL 400744 A PL400744 A PL 400744A PL 40074412 A PL40074412 A PL 40074412A PL 223757 B1 PL223757 B1 PL 223757B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- transistor
- thermal resistance
- gate
- tested
- voltage
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 41
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 30
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 11
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Description
Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej tranzystora polowego mocy z izolowaną bramką, mający zastosowanie przy kontroli jakości elementów półprzewodnikowych dla przemysłu elektronicznego.
Znane są z amerykańskiego opisu patentowego US nr 4.840.495 „Metoda i urządzenie do p omiaru rezystancji termicznej takich elementów jak układy scalone LSI”.
Znana metoda polega na tym, że rezystancję termiczną określa się na podstawie pomiaru różnicy temperatur między obiema stronami układu scalonego przy przepływie przez niego strumienia ciepła o znanej wartości.
Znany układ pomiarowy składa się ze źródła ciepła, źródła zimna, badanego układu, miernika różnicy temperatur oraz układu sterującego.
Niedogodnością znanego rozwiązania jest złożona konstrukcja źródeł ciepła i zimna oraz wyk onywanie pomiaru przy braku zasilania badanego układu scalonego.
Znana jest z amerykańskiego opisu patentowego US nr 5.027.064 „Metoda pomiaru temperatury pracy przyrządów półprzewodnikowych wraz z monitorowaniem charakterystyk częstotliwościowych”.
Znana metoda pomiaru wykorzystuje jako parametr termoczuły małosygnałowe wzmocnienie badanego elementu.
Niedogodnością znanego rozwiązania jest mała powtarzalność charakterystyki termometrycznej oraz brak możliwości pomiaru rezystancji termicznej znanych układów scalonych.
Znany jest z amerykańskiego opisu patentowego US nr 5.781.075 „Przyrząd do pomiaru temperatury”, posiadający dwukońcówkowy czujnik, do którego końcówek są dołączone źródło prądu polaryzującego oraz źródło napięciowe, przy czym wydajności tych źródeł są programowane układowo. Znany czujnik zawiera spolaryzowane przewodząc złącza półprzewodnikowe umożliwiające pomiar temperatury otoczenia.
Niedogodnością znanego rozwiązania jest możliwość pomiaru tylko temperatury otoczenia, bez możliwości wyznaczenia temperatury wnętrza elementu półprzewodnikowego.
Znany jest z polskiego opisu patentowego PL nr 120091 „Sposób pomiaru rezystancji termicznej monolitycznych półprzewodnikowych układów scalonych”, który polega na wyznaczeniu wartości rezystancji termicznej z jej definicji po pomiarze temperatury wnętrza układu przy wykorzystaniu napięcia na diodzie podłożonej przy wydzielaniu mocy w obszarze kolektora tranzystora bipolarnego zawartego w strukturze badanego układu scalonego.
Niedogodnością znanego sposobu jest możliwość zastosowania go tylko do bipolarnych układów scalonych z izolacją złączową.
Znany jest z polskiego opisu patentowego PL nr 132.113 „Sposób pomiaru rezystancji termicznej tranzystorów bipolarnych” polegający na pomiarze dwóch wartości napięcia baza-emiter przy dwóch wartościach napięcia kolektor-emiter i ustalonej wartości prądu kolektora oraz temperatury otoczenia, a następnie wyliczeniu wartości rezystancji termicznej według znanego wzoru.
Niedogodnością znanego sposobu jest mała dokładność pomiaru spowodowana nieuwzględnieniem w metodzie wpływu rezystancji szeregowych bazy i emitera na napięcie baza-emiter.
Znany jest z polskiego opisu patentowego PL nr 173.206 „Sposób pomiaru rezystancji termicznej diod półprzewodnikowych ze złączem p-n w zakresie przebicia”, polegający na pomiarze napięcia na diodzie pracującej w zakresie przebicia przy dwóch wartościach temperatury otoczenia i ustalonej wartości prądu, a następnie wyliczeniu wartości rezystancji termicznej według znanego wzoru.
Niedogodnością znanego sposobu jest ograniczony zakres punktów pracy diod, dla których można wykonać pomiar oraz konieczność wykonania jednego z pomiarów napięć natychmiast po przełączeniu sygnału zasilającego badaną diodę.
Znany jest z polskiego opisu patentowego PL nr 173.831 „Układ do pomiaru przejściowej impedancji termicznej tranzystora bipolarnego”, w którym emiter tranzystora pracującego w układzie wspólnej bazy jest połączony z wyjściem źródła małego prądu oraz z wyjściem źródła prądu grzejnego poprzez przełącznik, który jest sterowany sygnałem prostokątnym gt. Tranzystor jest usytuowany w termostacie, a kolektor jest połączony z wejściem źródła napięciowego.
Niedogodnością znanego układu jest ograniczenie zastosowania go tylko do tranzystorów bipolarnych pracujących w zakresie aktywnym normalnym.
PL 223 757 B1
Znany jest z polskiego opisu patentowego PL nr 187.668 „Sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej inteligentnego unipolarnego układu scalonego mocy”.
Znany sposób pomiaru obejmuje trzy etapy: kalibrację charakterystyki termometrycznej złącza p-n, zawartego w strukturze wyjściowego tranzystora MOS przy jednej wartości temperatury otoczenia oraz przy prądzie wymuszonym przez źródło prądu pomiarowego i wyznaczenie nachylenia charakterystyki, pobudzenie badanego układu scalonego falą prostokątną mocy i pomiar w stanie ustalonym wartości napięcia w węźle napięciowym, przy wysokim poziomie mocy i napięcia przy niskim poziomie mocy oraz wyznaczenie wartości rezystancji termicznej ze wzoru analitycznego.
Niedogodnością znanego sposobu jest konieczność pobudzania badanego układu scalonego mocą o kształcie fali prostokątnej, przez co niemożliwy jest pomiar tą metodą rezystancji termicznej regulatorów impulsowych w ich typowych warunkach zasilania.
Znany układ pomiarowy zawiera źródła prądu pomiarowego i grzejnego, dwa przełączniki, wzmacniacz pomiarowy, przetwornik A/C oraz komputer. W czasie realizacji pomiaru, na wejście sterujące badanego układu scalonego podawane są odpowiednie sygnały cyfrowe, których sekwencja jest zależna od typu badanego układu scalonego.
Niedogodnością znanego rozwiązania jest ograniczenie zakresu stosowalności znanej metody tylko do układów scalonych typu SMART-POWER.
Znane są z polskiego opisu patentowego PL nr 191.944 „Sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej elementów półprzewodnikowych zawierających złącze p-n”.
W znanym sposobie pomiar wykonywany jest w trzech etapach. Pierwszy etap obejmuje pomiary współrzędnych czterech punktów leżących na izotermicznych charakterystykach spolaryzowanego w kierunku przewodzenia złącza p-n, zawartego w badanym elemencie, drugi etap polega na pomiarze współrzędnych jednego punktu na nieizotermicznej charakterystyce tego złącza, w trzecim etapie obliczana jest wartość rezystancji termicznej przy wykorzystaniu znanego wzoru.
Znany układ pomiarowy zawiera badany układ scalony, wzmacniacz pomiarowy, przełącznik, źródło prądu pomiarowego i grzejnego, przetwornik A/C oraz komputer.
Niedogodnością znanego sposobu jest skomplikowana i czasochłonna procedura pomiarowa oraz konieczność pracy badanego układu scalonego w nietypowych dla niego warunkach zasilania.
Znane są z polskiego opisu patentowego PL nr 194.602 „Sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej scalonych regulatorów zasilaczy impulsowych”.
Znany sposób obejmuje trzy etapy; pomiar napięcia na spolaryzowanym w kierunku przewodzenia złączu p-n zawartym w bloku oscylatora przy odłączonym zasianiu badanego regulatora i w ustalonej temperaturze otoczenia. W drugim etapie mierzy się w stanie ustalonym, przy włączonym zasilaniu regulatora, napięcie na tym samym złączu oraz napięcie i prąd zasilania regulatora w tej samej temperaturze otoczenia. W trzecim etapie wylicza się wartość rezystancji termicznej przy użyciu znanego wzoru.
Znany układ zawiera badany regulator, zawierający oscylator ze złączem p-n, którego katoda jest uziemiona, a anoda połączona z woltomierzem i źródłem prądu pomiarowego. Wyprowadzenie zasilania regulatora połączone jest z amperomierzem. Przełącznik łączy lub rozłącza amperomierz ze źródłem zasilania. Źródło prądu pomiarowego polaryzuje w kierunku przewodzenia złącze p-n zawarte w oscylatorze badanego regulatora. Napięcie na tym złączu mierzone jest przez woltomierz.
Niedogodnością znanej metody jest konieczność przełączania układu zasilania badanego regulatora, co utrudnia jego badania w typowym układzie aplikacyjnym.
Znane są z polskiego opisu patentowego PL nr 197.351 „Sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej scalonych regulatorów PWM”.
Znany układ zawiera zasilacz napięciowy, który poprzez amperomierz połączony jest z wejściem zasilającym badanego regulatora i woltomierz połączony równolegle z wejściem zasilającym regulatora, natomiast oscyloskop cyfrowy jest połączony z wyjściem regulatora, umieszczonego w termostacie.
W znanym sposobie pomiar rezystancji termicznej odbywa się dwuetapowo, przy czym pierwszy etap realizowany jest przy zmianach temperatury termostatu i wymaga pomiaru czasu trwania impulsu na wyjściu regulatora PWM natychmiast po włączeniu zasilania regulatora, natomiast drugi etap realizowany jest w stanie ustalonym. W etapie tym mierzone są napięcie i prąd zasilania oraz czas trwania impulsu. Po odczytaniu z charakterystyki termometrycznej wartości temperatury wnętrza odpowiadającej czasowi trwania impulsu, wartość rezystancji termicznej stanowi iloraz nadwyżki temperatury wnętrza elementu ponad temperaturę otoczenia przez iloczyn napięcia zasilającego oraz
PL 223 757 B1 prądu zasilania, przy czym wartość temperatury wnętrza jest odczytywana z charakterystyki termom etrycznej dla czasu trwania impulsu wyznaczonego w drugim etapie pomiaru.
Niedogodnością znanego sposobu jest ograniczenie zakresu jego stosowalności wyłącznie do scalonych regulatorów PWM.
Znane są z polskiego opisu patentowego PL nr 206.218 „Sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej scalonego regulatora impulsowego”.
Znany układ zawiera termostat, oscyloskop cyfrowy, przetwornik analogowo-cyfrowy i komputer. Układ ten charakteryzuje się tym, że źródło napięcia wejściowego połączone jest z wejściem badanego regulatora za pośrednictwem półprzewodnikowego przełącznika mocy, sterowanego sygnałem cyfrowym z komputera. Do wejścia badanego regulatora jest podłączone także źródło ujemnego napięcia przez rezystor oraz wejście przetwornika analogowo-cyfrowego. Do zacisków, zawartego w strukturze badanego regulatora, półprzewodnikowego elementu kluczującego są podłączone wejścia dwukanałowego oscyloskopu cyfrowego, rezystor oraz elementy układu aplikacyjnego badanego regulatora. Oscyloskop cyfrowy i przetwornik analogowo-cyfrowy podłączone są do komputera sterującego.
W znanym sposobie pomiar rezystancji termicznej scalonego regulatora impulsowego pracującego w konfiguracji przetwornicy BOOST, wykorzystujący w charakterze parametru termoczułego napięcie na diodzie podłożowej spolaryzowanej w kierunku przewodzenia prądem, realizowany w trzech etapach, obejmujących wyznaczenie nachylenia charakterystyki termometrycznej, pomiar napięcia na diodzie podłożowej w czasie kalibracji oraz w stanie ustalonym i obliczenie wartości rezystancji termicznej ze wzoru analitycznego. Sposób charakteryzuje się tym, że w drugim etapie pomiaru badany regulator pracuje w układzie aplikacyjnym i generuje impulsowy przebieg mocy, a wartość mocy występującej we wzorze końcowym metody wyznaczana jest przez uśrednianie iloczynu zmierzonych przebiegów czasowych napięcia i prądu na zaciskach półprzewodnikowego elementu kluczującego mocy, zawartego w strukturze badanego regulatora. Wartość rezystancji termicznej obliczana jest ze znanego wzoru.
Niedogodnością znanego sposobu jest ograniczenie zakresu jego stosowalności wyłącznie do scalonych regulatorów impulsowych współpracujących z przetwornicą BOOST.
Znany jest z polskiego zgłoszenia patentowego PL nr 277168 „Sposób pomiaru rezystancji termicznej scalonych układów cyfrowych TTL i CMOS” polegający na wydzielaniu mocy o dwóch wartościach określonych przez dwie wartości obciążenia włączonego między wyjście bramki a zasilanie Pomiar temperatury wnętrza jest realizowany za pośrednictwem występującej na dowolnym wejściu bramki, przewodzące spolaryzowanej diody, przez którą płynie prąd o ustalonej wartości.
Niedogodnością znanego sposobu jest możliwość pomiaru rezystancji termicznej tylko podstawowych bramek TTL i CMOS.
Znane są z japońskiego opisu patentowego JP 2004.317.432 „Regulator temperatury elementów półprzewodnikowych oraz urządzenie do badań elementu półprzewodnikowego”.
Znany regulator jest przeznaczony do skutecznego zapewnienia równomiernego z rozkładu temperatury wewnątrz elementu półprzewodnikowego z kablem. Do regulacji tej wykorzystuje doprowadzany z zewnątrz płyn o ustalonej temperaturze, który przez doprowadzenia jest wprowadzany do struktury półprzewodnikowej elementu i w ten sposób utrzymuje jej stałą temperaturę.
Niedogodnością znanego rozwiązania jest brak możliwości zmierzenia wartości rezystancji termicznej.
Istotą wynalazku jest sposób do pomiaru rezystancji termicznej tranzystora polowego z izolowaną bramką, w którym wykorzystuje się w charakterze parametru termoczułego napięcie między wyprowadzeniami bramki i źródła badanego tranzystora. Sposób realizuje się w dwóch etapach obejmujących kolejno pomiary współrzędnych punktów na charakterystyce statycznej tego tranzystora i obliczenia wartości rezystancji termicznej ze wzoru analitycznego, który charakteryzuje się tym, że w pierwszym etapie pomiaru badany tranzystor pracuje w zakresie nasycenia, a wartości napięcia bramka-źródło tranzystora mierzy się za pomocą woltomierza w czterech punktach pracy tranzystora A, B, C i D o współrzędnych tak dobranych, by prąd drenu tego tranzystora mierzony za pomocą amperomierza przyjmował tylko dwie wartości a moc wydzielana w tranzystorze w dwóch punktach pracy A i C była taka sama i jednocześnie dwukrotnie mniejsza od mocy wydzielanej w pozostałych dwóch punktach pracy B i D. W drugim etapie wartość rezystancji termicznej wylicza się iteracyjnie z rozwiązania układu równań matematycznych opisujących kolejno rezystancję termiczną, nachylenie chara kPL 223 757 B1 terystyki termometrycznej, napięcie progowe oraz temperaturowy współczynnik zmian napięcia progowego.
Korzystnym skutkiem zastosowania sposobu według wynalazku jest wyznaczenie rezystancji termicznej w typowych warunkach pracy mierzonego tranzystora bez potrzeby zasilania impulsowego tego elementu i bez stosowania kosztownych szybkich woltomierzy oraz wyeliminowanie błędu pomiaru związanego z kluczowaniem źródła zasilającego tranzystor.
Istotą wynalazku jest układ do pomiaru rezystancji termicznej tranzystora polowego mocy z izolowaną bramką w którym badany tranzystor połowy mocy pracuje w konfiguracji wspólnej bramki. Układ charakteryzuje się tym, że zasilacz napięciowy przez rezystor jest połączony ze źródłem badanego tranzystora. Zasilacz napięciowy szeregowo połączony z rezystorem oraz amperomierzem, zas ila dren badanego tranzystora. Bramka tranzystora jest połączona z masą układu, a woltomierz jest włączony między źródłem a bramką badanego tranzystora. Drugi woltomierz jest włączony między dren a bramkę badanego tranzystora umieszczonego w termostacie.
Korzystnym skutkiem zastosowania układu według wynalazku jest możliwość wykonania pomiaru rezystancji termicznej metodą stałoprądową.
Przedmiot wynalazku wyjaśnia przykład wykonania sposobu pomiaru rezystancji termicznej tranzystora polowego mocy z izolowaną bramką.
Pomiar realizowany jest w dwóch etapach. W pierwszym etapie mierzy się współrzędne czterech punktów A(ugs1, uds-i, iD), B(ugs2, uds2, iD), C(ugs3, uds3, iD3), D(ugs4, uds4, iD3) leżących na charakterystyce statycznej badanego tranzystora pracującego w zakresie nasycenia. Przed przystąpieniem do pomiaru napięć bramka-źródło uGS oraz dren-źródło uDS za pomocą woltomierzy 7 i 8 ustala się wartość prądu drenu poprzez regulację wydajności napięciowej zasilacza napięciowego 1 oraz rez ystancji rezystora 3, a za pomocą zasilacza napięciowego 2 i rezystora 4 reguluje się wartość napięcia uDS. Wartość tego napięcia stanowi sumę napięć uDG oraz uGS, które mierzy się za pomocą woltomierzy odpowiednio 7 oraz 8.
Prąd drenu iD mierzy się za pomocą amperomierza 8. Zachowanie stałej wartości temperatury otoczenia w czasie pomiaru zapewnia umieszczenie badanego tranzystora 5 w termostacie 9. Współrzędne punktu pracy badanego tranzystora w każdym z punktów A, B, C, D odczytuje się po uzyskaniu stanu ustalonego, w którym wskazania woltomierza 7 nie zmieniają się w ciągu 1 minuty bardziej niż o 1 mV. Wartości prądu drenu iD oraz napięcia dren-źródło uDS wybiera się tak, aby był spełniony warunek:
(UDS3 ' lD3 — UDS1 ' lD UDS4 ' lD3 = UDS2 ' lD
W drugim etapie pomiaru wartość rezystancji termicznej wylicza się przez rozwiązanie następującego układu równań, opisujących kolejno rezystancję termiczną, nachylenie charakterystyki termometrycznej, napięcie progowe oraz temperaturowy współczynnik zmian napięcia progowego. W układzie równań występują współrzędne punktów A, B, C i D zmierzone w etapie pierwszym aGS —
Rth UGS1 UGS2 io ' (UDS1 UDSl) ' lGSl ~ UpO UDS1 UGS1 UGS2
DS1 ~ UDS2 lGS
1,5
Upo — UGS3'UGS1'\i^D3 + au ' Rth ' (y-DSl ' 7*03 ~UDS3 ' ^D3 ' Fd ) a„ = lD ~ yj lD3 ί-D ' (UCS3 — UGS4) + 7^> ' ^03 ' (UGS2 ~ UGS3 + UG UGSl) + lD3 (UGSl UGS2)
Rth ' ' (7*03 ąAd) 2 ' (UDS1 UDS2)
Do rozwiązania tego układu równań stosuje się metodę iteracji prostej.
Przedmiot wynalazku jest uwidoczniony na rysunku, przedstawiającym schemat blokowy układu do pomiaru rezystancji termicznej tranzystora polowego mocy z izolowaną bramką.
Układ ten składa się z badanego tranzystora polowego mocy z izolowaną bramką 5, dwóch zasilaczy zasilających obwód źródła 1 oraz drenu 2, rezystorów 3 i 4 ograniczających prąd drenu oraz źródła, woltomierzy 7 i 8 mierzących odpowiednio napięcia uGS oraz uDG amperomierza 68 i termostatu 9. Układ charakteryzuje się tym, że zasilacz napięciowy 1 przez rezystor 3 jest połączony ze źródłem badanego
PL 223 757 B1 tranzystora 5. Zasilacz napięciowy 2, szeregowo połączony z rezystorem 4 oraz amperomierzem 6, zasila dren badanego tranzystora 5. Bramka tranzystora jest połączona z masą układu, woltomierz 7 jest włączony między źródłem, a bramką badanego tranzystora 5, woltomierz 8 jest włączony między drenem a bramką badanego tranzystora 5 umieszczonego w termostacie 9.
Claims (2)
1. Sposób do pomiaru rezystancji termicznej tranzystora polowego mocy z izolowaną bramką, w którym wykorzystuje się w charakterze parametru termoczułego napięcie między wyprowadzeniami bramki i źródła badanego tranzystora, realizuje się w dwóch etapach obejmujących kolejno pomiary współrzędnych punktów na charakterystyce statycznej tego tranzystora i obliczenia wartości rezysta ncji termicznej ze wzoru analitycznego, znamienny tym, że w pierwszym etapie pomiaru badany tranzystor (5) pracuje w zakresie nasycenia, za pomocą woltomierza (7) wyznacza się wartości napięcia bramka źródło uGS w czterech punktach pracy tranzystora A, B, C i D o współrzędnych tak dobranych, by prąd drenu iD mierzony za pomocą amperomierza (6) przyjmował tylko dwie wartości, a moc wydzielana w tranzystorze w dwóch punktach pracy A i C była taka sama i jednocześnie dwukrotnie mniejsza od mocy wydzielanej w pozostałych dwóch punktach pracy B i D tranzystora (5), w drugim etapie wartość rezystancji termicznej Rth tranzystora (5) wylicza się iteracyjnie według układu równań matematycznych, opisujących kolejno rezystancję termiczną Rth, nachylenie charakterystyki termometrycznej aGS, napięcie progowe UPO oraz temperaturowy współczynnik zmian napięcia progowego aU.
2. Układ do pomiaru rezystancji termicznej tranzystora polowego mocy z izolowaną bramką, w którym tranzystor pracuje w konfiguracji wspólnej bramki, znamienny tym, że zasilacz napięciowy (1) przez rezystor (3) jest połączony ze źródłem badanego tranzystora (5), zasilacz napięciowy (2) szeregowo jest połączony z rezystorem (4) oraz amperomierzem (6) zasilając dren badanego tranz ystora (5), a bramka tranzystora (5) jest połączona z masą układu, woltomierz (7) jest włączony między źródłem a bramką badanego tranzystora (5), zaś woltomierz (8) jest włączony między dren a bramkę badanego tranzystora (5), który jest umieszczony w termostacie (9).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL400744A PL223757B1 (pl) | 2012-09-12 | 2012-09-12 | Sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej tranzystora polowego mocy z izolowaną bramką |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL400744A PL223757B1 (pl) | 2012-09-12 | 2012-09-12 | Sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej tranzystora polowego mocy z izolowaną bramką |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL400744A1 PL400744A1 (pl) | 2014-03-17 |
| PL223757B1 true PL223757B1 (pl) | 2016-10-31 |
Family
ID=50240948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL400744A PL223757B1 (pl) | 2012-09-12 | 2012-09-12 | Sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej tranzystora polowego mocy z izolowaną bramką |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL223757B1 (pl) |
-
2012
- 2012-09-12 PL PL400744A patent/PL223757B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL400744A1 (pl) | 2014-03-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6786639B2 (en) | Device for sensing temperature of an electronic chip | |
| Górecki et al. | Measurements of parameters of the thermal model of the IGBT module | |
| US9562943B2 (en) | Wafer temperature sensing methods and related semiconductor wafer | |
| Blackburn et al. | Power MOSFET temperature measurements | |
| Górecki et al. | The analysis of accuracy of selected methods of measuring the thermal resistance of IGBTs | |
| US8350552B1 (en) | Voltage reference and temperature sensor | |
| Lu et al. | A 0.45-V MOSFETs-Based Temperature Sensor Front-End in 90 nm CMOS With a Noncalibrated $\pm\hbox {3.5}\^{\circ}\hbox {C}\\hbox {3}\sigma $ Relative Inaccuracy From $-\hbox {55}\^{\circ}\hbox {C} $ to 105$^{\circ}\hbox {C} $ | |
| Weimer et al. | Accuracy study of calorimetric switching loss energy measurements for wide bandgap power transistors | |
| Farkas | Thermal transient characterization of semiconductor devices with programmed powering | |
| US7914205B2 (en) | Precision temperature sensor | |
| Zarebski et al. | A method of measuring the transient thermal impedance of monolithic bipolar switched regulators | |
| JP2023065319A5 (ja) | パワー半導体試験装置 | |
| Hedayati et al. | Fast temperature sensing for GaN power devices using E-field probes | |
| PL234140B1 (pl) | Sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej i mocy promieniowania optycznego diody LED mocy | |
| Malits et al. | Temperature sensing circuits in CMOS-SOI technology | |
| PL223757B1 (pl) | Sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej tranzystora polowego mocy z izolowaną bramką | |
| PL224783B1 (pl) | Sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej tranzystora bipolarnego mocy z izolowaną bramką | |
| Bäumler et al. | Modeling of the temperature-dependent On-State-Resistance of GaN-HEMTs considering self-heating during measurement | |
| Aprile et al. | Performance comparison of BJT and MOS devices as temperature sensing elements | |
| Zarebski et al. | A new method for the measurement of the thermal resistance of the monolithic switched regulator LT1073 | |
| Bensebaa et al. | On-line temperature measurement during power cycle of PCB-embedded diode | |
| PL225429B1 (pl) | Sposób i układ do pomiaru własnych i wzajemnych rezystancji termicznych dławika | |
| PL206218B1 (pl) | Sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej scalonego regulatora impulsowego | |
| Rafiq et al. | PCB Coil Based Turn-On Delay Measurement For Junction Temperature Estimation of SiC MOSFETs | |
| PL234141B1 (pl) | Sposób i układ do pomiaru własnych i wzajemnych rezystancji termicznych w module elektroizolowanym |