PL223773B1 - Sposób przygotowania powierzchni spieków ceramicznych z azotku glinu zawierających dodatek tlenku itru - Google Patents
Sposób przygotowania powierzchni spieków ceramicznych z azotku glinu zawierających dodatek tlenku itruInfo
- Publication number
- PL223773B1 PL223773B1 PL401448A PL40144812A PL223773B1 PL 223773 B1 PL223773 B1 PL 223773B1 PL 401448 A PL401448 A PL 401448A PL 40144812 A PL40144812 A PL 40144812A PL 223773 B1 PL223773 B1 PL 223773B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- polishing
- pressure
- samples
- minutes
- disc
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 title claims description 23
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 18
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 title 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 title 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 39
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 16
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims description 15
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 11
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 claims description 6
- 238000009736 wetting Methods 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000001079 digestive effect Effects 0.000 description 3
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M potassium acetate Chemical compound [K+].CC([O-])=O SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007123 defense Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000009768 microwave sintering Methods 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 235000011056 potassium acetate Nutrition 0.000 description 1
- 238000011002 quantification Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000003440 toxic substance Substances 0.000 description 1
- 238000012800 visualization Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
Description
Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest sposób przygotowania powierzchni spieków ceramicznych z azotku glinu zawierających dodatek tlenku itru do badań fazowych, mikrostrukturalnych i mikroskopowych.
Azotek glinu jest substancją nietoksyczną i może być otrzymywany z tanich oraz łatwo dostępnych substratów. Ma zastosowanie w wielu dziedzinach techniki np. w elektronice jako podłoża pod układy scalone lub w przemyśle zbrojeniowym jako elementy radarów o wysokiej mocy i częstotl iwości. Technika prowadzenia badań mikrostrukturalnych polikryształów azotku glinu wymaga odp owiedniego przygotowania powierzchni próbek, ponieważ wynik analizy istotnie zależy od uwidoc znionych granic międzyziarnowych i międzyfazowych. Dla drobnoziarnistego spieku azotku glinu otrzymanego metodami wysokociśnieniowymi, granice te są zbyt słabo widoczne przy obserwacjach pod mikroskopem świetlnym i powierzchnie próbek wymagają obserwacji na mikroskopie elektronowym. Jednak do tego typu badań materiał musi być dodatkowo napylany węglem, co przy słabo wytrawi onej powierzchni może zakryć granice. Z kolei w przypadku gruboziarnistej mikrostruktury możliwa jest obserwacja próbek przy pomocy mikroskopu świetlnego, przy czym słabo widoczne granice wymagają użycia metody DIC (z ang. Differential Interference Contrast), która może zniekształcać uzyskany obraz.
Tradycyjne metody przygotowania powierzchni spieków z azotku glinu znane między innymi z publikacji Geng-fu Xu., Tayo Olorunyoleni, Otto C. Wilson i in., Microwave sintering of high-density, high thermal conductivity AIN, J. Mater. Res. 17 [11] (2002), polegają na ich polerowaniu mechanicznym z użyciem materiału ściernego na bazie diamentu oraz następującego po nim polerowaniu m echaniczno-chemicznym w obecności środków trawiących np. drobnej zawiesiny tlenku glinu, czy też koloidalnej krzemionki.
Znany jest również z amerykańskiego opisu patentowego nr US 7037838 sposób obróbki powierzchni monokryształu azotku glinu obejmujący polerowanie przy użyciu zawiesiny diamentowej, a następnie trawienie chemiczne za pomocą zawiesiny ściernej sporządzonej z krzemionki i wodorotlenku potasu lub amoniaku, o pH powyżej 10.5, przy prędkości polerowania próbki w zakresie 13 do 18 m/sek.
Inny, znany z amerykańskiego zgłoszenia wynalazku nr US 20100062601 sposób polerowania podłoży z azotku glinu, polega na szlifowaniu jego powierzchni przy użyciu wodnej kompozycji o pH około 10, zawierającej medium polerskie np. krzemionkę koloidalną w ilości 1-25% wagowych oraz środek utleniający np. nadtlenek wodoru w ilości 0.1-2.5% wagowy. Kompozycja może zawierać dodatkowo sól lub octan potasu. Polerowanie powierzchni spieku azotku glinu wyłącznie przy użyciu medium polerskiego w postaci zawiesiny diamentowej, może powodować zarysowania powierzchni próbek, a także usuwać z nich ziarna azotku glinu. Z kolei w przypadku tych spieków zawie rających dodatek tlenku itru, tradycyjna obróbka może powodować usuwanie powstających faz typu YAP(YAIO3), YAG(Y3AI5O12) oraz YAM(Y4Al2O9Al), które wywierają istotny wpływ na mikrostrukturę, w szczególności rozrost i kształt ziaren spieku, a co za tym idzie zmniejszenie ilości granic międzyziarnowych i w konsekwencji podwyższenie wartości przewodnictwa cieplnego. Precyzyjna jakościowa identyfikacja oraz analiza ilościowa obecnych w próbce faz jest niezbędna do określenia właściwej ilości wprowadzanego tlenku itru do azotku glinu, tak aby uzyskać korzystnie jak najwyższe przewodnictwo cieplne polikryształu. Dodatkowe polerowanie za pomocą koloidalnej krzemionki pozwala na uzyskanie dobrze widocznych granic międzyziarnowych i międzyfazowych, pod warunkiem, że zostaną zastosowane odpowiednio długie czasy obróbki. Należy także mieć na uwadze fakt, iż koloidalna krzemionka szybko krystalizuje i również może powodować zarysowania powierzchni oraz usuwanie z niej ziaren faz ceramicznych. Nieoczekiwanie okazało się, że tych problemów można uniknąć, prowadząc proces obróbki powierzchni spieków ceramicznych z zachowaniem specjalnych warunków.
Sposób przygotowania powierzchni spieków ceramicznych z azotku glinu zawierających dodatek tlenku itru, według wynalazku, polega na polerowaniu mechanicznym próbek z użyciem materiału ściernego na bazie diamentu oraz następującym po nim polerowaniu mechaniczno-chemicznym przy użyciu krzemionki koloidalnej. Istotą rozwiązania jest to, że podczas polerowania mechanicznego, powierzchnie próbek poleruje się z użyciem tarczy diamentowej o gradacji od 80 do 1200, przy prędkości obrotowej od 300 do 600 obr/min i nacisku od 35 do 40 N przez okres od 30 do 60 minut, aż do usunięcia widocznych gołym okiem wad, po czym poddaje mechaniczno-chemicznemu polerowaniu. Proces prowadzi się na pokrytej suknem polerskim tarczy, przy prędkości obrotowej od 100 do 200 obr/min i nacisku od 25 do 30 N, przez okres od 30 minut do 3 godzin, przy użyciu koloidalnej
PL 223 773 B1 krzemionki o średnicy cząstek od 0,02 do 0,15 pm, z jednoczesnym nawilżaniem tarczy wodą destylowaną, zaś w końcowym etapie wypolerowane powierzchnie co najmniej dwukrotnie oczyszcza się z resztek koloidalnej krzemionki, korzystnie przy pomocy płuczki ultradźwiękowej.
Sposób według drugiego wariantu wynalazku charakteryzuje się tym, że podczas polerowania mechanicznego, powierzchnie próbek poleruje się z użyciem tarczy diamentowej o gradacji od 80 do 1200, przy prędkości obrotowej od 300 do 600 obr/min i nacisku od 35 do 40 N przez okres od 30 do 60 minut, po czym dociera się zawiesiną diamentową o uziarnieniu od 0,25 do 3 pm, na pokrytej suknem polerskim tarczy, przy prędkości obrotowej od 150 do 300 obr/min i nacisku od 25 do 30 N, przez okres od 10 do 30 minut, a następnie poddaje mechaniczno-chemicznemu polerowaniu. Proces prowadzi się na pokrytej suknem polerskim tarczy, przy prędkości obrotowej od 100 do 200 obr/min i nacisku od 25 do 30 N, przez okres od 15 minut do 1,5 godziny, przy użyciu koloidalnej krzemionki o średnicy cząstek od 0,02 do 0,15 pm, z jednoczesnym nawilżaniem tarczy wodą destylowaną, zaś w końcowym etapie wypolerowane powierzchnie co najmniej dwukrotnie oczyszcza się z resztek koloidalnej krzemionki, korzystnie przy pomocy płuczki ultradźwiękowej.
Sposób przygotowania powierzchni według niniejszego wynalazku umożliwia wykonanie wysokiej jakości badań fazowych, mikrostrukturalnych i mikroskopowych spieków ceramicznych z azotku glinu zawierających dodatek tlenku itru. Pozwala także na jednoczesne przygotowanie powierzchni większej ilości próbek, nawet jeżeli są one otrzymane różnymi metodami np. bezciśnieniowego spiekania swobodnego, prasowania na gorąco lub spiekania impulsowo-plazmowego. Dzięki zastosowaniu długich czasów obróbki i słabych nacisków uzyskuje się bardzo wyraźne granice międzyfazowe oraz międzyziarnowe. Ponadto podczas prowadzenia obserwacji powierzchni próbek przy pomocy mikroskopu świetlnego nie ma potrzeby wzmacniania optycznie kontrastu polaryzacyjną metodą DIC, która może zniekształcać uzyskany obraz.
Sposób według wynalazku ilustrują bliżej poniższe przykłady, nie ograniczające jego zakresu.
P r z y k ł a d 1
Przygotowano trzy zestawy spiekanych swobodnie próbek, o różnym składzie fazowym, po dwie z każdego rodzaju, a mianowicie: polikryształ azotku glinu z dodatkiem 1% wagowego tlenku itru, polikryształ azotku glinu z dodatkiem 4% wagowych tlenku itru oraz polikryształ azotku glinu z dodatkiem 8% wagowych tlenku itru. Następnie przygotowane zestawy umieszczono w uchwycie automatu szlifiersko-polerskiego RotoForce -1 firmy Struers i jednocześnie poddano obróbce. Najpierw, w celu wyrównania powierzchni próbek, polerowano je mechanicznie z użyciem tarczy diamentowej MD-Piano firmy Struers o gradacji 120, przy prędkości obrotowej 600 obr/min i nacisku 35 N, przez okres 7 minut. Później użyto tarczy o gradacji 600 i polerowano powierzchnie próbek przez kolejne 10 min, przy nacisku 35 N, po czym kontynuowano obróbkę z użyciem tarczy o gradacji 1200 przez 40 minut, przy nacisku 35 N, aż do usunięcia zarysowań i innych widocznych wad powierzchni. Następnie próbki poddano mechaniczno-chemicznemu polerowaniu, na pokrytej krótkowłosym suknem MDNap polerskim tarczy, przy prędkości obrotowej 150 obr/min i nacisku 25 N przez 2 godziny, przy użyciu koloidalnej krzemionki OP-U Suspension o średnicy cząstek 0,04 pm, z jednoczesnym nawilżaniem tarczy wodą destylowaną, która wspomaga proces trawienia. W końcowym etapie wypolerowane powierzchnie dwukrotnie oczyszczono z resztek koloidalnej krzemionki przy pomocy płuczki ultradźwiękowej.
Efekt uzyskany w wyniku zastosowania sposobu według niniejszego wynalazku został przedstawiony na rysunku, na którym widoczne są wypolerowane powierzchnie polikryształu azotku glinu z dodatkiem 1% wagowego tlenku itru (fig. 1a), 4% wagowych tlenku itru (fig. 1b) oraz 8% wagowych tlenku itru (fig. 1c).
P r z y k ł a d 2
Przygotowano trzy zestawy spiekanych swobodnie próbek, o różnym składzie fazowym, po dwie z każdego rodzaju, a mianowicie: polikryształ azotku glinu z dodatkiem 1 % wagowego tlenku itru, polikryształ azotku glinu z dodatkiem 4% wagowych tlenku itru oraz polikryształ azotku glinu z dodatkiem 8% wagowych tlenku itru. Następnie przygotowane zestawy umieszczono w uchwycie automatu szlifiersko-polerskiego RotoForce -1 firmy Struers i jednocześnie poddano obróbce. Najpierw, w celu wyrównania powierzchni próbek, polerowano je mechanicznie z użyciem tarczy diamentowej MD-Piano firmy Struers o gradacji 80, przy prędkości obrotowej 600 obr/min i nacisku 35 N, przez okres 5 minut. Później użyto tarczy o gradacji 600 i polerowano powierzchnie próbek przez kolejne 10 min przy nacisku 35 N, po czym kontynuowano obróbkę z użyciem tarczy o gradacji 1200 przez 40 minut, przy nacisku 35N. Dalej próbkę polerowano zawiesiną diamentową o uziarnieniu 1 pm, na pokrytej suknem polerskim MDNap tarczy, przy prędkości obrotowej 300 obr/min i nacisku 25 N przez 20 mi4
PL 223 773 B1 nut, aż do usunięcia zarysowań i innych widocznych pod mikroskopem świetlnym wad powierzchni. Następnie próbki poddano mechaniczno-chemicznemu polerowaniu, na pokrytej krótkowłosym suknem polerskim MDNap tarczy, przy prędkości obrotowej 150 obr/min i nacisku 25 N przez 1 godzinę, przy użyciu koloidalnej krzemionki OP-U Suspension o średnicy cząstek 0,04 μm, z jednoczesnym nawilżaniem tarczy wodą destylowaną, która wspomaga proces trawienia. W końcowym etapie wypolerowane powierzchnie dwukrotnie oczyszczono z resztek koloidalnej krzemionki przy pomocy płuczki ultradźwiękowej. Podobnie jak w przykładzie 1, wypolerowane powierzchnie charakteryzują się dobrze widocznymi granicami międzyziarnowymi i międzyfazowymi.
P r z y k ł a d 3
Przygotowano trzy próbki spieków o jednakowym składzie fazowym, otrzymane różnymi metodami, a mianowicie: polikryształ azotku glinu z dodatkiem 10% wagowych tlenku itru otrzymany metodą bezciśnieniowego spiekania swobodnego, prasowania na gorąco oraz spiekania impulsowo-plazmowego. Każda próbka charakteryzowała się inną powierzchnią. Próbki umieszczono w uchwycie automatu szlifiersko-polerskiego RotoForce -1 firmy Struers i jednocześnie poddano obróbce. Najpierw, w celu wyrównania powierzchni próbek polerowano je mechanicznie z użyciem tarczy diamentowej MD-Piano firmy Struers o gradacji 120 przy prędkości obrotowej 600 obr/min i nacisku 35 N przez okres 5 minut, a następnie przez kolejne 5 minut z użyciem tarczy o gradacji 220 i nacisku 35 N. Później użyto tarczy o gradacji 600 i polerowano powierzchnie próbek przez kolejne 10 min przy nacisku 35 N, po czym obróbkę prowadzono z użyciem tarczy o gradacji 1200 przez 20 min, przy nacisku 35 N. Dalej próbkę polerowano zawiesiną diamentową o uziarnieniu 1 μm, na pokrytej suknem polerskim MDNap tarczy, przy prędkości obrotowej 300 obr/min i nacisku 25 N, przez 20 minut, aż do us unięcia zarysowań i innych widocznych pod mikroskopem świetlnym wad powierzchni. Następnie próbki poddano mechaniczno-chemicznemu polerowaniu, na pokrytej krótkowłosym suknem polerskim tarczy, przy prędkości obrotowej 150 obr/min i nacisku 25 N, przez okres 25 minut, przy użyciu koloida lnej krzemionki OP-U Suspension o średnicy cząstek 0,04 μm z jednoczesnym nawilżaniem tarczy wodą destylowaną, która wspomaga proces trawienia. W końcowym etapie wypolerowane powierzchnie dwukrotnie oczyszczono z resztek koloidalnej krzemionki przy pomocy płuczki ultradźwiękowej. Efekt uzyskany w wyniku zastosowania sposobu według niniejszego wynalazku został przedstawiony na rysunku, na którym widoczne są wypolerowane powierzchnie próbek otrzymanych metodami be zciśnieniowego spiekania swobodnego (fig. 2a), prasowania na gorąco (fig. 2b) oraz spiekania impulsowo-plazmowego (fig. 2c). Bez względu na zastosowaną metodę otrzymywania polikryształów, ich powierzchnie po obróbce charakteryzują się wyraźnymi granicami międzyziarnowymi oraz międzyfazowymi i są jednakowo dobrze przygotowane do prowadzenia badań fazowych, mikrostrukturalnych i mikroskopowych.
Claims (2)
1. Sposób przygotowania powierzchni spieków ceramicznych z azotku glinu zawierających dodatek tlenku itru, polegający na polerowaniu mechanicznym próbek z użyciem materiału ściernego na bazie diamentu oraz następującym po nim polerowaniu mechaniczno-chemicznym przy użyciu krzemionki koloidalnej, znamienny tym, że podczas polerowania mechanicznego, powierzchnie próbek poleruje się z użyciem tarczy diamentowej o gradacji od 80 do 1200, przy prędkości obrotowej od 300 do 600 obr/min i nacisku od 35 do 40 N przez okres od 30 do 60 minut, po czym poddaje mechaniczno-chemicznemu polerowaniu, na pokrytej suknem polerskim tarczy, przy prędkości obrotowej od 100 do 200 obr/min i nacisku od 25 do 30 N, przez okres od 30 minut do 3 godzin, przy użyciu koloidalnej krzemionki o średnicy cząstek od 0,02 do 0,15 μm z jednoczesnym nawilżaniem tarczy wodą destylowaną, zaś w końcowym etapie wypolerowane powierzchnie co najmniej dwukrotnie oczyszcza się z resztek koloidalnej krzemionki, korzystnie przy pomocy płuczki ultradźwiękowej.
2. Sposób przygotowania powierzchni spieków ceramicznych z azotku glinu zawierających dodatek tlenku itru, polegający na polerowaniu mechanicznym próbek z użyciem materiału ściernego na bazie diamentu oraz następującym po nim polerowaniu mechaniczno-chemicznym przy użyciu krzemionki koloidalnej, znamienny tym, że podczas polerowania mechanicznego, powierzchnie próbek poleruje się z użyciem tarczy diamentowej o gradacji od 80 do 1200, przy prędkości obrotowej od 300 do 600 obr/min i nacisku od 35 do 40 N przez okres od 30 do 60 minut, po czym dociera się zawiesiną diamentową o uziarnieniu od 0,25 do 3 μm, na pokrytej suknem polerskim tarczy, przy prędkości obroPL 223 773 B1 towej od 150 do 300 obr/min i nacisku od 25 do 30 N, przez okres od 10 do 30 minut, a następnie poddaje mechaniczno-chemicznemu polerowaniu, na pokrytej suknem polerskim tarczy, przy prędk ości obrotowej od 100 do 200 obr/min i nacisku od 25 do 30 N, przez okres od 15 minut do 1,5 godziny, przy użyciu koloidalnej krzemionki o średnicy cząstek od 0,02 do 0,15 μm z jednoczesnym nawilżaniem tarczy wodą destylowaną, zaś w końcowym etapie wypolerowane powierzchnie co najmniej dwukrotnie oczyszcza się z resztek koloidalnej krzemionki, korzystnie przy pomocy płuczki ultradźwiękowej.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL401448A PL223773B1 (pl) | 2012-11-02 | 2012-11-02 | Sposób przygotowania powierzchni spieków ceramicznych z azotku glinu zawierających dodatek tlenku itru |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL401448A PL223773B1 (pl) | 2012-11-02 | 2012-11-02 | Sposób przygotowania powierzchni spieków ceramicznych z azotku glinu zawierających dodatek tlenku itru |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL401448A1 PL401448A1 (pl) | 2013-06-24 |
| PL223773B1 true PL223773B1 (pl) | 2016-10-31 |
Family
ID=48671931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL401448A PL223773B1 (pl) | 2012-11-02 | 2012-11-02 | Sposób przygotowania powierzchni spieków ceramicznych z azotku glinu zawierających dodatek tlenku itru |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL223773B1 (pl) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN119874381B (zh) * | 2024-12-27 | 2025-10-21 | 武汉理工大学 | 一种氮化铝陶瓷及其制备方法和应用 |
-
2012
- 2012-11-02 PL PL401448A patent/PL223773B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL401448A1 (pl) | 2013-06-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105981132B (zh) | 半导体用复合基板的操作基板及半导体用复合基板 | |
| US20100092366A1 (en) | Water-based polishing slurry for polishing silicon carbide single crystal substrate, and polishing method for the same | |
| DE602004005174T2 (de) | Verfahren zum bearbeiten von keramik und einkristallen | |
| JP5469840B2 (ja) | 炭化珪素単結晶基板の製造方法 | |
| CN101603894B (zh) | 一种硬质合金刀具表面碳氮化钛涂层浸蚀剂及其使用方法 | |
| US20210047750A1 (en) | SEED CRYSTAL FOR SINGLE CRYSTAL 4H-SiC GROWTH AND METHOD FOR PROCESSING THE SAME | |
| US11551922B2 (en) | Method of polishing silicon wafer including notch polishing process and method of producing silicon wafer | |
| CN101532928B (zh) | 一种制备电铸镍金相样品及显示组织的方法 | |
| CN113740331A (zh) | 稀土金属氧化物晶体的位错检测方法 | |
| Zhang et al. | Mechanisms of ductile mode machining for AlON ceramics | |
| Lakhdari et al. | Relationship between subsurface damage depth and breaking strength for brittle materials | |
| PL223773B1 (pl) | Sposób przygotowania powierzchni spieków ceramicznych z azotku glinu zawierających dodatek tlenku itru | |
| Zhang et al. | Chemical mechanical polishing and nanomechanics of semiconductor CdZnTe single crystals | |
| CN109100381B (zh) | 一种碲锰镉晶体透射电镜截面样品的制备方法 | |
| CN102621169B (zh) | 一种ii-vi族软脆晶体超精密加工样品的定点原子成像方法 | |
| Zhang et al. | Nanoscale machinability and subsurface damage machined by CMP of soft-brittle CdZnTe crystals | |
| CN108818157A (zh) | 一种Nd:GGG晶体平面光学元件高效低损伤加工方法 | |
| CN114166596B (zh) | 一种高塑性贵金属材料的透射电镜样品制样方法 | |
| Yinxia et al. | Microstructure studies of the grinding damage in monocrystalline silicon wafers | |
| CN105699137B (zh) | 金属铬的结构显示方法 | |
| Busch et al. | A basic study of the diamond grinding of alumina | |
| US20090061740A1 (en) | Method for manufacturing silicone wafers | |
| Nelson et al. | Subsurface damage in grinding titanium aluminide | |
| Yamaguchi et al. | Study on lapping and constant-pressure grinding of single-crystal SiC | |
| Becher | Ceramic machining and surface finishing |