PL230055B1 - Układ zabezpieczenia niskonapięciowego - Google Patents

Układ zabezpieczenia niskonapięciowego

Info

Publication number
PL230055B1
PL230055B1 PL418529A PL41852916A PL230055B1 PL 230055 B1 PL230055 B1 PL 230055B1 PL 418529 A PL418529 A PL 418529A PL 41852916 A PL41852916 A PL 41852916A PL 230055 B1 PL230055 B1 PL 230055B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
voltage
input
protection
low
light
Prior art date
Application number
PL418529A
Other languages
English (en)
Other versions
PL418529A1 (pl
Inventor
Grzegorz Kowalski
Original Assignee
Inst Tele I Radiotech
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Inst Tele I Radiotech filed Critical Inst Tele I Radiotech
Priority to PL418529A priority Critical patent/PL230055B1/pl
Publication of PL418529A1 publication Critical patent/PL418529A1/pl
Publication of PL230055B1 publication Critical patent/PL230055B1/pl

Links

Landscapes

  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Description

Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest układ zabezpieczenia niskonapięciowego, zwłaszcza do zabezpieczenia przed przekroczeniem dopuszczalnego napięcia na wejściach pomiarowych, na przykład na wejściach 'wzmacniaczy operacyjnych lub przetworników analogowo cyfrowych.
Znane są literatury lub not aplikacyjnych układy zabezpieczenia w postaci diod krzemowych umieszczonych zaporowo pomiędzy - zabezpieczanym wejściem a napięciem zasilania. Zabezpieczenie takie powoduje, że na zabezpieczanym wejściu może pojawić, się napięcie od 0.7 do 2 V większe od napięcia zasilania. Takie przekroczenie napięcia nie zawsze jest dopuszczalne. Jest znane również zastosowanie w takiej aplikacji diod Schottky’ego, ale mają one duży prąd upływu, który powoduje, że rezystancja tak zabezpieczonego wejścia pomiarowego zostaje znacznie obniżona.
Inne znane literatury lob not aplikacyjnych1 układy zabezpieczenia realizowane są w postaci diod Zenera lub tzw. diod TVS umieszczonych przeciwszeregowo pomiędzy zabezpieczanymi wejściami. Taki sposób zabezpieczenia nadaje się do wejść, w których dopuszczalne napięcie jest powyżej 6 V. Ponadto diody Zenera lub TVS maja dość szeroki zakres napięć pośrednich, pomiędzy napięciem roboczym a napięciem przebicia, w którym skutecznie działa zabezpieczenie. W tym pośrednim zakresie napięć wejściowych prąd płynący przez diodę zabezpieczającą powoduje znaczny spadek rezystancji wejściowej układu pomiarowego.
Znany z opisu US36363 85A układ zabezpieczenia zawiera rezystory szeregowe oraz tranzystory mosfet, służące jako klucze tranzystorowe, które powyżej napięcia zadziałania powodują zwarcie zabezpieczanego wejścia do masy i spadek napięcia na rezystorach. Układ ten jest obarczony niedokładnością progu napięciowego wynikającą z rozrzutu parametrów tranzystorów.
W opisie patentowym US 5742465 A opisany jest układ zabezpieczenia w postaci tranzystorów FET, z których jeden pracuje jako źródło prądowe i steruje drugim, pracującym jako klucz zabezpieczający. Układ taki stabilizuje napięcie wejściowe zabezpieczając chronione wejście, ale ma niewielką rezystancję własną.
Układ zabezpieczenia niskonapięciowego według wynalazku, ma pierwsze wejście układu- zabezpieczenia dołączone do rezystora szeregowego, który dołączony jest do katody pierwszej diody świecącej i do anody drugiej diody świecącej oraz do wejścia pierwszego układu pomiarowego, którego drugie wejście dołączone jest do katody drugiej diody świecącej i anody pierwszej diody świecącej oraz do drugiego wejścia układu zabezpieczenia.;
Diody dołączone są równolegle do chronionego- wejścia układu pomiarowego i połączone są przez szeregowy rezystor do wejść, na których może pojawić się napięcie o wartości przekraczającej dopuszczalną dla układu pomiarowego. Napięcie na wejściach układu pomiarowego ograniczone jest do wartości spadku napięcia na jednej z diod świecących, tej która jest spolaryzowana w kierunku przewodzenia.
Napięcie przewodzenia diod świecących, zwłaszcza wykonanych w technologii GaAlAs jest dość stabilne w zakresie niewielkich prądów i waha się, zależnie od typu diody od 1.4 do 1.7 V. Natomiast w zakresie napięć poniżej napięcia przewodzenia, prąd upływu diod świecących GaAlAs jest bardzo mały i wynosi mniej niż 1 nA dla napięcia poniżej 0.7 V ok. W zakresie od 0.7 V do 1.1 V, prąd upływu rośnie do ok 100 nA, a powyżej 1.1 V prąd ten rośnie lawinowo i dla 1.4 V wynosi do 30 mA. Odpowiednio dobrana wartość rezystora szeregowego umożliwia uzyskanie na nim spadku napięcia tak, aby na wejściu układu pomiarowego napięcie nie przekroczyło wartości dopuszczalnej, np. 1 V. Małe wartości prądu upływu diod świecących GaAlAs w niewielkim zmniejszają impedancję wejściową układu pomiarowego. Dla diody krzemowej poniżej napięcia przewodzenia, analogiczna zależność jest prawie liniowa i dla bardzo małych prądów, rzędu do 1 uA, dioda zachowuje się jak rezystor i znacznie zmniejsza impedancję wejściową układu pomiarowego.
Zaletą układu, zabezpieczenia niskonapięciowego według wynalazku jest możliwość ochrony wejść układów pomiarowych przed przekroczeniem napięć w zakresie do 1 V, przy prądzie upływu poniżej 100 nA.
Przedmiot wynalazku przedstawiony jest w przykładzie wykonania schematycznie na rysunku.
Układ zabezpieczenia niskonapięciowego ma pierwsze wejście WE1 układu zabezpieczenia dołączone do rezystora szeregowego MS, który dołączony jest do katody K1 diody świecącej LD1 i anody A2 diody świecącej LD2 oraz do wejścia IN+ układu pomiarowego UP, którego drugie wejście IN- dołączone jest do katody K2 diody świecącej LD2 i anody A1 diody świecącej LD1 oraz do drugiego wejścia WE2 układu zabezpieczenia.

Claims (1)

1. Układ zabezpieczenia niskonapięciowego zawierający układ pomiarowy, rezystor szeregowy i diody, znamienny tym, że pierwsze wejście (WE1) układu, zabezpieczenia dołączone jest do rezystora szeregowego (RS), który dołączony jest do katody (K1) diody świecącej (LD1) i anody (A2) diody świecącej (LD2) oraz do wejścia (IN+) układu pomiarowego (UF), którego drugie wejście (IN-) dołączone jest do katody (K2) diody świecącej (LD2) i anody, (A1) diody świecącej (LD1) oraz do drugiego wejścia (WE2) układu zabezpieczenia.
PL418529A 2016-09-01 2016-09-01 Układ zabezpieczenia niskonapięciowego PL230055B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL418529A PL230055B1 (pl) 2016-09-01 2016-09-01 Układ zabezpieczenia niskonapięciowego

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL418529A PL230055B1 (pl) 2016-09-01 2016-09-01 Układ zabezpieczenia niskonapięciowego

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL418529A1 PL418529A1 (pl) 2018-03-12
PL230055B1 true PL230055B1 (pl) 2018-09-28

Family

ID=61534490

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL418529A PL230055B1 (pl) 2016-09-01 2016-09-01 Układ zabezpieczenia niskonapięciowego

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL230055B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL418529A1 (pl) 2018-03-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11114432B2 (en) Protection circuit with a FET device coupled from a protected bus to ground
AU2016266095B2 (en) Protection circuit assembly and method
US8901985B2 (en) Semiconductor device
US8450942B2 (en) Light emitting diode driving apparatus
US20120074846A1 (en) Semiconductor Component and Method
US7561404B2 (en) Biased-MOSFET active bridge
US10433381B2 (en) LED drive circuit
EP4131693A3 (en) Intrinsically safe circuit with low leakage current
US9374074B2 (en) Voltage selection circuit and semiconductor integrated circuit device having the same
JP6568365B2 (ja) 逆バイアスhemtトランジスタを備えた電子装置
US10205034B2 (en) Optical module
CN105993204B (zh) 包括保护电路的照明系统、及保护光源免于静电放电的相应方法
US8604870B2 (en) Constant-voltage circuit and semiconductor device thereof
EP2640162A1 (en) Power supply for lighting and luminaire
US9973185B2 (en) Cascade switch device and voltage protection method
US12136921B2 (en) Clamp circuit
KR101659088B1 (ko) Led 전원 장치
Rozhkov et al. Comparison of characteristics of Schottky diodes based on β-Ga2O3 and other wide bandgap semiconductors
CN104467468A (zh) 整流电路、电子电路及电子设备
CN104470050A (zh) 电源装置及照明装置
US10082813B1 (en) Constant voltage circuit
US10560083B2 (en) Control device for power supply line
JP6394343B2 (ja) 電源装置及び照明装置
RU2595536C1 (ru) Гальванически изолированный компаратор напряжения с питанием от входного сигнала
US20190363077A1 (en) Electrostatic discharge protection circuit