PL231379B1 - Sposób wytwarzania cienkowarstwowego konwertera promieniowania elektromagnetycznego opartego na strukturze quasizerowymiarowej oraz cienkowarstwowy konwerter promieniowania elektromagnetycznego oparty na strukturze quasizerowymiarowej wytworzony tym sposobem - Google Patents

Sposób wytwarzania cienkowarstwowego konwertera promieniowania elektromagnetycznego opartego na strukturze quasizerowymiarowej oraz cienkowarstwowy konwerter promieniowania elektromagnetycznego oparty na strukturze quasizerowymiarowej wytworzony tym sposobem

Info

Publication number
PL231379B1
PL231379B1 PL418407A PL41840716A PL231379B1 PL 231379 B1 PL231379 B1 PL 231379B1 PL 418407 A PL418407 A PL 418407A PL 41840716 A PL41840716 A PL 41840716A PL 231379 B1 PL231379 B1 PL 231379B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
layer
qds
type
quantum dots
thin
Prior art date
Application number
PL418407A
Other languages
English (en)
Other versions
PL418407A1 (pl
Inventor
Dawid CYCOŃ
Dawid Cycoń
Wiktor Chochorowski
Paweł Kwaśnicki
Original Assignee
Ml System Spolka Akcyjna
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ml System Spolka Akcyjna filed Critical Ml System Spolka Akcyjna
Priority to PL418407A priority Critical patent/PL231379B1/pl
Publication of PL418407A1 publication Critical patent/PL418407A1/pl
Publication of PL231379B1 publication Critical patent/PL231379B1/pl

Links

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Description

Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania cienkowarstwowego konwertera promieniowania elektromagnetycznego opartego na strukturze quasizerowymiarowej oraz cienkowarstwowy konwerter promieniowania elektromagnetycznego oparty na strukturze quasizerowymiarowej wytworzony tym sposobem.
Kropki kwantowe to półprzewodniki o zerowym i arowej strukturze, w których ruch elektronów jest ograniczony we wszystkich trzech kierunkach, a energia elektronu jest skwantowana, przy czym kropki te są szczególnym typem nanocząsteczek, których charakterystyki są ściśle związane z ich rozmiarem. Im mniejsza jest średnica, kropki kwantowej tym większa jest przerwa wzbroniona, pomiędzy wierzchołkiem pasma walencyjnego i, dnem pasma przewodnictwa. Przykładowo im mniejsza jest średnica cząstek tym widmo emisyjne przesuwa się w stronę fal krótszych, a zjawisko to zostało nazwane kwantowym efektem rozmiaru (Quantum Size Effect). Nanocząstki są zatem klasą materiałów, których właściwości są definiowane przez cechy cząstek o rozmiarach mniejszych od 100 nm. Zmiana kształtu oraz wielkości nanocząstek wpływa na takie właściwości jak: długość fali emisji, właściwości magnetyczne oraz transport ładunku w systemach półprzewodnikowych. Kluczowym elementem jest wykorzystanie nanocząstek w projektowaniu materiałów, których właściwości mogą być kontrolowane przez skalę wielkości nanocząstek, które mogą być użyte jako części składowe urządzeń oraz systemów funkcjonalnych wykorzystujących nowe technologie, korzystnie także w ogniwach słonecznych, instalacjach BIPV - w których kropki kwantowe jako sensybilizatory zaadsorbowane są na fotoelektrodzie. Do najczęściej syntetyzowanych kropek kwantowych należą struktury zbudowane z, CdSe, CdTe oraz CdSe/CdS a w skutek niewielkich ich rozmiarów 1 do 100 nm mają one dyskretne poziomy energetyczne podobne do występujących w atomach.
Znane są ogniwa fotowoltaiczne (słoneczne) składające się z przewodzącej płytki szklanej i przeciwelektrody oraz z umieszczonej pomiędzy nimi fotoelektrody z TiO2 sensybilizowanej kropkami kwantowymi z elektrolitem.
Znana jest także metoda otrzymywania cienkich jednorodnych warstw transparentnych o przewodnictwie elektronowym polegająca na rozpylaniu magnetronowym na powierzchnię szyby szklanej domieszkowanego tlenku cyny (SnO2).
Znane jest również z opisu patentowego US 6346431 urządzenie oparte na kropkach kwantowych pracujące w zakresie bliskiej podczerwieni oraz sposób jego wytwarzania. Urządzenie to stanowi diodę i ma strukturę warstwową, wykorzystującą kropki kwantowe, zwane samo-rosnącymi kropkami GaAs/ LnAs. Wytwarza się je w ten sposób, że na podłoże z arsenku galu nanosi się pierwszą warstwę zwilżającą z arsenku indu, a następnie warstwę arsenku galu mocno domieszkowaną indem Inx Ga (1-x) As, która na skutek niedopasowania sieciowego ulega samorzutnie przemianie na małe grudki nanometrowych rozmiarów nazywane kropkami kwantowymi samo-rosnącymi GaAs/LnAs. Następnie nanosi się warstwę buforową, na którą nakłada się warstwę zaporową z niedomieszkowanego arsenku galowo-glinowego w postaci Al(y)Ga(1-y)As. Po obu stronach struktury warstwowej nanosi się elektrody, z których każda jest wykonana na podłożu domieszkowanej warstwy kontaktowej, przy czym elektrody te połączone są ze źródłem zasiania. Emisja promieniowania podczerwonego (w bliskiej podczerwieni) zachodzi wówczas gdy elektrody podłączy się do źródła zasilania (w układzie diody fotoluminescencyjnej), lub naświetli warstwę arsenku galu stanowiącą podłoże. W celu wytwarzania koherentnych fotonów wykorzystuje się tam ekscytony, tj. pary elektronowo dziurowe w samorosnących kropkach kwantowych, które wiążą równocześnie i elektrony 1 dziury, a w przypadku lasera ekscytonowego światło powstaje w wyniku rekombinacji promienistej pary elektron-dziura w kropce kwantowej. Energia fotonu jest wtedy rzędu przerwy wzbronionej półprzewodnika, co odpowiada promieniowaniu czerwonemu lub bliskiej podczerwieni dla kropek GaAs/LnAs.
Z kolei, z polskiego opisu patentowego nr PL 203033 znane jest urządzenie na kropkach kwantowych do generacji koherentnego promieniowania w dalekiej podczerwieni oraz sposób wytwarzania inwersji obsadzeń w matrycy kropek kwantowych zadawanych polem elektrycznym w wąskiej studni kwantowej w heterostrukturze półprzewodnikowej. Istota urządzenia na kropkach kwantowych według tego wynalazku polega na tym, że struktura warstwowa jest osadzona pomiędzy metalowymi elektrodami, z których elektroda dolna wykonana jest w postaci warstwy przewodzącej ciągłej, natomiast elektroda górna jest wykonana w postaci warstwy metalowej perforowanej. Struktura warstwowa z elektrodami stanowi kondensator, w którym pomiędzy metalowymi elektrodami na podłożu ma naniesioną barierę dolną oraz barierę górną, przy czym pomiędzy barierami jest studnia kwantowa.
PL 231 379 B1
Kształt i rozmiary otworków elektrody górnej, określają potencjał wiążący elektrony w małych nanometrowych obszarach studni kwantowej, które stanowią kropki kwantowe. Korzystnie podłoże wykonane jest z arsenku galowo-glinowego Alo,3Gao,7As domieszkowanego chromem Cr, bariera dolna i górna z warstwy niedomieszkowanego arsenku galowo-glinowego w postaci Al0,3Ga0,7As, natomiast studnia kwantowa z warstwy arsenku galu GaAs.
W urządzeniu według tego wynalazku wykorzystuje się całkowicie inne kropki kwantowe, a mianowicie kropki kwantowe wytwarzane przy pomocy pola elektrycznego, tzn. przy pomocy elektrostatycznego ogniskowania elektronów w cienkiej studni kwantowej typu Ga(Al)As. Grubość studni jest rzędu 2 nm, co zapewnia, quasi-dwuwymiarowy ruch elektronów w studni. Wielowarstwową strukturę studni kwantowej wytwarza się w standardowy sposób, tzn. metodami epitaksji z wiązki molekularnej (MBI)nakłada się warstwy barier Al0,3 Ga0,7 As, między którymi znajduje się cienka warstwa GaAs. Na skutek przesunięć krawędzi pasm w obu materiałach warstwa GaAs tworzy studnię kwantową, do której spływają elektrony z dodatkowej warstwy Al0,3 Ga0,7 As domieszkowanej chromem Cr w stopniu zależnym od potrzeb gęstości elektronów w studni. Pod strukturą studni umieszcza się cienką ciągłą elektrodę metalową, zaś nad studnią umieszcza się elektrodę perforowaną wykonaną metodą litografii jonowej lub elektronowej z cienkiej warstwy metalowej. Elektrody te, po podłączeniu napięcia, elektrycznego, wytwarzają odpowiednio zmodulowany przestrzennie rozkład pola elektrycznego związany z perforacją górnej elektrody, prowadzący do bocznego potencjału wiążącego dla elektronów w studni kwantowej, który jest równocześnie potencjałem odpychającym dla dziur. W przeciwieństwie do kropek samo-rosnących, puste kropki zadawane polem elektrycznym wiążą, zatem tylko elektrony, a nie ekscytony.
Z kolei istota sposobu nanoszenia inwersji obsadzeń w matrycy kropek kwantowych zadawanych polem elektrycznym według tego wynalazku polega na tym, że cyklicznie włącza się i wyłącza napięciowy sygnał sterujący doprowadzony do elektrod, pomiędzy którymi jest umieszczona półprzewodnikowa heterostruktura z cienką studnią kwantową, w której przestrzennie zmodulowane pole elektryczne, elektrodą perforowaną, wiąże elektrony w małych obszarach kropek kwantowych, w wyniku czego uzyskuje się inwersję obsadzeń stanów elektronowych w tych kropkach. Po czym emituje się koherentne fotony w zakresie dalekiej podczerwieni, o długości fali odpowiadającej odległości energetycznej między stanami w kropkach kwantowych, przy czym napięciowy sygnał sterujący włącza się szybko i nieadiabatyczne. Sygnałem sterującym, którym włącza się i wyłącza cyklicznie matrycę kropek kwantowych, wytwarza się narastającą, liczbę koherentnych fotonów promieniowania podczerwonego w przestrzeni pomiędzy lustrami rezonatora optycznego aż do uzyskania w rezonatorze promieniowania koherentnego o pożądanej mocy.
Celem wynalazku jest opracowanie sposobu wytwarzania cienkowarstwowego konwertera energii promieniowania elektromagnetycznego wykorzystującego nowy sposób nanoszenia na półprzewodnikowe podłoże cienkiej warstwy niskowymiarowych struktur w postaci kropek kwantowych w zakresie od 10 nm do kilkuset nanometrów stwarzając, możliwość zmiany stopnia transparentności ich warstwy przewodzącej w szerokim zakresie. Dalszym celem wynalazku jest opracowanie konstrukcji quasizerowymiarowego konwertera energii promieniowania, elektromagnetycznego zawierającego warstwę niskowymiarowych struktur kropek, kwantowych QDs z możliwością jego wykorzystania do pełnienia funkcji generatora fotowoltaicznego w instalacjach energii odnawialnej zwłaszcza w panelach i lamelach fotowoltaicznych w tym w instalacjach BIPV.
Istota sposobu wytwarzania cienkowarstwowego konwertera promieniowania elektromagnetycznego posiadającego strukturę warstwową, opartą na zerowymiarowych strukturach, kropek kwantowych polega na tym, że realizowana jest w sześciu ściśle powiązanych ze sobą i następujących po sobie etapach technologicznych polegających na tym, że:
- w etapie pierwszym na jedne powierzchnie uprzednio oczyszczonych dwóch płytek szklanych o grubościach g = 0,5-4,0 mm, hartowanych termicznie lub wzmocnionych chemicznie metodą wymiany jonowej w kąpieli solankowej napyla się metodą magnetronową transparentne warstwy przewodzące korzystnie TCO o grubości 400-600 nm i transparentności powyżej 80% dla zakresu fali elektromagnetycznej widzialnej o długości λ = 400-800 nm oraz 75% dla zakresu tej fali o długości λ = 800-1600 nm i o rezystancji do 10 Ohm/sq, przy czym w utworzonych w tych warstwach na przeciwległych sobie ich końcach kanałkach osadza się elektrodę dodatnią i elektrodę ujemną;
- w etapie drugim na napyloną na płytkę szklaną warstwę przewodzącą (3) i elektrodę dodatnią metodą sitodruku nanosi się nanocząsteczkową-półprzewodnikową warstwę z dwutlenku tytanu TiO2 o grubości 400-650 nm;
PL 231 379 B1
- w etapie trzecim niesioną na płytkę szklaną w etapie drugim warstwę TiO2 poddaje się suszeniu w zakresie temperatur 60oC-120°C w czasie 20-25 minut oraz w zakresie temperatur 120°C-70°C w czasie 20-25 minut, a następnie wypalaniu polegającemu na ogrzewaniu w czasie 1,5h-2h do temperatury około 480°C, wygrzewaniu w tej temperaturze w czasie 25-30 minut, a następnie studzeniu w czasie około 3 h do temperatury otoczenia, uzyskując trwałe połączenie tej warstwy z warstwą przewodzącą TCO;
- w etapie czwartym na wysuszoną i wypaloną warstwę z dwutlenku tytanu TiO2 metodą sprayów (nFOG) - nanosi się warstwę zerowymiarowych struktur kropek kwantowych QDs o grubości 50-600nm i o średnicy 2-12 nm z roztworem, których strukturę stanowi mieszanina tych kropek składająca się, korzystnie z selenku kadmu pokrytego warstwą siarczku cynku (CdSe/ZnS) o zakresie emisji 450-650 nm oraz z toluenu spełniającego także funkcję nośnika drobnych struktur nanokrystalicznych QDs;
- w etapie piątym na otrzymaną warstwę zerowymiarowych struktur kropek kwantowych również metodą natryskową (sprayów) nanosi się wysoko wydajną powłokę transportową typu HTL o grubości 200-5000 nm wykonaną z trwałego polimeru przewodzącego prąd elektryczny korzystnie typu „PEDOT”, po czym:
- w etapie szóstym na otrzymanej powłoce transportowej typu HTL umieszcza się warstwę przewodzącą TCO z przylegającą do niej elektrodą ujemną drugiej płytki szklanej, którą metodą laminacji za pomocą foli laminacyjnej korzystnie typu „EVA” łączy się z pierwszą płytką poprzez powierzchnie czołowe warstwy przewodzącej TCO, warstwy transportowej, warstwy kropek kwantowych QDs i warstwy półprzewodnikowej TiO2, w wyniku czego uzyskuje się monolityczny konwerter promieniowania elektromagnetycznego.
Korzystnym jest, gdy obie transparentne warstwy przewodzące stanowi półprzewodnikowy tlenek indowo-cynowy ITO, lub grafen.
Korzystnym jest także, gdy jako kropki kwantowe stosuje się: hydrofilowe kropki kwantowe QDs, stanowiące zawiesinę w kwasie oleinowym lub w toluenie lub jako kropki kwantowe stosuje się ZnO z rozpuszczalnikiem stanowiącym obojętny rozpuszczalnik organiczny wybrany z grupy heksan lub pentan lub gdy stosuje się hydrofobowe kropki kwantowe typu CdTe, stanowiące zawiesinę w wodzie lub gdy jako kropki kwantowe stosuje się ZnCuLnS/ZnS w toluenie lub CdS w toluenie lub PbS/CdS.
Korzystnym jest również gdy nanocząsteczkową - półprzewodnikową warstwę nanoszoną metodą sitodruku stanowi ZnOAl lub TiO2:Ta oraz gdy jako powłokę transportową typu HTL stosuje się sulfonian polistyrenu stanowiący polimerową mieszaninę typu „PEDOT: PSS”.
Z kolei istota cienkowarstwowego konwertera promieniowania elektromagnetycznego opartego na strukturze quasizerowymiarowej kropek kwantowych, posiadającego strukturę warstwową wyposażoną w elektrodę dodatnią i elektrodę ujemną polega na tym, że składa się on z dwóch zewnętrznych płytek szklanych o grubościach g = 0,5-4,0 mm, hartowanych termicznie lub wzmocnionych chemicznie metodą jonów w kąpieli solankowej, których powierzchnie wewnętrzne połączone są nierozłącznie z transparentnymi warstwami przewodzącymi z tlenków metali korzystnie TCO o grubości 400-600 nm, wyposażonymi na swych przeciwległych końcach w elektrodę dodatnią i elektrodę ujemną, przy czym z warstwą przewodzącą wraz z jej elektrodą dodatnią pierwszej płyty szklanej połączona jest nierozłącznie nanocząsteczkowa - półprzewodnikowa warstwa z dwutlenku tytanu TiO2 o grubości 500-2000 nm, a z nią połączona jest trwale metodą sprayów warstwa zerowymiarowych struktur kropek kwantowych o grubości 50-600 nm i o średnicy 2-12 nm typu QDs, na której osadzona jest również metodą sprayów wysokowydajna powłoka transportowa typu HTL o grubości 200-5000 nm wykonana z trwałego polimeru przewodzącego prąd elektryczny, korzystnie typu „PEDOT”, na której umieszczona jest elektroda ujemna wraz z warstwą przewodzącą, które połączone są z drugą płytą szklaną, której ścianki boczne są zlaminowane za pomocą foli laminacyjnej korzystnie typu „EVA” ze ściankami bocznymi obu warstw przewodzących, warstwy transportowej HTL warstwy kropek kwantowych QDs i warstwy półprzewodnikowej TiO2, oraz ze ściankami bocznymi pierwszej płytki szklanej tworząc monolityczny cienkowarstwowy konwerter promieniowania elektromagnetycznego.
Korzystnym jest, gdy transparentne warstwy przewodzące tego konwertera stanowi półprzewodnikowy tlenek indowo-cynowy (ITO) lub grafen. Korzystnym jest także, gdy strukturę kropek kwantowych typu QDs stanowi mieszanina tych kropek składająca się korzystnie z selenku kadmu w otoczce siarczku cynku (CdSe/ZnS) o zakresie emisji 450-650 nm oraz z rozpuszczalnika, który stanowi
PL 231 379 B1 toluen, lub gdy strukturę tych kropek kwantowych stanowią hydrofilowe kropki kwantowe będące zawiesiną w kwasie oleinowym lub w toluenie. Korzystnym jest również, gdy jako powłokę transportową stosuje się sulfonian polistyrenu stanowiący polimerową mieszaninę typu „PEDOT: PSS”. Korzystnym jest również gdy konwerter według wynalazku posiada on co najmniej jedną warstwę kropek kwantowych QDs o grubości 50-600nm, połączoną nierozłącznie z półprzewodnikową warstwą TiO2.
Okazało się, że zastosowana metoda sprayów (zwana metodą nFOG) umożliwia nanoszenie niskowymiarowych struktur, w tym także kropek kwantowych na podłoża ciągłe (float lub roll to roll) oraz na podłoża odseparowania (sheet to sheet). Uzyskana w ten sposób cienka warstwa konwertera promieniowania elektromagnetycznego charakteryzuje się dużą jednorodnością napylanej warstwy na dużych podłożach zarówno pod względem grubości jak i jakości, a proces nanoszenia kropek kwantowych może być realizowany w temperaturze pokojowej i ciśnieniu atmosferycznym. Z kolei poprzez wykorzystanie struktur niskowymiarowych takich jak kropki kwantowe uzyskano cienką, a zarazem transparentną warstwę konwertera energii promieniowania słonecznego na energię elektryczną, zaś w wyniku co najmniej dwukrotnego nanoszenia warstwy zawierającej niskowymiarowe struktury kropek kwantowych, a zarazem poprzez zmianę grubości tych niskowymiarowych kropek i/lub ich ilości możliwa jest zmiana stopnia transparentności warstwy przewodzącej w zakresie od 10% do 70%. Możliwe okazało się także pobudzenie warstwy niskowymiarowych kropek kwantowych, do elektroluminescencji w wyniku podłączenia; tej warstwy do zewnętrznego: źródła; zasilania, energią elektryczną: Utworzona struktura z wykorzystaniem niskowymiarowych kropek kwantowych QDs pozwala na integrację, cienkiej warstwy, konwertera w pandach i/lub lamelach szeroko stosowanych w instalacjach energii odnawialnej typu fotowoltaicznego, zwłaszcza korzystnie w instalacjach typu BIPV.
Przedmiot wynalazku został bliżej objaśniony w przykładach jego wykonania oraz na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia, uproszczony schemat blokowy stanowisk roboczych, sześcioetapowego sposobu wytwarzania monolitycznego cienkowarstwowego konwertera promieniowania elektromagnetycznego - konwertera fali elektromagnetycznej na energię elektryczną, opartego na strukturze quasizerowymiarowej, fig. 2 - monolityczny cienkowarstwowy konwerter promieniowania elektromagnetycznego z warstwą niskowymiarowych kropek kwantowych QDS, połączoną nierozłącznie tylko z jedną warstwą półprzewodnikową TiO2 i warstwą transparentną HTL w - przekroju pionowym, a fig. 3 - również monolityczny cienkowarstwowy konwerter promieniowania elektromagnetycznego z warstwą niskowymiarowych kropek kwantowych-QDs, umieszczonych pomiędzy, dwoma - warstwami półprzewodnikowymi TiO2 połączonymi z nimi nierozłącznie w przekroju pionowym.
P r z y k ł a d 1
Jak pokazano na rysunku fig. 1 sposób wytwarzania monolitycznego cienkowarstwowego konwertera promieniowania elektromagnetycznego, opartego na strukturach quasizerowymiarowych realizowany jest w sześciu następujących po sobie etapach, polegających na tym, że:
- w pierwszym: etapie uprzednio .oczyszczone .dwie cienkie płyty szklane 1 i 2 o, grubości 0,5 mm, wzmocnione chemicznie metodą wymiany jonów w kąpieli solankowej, umieszcza się w komorze urządzenia magnetronowego „M” i na ich jedne powierzchnie napyla się transparentne warstwy przewodzące TCO (Transparent Conductiwe Oxide) 3 i 4 o grubości 400 nm, transparentności 80% z zakresu Vis 400-800 nm i o rezystancji 10 Ohm/sq, przy czym na przeciwległych; końcach obu tych warstw pozostawia-się kanałki prostokątne 5 i 6 o głębokości 200 nm, w które nanosi się lakier przewodzący, spełniający funkcję elektrody dodatniej 7 - dodatniego bieguna elektrycznego i elektrody ujemnej 8 - ujemnego bieguna elektrycznego, po czym:
- w drugim etapie płytę: szklaną 1 z elektrodą dodatnią 7 i napyloną na nią warstwą przewodzącą TCO 3 umieszcza się w urządzeniu sitodrukującym „S” i na powierzchni tej warstwy przewodzącej oraz na powierzchni tej elektrody metodą sitodruku nanosi się nanocząsteczkową - półprzewodnikową warstwę 9 z dwutlenku tytanu TiO2 o grubości 400 nm, po czym:
- w trzecim etapie otrzymany półwyrób umieszcza się w piecu tunelowym „PT” i poddaje cyklicznemu suszeniu warstwy TiO2 9 w zakresie temperatur 60°C-120°C w czasie 25 minut oraz w zakresie temperatur 120°C-70°C w czasie 25 minut, a następnie wypalaniu polegającemu na ogrzewaniu w czasie dwóch godzin do temperatury 470°C, wygrzewaniu w tej temperaturze w czasie 30 minut, po czym studzi się je w czasie trzech godzin do temperatury otoczenia, w wyniku czego warstwa TiO2 9 zostaje trwale połączona poprzez warstwę przewodzącą TCO 3 z płytą szklaną 1 ;
- w czwartym etapie tak wykonany półwyrób przemieszcza się na stanowisko wyposażone w pneumatyczne urządzenie natryskowe „UN” i za pomocą jej dyszy metodą sprayową na powierzch6
PL 231 379 B1 nię warstwy 9 z dwutlenku tytanu nanosi się dwukrotnie warstwę 10 quasizerowymiarowych kropek kwantowych QDs o grubości 50 nm, których strukturę stanowi mieszanina tych kropek o średnicy 2-6 nm składających się z selenku kadmu pokrytego warstwą siarczku cynku (CdSe/ZnS) o zakresie emisji 450-650 nm oraz z rozpuszczalnika typu toluen, który spełnia także funkcję nośnika tych drobnych struktur nanokrystalicznych QDs, po czym,
- w piątym etapie za pomocą dyszy tego samego urządzenia natryskowego „UN” na otrzymaną w etapie czwartym warstwę 10 kropek kwantowych QDs nanosi się wysoko wydajną powłokę transportową 11 typu HTL (Hole Transporting Layer) o grubości 200 nm, wykonaną z trwałego polimeru przewodzącego prąd elektryczny typu „PEDOT” (Poli(3,4-etyleno-1,4-dioksytiofenu), a następnie;
- w szóstym etapie na, powłoce transportowej 11 umieszcza się znanym sposobem drugą płytę szklaną 2 o grubości również 0,5 mm połączoną trwale z powłoką 4 przewodzącą TCO i elektrodą ujemnego bieguna elektrycznego 8, tak aby ta powłoka i elektroda przylegały do tej powłoki transportowej HTL 11, po czym obie płyty szklane 1 i 2 wraz z ich warstwami przewodzącymi TCO 3 i 4 oraz warstwą transportową 11, warstwą kropek kwantowych QDs. 10 i warstwę dwutlenku tytanu 9 łączy się ze sobą trwale na ich obwodach znaną metodą laminacji za pomocą folii laminacyjnej 12 typu EVA, ogrzewając całość do temperatury 125°C, w wyniku czego otrzymuje się monolityczny cienkowarstwowy konwerter promieniowania elektromagnetycznego 13 oparty na strukturze quasizerowymiarowych kropek kwantowych QDs.
P r z y k ł a d 2
Jak pokazano na rysunku fig. 1 sposób wytwarzania monolitycznego cienkowarstwowego konwertera promieniowania elektromagnetycznego, opartego na strukturach quasizerowymiarowych realizowany jest w sześciu następujących po sobie etapach, polegających na tym, że:
- w pierwszym etapie uprzednio oczyszczone dwie cienkie płyty szklane 1 i 2 o grubości 4,0 mm, wzmocnione chemicznie metodą wymiany jonów w kąpieli solankowej umieszcza się w komorze urządzenia magnetronowego „M” i na ich jedne powierzchnie napyla się transparentne warstwy przewodzące TCO (Transparent Conductive Oxide) 3 i 4 o grubości 650 nm, transparentności 75% z zakresu Vis 800-1600 nm i o rezystancji 7 Ohm/sq, przy czym na przeciwległych końcach obu tych warstw pozostawia- się kanałki prostokątne 5 i 6 o głębokości 300nm, w których umieszcza się przewodzącą taśmę, klejącą, spełniającą funkcję elektrody dodatniej, 7 - dodatniego bieguna elektrycznego i elektrody ujemnej 8 ujemnego bieguna elektrycznego, po czym:
- w drugim etapie płytę szklaną 1 z elektrodą dodatnią 7 i napyloną na nią warstwą przewodzącą TCO 3 umieszcza się w urządzeniu sitodrukującym „S” i na powierzchni tej warstwy przewodzącej oraz na powierzchni tej elektrody metodą sitodruku nanosi się nanocząsteczkową - półprzewodnikową- warstwę 9 z .dwutlenku tytanu TiO2 o grubości 2000 nm, po czym:
- w trzecim etapie otrzymany półwyrób .umieszcza się w piecu tunelowym „PT” i poddaje cyklicznemu, suszeniu warstwy TiO2 9 w zakresie temperatur 60°C-120°C w czasie 25 minut oraz w zakresie temperatur 120°C-70°C w czasie 25 minut, a następnie-wypalaniu polegającemu na ogrzewaniu w czasie dwóch godzin do temperatury 485°C, wygrzewaniu w tej temperaturze w czasie 30 minut, po czym studzi się je w czasie trzech godzin do temperatury otoczenia, w wyniku czego warstwa TiO2 9 zostaje, trwale połączona poprzez warstwę przewodzącą TCO 3 z płytą szklaną 1 ;
- w czwartym etapie tak wykonany półwyrób przemieszcza się na stanowisko wyposażone w pneumatyczne urządzenie natryskowe „UN” i za pomocą jej dyszy metodą sprayową na powierzchnię warstwy 9 z dwutlenku tytanu nanosi się czterokrotnie warstwę 10 quasizerowymiarowych kropek kwantowych QDs o grubości 600 nm, których strukturę stanowi mieszanina tych kropek o średnicy 4-12 nm składających się z CdTe rozpuszczonego w wodzie o zakresie emisji 450-650 nm, który spełnia także funkcję nośnika tych drobnych struktur nanokrystalicznych QDs, po czym
- w piątym etapie za pomocą dyszy tego samego urządzenia natryskowego „UN” na otrzymaną w etapie czwartym warstwę 10 kropek kwantowych QDs nanosi się wysokowydajną powłokę transportową 11 typu HTL (Hole Transporting Layer) o grubości 5000 nm wykonaną z trwałej polimerowej mieszaniny dwóch jonomerów przewodzących prąd elektryczny typu „PEDOT: PSS”;
- w szóstym etapie na powłoce transportowej 11 umieszcza się znanym sposobem drugą płytę szklaną 2 o grubości również 4,0 mm połączoną trwale z powłoką przewodzącą TCO 4 i elektrodą ujemnego, bieguna elektrycznego 8, tak aby ta powłoka i elektroda, przylegały do tej powłoki transportowej HTL 11, po czym obie płyty szklane 1 i 2 wraz z ich warstwami przewodzącymi 1 TCO 3. i 4 oraz warstwą transportową 11, warstwą kropek kwantowych QDs 10 i warstwę dwutlenku tytanu 9 łączy się ze sobą trwale na ich obwodach znaną metodą latninacji za pomocą, folii laminacyjnej 12 typu PVB
PL 231 379 B1 ogrzewając całość do temperatury 135°C, w wyniku czego otrzymuje się monolityczny cienkowarstwowy konwerter promieniowania elektromagnetycznego 13 oparty na strukturze quasizerowymiarowych kropek kwantowych QDs.
P r z y k ł a d 3
Cienkowarstwowy monolityczny konwerter promieniowania elektromagnetycznego z warstwą niskowymiarowych kropek kwantowych składa się z płyty szklanej 1 o grubości 0,5 mm hartowanej termicznie, z napyloną na jej wewnętrzną powierzchnie transparentną warstwą przewodzącą TCO 3 o grubości 400 nm, transparentności 80% dla zakresu 400-800 nm i o rezystancji 10 Ohm/sq, posiadającą na jednym, jej końcu kanałek prostokątny 5 wypełniony lakierem przewodzącym prąd elektryczny, stanowiącym elektrodę: dodatnią 7, a z ich obu powierzchniami połączona jest trwale nanocząsteczkowa - półprzewodnikowa warstwa 9 z dwutlenku tytanu TiO2 grubości 500 nm, na której umieszczona jest warstwa 10 o grubości 50 nm quasizerowymiarowych. kropek kwantowych QDs o średnicy 4-6 nm, składających się z selenku kadmu pokrytego warstwą siarczku cynku (CdSe/ZnS) o zakresie emisji 450-650 nm oraz z rozpuszczalnika typu toluen, a ponadto warstwa tych kropek kwantowych: osłonięta jest powłoką transportową 11 typu HTL o grubość i 200 nm, wykonaną; z trwałego polimeru przewodzącego prąd elektryczny typu „PEDOT”. Ponadto do górnej powierzchni warstwy transportowej 11 przylega transparentna warstwa przewodząca TCO 4 również o grubości 400 nm, transparentności 80% i o rezystancji 10 Ohm/sq napylona na kolejną płytę szklaną 2 o grubości 0,5 mm, hartowaną termicznie i wyposażoną w elektrodę 8 ujemnego bieguna elektrycznego, przy czym obie te płyty szklane 1 i 2 oraz ich warstwy przewodzące TCO 3 i 4 i warstwa przewodząca 9 na swych obwodach połączone są ze sobą trwale za pomocą folii laminacyjnej 12 typu EVA.
P r z y k ł a d 4
Cienkowarstwowy monolityczny konwerter promieniowania elektromagnetycznego z warstwą niskowymiarowych, kropek kwantowych składa się z płyty szklanej 1 o grubości 4,0 mm hartowanej termicznie, z napyloną na jej wewnętrzną powierzchnię transparentną warstwą przewodzącą TCO 3 o grubości 650 nm, transparentności 80% dla zakresu 400-00 nm i o rezystancji 8 Ohm/sq, posiadającą na jednym jej końcu kanałek prostokątny 5 wypełniony lakierem przewodzącym prąd elektryczny, stanowiącym elektrodę dodatnią 7, a z ich obu powierzchniami połączona jest trwale nanocząsteczkowa - półprzewodnikowa warstwa 9 z dwutlenku tytanu TiO2 o grubości 2000 nm, na której umieszczona jest warstwa 10 o grubości 100 nm quasizerowymiarowych kropek kwantowych QDs o średnicy 4-6 nm składających się z CdTe rozpuszczonego w wodzie o zakresie emisji 450-650 nm, a ponadto warstwa tych kropek kwantowych osłonięta' jest powłoką transportową 11 typu HTL o grubości 5000 nm , wykonaną z trwałej polimerowej mieszaniny dwóch jonów przewodzącej prąd elektryczny typu1 „PEDOT: PSS”. Ponadto do górnej powierzchni warstwy transportowej 11 przylega, transparentną warstwa przewodząca TCO 4 również o grubości 650 nm, transparentności 80% i o rezystancji 8 Ohm/sq napylona na kolejną płytę szklaną 2 o grubości 4,0 mm, hartowaną termicznie i wyposażoną w elektrodę 8 ujemnego bieguna elektrycznego, przy czym .obie te płyty szklane 1 i 2 oraz warstwy przewodzące TCO 3 i 4 i warstwa przewodząca 9 na swych obwodach połączone są ze sobą trwale za pomocą folii laminacyjnej 12 typu PVB.
P r z y k ł a d 5
Cienkowarstwowy monolityczny konwerter promieniowania elektromagnetycznego z warstwą niskowymiarowych kropek kwantowych składa się z płyty szklanej 1 o grubości 1 ,0 mm hartowanej chemicznie metodą, wymiany jonów, z napyloną na jej wewnętrzną; powierzchnię transparentną warstwą przewodzącą TCO 3 o grubości 500 nm, transparentności 75% dla. zakresu 800-1600 nm i o rezystancji 10 Ohm/sq, posiadającą, na jednym jej końcu, kanałek prostokątny 5 wypełniony lakierem przewodzącym .prąd elektryczny, stanowiącym .elektrodę dodatnią 7, a z ich obu powierzchniami połączona jest trwale nanocząsteczkowa - półprzewodnikowa warstwa 9 z dwutlenku tytanu. TiCL o grubości 1000 nm na której osadzona jest nierozłącznie warstwa 10: o: grubości 100 nm quasizerowymiarowych kropek kwantowych QDs o średnicy 4-6 nm składających-się CdS w toluenie o zakresie emisji 450-650 nm, z którą połączona jest trwale druga nanocząsteczkowa - półprzewodnikowa warstwa 9 z dwutlenku tytanu również o grubości 1000 nm na której osadzona jest nierozłącznie kolejna warstwa. 10 o grubości 1000 nm quasizerowymiarowych kropek kwantowych QDs o średnicy 4-6 nm składających się z CDS: w toluenie o: zakresie emisji 450-650 nm, z którą połączona jest nierozłącznie warstwa transportowa 11 typu HTL o grubości 2500 nm, a jej górna powierzchnia połączona jest z transparentną warstwą przewodzącą TCO 4: o grubości 500 nm, wyposażoną w osadzoną na jednym jej końcu elektrodę ujemną 8, przy czym ta warstwa TCO osadzona jest na wewnętrznej po
PL 231 379 B1 wierzchni płyty szklanej 2 o grubości 1,0 mm hartowanej chemicznie metodą wymiany jonów, zaś obie te płyty szklane 1 i 2 oraz ich warstwy przewodzące TCO 3 i 4, warstwy przewodzące 9 i 9 i warstwa transportowa 11 na swych obwodach połączone są ze sobą za pomocą folii laminacyjnej 12 typu EVA.
W dalszych przykładach wykonania cienkowarstwowego konwertera promieniowania elektromagnetycznego według wynalazku cynowe elektrody elektryczne 7 i 8 w kanałkach 5 i 6 warstw przewodzących TCO 3 i 4 nanoszono metodą napylania roztopionej cyny z zastosowaniem ultradźwięków, a warstwę półprzewodnikową TiO2 9 zastąpiono warstwą 9 wykonaną z ZnO: Al, lub. TiO2: Ta, a ponadto zastosowano hydrofitowe kropki kwantowe QDs 10 stanowiące zawiesinę w kwasie oleinowym lub w toluenie lub jako kropki kwantowe QDs 10 zastosowano ZnO, zaś jako ich rozpuszczalnik zastosowano obojętny rozpuszczalnik organiczny wybrany z grupy heksan lub pentan.

Claims (16)

  1. Zastrzeżenia patentowe
    1. Sposób wytwarzania cienkowarstwowego konwertera promieniowania elektromagnetycznego posiadającego strukturę warstwową, opartą na zerowymiarowych strukturach kropek kwantowych, znamienny tym, że realizowany jest w sześciu ściśle powiązanych ze sobą i następujących po sobie etapach technologicznych polegających na tym, że:
    - w etapie pierwszym na jedne powierzchnie uprzednio oczyszczonych dwóch płytek szklanych (1 i 2) o grubościach g = 0,5-4,0 mm, hartowanych termicznie tub wzmocnionych chemicznie metodą wymiany jonowej w kąpieli solankowej napyla się, metodą magnetronową transparentne warstwy przewodzące korzystnie TCO (3 i 4) o grubości 400-600 nm i transparentności powyżej 80% dla zakresu fali elektromagnetycznej widzialnej o długości 1 = 400-800 nm oraz 75% dla zakresu tej fali o długości λ = 800-1600 nm i o rezystancji do 10 Ohm/sq, przy czym w utworzonych w tych warstwach na przeciwległych sobie ich końcach kanałkach (5 i 6) osadza się elektrodę dodatnią (7) i elektrodę ujemną (8);
    - w etapie drugim na napyloną na płytkę szklaną (1) warstwę przewodzącą (3) i elektrodę dodatnią (7) metodą sitodruku nanosi się nanocząsteczkową - półprzewodnikową warstwę z dwutlenku tytanu TO2 (9), o grubości 400-650 nm;
    - w etapie trzecim niesioną na płytkę szklaną (1) w etapie drugim warstwę TiO2 (9) poddaje się suszeniu w zakresie temperatur 60°C-120°C w czasie 20-25 minut oraz w, zakresie, temperatur 120°C-70°C w czasie 20-25 minut, a następnie wypalaniu polegającemu na ogrzewaniu w czasie 1,5h-2h do temperatury około 480°C, wygrzewaniu w tej temperaturze w czasie 25-30 minut, a następnie studzeniu w czasie około 3h do temperatury otoczenia, uzyskując trwałe połączenie tej warstwy z warstwą przewodzącą TCO (3);
    - w etapie czwartym na wysuszoną i wypaloną warstwę z dwutlenku tytanu TiO2 (9) metodą sprayów (nFOG) nanosi się warstwę zerowymiarowych struktur kropek kwantowych QDs (10) o grubości 50-600 nm i o średnicy 2-12 nm z roztworem, których strukturę stanowi mieszanina tych kropek składająca się korzystnie z selenku kadmu pokrytego warstwą siarczku cynku (CdSe/ZnS) o zakresie emisji 450-650 nm oraz z toluenu spełniającego także funkcję nośnika drobnych struktur nanokrystalicznych QDs;
    - w etapie piątym na otrzymaną warstwę zerowymiarowych struktur kropek kwantowych (10) również metodą natryskową (sprayów) nanosi się wysoko wydajną powłokę transportową (11) typu HTL o grubości 200-5000 nm wykonaną z trwałego polimeru przewodzącego prąd elektryczny korzystnie typu „PEDOT”, po czym:
    - w etapie szóstym na otrzymanej powłoce transportowej (11) typu HTL umieszcza się warstwę przewodzącą TCO (4) z przylegającą do niej elektrodą ujemną (8) płytki szklanej (2), którą metodą laminacji za pomocą foli laminacyjnej (12) korzystnie typu „EVA” łączy się z płytką szklaną (1) poprzez powierzchnie czołowe warstwy przewodzącej TCO (3 i 4), warstwy transportowej (11), warstwy kropek kwantowych QDs (10) i warstwy półprzewodnikowej TiO2 (9), w wyniku czego uzyskuje się, monolityczny konwerter promieniowania elektromagnetycznego (13).
  2. 2. Sposób według zastrz. 1 , znamienny tym, że transparentne warstwy przewodzące (3 i 4) stanowi półprzewodnikowy tlenek indowo-cynowy (ITO).
  3. 3. Sposób według zastrz. 1 albo 2, znamienny tym, że transparentne warstwy przewodzące (3 i 4) stanowi grafen.
    PL 231 379 B1
  4. 4. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że stosuje się hydrofilowe kropki kwantowe QDs (10) stanowiące zawiesinę w kwasie oleinowym lub w toluenie.
  5. 5. Sposób według zastrz. 1 albo 4, znamienny tym, że jako kropki kwantowe QDs (10) stosuje się ZnO a jako ich rozpuszczalnik stosuje się obojętny rozpuszczalnik organiczny wybrany z grupy heksan lub pentan.
  6. 6. Sposób według zastrz. 1 albo 4, albo 5, znamienny tym, że stosuje się hydrofobowe kropki kwantowe (10) typu CdTe stanowiące zawiesinę w wodzie.
  7. 7. Sposób według zastrz. 1 albo 4-6, znamienny tym, że jako kropki kwantowe (1.0), stosuje się ZnCuLnS/ZnS w toluenie lub CdS w toluenie lub PbS/CdS.
  8. 8. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że nanocząsteczkową - półprzewodnikową warstwę (9) nanoszoną metodą sitodruku stanowi ZnOAl lub TiO2:Ta.
  9. 9. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że jako powłokę transportową (10) typu HTL stosuje się sulfonian polistyrenu stanowiący polimerową mieszaninę typu „PEDOT: PSS”.
  10. 10. Cienkowarstwowy konwerter promieniowania elektromagnetycznego oparty na strukturze quasizerowymiarowej kropek kwantowych, posiadający strukturę warstwową wyposażoną w elektrodę dodatnią i elektrodę ujemną, znamienny tym, że składa się z dwóch zewnętrznych płytek szklanych (1 i 2) o grubościach g = 0,5-4,0 mm, hartowanych termicznie lub wzmocnionych chemicznie metodą jonów w kąpieli solankowej, których powierzchnie wewnętrzne połączone są nierozłącznie z transparentnymi warstwami, przewodzącymi z tlenków metali korzystnie TCO; (3 i 4) o grubości 400-600 nm, wyposażonymi na swych przeciwległych końcach w elektrodę dodatnią (7) i elektrodę ujemną (8), przy czym z warstwą przewodzącą (3) wraz z jej elektrodą dodatnią (7) połączona jest nierozłącznie nanocząsteczkowa - półprzewodnikowa warstwa z dwutlenku tytanu TiO2 (9) o grubości 500-2000 nm, a z nią połączona jest trawie metodą sprayów warstwa zerowymiarowych struktur kropek kwantowych (10) o grubości 50-600 nm i o średnicy 2-12 nm typu QDs, na której osadzona jest również metodą, sprayów wysokowydajna powłoka transportowa; (II) typu HTL o grubości 200-5000 nm wykonana z trwałego polimeru przewodzącego prąd elektryczny, korzystnie typu „PEDOT”, na której umieszczona jest elektroda ujemna (8) wraz z warstwą przewodzącą (4), które połączone są z drugą płytką szklaną (2), której ścianki boczne są zlaminowane obwodowe za pomocą foli leminacyjnej (12) korzystnie typu; „EVA” ze ściankami bocznymi obu warstw przewodzących (3 i 4), warstwy transportowej HTL (11) warstwy kropek kwantowych QDs (10) i warstwy półprzewodnikowej TiO2 (9), oraz ze ściankami bocznymi pierwszej płytki (1) tworząc monolityczny cienkowarstwowy konwerter promieniowania elektromagnetycznego.
  11. 11. Cienkowarstwowy konwerter według zastrz. 10, znamienny tym, że jego transparentne warstwy przewodzące (3 i 4) stanowi półprzewodnikowy tlenek indowo-cynowy (ITO).
  12. 12. Cienkowarstwowy konwerter według zastrz. 10, znamienny tym, że jego transparentne warstwy przewodzące (3 i 4) stanowi grafen.
  13. 13. Cienkowarstwowy konwerter według zastrz. 10, znamienny tym, że strukturę kropek kwantowych (10) typu QDs stanowi mieszanina tych kropek składająca się. korzystnie z selenku kadmu w otoczce siarczku cynku (CdSe/ZnS) o zakresie emisji 450-650 nm oraz z rozpuszczalnika, który stanowi toulen.
  14. 14. Cienkowarstwowy konwerter według zastrz. 10 albo 13, znamienny tym, że strukturę kropek kwantowych (10) QDs stanowią hydrofilowe kropki kwantowe będące zawiesiną w kwasie oleinowym lub w toluenie.
  15. 15. Cienkowarstwowy konwerter według zastrz. 10, znamienny tym, że jako powłokę transportową (11) stosuje się sulfonian polistyrenu stanowiący polimerową mieszaninę typu „PEDOT: PSS”.
  16. 16. Cienkowarstwowy konwerter według zastrz. 10, znamienny tym, że posiada, co najmniej, jedną warstwę kropek kwantowych; QDs (10) o grubości 50-600 nm, połączoną nierozłącznie z półprzewodnikową warstwą TiO2 (9).
PL418407A 2016-08-20 2016-08-20 Sposób wytwarzania cienkowarstwowego konwertera promieniowania elektromagnetycznego opartego na strukturze quasizerowymiarowej oraz cienkowarstwowy konwerter promieniowania elektromagnetycznego oparty na strukturze quasizerowymiarowej wytworzony tym sposobem PL231379B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL418407A PL231379B1 (pl) 2016-08-20 2016-08-20 Sposób wytwarzania cienkowarstwowego konwertera promieniowania elektromagnetycznego opartego na strukturze quasizerowymiarowej oraz cienkowarstwowy konwerter promieniowania elektromagnetycznego oparty na strukturze quasizerowymiarowej wytworzony tym sposobem

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL418407A PL231379B1 (pl) 2016-08-20 2016-08-20 Sposób wytwarzania cienkowarstwowego konwertera promieniowania elektromagnetycznego opartego na strukturze quasizerowymiarowej oraz cienkowarstwowy konwerter promieniowania elektromagnetycznego oparty na strukturze quasizerowymiarowej wytworzony tym sposobem

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL418407A1 PL418407A1 (pl) 2018-02-26
PL231379B1 true PL231379B1 (pl) 2019-02-28

Family

ID=61227712

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL418407A PL231379B1 (pl) 2016-08-20 2016-08-20 Sposób wytwarzania cienkowarstwowego konwertera promieniowania elektromagnetycznego opartego na strukturze quasizerowymiarowej oraz cienkowarstwowy konwerter promieniowania elektromagnetycznego oparty na strukturze quasizerowymiarowej wytworzony tym sposobem

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL231379B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL418407A1 (pl) 2018-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7968792B2 (en) Quantum dot sensitized wide bandgap semiconductor photovoltaic devices & methods of fabricating same
US12183521B2 (en) Perovskite solar cell configurations
US20180309078A1 (en) Quantum dots light emitting diode and fabricating method thereof, display panel and display apparatus
JP7204890B2 (ja) 電極の製造方法および光電変換素子の製造方法
US10897022B2 (en) Organic solar module and/or fabrication method
KR20180033074A (ko) 유-무기 복합 태양전지 및 유-무기 복합 태양전지 제조방법
DE102008060179A1 (de) Solarzelle mit elektrostatischen Lokalfeldern im photoaktiven Bereich
JP2015076557A (ja) 有機薄膜太陽電池の製造方法
PL231379B1 (pl) Sposób wytwarzania cienkowarstwowego konwertera promieniowania elektromagnetycznego opartego na strukturze quasizerowymiarowej oraz cienkowarstwowy konwerter promieniowania elektromagnetycznego oparty na strukturze quasizerowymiarowej wytworzony tym sposobem
JP5031019B2 (ja) 太陽電池カバー、その製造方法及び融雪方法
JP2013197514A (ja) 太陽電池
Nguyen Organic Electronics 1: Materials and Physical Processes
US20150367616A1 (en) Pressure-transferred components
JP5621804B2 (ja) 太陽電池及びその製造方法
KR102588434B1 (ko) 창문에 적용될 수 있는 투명히터 및 이의 제조방법
Park et al. Enhancement of photo-current conversion efficiency in a CdS/CdSe quantum-dot-sensitized solar cell incorporated with single-walled carbon nanotubes
JP2014135445A (ja) 半導体デバイス、太陽電池、発光素子及び受光素子の製造方法
KR20180122268A (ko) 유기 태양 전지의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 유기 태양 전지
US11728455B2 (en) Method of manufacturing μ-tandem photovoltaic cells and μ-tandem photovoltaic cell produced by this method
CN111416058A (zh) 一种导电薄膜、显示装置和显示装置的制作方法
JP2009295448A (ja) 光電変換素子、光電変換素子の製造方法および電子機器
JP4922568B2 (ja) 色素増感型太陽電池用電極
JP2013201186A (ja) 太陽電池
Zawadzka et al. Electron Transport Layers for Perovskite Solar Cells
CN121646098A (zh) 太阳能电池组件及制备方法、发电装置和用电装置