PL243747B1 - A method of producing an organic resistor with the required resistance by inkjet printing - Google Patents
A method of producing an organic resistor with the required resistance by inkjet printing Download PDFInfo
- Publication number
- PL243747B1 PL243747B1 PL438210A PL43821021A PL243747B1 PL 243747 B1 PL243747 B1 PL 243747B1 PL 438210 A PL438210 A PL 438210A PL 43821021 A PL43821021 A PL 43821021A PL 243747 B1 PL243747 B1 PL 243747B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- resistor
- layer
- electrodes
- resistance
- required resistance
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 title claims abstract description 13
- -1 poly(3-hexyl thiophene) Polymers 0.000 claims abstract description 32
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 29
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 claims abstract description 28
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000007539 photo-oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 4
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 18
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000003623 enhancer Substances 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 229920001490 poly(butyl methacrylate) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
Sposób wytwarzania organicznego rezystora o wymaganej rezystancji metodą druku atramentowego, polegający na nadrukowywaniu na elastycznym podłożu z folii poliestrowej przystosowanej do druku atramentowego najpierw elektrod rezystora z atramentu nanosrebrowego, poddaniu elektrod z atramentu nanosrebrowego spiekaniu w temperaturze 150°C, a następnie na wytworzeniu na elektrodach warstwy przewodzącej prąd elektryczny nadającej wytwarzanemu rezystorowi wymaganą rezystancję, charakteryzuje się tym, że z atramentu nanosrebrowego nadrukowuje się elektrody grzebieniowe rezystora, w odległości jedna od drugiej 100 µm, zaś warstwę przewodzącą prąd elektryczny nadającą wytwarzanemu rezystorowi wymaganą rezystancję, korzystnie także o kształcie grzebieniowym, nadrukowuje się na elektrodach grzebieniowych z poli(3-heksylo tiofenu) i poddaje tę warstwę fotoutlenieniu na powietrzu. Pole powierzchni warstwy z poli(3-heksylo tiofenu) o określonym ciężarze cząsteczkowym, zapewniające uzyskanie wymaganej rezystancji rezystora lub ciężar cząsteczkowy poli(3-heksylo tiofenu) dla określonego pola powierzchni warstwy z tego polimeru, zapewniający uzyskanie wymaganej rezystancji rezystora, dobiera się eksperymentalnie.A method of producing an organic resistor with the required resistance using the inkjet printing method, consisting in first printing resistor electrodes made of nanosilver ink on a flexible substrate made of polyester foil adapted for inkjet printing, subjecting the electrodes made of nanosilver ink to sintering at a temperature of 150°C, and then forming a layer on the electrodes electrically conductive layer giving the required resistance to the produced resistor, characterized by the fact that nanosilver ink is used to print the resistor's comb electrodes at a distance of 100 µm from each other, and the electrically conductive layer giving the produced resistor the required resistance, preferably also in a comb shape, is printed on poly(3-hexyl thiophene) comb electrodes and subject this layer to photo-oxidation in air. The surface area of the poly(3-hexyl thiophene) layer with a specific molecular weight, ensuring obtaining the required resistor resistance, or the molecular weight of poly(3-hexyl thiophene) for a specific surface area of the layer made of this polymer, ensuring obtaining the required resistor resistance, is selected experimentally.
Description
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania organicznego rezystora o wymaganej rezystancji metodą druku atramentowego, charakteryzującego się elastycznością oraz stabilnością w powietrzu.The subject of the invention is a method for producing an organic resistor with the required resistance by inkjet printing, characterized by flexibility and stability in air.
Rezystory są niezbędnym elementem większości urządzeń elektroniczn ych. Obecnie coraz szerzej rozwijającą się dziedziną staje się elektronika drukowana, w której dąży się do tego, aby wszystkie elementy elektroniczne uzyskiwać w całości metodami drukarskimi. Rezystory wytwarzane metodami drukarskimi muszą charakteryzować się wysoką stabilnością parametrów elektrycznych w czasie oraz prostotą konstrukcji i wytwarzania. Atramenty stosowane do wydruku rezystorów muszą umożliwiać wytwarzanie rezystorów o znanym oporze przy konkretnej konfiguracji urządzenia.Resistors are an essential element of most electronic devices. Currently, printed electronics is becoming an increasingly developing field, in which the goal is to obtain all electronic components using printing methods. Resistors manufactured using printing methods must be characterized by high stability of electrical parameters over time and simplicity of construction and manufacturing. The inks used to print resistors must be able to produce resistors with known resistance for a specific device configuration.
W czasopiśmie Organie Electronics 14, 3, 699-702, 2013 ujawniono sposób wytwarzania organicznych rezystorów metodą druku atramentowego, w którym na elastycznym podłożu z naftalenu polietylenu najpierw nadrukowywano srebrne liniowe elektrody rezystorów z atramentu nanosrebro wego i po poddaniu tego atramentu spiekaniu w temperaturze 150°C, wytwarzano na elektrodach warstwę przewodzącą prąd elektryczny przez nadrukowanie warstwy z atramentu w postaci poli(3,4-etylenodioksytiofenu) domieszkowanego poli(styrenosulfonianem) (PEDOT:PSS), zawierającego dimetylosulfotlenek (DMSO) jako wzmacniacz przewodnictwa i poddaniu tej warstwy utlenieniu. Sposób ten wymaga wydruku w bardzo wysokiej rozdzielczości i z wysoką precyzją, gdyż już niewielka zmiana geometrii warstwy ma znaczny wpływ na wartość rezystancji.The journal Organie Electronics 14, 3, 699-702, 2013 discloses a method for producing organic resistors by inkjet printing, in which silver linear resistor electrodes were first printed with nanosilver ink on a flexible polyethylene naphthalene substrate and after subjecting this ink to sintering at a temperature of 150° C, an electrically conductive layer was produced on the electrodes by printing a layer of ink in the form of poly(3,4-ethylenedioxythiophene) doped with poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS), containing dimethyl sulfoxide (DMSO) as a conductivity enhancer, and subjecting this layer to oxidation. This method requires printing in a very high resolution and with high precision, because even a small change in the layer geometry has a significant impact on the resistance value.
Z czasopisma Journal of Materials Science: Materials in Electronics 22, 1321-1329, 2011 znany jest sposób wytwarzania rezystorów organicznych, polegający na nadrukowaniu na podłożu z folii poliestrowej, metodą sitodruku, elektrod srebrnych z atramentu nanosrebrowego, spiekaniu atramentu nanosrebrowego w temperaturze 150°C, a następnie nadrukowaniu metodą sitodruku warstwy przewodzącej z atramentu w postaci nanorurek węglowych zawieszonych w nośniku polimerowym stanowiącym roztwór kopolimeru poli(metyloakrylanu metylu-ko-metakrylanu butylu) (PMMA-PBMA) w octanie butylu i poddaniu tej warstwy utlenieniu. W rezystorach wytworzonych tym sposobem oporność warstwy przewodzącej zmienia się poprzez zmianę zawartości nanorurek węglowych w kompozycie stanowiącym atrament. Atramenty wytwarzane z tego kompozytu wykazują niewielką trwałość termodynamiczną ze względu na niestabilność nanodyspersji i możliwość wytrącania się nanorurek.From the journal Journal of Materials Science: Materials in Electronics 22, 1321-1329, 2011, a method for producing organic resistors is known, which involves printing silver electrodes with nanosilver ink on a polyester foil substrate using screen printing, and sintering the nanosilver ink at a temperature of 150°C and then screen-printing a conductive layer of ink in the form of carbon nanotubes suspended in a polymer carrier consisting of a solution of poly(methylmethylacrylate-co-butyl methacrylate) (PMMA-PBMA) copolymer in butyl acetate and subjecting this layer to oxidation. In resistors produced in this way, the resistance of the conductive layer changes by changing the content of carbon nanotubes in the ink composite. Inks made from this composite have low thermodynamic stability due to the instability of the nanodispersion and the possibility of precipitation of nanotubes.
Znane są także rezystory organiczne, których warstwy przewodzące wytwarza się metodą druku atramentowego z atramentu nanosrebrowego. Warstwy wydrukowane z tego atramentu zyskują wysoką wartość przewodnictwa elektrycznego dopiero po przeprowadzeniu procesu spiekania zawartych w nim nanocząstek. Wykonując proces spiekania w temperaturze poniżej zalecanej przez producenta atramentu, można osiągać warstwy o znacznej rezystancji. Niedogodnością tego rozwiązania jest wysoka czułość rezystancji na temperaturę procesu. Niewielkie przegrzanie wydrukowanych warstw prowadzi do znacznego spadku rezystancji.Organic resistors are also known, the conductive layers of which are produced by inkjet printing using nanosilver ink. Layers printed with this ink gain high electrical conductivity only after the sintering process of the nanoparticles contained in it. By performing the sintering process at a temperature below that recommended by the ink manufacturer, layers with significant resistance can be achieved. The disadvantage of this solution is the high sensitivity of the resistance to the process temperature. A slight overheating of the printed layers leads to a significant drop in resistance.
Omówione powyżej sposoby wytwarzania drukowanych rezystorów organicznych wymagają prowadzenia procesu w sposób ściśle kontrolowany, z zachowaniem bardzo wysokiej precyzji druku.The methods of producing printed organic resistors discussed above require the process to be carried out in a strictly controlled manner, while maintaining very high printing precision.
Celem wynalazku jest uproszczenie procesu wytwarzania rezystorów organicznych metodą druku atramentowego, z możliwością zachowania wymaganych parametrów elektrycznych wytwarzanych rezystorów, umożliwiającego drukowanie rezystorów o z góry zaplanowanej rezystancji z wysoką powtarzalnością.The purpose of the invention is to simplify the process of producing organic resistors using inkjet printing, with the possibility of maintaining the required electrical parameters of the produced resistors, enabling printing resistors with a pre-planned resistance with high repeatability.
Sposób wytwarzania organicznego rezystora o wymaganej rezystancji metodą druku atramentowego, polegający na nadrukowywaniu na elastycznym podłożu z folii poliestrowej przystosowanej do druku atramentowego najpierw elektrod rezystora z atramentu nanosrebrowego, poddaniu elektrod z atramentu nanosrebrowego spiekaniu w temperaturze 150°C, a następnie na wytworzeniu na elektrodach warstwy przewodzącej prąd elektryczny nadającej wytwarzanemu rezystorowi wymaganą rezystancję, przez nadrukowanie warstwy atramentu zawierającego polimer pochodnej tiofenu i poddaniu tej warstwy utlenieniu, według wynalazku charakteryzuje się tym, że z atramentu nanosrebrowego nadrukowuje się elektrody grzebieniowe rezystora, w odległości jedna od drugiej 100 μm, zaś warstwę przewodzącą prąd elektryczny, korzystnie także o kształcie grzebieniowym, nadrukowuje się na elektrodach grzebieniowych z poli(3-heksylo tiofenu) (P3HT) i poddaje tę warstwę fotoutlenieniu na powietrzu w czasie do 1 tygodnia, przy czym wymaganą rezystancję wytwarzanego rezystora, która jest odwrotnie proporcjonalna do pola powierzchni warstwy z polimeru P3HT i ciężaru cząsteczkowego polimeru P3HT, uzyskuje się w wyniku eksperymentalnego dobom pola powierzchni warstwy z polimeruA method of producing an organic resistor with the required resistance using the inkjet printing method, consisting in first printing resistor electrodes made of nanosilver ink on a flexible substrate made of polyester foil adapted for inkjet printing, subjecting the electrodes made of nanosilver ink to sintering at a temperature of 150°C, and then forming a layer on the electrodes electrically conductive, giving the produced resistor the required resistance, by printing a layer of ink containing a thiophene derivative polymer and subjecting this layer to oxidation, according to the invention, characterized by the fact that the resistor comb electrodes are printed from the nanosilver ink, at a distance of 100 μm from each other, and the conductive layer electric current, preferably also in a comb shape, is printed on comb electrodes made of poly(3-hexyl thiophene) (P3HT) and this layer is photo-oxidized in air for up to 1 week, with the required resistance of the produced resistor, which is inversely proportional to the surface area of the P3HT polymer layer and the molecular weight of the P3HT polymer are obtained as a result of experimental selection of the surface area of the polymer layer
PL 243747 BIPL 243747 BI
P3HT dla tego polimeru o określonym ciężarze cząsteczkowym lub w wyniku eksperymentalnego doboru ciężaru cząsteczkowego polimeru P3HT dla określonego pola powierzchni warstwy z tego polimeru.P3HT for this polymer with a specific molecular weight or as a result of experimental selection of the molecular weight of the P3HT polymer for a specific surface area of the layer made of this polymer.
Rezystancja rezystora wytworzonego sposobem według wynalazku jest uzależniona od wymiarów geometrycznych przewodzącej prąd warstwy rezystora oraz od średniego ciężaru cząsteczkowego polimeru P3HT, co umożliwia wytwarzanie rezystorów o z góry zaplanowanej rezystancji, z wysoką powtarzalnością. Rezystory wytworzone sposobem według wynalazku są elastyczne i stabilne w powietrzu. Wytwarzanie rezystorów sposobem według wynalazku nie wymaga stosowania atmosfery ochronnej ani zachowania żadnych specyficznych warunków procesu. Polimer P3HT jest półprzewodnikiem organicznym o niestabilności parametrów elektrycznych w powietrzu. Polimer ten w powietrzu ulega reakcji fotoutlenienia, w wyniku której jego cząsteczki ulegają trwałym zmianom chemicznym. Już po 70 godzinach naświetlania polimer P3HT traci swoje właściwości półprzewodnikowe i przewodzi prąd elektryczny zgodnie z prawem Ohma.The resistance of the resistor manufactured using the method according to the invention depends on the geometric dimensions of the current-conducting resistor layer and the average molecular weight of the P3HT polymer, which enables the production of resistors with a pre-planned resistance with high repeatability. Resistors manufactured using the method according to the invention are flexible and stable in air. The production of resistors using the method according to the invention does not require the use of a protective atmosphere or any specific process conditions. P3HT polymer is an organic semiconductor with instability of electrical parameters in air. This polymer undergoes a photooxidation reaction in air, as a result of which its molecules undergo permanent chemical changes. After just 70 hours of exposure, the P3HT polymer loses its semiconductor properties and conducts electricity according to Ohm's law.
Sposób według wynalazku ilustruje poniższy przykład z powołaniem się na rysunek, na którym fig. 1 przedstawia struktury rezystorów wytworzonych w przykładzie, z warstwami przewodzącymi o wymiarach 2x4 mm i 5 x 5 mm wykonanymi z polimeru P3HT o masach cząsteczkowych 100 i 30 kDa, fig. 2 wykres zmian właściwości półprzewodnikowych warstwy z polimeru P3HT o masie cząsteczkowej 30 kDa rezystora w funkcji czasu fotoutlenienia na powietrzu, zaś fig. 3 przedstawia charakterystyki prądowo-napięciowe rezystorów wytworzonych w przykładzie, w zależności od wymiarów warstwy wytworzonej z polimeru P3HT i ciężaru cząsteczkowego polimeru P3HT, z którego jest wytworzona ta warstwa.The method according to the invention is illustrated by the following example with reference to the drawing, in which Fig. 1 shows the structures of resistors produced in the example, with conductive layers of dimensions 2x4 mm and 5x5 mm made of P3HT polymer with molecular masses of 100 and 30 kDa, Fig. 2 is a graph of changes in the semiconductor properties of the P3HT polymer layer with a molecular weight of 30 kDa of the resistor as a function of the photooxidation time in air, and Fig. 3 shows the current-voltage characteristics of the resistors produced in the example, depending on the dimensions of the layer made of the P3HT polymer and the molecular weight of the P3HT polymer. , from which this layer is made.
Przygotowano 4 próbki folii poliestrowej przystosowanej do druku atramentowego. Na każdą z próbek folii naniesiono się metodą druku atramentowego elektrody grzebieniowe z atramentu zawierającego nanocząstki srebra, zachowując stałą odległość pomiędzy sąsiednimi elektrodami równą 100 μηι. Elektrody wytworzone na wszystkich próbkach folii charakteryzowały się takim samym rozmiarem i kształtem. Następnie wykonano proces spiekania atramentu elektrod w temperaturze 150°C. Po ochłodzeniu próbek folii z naniesionymi elektrodami, na powierzchnię 2-óch próbek nadrukowano warstwy z polimeru P3HT o wymiarach 2x4 mm, przy czym na jednej z tych próbek nadrukowano warstwę z polimeru P3HT o średnim ciężarze cząsteczkowym 30 kDa, zaś na drugiej próbce warstwę z polimeru P3HT o średnim ciężarze cząsteczkowym 100 kDa. Na powierzchnię pozostałych 2-óch próbek folii z nadrukowanymi elektrodami nadrukowano warstwy z polimeru P3HT o wymiarach 5x5 mm, przy czym na jednej z tych próbek nadrukowano warstwę z polimeru P3HT o średnim ciężarze cząsteczkowym 30 kDa, zaś na drugiej próbce warstwę z polimeru P3HT o średnim ciężarze cząsteczkowym 100 kDa. Naniesione warstwy polimeru P3HT miały także kształt grzebieniowy. Następnie wydrukowane warstwy polimeru próbek wystawiono na działanie światła i powietrza na czas 1 tygodnia. Po tym czasie polimer na próbkach uległ całkowitemu, nieodwracalnemu procesowi fotoutleniania, które nie postępowało wraz z upływem czasu. Wytworzono w ten sposób 4 rezystory różniące się rezystancją.Four samples of polyester foil adapted for inkjet printing were prepared. Comb electrodes made of ink containing silver nanoparticles were applied to each foil sample using inkjet printing, maintaining a constant distance between adjacent electrodes of 100 μηι. The electrodes produced on all foil samples were of the same size and shape. Then, the electrode ink was sintered at a temperature of 150°C. After cooling the foil samples with electrodes applied, layers of P3HT polymer with dimensions of 2x4 mm were printed on the surface of two samples, with a layer of P3HT polymer with an average molecular weight of 30 kDa on one of these samples, and a layer of polymer on the other sample. P3HT with an average molecular weight of 100 kDa. Layers of P3HT polymer with dimensions of 5x5 mm were printed on the surface of the remaining two foil samples with printed electrodes. On one of these samples, a layer of P3HT polymer with an average molecular weight of 30 kDa was printed, and on the other sample, a layer of P3HT polymer with an average molecular weight of 30 kDa was printed. molecular weight 100 kDa. The deposited P3HT polymer layers also had a comb shape. The printed polymer layers of the samples were then exposed to light and air for 1 week. After this time, the polymer on the samples underwent a complete, irreversible photo-oxidation process, which did not progress over time. In this way, 4 resistors with different resistances were produced.
Wartości rezystancji wytworzonych rezystorów podano w poniższej tablicy.The resistance values of the manufactured resistors are given in the table below.
TablicaBoard
Rezystancja wytworzonych rezystorów była zależna odwrotnie proporcjonalnie od średniego ciężaru cząsteczkowego P3HT oraz odwrotnie proporcjonalnie od wymiarów wydrukowanej zeń warstwy.The resistance of the produced resistors depended inversely on the average molecular weight of P3HT and inversely on the dimensions of the layer printed from it.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL438210A PL243747B1 (en) | 2021-06-21 | 2021-06-21 | A method of producing an organic resistor with the required resistance by inkjet printing |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL438210A PL243747B1 (en) | 2021-06-21 | 2021-06-21 | A method of producing an organic resistor with the required resistance by inkjet printing |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL438210A1 PL438210A1 (en) | 2022-12-27 |
| PL243747B1 true PL243747B1 (en) | 2023-10-09 |
Family
ID=84603227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL438210A PL243747B1 (en) | 2021-06-21 | 2021-06-21 | A method of producing an organic resistor with the required resistance by inkjet printing |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL243747B1 (en) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1355519A2 (en) * | 2002-02-15 | 2003-10-22 | E.I. Dupont De Nemours And Company | An improved method to embed thick film components |
| US20040217844A1 (en) * | 2003-04-25 | 2004-11-04 | Robert Podoloff | Thick film thermistor and method of manufacture |
| EP1544869A1 (en) * | 2002-06-19 | 2005-06-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Flexible ptc heating element and method of manufacturing the heating element |
| DE102017101262A1 (en) * | 2017-01-24 | 2018-07-26 | Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V. | Ultrathin foil thermistors |
-
2021
- 2021-06-21 PL PL438210A patent/PL243747B1/en unknown
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1355519A2 (en) * | 2002-02-15 | 2003-10-22 | E.I. Dupont De Nemours And Company | An improved method to embed thick film components |
| EP1544869A1 (en) * | 2002-06-19 | 2005-06-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Flexible ptc heating element and method of manufacturing the heating element |
| US20040217844A1 (en) * | 2003-04-25 | 2004-11-04 | Robert Podoloff | Thick film thermistor and method of manufacture |
| DE102017101262A1 (en) * | 2017-01-24 | 2018-07-26 | Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V. | Ultrathin foil thermistors |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL438210A1 (en) | 2022-12-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Bali et al. | Fully inkjet-printed flexible temperature sensors based on carbon and PEDOT: PSS | |
| JP7132234B2 (en) | print temperature sensor | |
| Ghosale et al. | Direct-writing of paper based conductive track using silver nano-ink for electroanalytical application | |
| Brooke et al. | Inkjet printing and vapor phase polymerization: patterned conductive PEDOT for electronic applications | |
| Kroutil et al. | Performance evaluation of low-cost flexible gas sensor array with nanocomposite polyaniline films | |
| JP2014526117A (en) | Transparent conductive laminated electrode and method for producing the same | |
| KR101802361B1 (en) | Thermoelectric material and preparation method thereof | |
| Tachibana et al. | Flexible printed temperature sensor with high humidity stability using bilayer passivation | |
| Bruschi et al. | Gas and vapour effects on the resistance fluctuation spectra of conducting polymer thin-film resistors | |
| Buga et al. | A design of experiments study on inkjet-printed PEDOT: PSS temperature sensors | |
| Li et al. | Printing green nanomaterials for organic electronics | |
| Scandurra et al. | Low‐temperature sintered conductive silver patterns obtained by inkjet printing for plastic electronics | |
| KR102605046B1 (en) | Molecular ink with improved thermal stability | |
| PL243747B1 (en) | A method of producing an organic resistor with the required resistance by inkjet printing | |
| KR20200032881A (en) | Flexible cable type thermoelectric device comprising thermoelectric printing layer and method for manufacturring the same | |
| Zhu et al. | Electrical conductivity manipulation and switching phenomena of poly (p-phenylenebenzobisthiazole) thin film by doping process | |
| US11333560B2 (en) | Temperature sensor with heat-sensitive paste | |
| Ionescu et al. | Investigations on organic printed resistors based on PEDOT: PSS | |
| Borghetti et al. | Preliminary study of resistive sensors in inkjet technology for force measurements in biomedical applications | |
| Sun et al. | Optimizing the electrical conductivity of screen printed silver conductive tracks by post treatment | |
| Wiranto et al. | The Effect of SnO2 Mixture on a PVA-Based Thick Film Relative Humidity Sensor | |
| Gheorghe et al. | Organic Electrical Passive Components Based on Polyaniline | |
| Li et al. | Improved Sensitivity of Inkjet-Printed PEDOT: PSS Ammonia Sensor With “Nonideal” Morphology | |
| Nikolova et al. | Sintering temperature impact on sheet resistance of inkjet printed layers | |
| JP4139126B2 (en) | Resistor manufacturing method |