PL359946A1 - Podłoże do epitaksjalnego osadzania struktur półprzewodnikowych zbudowanych z azotków pierwiastków Grupy XIII oraz sposób wytwarzania podłoża do epitaksjalnego osadzania struktur półprzewodnikowych zbudowanych z azotków pierwiastków Grupy XIII - Google Patents
Podłoże do epitaksjalnego osadzania struktur półprzewodnikowych zbudowanych z azotków pierwiastków Grupy XIII oraz sposób wytwarzania podłoża do epitaksjalnego osadzania struktur półprzewodnikowych zbudowanych z azotków pierwiastków Grupy XIIIInfo
- Publication number
- PL359946A1 PL359946A1 PL03359946A PL35994603A PL359946A1 PL 359946 A1 PL359946 A1 PL 359946A1 PL 03359946 A PL03359946 A PL 03359946A PL 35994603 A PL35994603 A PL 35994603A PL 359946 A1 PL359946 A1 PL 359946A1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- sup
- substrate
- semiconductor structures
- group xiii
- nitrides
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title abstract 9
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title abstract 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title abstract 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract 3
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 title 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 abstract 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 abstract 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 abstract 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 abstract 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 abstract 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
Abstract
Przedmiotem wynalazku jest podłoże do epitaksjalnego osadzania struktur półprzewodnikowych zbudowanych z azotków pierwiastków grupy XIII, zbudowane z podłoża pierwotnego z monokrystalicznego azotku zawierającego pierwiastki grupy XIII, w formie płytki zorientowanej prostopadle do osi <I>c<D>, o wysokiej powierzchniowej gęstości dyslokacji ľ rzędu 10<sup>6</sup> do 10<sup>9</sup>/cm<sup>2</sup>, pokrytego przynajmniej od strony pierwiastka grupy XIII warstwą monokrystalicznego azotku zawierającego gal o powierzchniowej gęstości dyslokacji poniżej 10<sup>6</sup>/cm<sup>2</sup>, a najkorzystniej poniżej 10<sup>5</sup>/cm<sup>2</sup>, a najkorzystniej poniżej 10<sup>4</sup>/cm<sup>2</sup>, naniesioną metodą krystalizacji z nadkrytycznego roztworu amoniakalnego. Wynalazek obejmuje także sposób wytwarzania powyższego podłoża do epitaksjalnego osadzania struktur półprzewodnikowych zbudowanych z azotków pierwiastków grupy XIII, w którym w autoklawie, używając amoniaku oraz mineralizatora, wytwarza się nadkrytyczny roztwór amoniakalny, w którym dokonuje się rozpuszczania materiału źródłowego zawierającego gal w temperaturze i przy ciśnieniu rozpuszczania oraz dokonuje się krystalizacji żądanego azotku zawierającego gal z nadkrytycznego roztworu na powierzchni zarodka, którym jest podłoże pierwotne w temperaturze krystalizacji wyższej i/lub przy ciśnieniu krystalizacji niższym niż temperatura i ciśnienie rozpuszczania. Ponadto wynalazek obejmuje zastosowanie opisanego podłoża w produkcji struktur półprzewodnikowych wymagających podłoża azotkowego o odpowiednio niskiej powierzchniowej gęstości dyslokacji, jak również struktury półprzewodnikowe osadzone na opisanym podłożu.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL359946A PL205721B1 (pl) | 2003-04-30 | 2003-04-30 | Podłoże do epitaksjalnego osadzania struktur półprzewodnikowych zbudowanych (54) z azotków pierwiastków Grupy XIII oraz sposób wytwarzania podłoża do epitaksjalnego osadzania struktur półprzewodnikowych zbudowanych z azotków pierwiastków Grupy XIII |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL359946A PL205721B1 (pl) | 2003-04-30 | 2003-04-30 | Podłoże do epitaksjalnego osadzania struktur półprzewodnikowych zbudowanych (54) z azotków pierwiastków Grupy XIII oraz sposób wytwarzania podłoża do epitaksjalnego osadzania struktur półprzewodnikowych zbudowanych z azotków pierwiastków Grupy XIII |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL359946A1 true PL359946A1 (pl) | 2004-11-02 |
| PL205721B1 PL205721B1 (pl) | 2010-05-31 |
Family
ID=34271094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL359946A PL205721B1 (pl) | 2003-04-30 | 2003-04-30 | Podłoże do epitaksjalnego osadzania struktur półprzewodnikowych zbudowanych (54) z azotków pierwiastków Grupy XIII oraz sposób wytwarzania podłoża do epitaksjalnego osadzania struktur półprzewodnikowych zbudowanych z azotków pierwiastków Grupy XIII |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL205721B1 (pl) |
-
2003
- 2003-04-30 PL PL359946A patent/PL205721B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL205721B1 (pl) | 2010-05-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3864870B2 (ja) | 単結晶窒化ガリウム基板およびその成長方法並びにその製造方法 | |
| KR100789889B1 (ko) | 에피택시용 기판 및 그 제조방법 | |
| KR100865348B1 (ko) | 갈륨함유 질화물 단결정의 이종기판상의 형성법 | |
| KR101088991B1 (ko) | 벌크 단결정 갈륨-함유 질화물의 제조공정 | |
| TWI427199B (zh) | 製造低缺陷密度獨立式氮化鎵基材及其製造設備 | |
| EP1160361B1 (en) | Method of manufacturing silicon carbide, silicon carbide, composite material, and semiconductor element | |
| DE19725900C2 (de) | Verfahren zur Abscheidung von Galliumnitrid auf Silizium-Substraten | |
| JP5141985B2 (ja) | 発光デバイスの製造方法、発光デバイス、ＧａＮ基板の製造方法およびＧａＮ基板 | |
| TWI362365B (en) | Semiconductor layer | |
| TW393786B (en) | Method for manufacturing an epitaxial chip | |
| JP3826825B2 (ja) | 窒化ガリウム結晶への酸素ドーピング方法と酸素ドープされたｎ型窒化ガリウム単結晶基板 | |
| EP2031103A1 (en) | Method for manufacturing gallium nitride crystal and gallium nitride wafer | |
| CN101090096A (zh) | 氮化物半导体自支撑衬底和氮化物半导体发光元件 | |
| WO2004080889A3 (en) | Crystalline membranes | |
| EP1538241A3 (en) | Group III nitride crystal, method of its manufacturing, and equipment for manufacturing group III nitride crystal | |
| TW201115630A (en) | A method of forming a group III-nitride crystalline film on a patterned substrate by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) | |
| EP1682701A4 (en) | GAN SUBSTRATE OF LARGE SURFACE WITH SIMILARLY LIGHTING DENSITY AND MANUFACTURING PROCESS THEREFOR | |
| US8795431B2 (en) | Method for producing gallium nitride layer and seed crystal substrate used in same | |
| JP2003292400A5 (pl) | ||
| Boćkowski et al. | Recent progress in crystal growth of bulk GaN | |
| KR101204029B1 (ko) | 질화갈륨 단결정 후막의 제조방법 | |
| PL359946A1 (pl) | Podłoże do epitaksjalnego osadzania struktur półprzewodnikowych zbudowanych z azotków pierwiastków Grupy XIII oraz sposób wytwarzania podłoża do epitaksjalnego osadzania struktur półprzewodnikowych zbudowanych z azotków pierwiastków Grupy XIII | |
| EP1498518A4 (en) | SILICON CARBIDE CRYSTAL AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR | |
| Bessolov et al. | THE MECHANISM OF FORMATION OF STRUCTURAL V-DEFECTS IN POLAR AND SEMIPOLAR EPITAXIAL GaN FILMS SYNTHESIZED ON SiC/Si (111) AND SiC/Si (100) HETEROSTRUCTURES. | |
| PL232212B1 (pl) | Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal w środowisku nadkrytycznego rozpuszczalnika amoniakalnego |