PL383030A1 - Nowa pochodna bis(tiofeno)difenyloaminy, sposób jej wytwarzania i materiał półprzewodnikowy uzyskany z nowej pochodnej bis(tiofeno)difenyloaminy
- Google Patents
Nowa pochodna bis(tiofeno)difenyloaminy, sposób jej wytwarzania i materiał półprzewodnikowy uzyskany z nowej pochodnej bis(tiofeno)difenyloaminy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Politechnika WrocławskafiledCriticalPolitechnika Wrocławska
Priority to PL383030ApriorityCriticalpatent/PL216747B1/pl
Publication of PL383030A1publicationCriticalpatent/PL383030A1/pl
Publication of PL216747B1publicationCriticalpatent/PL216747B1/pl
PL383030A2007-07-302007-07-30Pochodna bis(tiofeno)difenyloaminy, sposób jej wytwarzania oraz zastosowanie pochodnej bis(tiofeno)difenyloaminy do wytwarzania materiału półprzewodnikowego
PL216747B1
(pl)
Pochodna bis(tiofeno)difenyloaminy, sposób jej wytwarzania oraz zastosowanie pochodnej bis(tiofeno)difenyloaminy do wytwarzania materiału półprzewodnikowego
Pochodna bis(tiofeno)difenyloaminy, sposób jej wytwarzania oraz zastosowanie pochodnej bis(tiofeno)difenyloaminy do wytwarzania materiału półprzewodnikowego
Pochodna bis(tiofeno)difenyloaminy, sposób jej wytwarzania oraz zastosowanie pochodnej bis(tiofeno)difenyloaminy do wytwarzania materiału półprzewodnikowego
Sposób otrzymywania 4-N-furfurylocytozyny, kompozycja antystarzeniowa oraz zastosowanie 4-N-furfurylocytozyny do wytwarzania kompozycji antystarzeniowej