PL385068A1 - Sposób kształtowania pola temperatury w procesie wytwarzania monokryształów i urządzenie do wytwarzania monokryształów, zwłaszcza węglika krzemu - Google Patents

Sposób kształtowania pola temperatury w procesie wytwarzania monokryształów i urządzenie do wytwarzania monokryształów, zwłaszcza węglika krzemu

Info

Publication number
PL385068A1
PL385068A1 PL385068A PL38506808A PL385068A1 PL 385068 A1 PL385068 A1 PL 385068A1 PL 385068 A PL385068 A PL 385068A PL 38506808 A PL38506808 A PL 38506808A PL 385068 A1 PL385068 A1 PL 385068A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
monocrystals
formation
production
silicon carbide
temperature field
Prior art date
Application number
PL385068A
Other languages
English (en)
Inventor
Wojciech Łobodziński
Krzysztof Grasza
Emil Tymicki
Marek Orzyłowski
Original Assignee
Instytut Tele-I Radiotechniczny
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Instytut Tele-I Radiotechniczny, Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych filed Critical Instytut Tele-I Radiotechniczny
Priority to PL385068A priority Critical patent/PL385068A1/pl
Publication of PL385068A1 publication Critical patent/PL385068A1/pl

Links

PL385068A 2008-04-29 2008-04-29 Sposób kształtowania pola temperatury w procesie wytwarzania monokryształów i urządzenie do wytwarzania monokryształów, zwłaszcza węglika krzemu PL385068A1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL385068A PL385068A1 (pl) 2008-04-29 2008-04-29 Sposób kształtowania pola temperatury w procesie wytwarzania monokryształów i urządzenie do wytwarzania monokryształów, zwłaszcza węglika krzemu

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL385068A PL385068A1 (pl) 2008-04-29 2008-04-29 Sposób kształtowania pola temperatury w procesie wytwarzania monokryształów i urządzenie do wytwarzania monokryształów, zwłaszcza węglika krzemu

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL385068A1 true PL385068A1 (pl) 2009-11-09

Family

ID=42987185

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL385068A PL385068A1 (pl) 2008-04-29 2008-04-29 Sposób kształtowania pola temperatury w procesie wytwarzania monokryształów i urządzenie do wytwarzania monokryształów, zwłaszcza węglika krzemu

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL385068A1 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2395133A4 (en) MONOCRYSTALLINE EPITAXIAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
EP2735630A4 (en) SAC EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND DEVICE FOR PRODUCING AN EPITAXIAL WAFER IN SIC
IL210300A0 (en) Method for producing quartz glass doped with nitrogen and quartz glass grains suitable for carrying out the method
EP2394787A4 (en) Silicon carbide monocrystal substrate and manufacturing method therefor
EP2388803A4 (en) SILICON CARBIDE SUBMERSIBLE ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING A SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR COMPONENT
EP2484813A4 (en) COMPOSITE TAPE, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF, AND METHOD FOR INDIVIDUAL CRYSTAL PRODUCTION
TWI370855B (en) Method for producing silicon carbide single crystal
EP2194166A4 (en) QUARTZ GLASS LEVER, PROCESS FOR ITS MANUFACTURE AND PRODUCTION PROCESS
EP2607307A4 (en) DIAMOND POLYCRYSTALL AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF
TWI340182B (en) Epitaxial wafer and method for production of epitaxial wafer
EP2548999A4 (en) GALLIUM NITRIDE CRYSTAL, NITRIDE CRYSTAL OF GROUP 13 ELEMENT, CRYSTALLINE SUBSTRATE, AND PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF
PL2388802T3 (pl) Podłoże o zmienionej strukturze wewnętrznej do wzrostu epitaksjalnego i sposób jego wytwarzania
EP2420598A4 (en) DEVICE FOR PREPARING A SILICUM CARBIDE SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING A SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL
EP2384316A4 (en) HEAT-RESISTANT SHAPED CERAMICS, DEVICE AND USE METHOD THEREFOR
EP2472568A4 (en) Silicon carbide epitaxial wafer and manufacturing method therefor
EP2405038A4 (en) MIRROR, DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTALS
EP2612958A4 (en) METHOD FOR PRODUCING A SILICON CARBIDE INK CRYSTAL, SILICON CARBIDE INK CRYSTAL AND SILICON CARBIDE MONTERRY SUBSTRATE
EP2172432A4 (en) METHOD FOR PRODUCING A QUARTZ GLASS TAIL AND DEVICE FOR PRODUCING THE QUARTZ GLASS TIEGEL
EP2259295A4 (en) EPITACTICAL SUBSTRATE FOR A SEMICONDUCTOR COMPONENT, SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN EPITACTICAL SUBSTRATE FOR A SEMICONDUCTOR COMPONENT
EP2226300A4 (en) METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING A QUARTZ GLASS CUP
PL2377833T3 (pl) Kamień brukowy i sposób jego produkcji
EP2835632A4 (en) METHOD FOR EVALUATING THE CRYSTAL ORIENTATION RANGE ON POLYCRYSTALLINE SILICON, METHOD FOR SELECTION OF POLYCRYSTALLINE SILICON BARS, AND PRODUCTION METHOD FOR SINGLE CRYSTAL SILICON
ZA200803616B (en) Process for production of silicon tetrafluoride, and apparatus for the process
EP2006269A4 (en) POROUS SILICON CARBIDE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
PL2457412T3 (pl) Jednostka grzejna, w szczególności wysokotemperaturowa jednostka grzejna jak też sposób jej wytwarzania

Legal Events

Date Code Title Description
REFS Decisions on refusal to grant patents (taken after the publication of the particulars of the applications)