PL407335A1 - Struktura ogniwa fotowoltaicznego oraz sposób wykonania struktury ogniwa fotowoltaicznego - Google Patents

Struktura ogniwa fotowoltaicznego oraz sposób wykonania struktury ogniwa fotowoltaicznego

Info

Publication number
PL407335A1
PL407335A1 PL407335A PL40733514A PL407335A1 PL 407335 A1 PL407335 A1 PL 407335A1 PL 407335 A PL407335 A PL 407335A PL 40733514 A PL40733514 A PL 40733514A PL 407335 A1 PL407335 A1 PL 407335A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
layer
photovoltaic cell
zno
substrate
covered
Prior art date
Application number
PL407335A
Other languages
English (en)
Other versions
PL227817B1 (pl
Inventor
Sylwia Gierałtowska
Marek Godlewski
Grzegorz Łuka
Rafał Pietruszka
Łukasz Wachnicki
Bartłomiej Witkowski
Original Assignee
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk filed Critical Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Priority to PL407335A priority Critical patent/PL227817B1/pl
Publication of PL407335A1 publication Critical patent/PL407335A1/pl
Publication of PL227817B1 publication Critical patent/PL227817B1/pl

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

Przedmiotem wynalazku jest struktura ogniwa fotowoltaicznego oraz sposób wykonania struktury ogniwa fotowoltaicznego. Struktura ma podłoże o przewodnictwie typu p, ze spodnim kontaktem elektrycznym, na którym znajduje się warstwa aktywna ZnO a na niej przezroczysta elektroda z kontaktem elektrycznym. W strukturze tej warstwę aktywną ZnO pomiędzy podłożem (1), a warstwą przezroczystej elektrody (6), stanowi warstwa nanosłupków ZnO o wysokości co najmniej 50 nm pokrytych warstwą ZnO o grubości co najmniej 1 nm. Sposób wykonania struktury ogniwa fotowoltaicznego, polega na tym, że najpierw podłoże typu p, ze spodnim kontaktem elektrycznym pokrywa się warstwą zarodkującą, następnie podłoże wraz z warstwą zarodkującą, umieszcza w mieszaninie reakcyjnej o wartości pH 6,5 - 12, zawierającej rozpuszczalnik, co najmniej jeden prekursor tlenu, i co najmniej jeden prekursor cynku, podgrzewa się do temperatury 30 - 95°C i utrzymuje w tej temperaturze przez co najmniej 1 sekundę. Z kolei z podłoża i wykrystalizowanych nanosłupków warstwy aktywnej usuwa się zanieczyszczenia, i pokrywa nanosłupki warstwą ZnO (5). Następnie warstwę aktywną pokrywa się warstwą przezroczystej elektrody, na której wykonuje się górny kontakt elektryczny.
PL407335A 2014-02-27 2014-02-27 Struktura ogniwa fotowoltaicznego oraz sposób wykonania struktury ogniwa fotowoltaicznego PL227817B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL407335A PL227817B1 (pl) 2014-02-27 2014-02-27 Struktura ogniwa fotowoltaicznego oraz sposób wykonania struktury ogniwa fotowoltaicznego

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL407335A PL227817B1 (pl) 2014-02-27 2014-02-27 Struktura ogniwa fotowoltaicznego oraz sposób wykonania struktury ogniwa fotowoltaicznego

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL407335A1 true PL407335A1 (pl) 2015-08-31
PL227817B1 PL227817B1 (pl) 2018-01-31

Family

ID=53938575

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL407335A PL227817B1 (pl) 2014-02-27 2014-02-27 Struktura ogniwa fotowoltaicznego oraz sposób wykonania struktury ogniwa fotowoltaicznego

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL227817B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL227817B1 (pl) 2018-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2012253331A5 (pl)
JP2011009697A5 (pl)
TW201613107A (en) Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
ES2570007T3 (es) Procedimiento de fabricación de una célula fotovoltaica con contactos interdigitados en la cara trasera
JP2011146694A5 (pl)
MY181178A (en) Bi- and tri- layer interfacial layers in perovskite material devices
JP2012146946A5 (pl)
FR2982422B1 (fr) Substrat conducteur pour cellule photovoltaique
MY186737A (en) Enhanced adhesion of seed layer for solar cell conductive contact
FR2963982B1 (fr) Procede de collage a basse temperature
MY167301A (en) Semiconductor device and method for producing same
MY172608A (en) Solar cell, production method therefor, and solar cell module
JP2015213072A5 (ja) 表示装置の作製方法
JP2010161284A5 (pl)
JP2012084853A5 (ja) 半導体装置の作製方法、及び、半導体装置
IN2014DN09305A (pl)
PH12016501667A1 (en) Solar cell with trench-free emitter regions
MY183935A (en) Solar cell production method and solar cell treatment method
Zhao et al. Tunable electronic transport properties of 2D layered double hydroxide crystalline microsheets with varied chemical compositions
PL407336A1 (pl) Struktura ogniwa fotowoltaicznego oraz sposób wykonania struktury ogniwa fotowoltaicznego
GB2541146A (en) Method of manufacturing a germanium-on-insulator substrate
MY178458A (en) Photovoltaic devices and methods for making the same
GB2514711A (en) Power semiconductor device and method for manufacturing thereof
MY175806A (en) Conductivity enhancement of solar cells
MY183237A (en) Semiconductor device and method for producing same