PL408127A1 - Sposób domieszkowania na typ n nanostrukturalnej warstwy półprzewodnikowej ZnO - Google Patents

Sposób domieszkowania na typ n nanostrukturalnej warstwy półprzewodnikowej ZnO

Info

Publication number
PL408127A1
PL408127A1 PL408127A PL40812714A PL408127A1 PL 408127 A1 PL408127 A1 PL 408127A1 PL 408127 A PL408127 A PL 408127A PL 40812714 A PL40812714 A PL 40812714A PL 408127 A1 PL408127 A1 PL 408127A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
semiconductor layer
doping method
zno semiconductor
nanostructured zno
nanowires
Prior art date
Application number
PL408127A
Other languages
English (en)
Other versions
PL230421B1 (pl
Inventor
Michał Borysewicz
Eliana Kamińska
Original Assignee
Instytut Technologii Elektronowej
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Instytut Technologii Elektronowej filed Critical Instytut Technologii Elektronowej
Priority to PL408127A priority Critical patent/PL230421B1/pl
Publication of PL408127A1 publication Critical patent/PL408127A1/pl
Publication of PL230421B1 publication Critical patent/PL230421B1/pl

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

Przedmiotem wynalazku jest sposób domieszkowania na typ n nanostrukturalnej warstwy półprzewodnikowej ZnO, to znaczy warstwy zawierającej różne wykrystalizowane formy ZnO jak nanosłupki czy nanodruty. W sposobie tym, osadzone uprzednio na amorficznym lub krystalicznym podłożu dowolną techniką, nanostrukturalne warstwy ZnO wygrzewa się w przepływie mieszaniny argonu i wodoru. Względna zawartość wodoru w mieszaninie wynosi 5 - 20% przy przepływie argonu od 1 do 3 l na minutę, a wygrzewanie prowadzi się w temperaturze 300°C - 600°C, przez czas od 10 sekund do 10 minut.
PL408127A 2014-05-06 2014-05-06 Sposób domieszkowania na typ n nanostrukturalnej warstwy półprzewodnikowej ZnO PL230421B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL408127A PL230421B1 (pl) 2014-05-06 2014-05-06 Sposób domieszkowania na typ n nanostrukturalnej warstwy półprzewodnikowej ZnO

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL408127A PL230421B1 (pl) 2014-05-06 2014-05-06 Sposób domieszkowania na typ n nanostrukturalnej warstwy półprzewodnikowej ZnO

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL408127A1 true PL408127A1 (pl) 2015-11-09
PL230421B1 PL230421B1 (pl) 2018-10-31

Family

ID=54364852

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL408127A PL230421B1 (pl) 2014-05-06 2014-05-06 Sposób domieszkowania na typ n nanostrukturalnej warstwy półprzewodnikowej ZnO

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL230421B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL230421B1 (pl) 2018-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SG10201700452RA (en) High temperature atomic layer deposition of silicon-containing films
AR102563A1 (es) Composición densificada para el tratamiento de una formación subterránea
JP2016100593A5 (pl)
TW201612179A (en) A process for preparing a crystalline organic semiconductor material
EA201791045A1 (ru) Ltps tft, обладающий двухзатворной структурой, и способ формирования ltps tft
JP2015079946A5 (pl)
MX2014004552A (es) Metodo de tratamiento termico de capas de plata.
UY37215A (es) Forma polimórfica de n–{6–(2–hidroxipropan–2–il)–2–[2– (metilsulfonil)etil]–2h–indazol–5–il}–6–(trifluorometil)piridina–2–carboxamida
EP2980040A4 (en) LEAD FREE PIEZOELECTRIC CERAMIC COMPOSITION, PIEZOELECTRIC ELEMENT THEREWITH, DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THE LEAD FREE PIEZOELECTRIC CERAMIC COMPOSITION
BR112017000799B8 (pt) Método para produzir um substrato revestido, substrato revestido e uso do substrato revestido produzido através do método
GB2534675A8 (en) Compound semiconductor device structures comprising polycrystalline CVD diamond
EP3116019A4 (en) CRYSTAL GROWTH CONTROL AGENT, METHOD FOR FORMING p-TYPE SEMICONDUCTOR MICROPARTICLES OR p-TYPE SEMICONDUCTOR MICROPARTICLE FILM, COMPOSITION FOR FORMING HOLE TRANSPORT LAYER, AND SOLAR CELL
EP2774743A4 (en) PROCESS FOR THE PREPARATION OF CONCAVE-CONVEX SUBSTRATES BY SOL-GEL PROCESS, SOLUTION THEREFOR, METHOD FOR THE PRODUCTION OF AN ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENTS THEREFOR AND ORGANIC EL-ELEMENT PRODUCED THEREFOR
SG10201804591WA (en) Semiconductor device fabrication
EP2921575A4 (en) SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
BR112015024554A2 (pt) cerâmica com revestimento funcional
PH12017500904A1 (en) Method for producing doped polycrystalline semiconductor layers
GB201608873D0 (en) Silicon ingot growth crucible with patterned protrusion structured layer
MX372888B (es) Metodo para obtener un material fotocatalitico.
PL412250A1 (pl) Struktura ogniwa fotowoltaicznego oraz sposób wykonania struktury ogniwa fotowoltaicznego
PL411304A1 (pl) Kompozytowy materiał ogniotrwały i sposób jego wytwarzania
JP2017022294A5 (pl)
EP3042978A4 (en) Method for depositing oxide layer, and layered substrate for epitaxial growth and process for producing same
WO2015105460A3 (en) Method for forming low emissivity doped zinc oxide films on a substrate
EP3041030A4 (en) Composition for forming n-type diffusion layer, method for forming n-type diffusion layer, method for producing semiconductor substrate with n-type diffusion layer, and method for manufacturing solar cell element