PL408127A1 - Sposób domieszkowania na typ n nanostrukturalnej warstwy półprzewodnikowej ZnO - Google Patents
Sposób domieszkowania na typ n nanostrukturalnej warstwy półprzewodnikowej ZnOInfo
- Publication number
- PL408127A1 PL408127A1 PL408127A PL40812714A PL408127A1 PL 408127 A1 PL408127 A1 PL 408127A1 PL 408127 A PL408127 A PL 408127A PL 40812714 A PL40812714 A PL 40812714A PL 408127 A1 PL408127 A1 PL 408127A1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- doping
- type
- nanostructural
- zno layer
- nanowires
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title abstract 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 2
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 abstract 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
Przedmiotem wynalazku jest sposób domieszkowania na typ n nanostrukturalnej warstwy półprzewodnikowej ZnO, to znaczy warstwy zawierającej różne wykrystalizowane formy ZnO jak nanosłupki czy nanodruty. W sposobie tym, osadzone uprzednio na amorficznym lub krystalicznym podłożu dowolną techniką, nanostrukturalne warstwy ZnO wygrzewa się w przepływie mieszaniny argonu i wodoru. Względna zawartość wodoru w mieszaninie wynosi 5 - 20% przy przepływie argonu od 1 do 3 l na minutę, a wygrzewanie prowadzi się w temperaturze 300°C - 600°C, przez czas od 10 sekund do 10 minut.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL408127A PL230421B1 (pl) | 2014-05-06 | 2014-05-06 | Sposób domieszkowania na typ n nanostrukturalnej warstwy półprzewodnikowej ZnO |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL408127A PL230421B1 (pl) | 2014-05-06 | 2014-05-06 | Sposób domieszkowania na typ n nanostrukturalnej warstwy półprzewodnikowej ZnO |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL408127A1 true PL408127A1 (pl) | 2015-11-09 |
| PL230421B1 PL230421B1 (pl) | 2018-10-31 |
Family
ID=54364852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL408127A PL230421B1 (pl) | 2014-05-06 | 2014-05-06 | Sposób domieszkowania na typ n nanostrukturalnej warstwy półprzewodnikowej ZnO |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL230421B1 (pl) |
-
2014
- 2014-05-06 PL PL408127A patent/PL230421B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL230421B1 (pl) | 2018-10-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NI201800112A (es) | Forma polimorfa de n-{6-(2-hidroxipropan-2-il)-2-[2-(metilsulfonil)etil]-2h-indazol-5-il}-6- (trifluorometil)piridin-2-carboxamida | |
| SG10201700452RA (en) | High temperature atomic layer deposition of silicon-containing films | |
| JP2016100593A5 (pl) | ||
| AR102563A1 (es) | Composición densificada para el tratamiento de una formación subterránea | |
| EP3349237A4 (en) | PROCESS FOR PREPARING AN SIC COMPOSITE SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE | |
| TW201612179A (en) | A process for preparing a crystalline organic semiconductor material | |
| GB201709216D0 (en) | Low-temperature polycrystalline silicon thin-film transistor based on dual-gate structure and manufacturing method therefor | |
| JP2015079946A5 (pl) | ||
| MX360956B (es) | Método de tratamiento térmico de capas de plata. | |
| EA201800273A1 (ru) | Композиция полипропилена для элемента слоя | |
| WO2012102523A3 (en) | Thermoelectric device and thermoelectric module having the same, and method of manufacturing the same | |
| BR112017000799B8 (pt) | Método para produzir um substrato revestido, substrato revestido e uso do substrato revestido produzido através do método | |
| GB2534675A8 (en) | Compound semiconductor device structures comprising polycrystalline CVD diamond | |
| BR112018003014A2 (pt) | técnicas para o crescimento direto de grafeno sobre vidro em baixa temperatura | |
| WO2013177048A3 (en) | Method of providing chloride treatment for a photovoltaic device and a chloride treated photovoltaic device | |
| SG10201804591WA (en) | Semiconductor device fabrication | |
| EP3637486C0 (en) | LAMINATED SUBSTRATE COMPRISING POTASSIUM SODIUM NIOBATE PIEZOELECTRIC FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME | |
| GB201608873D0 (en) | Silicon ingot growth crucible with patterned protrusion structured layer | |
| JP2017022294A5 (pl) | ||
| PL412250A1 (pl) | Struktura ogniwa fotowoltaicznego oraz sposób wykonania struktury ogniwa fotowoltaicznego | |
| PL408127A1 (pl) | Sposób domieszkowania na typ n nanostrukturalnej warstwy półprzewodnikowej ZnO | |
| MX372888B (es) | Metodo para obtener un material fotocatalitico. | |
| PH12017500904A1 (en) | Method for producing doped polycrystalline semiconductor layers | |
| Naje | Optical characteristics of CdO nanostructure | |
| EP3042978A4 (en) | Method for depositing oxide layer, and layered substrate for epitaxial growth and process for producing same |