Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Instytut Technologii ElektronowejfiledCriticalInstytut Technologii Elektronowej
Priority to PL408127ApriorityCriticalpatent/PL230421B1/pl
Publication of PL408127A1publicationCriticalpatent/PL408127A1/pl
Publication of PL230421B1publicationCriticalpatent/PL230421B1/pl
Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices
(AREA)
Abstract
Przedmiotem wynalazku jest sposób domieszkowania na typ n nanostrukturalnej warstwy półprzewodnikowej ZnO, to znaczy warstwy zawierającej różne wykrystalizowane formy ZnO jak nanosłupki czy nanodruty. W sposobie tym, osadzone uprzednio na amorficznym lub krystalicznym podłożu dowolną techniką, nanostrukturalne warstwy ZnO wygrzewa się w przepływie mieszaniny argonu i wodoru. Względna zawartość wodoru w mieszaninie wynosi 5 - 20% przy przepływie argonu od 1 do 3 l na minutę, a wygrzewanie prowadzi się w temperaturze 300°C - 600°C, przez czas od 10 sekund do 10 minut.
PL408127A2014-05-062014-05-06Sposób domieszkowania na typ n nanostrukturalnej warstwy półprzewodnikowej ZnO
PL230421B1
(pl)
COMPOSITION OF QUANTUM POINTS MODIFIED BY A LIGAND, LAYER OF QUANTUM POINTS MODIFIED BY A LIGAND, ASSOCIATED PREPARATION PROCEDURE, AND QUANTUMINESCENT LIGHT DIODE