Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ecotrade Spółka Z Ograniczoną OdpowiedzialnościąfiledCriticalEcotrade Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością
Priority to PL414521ApriorityCriticalpatent/PL231322B1/pl
Publication of PL414521A1publicationCriticalpatent/PL414521A1/pl
Publication of PL231322B1publicationCriticalpatent/PL231322B1/pl
Przedstawiony na rysunku sposób wytwarzania folii z tworzywa sztucznego w procesie wytłaczania materiału bazowego, stanowiącego rozdrobnione tworzywo sztuczne pochodzące z recyklingu, charakteryzuje się tym, że: materiał bazowy poddaje się naprzemiennie operacjom powlekania koloidalnym roztworem nanocząstek dwutlenku tytanu (TiO2) o rozmiarze od 2 do 6 nm w alkoholu oraz suszenia powleczonego roztworem materiału bazowego w temperaturze poniżej 70°C, po czym z materiału bazowego powleczonego nanocząstkami dwutlenku tytanu (TiO2) lub mieszaniny materiału bazowego powleczonego nanocząstkami dwutlenku tytanu (TiO2) i pozbawionego nanocząstek dwutlenku tytanu (TiO2), o całkowitym stężeniu nanocząstek dwutlenku tytanu (TiO2) na poziomie od 5 ppm do 2000 ppm wytłacza się za pomocą ekstrudera wstęgę folii, którą formuje się i nawija na belę.
PL414521A2015-10-272015-10-27Sposób wytwarzania folii z tworzywa sztucznego
PL231322B1
(pl)
MEMORY BARS INCLUDING VERTICALLY ALTERNATE STAGES OF INSULATING MATERIAL AND MEMORY CELLS AND MEMORY BAR FORMING METHODS INCLUDING MEMORY CELLS INCLUDING A TRANSISTOR AND A CAPACITOR
CADMIUM-FREE QUANTUM BOXES, TUNABLE QUANTUM BOXES, POLYMER CONTAINING QUANTUM BOXES, ARTICLES, FILMS, 3D STRUCTURE CONTAINING THEM AND METHODS OF MAKING AND USING THE SAME
MATERIAL FOR FORMING LITHOGRAPHY OF LAYERED LAYERED FILM, COMPOSITION FOR FORMING LITHOGRAPHY OF A LAYERED LAYERED FILM, LITHOGRAPHY LAYERING FILM AND METHOD OF FORMING A RESISTANCE STRUCTURE
ORGANIC THIN LAYER TRANSISTOR ELEMENT, COMPOSITION FOR PREPARING AN ORGANIC SEMICONDUCTOR LAYER, METHOD FOR PRODUCING AN ORGANIC SEMICONDUCTOR LAYER AND ORGANIC SEMICONDUCTOR LAYER
Verfahren zur Herstellung von hydrogenierten amorphen siliciumhaltigen Kolloiden und/oder Komposit-Kolloiden und zur Verkapselung von Substanzen mit hydrogenierten amorphen siliciumhaltigen Komposit-Kolloiden, sowie hydrogenierte amorphe siliciumhaltige Kolloide und/oder Komposit-Kolloide und mit siliciumhaltigen Komposit-Schichten verkapselte Substanzen und deren Verwendung