Układ zasilania reaktora plazmowego ze ślizgającym się wyładowaniem, charakteryzuje się tym, że wejście napięcia stałego (1) połączone jest równolegle z kondensatorem elektrolitycznym (2) połączonym z masą. Wejście napięcia stałego (1) połączone jest szeregowo z przekładnikiem prądowym (3), który połączony jest z odczepem środkowym uzwojenia pierwotnego (4) transformatora podwyższającego (5). Transformator podwyższający (5) połączony jest szeregowo początkiem uzwojenia pierwotnego (4) z kolektorem pierwszego łącznika tranzystorowego IGBT (7a), który podłączony jest swoim emiterem z masą. Pierwszy przełącznik tranzystorowy IGBT (7a) połączony jest od strony złącz kolektor-emiter równolegle z diodą (8a), która usytuowana jest anodą w kierunku emitera pierwszego łącznika tranzystorowego IGBT (7a) i masy. Pierwszy łącznik tranzystorowy IGBT (7a) połączony jest równolegle z dwiema szeregowymi diodami transil dwukierunkowymi (9a) połączonymi z masą. Pierwszy łącznik tranzystorowy IGBT (7a) połączony jest równolegle z dwójnikiem RC, składającym się z rezystora (10a) połączonego szeregowo z kondensatorem (11a), który podłączony jest z masą. Bramka pierwszego łącznika tranzystorowego IGBT (7a) połączona jest poprzez diodę transil dwukierunkową (12a) do masy. Bramka pierwszego łącznika tranzystorowego IGBT (7a) połączona jest poprzez rezystor (16a) z pierwszym wyjściem sygnału modulacji szerokości impulsu (y) sterownika modulacji szerokości impulsu (S1). Bramka pierwszego łącznika tranzystorowego IGBT (7a) połączona jest dodatkowo poprzez rezystor (13a) z pierwszym łącznikiem tranzystorowym MOSFET (14a) od strony drenu, który podłączony jest od strony źródła z anodą diody szeregowej (15a), której katoda podłączona jest z wyjściem pierwszego sygnału modulacji szerokości impulsu (y) sterownika modulacji szerokości impulsu (S1). Bramka pierwszego łącznika tranzystorowego MOSFET (14a) połączona jest z wyjściem sygnału sterującego (z) sterownika zapłonowego (S2). Transformator podwyższający (5) połączony jest szeregowo końcem uzwojenia pierwotnego (4) z kolektorem drugiego łącznika tranzystorowego IGBT (7b), który podłączony jest swoim emiterem z masą. Z kolei drugi łącznik tranzystorowy IGBT (7b) połączony jest od strony złącz kolektor-emiter równolegle z diodą (8b), która usytuowana jest anodą w kierunku emitera drugiego łącznika tranzystorowego IGBT (7b) oraz drugi łącznik tranzystorowy IGBT (7b) połączony jest równolegle z dwiema szeregowymi drugimi diodami transil dwukierunkowymi (9b) połączonymi do masy. Drugi łącznik tranzystorowy IGBT (7b) połączony jest równolegle z dwójnikiem RC składającym się z rezystora (10b) połączonego szeregowo z kondensatorem (11b), który podłączony jest do masy. Bramka drugiego łącznika tranzystorowego IGBT (7b) połączona jest poprzez diodę transil dwukierunkową (12b) do masy oraz bramka drugiego łącznika tranzystorowego IGBT (7b) połączona jest poprzez rezystor (16b) z wyjściem drugiego sygnału modulacji szerokości impulsu (y'), sterownika modulacji szerokości impulsu (S1) do masy, zaś bramka drugiego łącznika tranzystorowego IGBT (7b) połączona jest od strony drenu poprzez rezystor (13b) z drugim łącznikiem tranzystorowym MOSFET (14b), który podłączony jest od strony źródła z anodą diody (15b). Bramka drugiego łącznika tranzystorowego MOSFET (14b) połączona jest z wyjściem sygnału sterującego (z) sterownika zapłonowego (S2). Przekładnik prądowy (3) połączony jest wyjściem sygnałowym (i) ze sterownikiem zapłonowym (S2) oraz ze sterownikiem modulacji szerokości impulsu (S1). Uzwojenie wtórne (6) transformatora podwyższającego (5) połączone jest z reaktorem plazmowym (17).The supply system of the plasma reactor with a sliding discharge is characterized by the fact that the DC voltage input (1) is connected in parallel with the electrolytic capacitor (2) connected to ground. The DC voltage input (1) is connected in series with the current transformer (3), which is connected to the middle tap of the primary winding (4) of the boosting transformer (5). The step-up transformer (5) is connected in series with the beginning of the primary winding (4) with the collector of the first IGBT transistor connector (7a), which is connected with its emitter to ground. The first IGBT transistor switch (7a) is connected from the collector-emitter junction side in parallel with the diode (8a), which is located by the anode towards the emitter of the first IGBT transistor connector (7a) and ground. The first IGBT transistor connector (7a) is connected in parallel with two bidirectional transil diodes (9a) connected to ground. The first IGBT transistor connector (7a) is connected in parallel with the RC connector, consisting of a resistor (10a) connected in series with a capacitor (11a), which is connected to ground. The gate of the first IGBT transistor connector (7a) is connected via a bi-directional transil diode (12a) to ground. The gate of the first IGBT transistor connector (7a) is connected via a resistor (16a) to the first pulse width modulation signal output (s) of the pulse width modulation controller (S1). The gate of the first IGBT transistor connector (7a) is additionally connected via a resistor (13a) to the first MOSFET transistor connector (14a) from the drain side, which is connected from the source side with the serial diode anode (15a), whose cathode is connected to the first signal output pulse width modulation (s) of the pulse width modulation controller (S1). The gate of the first MOSFET transistor connector (14a) is connected to the control signal output (from) of the ignition controller (S2). The step-up transformer (5) is connected in series with the end of the primary winding (4) to the collector of the second IGBT transistor connector (7b), which is connected with its emitter to ground. In turn, the second IGBT transistor connector (7b) is connected from the collector-emitter junction side in parallel with the diode (8b), which is located by the anode towards the emitter of the second IGBT transistor connector (7b) and the second IGBT transistor connector (7b) is connected in parallel with two serial second bidirectional transil diodes (9b) connected to ground. The second IGBT transistor connector (7b) is connected in parallel with the RC connector consisting of a resistor (10b) connected in series with a capacitor (11b), which is connected to ground. The gate of the second IGBT transistor connector (7b) is connected via a bidirectional transil diode (12b) to ground and the gate of the second IGBT transistor connector (7b) is connected via a resistor (16b) with the output of the second pulse width modulation signal (y '), width modulation controller pulse (S1) to ground, while the gate of the second IGBT transistor connector (7b) is connected from the drain side via a resistor (13b) to the second MOSFET transistor connector (14b), which is connected from the source side with the diode anode (15b). The gate of the second MOSFET transistor connector (14b) is connected to the control signal output (from) of the ignition controller (S2). The current transformer (3) is connected with the signal output (i) with the ignition controller (S2) and with the pulse width modulation controller (S1). The secondary winding (6) of the boosting transformer (5) is connected to the plasma reactor (17).