PL425471A1 - Sposób otrzymywania warstw nanoprętów CuO na podłożach miedzianych - Google Patents

Sposób otrzymywania warstw nanoprętów CuO na podłożach miedzianych

Info

Publication number
PL425471A1
PL425471A1 PL42547118A PL42547118A PL425471A1 PL 425471 A1 PL425471 A1 PL 425471A1 PL 42547118 A PL42547118 A PL 42547118A PL 42547118 A PL42547118 A PL 42547118A PL 425471 A1 PL425471 A1 PL 425471A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
nickel
copper
minutes
copper substrates
deposited
Prior art date
Application number
PL42547118A
Other languages
English (en)
Other versions
PL237971B1 (pl
Inventor
Elżbieta Czerwosz
Halina Wronka
Mirosław Kozlowski
Ryszard Diduszko
Original Assignee
Inst Tele I Radiotech
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Inst Tele I Radiotech filed Critical Inst Tele I Radiotech
Priority to PL425471A priority Critical patent/PL237971B1/pl
Publication of PL425471A1 publication Critical patent/PL425471A1/pl
Publication of PL237971B1 publication Critical patent/PL237971B1/pl

Links

Landscapes

  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Inert Electrodes (AREA)
  • Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)

Abstract

Przedmiotem zgłoszenia jest sposób otrzymywania warstw nanoprętów CuO na podłożach miedzianych, który polega na tym, że na miedziane podłoże naparowuje się przez czas od 6 do 15 minut warstwę niklowo węglową z dwóch niezależnych źródeł, z których pierwsze zawiera fulleren w łódeczce molibdenowej, a natężenie prądu płynącego przez to źródło wynosi 19 do 25A, zaś drugie zawiera octan niklu w łódeczce molibdenowej, a natężenie prądu płynącego przez to źródło wynosi od 50 do 58A. Odległość podłoża od źródeł wynosi od 60 do 120 mm. Proces termicznego próżniowego naparowania odbywa się w warunkach wysokiej próżni, rzędu 10-5 mbar, aż do uzyskania ok. 3% at. niklu. Następnie płytkę miedzianą z naparowaną warstwą podgrzewa się przez czas 1 godziny do uzyskania temperatury od 400 do 700°C i wygrzewa się ją w tej końcowej temperaturze przez 30 min. w atmosferze powietrza.
PL425471A 2018-05-07 2018-05-07 Sposób otrzymywania warstw nanoprętów CuO na podłożach miedzianych PL237971B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL425471A PL237971B1 (pl) 2018-05-07 2018-05-07 Sposób otrzymywania warstw nanoprętów CuO na podłożach miedzianych

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL425471A PL237971B1 (pl) 2018-05-07 2018-05-07 Sposób otrzymywania warstw nanoprętów CuO na podłożach miedzianych

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL425471A1 true PL425471A1 (pl) 2019-11-18
PL237971B1 PL237971B1 (pl) 2021-06-14

Family

ID=68536610

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL425471A PL237971B1 (pl) 2018-05-07 2018-05-07 Sposób otrzymywania warstw nanoprętów CuO na podłożach miedzianych

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL237971B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL237971B1 (pl) 2021-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EA033122B1 (ru) Способ получения подложки, покрытой набором, содержащим слой прозрачного проводящего оксида
SG10201407862QA (en) Chalcogenide absorber layers for photovoltaic applications and methods of manufacturing the same
US9982333B2 (en) Mask frame assembly and method of manufacturing the same
WO2015196066A3 (en) Method for the fabrication and transfer of graphene
WO2015091781A3 (en) Method of producing transition metal dichalcogenide layer
JP2013175738A5 (ja) 発光装置の作製方法
JP2015079945A5 (pl)
JP2014502039A5 (pl)
SG10201804591WA (en) Semiconductor device fabrication
JP2014518010A5 (pl)
CL2018001093A1 (es) Método para la deposición de capas funcionales adecuadas para tubos receptores de calor
MY195455A (en) Joining Film, Tape for Wafer Processing, Method for Producing Joined Body, and Joined Body
JP2018093166A5 (pl)
SG11201906390SA (en) Method and device for bonding substrates
CN103700731B (zh) 一种可转移碲镉汞薄膜的制备方法
JP2018148051A5 (ja) 成膜装置、成膜方法
PL425471A1 (pl) Sposób otrzymywania warstw nanoprętów CuO na podłożach miedzianych
CN109994376B (zh) 碳化硅衬底上形成的欧姆接触结构及其形成方法
TW201714318A (en) Solar cell structure and method for manufacturing the same
WO2008079564A3 (en) High temperature photonic structure for tungsten filament
PL422247A1 (pl) Sposób wytwarzania metalizacji wielowarstwowej, metalizacja wielowarstwowa oraz zastosowanie metalizacji wielowarstwowej
EA201891633A1 (ru) Органический фотоэлектрический узел и способ его изготовления
KR20100030003A (ko) 태양전지의 제조방법
KR20160108630A (ko) 전기 에너지를 이용한 박막 활성화 방법, 박막 트랜지스터 제조 방법 및 기판 처리 장치
RU2014111841A (ru) Способ получения интерметаллических тонких пленок