PL431248A1 - Sposób otrzymywania powierzchniowego kompozytu węglikowo-grafenowego o kontrolowanej morfologii powierzchni, zwłaszcza kompozytu SiC-grafen oraz kompozyt węglikowo-grafenowy - Google Patents

Sposób otrzymywania powierzchniowego kompozytu węglikowo-grafenowego o kontrolowanej morfologii powierzchni, zwłaszcza kompozytu SiC-grafen oraz kompozyt węglikowo-grafenowy

Info

Publication number
PL431248A1
PL431248A1 PL431248A PL43124819A PL431248A1 PL 431248 A1 PL431248 A1 PL 431248A1 PL 431248 A PL431248 A PL 431248A PL 43124819 A PL43124819 A PL 43124819A PL 431248 A1 PL431248 A1 PL 431248A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
graphene composite
carbide
sic
graphene
composite
Prior art date
Application number
PL431248A
Other languages
English (en)
Other versions
PL241895B1 (pl
Inventor
Piotr CIOCHOŃ
Jacek KOŁODZIEJ
Original Assignee
Uniwersytet Jagielloński
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Uniwersytet Jagielloński filed Critical Uniwersytet Jagielloński
Priority to PL431248A priority Critical patent/PL241895B1/pl
Priority to PCT/PL2020/050068 priority patent/WO2021060999A1/en
Priority to US17/640,397 priority patent/US12145851B2/en
Publication of PL431248A1 publication Critical patent/PL431248A1/pl
Publication of PL241895B1 publication Critical patent/PL241895B1/pl

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/90—Carbides
    • C01B32/914—Carbides of single elements
    • C01B32/956—Silicon carbide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/182—Graphene
    • C01B32/184—Preparation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2204/00—Structure or properties of graphene
    • C01B2204/04—Specific amount of layers or specific thickness
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/90—Carbides
    • C01B32/914—Carbides of single elements
    • C01B32/956—Silicon carbide
    • C01B32/963—Preparation from compounds containing silicon
    • C01B32/984—Preparation from elemental silicon
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/13—Energy storage using capacitors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

Przedmiotem zgłoszenia jest sposób otrzymywania powierzchniowego kompozytu węglikowo - grafenowego o kontrolowanej morfologii powierzchni, zwłaszcza kompozytu SiC-grafen, charakteryzujący się tym, że substrat SiC, zwłaszcza o strukturze krystalicznej albo polikrystalicznej, po wstępnym przygotowaniu poddaje się kolejno: wygrzewaniu a następnie chłodzeniu. Ponadto przedmiotem zgłoszenia jest też kompozyt węglikowo - grafenowy na powierzchni SiC, o strukturze krystalicznej albo polikrystalicznej, otrzymany sposobem jak zdefiniowano w pierwszym przedmiocie wynalazku, zawierający od jednej do czterech warstw atomowych grafenu tworzących sieć krystaliczną o strukturze plastra miodu, przy czym ich widmo dyfrakcyjne uzyskane metodą dyfrakcji elektronów niskiej energii posiada wzór dyfrakcyjny typowy dla grafenu na powierzchni SiC, charakteryzujący się tym, że zawiera powierzchnię pokrytą tarasami albo siecią zagłębień, przy czym różnica wysokości tarasów wynosi od 0.25x10-9 m do 2.5x10-9 m albo gęstość powierzchniowa zagłębień wynosi przynajmniej 5x1012/m2.
PL431248A 2019-09-23 2019-09-23 Sposób otrzymywania powierzchniowego kompozytu węglikowo- grafenowego o kontrolowanej morfologii powierzchni PL241895B1 (pl)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL431248A PL241895B1 (pl) 2019-09-23 2019-09-23 Sposób otrzymywania powierzchniowego kompozytu węglikowo- grafenowego o kontrolowanej morfologii powierzchni
PCT/PL2020/050068 WO2021060999A1 (en) 2019-09-23 2020-09-23 The method of obtaining the surface carbide-graphene composite with a controlled surface morphology, especially the sic-graphene composite and the carbide-graphene composite
US17/640,397 US12145851B2 (en) 2019-09-23 2020-09-23 Method of obtaining a silicon carbide-graphene composite with a controlled surface morphology

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL431248A PL241895B1 (pl) 2019-09-23 2019-09-23 Sposób otrzymywania powierzchniowego kompozytu węglikowo- grafenowego o kontrolowanej morfologii powierzchni

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL431248A1 true PL431248A1 (pl) 2021-04-06
PL241895B1 PL241895B1 (pl) 2022-12-19

Family

ID=73498251

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL431248A PL241895B1 (pl) 2019-09-23 2019-09-23 Sposób otrzymywania powierzchniowego kompozytu węglikowo- grafenowego o kontrolowanej morfologii powierzchni

Country Status (3)

Country Link
US (1) US12145851B2 (pl)
PL (1) PL241895B1 (pl)
WO (1) WO2021060999A1 (pl)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115465856B (zh) * 2021-06-10 2024-07-19 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 图形化石墨烯的制备方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100255984A1 (en) * 2009-04-03 2010-10-07 Brookhaven Science Associates, Llc Monolayer and/or Few-Layer Graphene On Metal or Metal-Coated Substrates
US8501531B2 (en) * 2011-04-07 2013-08-06 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Method of forming graphene on a surface
US8884310B2 (en) * 2011-10-19 2014-11-11 Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) Direct formation of graphene on semiconductor substrates
ES2663687T3 (es) * 2012-09-20 2018-04-16 The Penn State Research Foundation Procedimiento para la producción de materiales compuestos cerámicos de grafeno/carburo de silicio
KR101634961B1 (ko) * 2013-12-26 2016-07-01 한국과학기술원 그래핀 수화젤과 그래핀 수화젤 나노복합재료, 및 이들의 제조방법
CN105874567B (zh) * 2014-07-02 2018-11-27 富士电机株式会社 碳化硅半导体元件的制造方法
US10221069B2 (en) * 2014-11-03 2019-03-05 Research Institute Of Petroleum Industry Producing graphene and nanoporous graphene
US9716227B2 (en) * 2014-12-31 2017-07-25 Infineon Technologies Ag Method of forming a graphene structure
US10910165B2 (en) * 2015-03-06 2021-02-02 University Of Technology Sydney Process, a structure, and a supercapacitor
US9530643B2 (en) * 2015-03-12 2016-12-27 International Business Machines Corporation Selective epitaxy using epitaxy-prevention layers
EP3356582B1 (en) * 2015-10-01 2020-12-16 GlobalWafers Co., Ltd. Epitaxial growth of defect-free, wafer-scale single-layer graphene on thin films of cobalt
PL417804A1 (pl) * 2016-07-02 2018-01-15 Uniwersytet Jagielloński Metoda syntezy wysokiej jakości grafenu na powierzchni węglika krzemu

Also Published As

Publication number Publication date
US20220371900A1 (en) 2022-11-24
US12145851B2 (en) 2024-11-19
WO2021060999A1 (en) 2021-04-01
PL241895B1 (pl) 2022-12-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Gsell et al. A route to diamond wafers by epitaxial deposition on silicon via iridium/yttria-stabilized zirconia buffer layers
CN105745366B (zh) GaN模板基板和器件基板
Moutinho et al. Deposition and properties of CBD and CSS CdS thin films for solar cell application
KR20120104260A (ko) 탄화탄탈 피복 탄소재료 및 그 제조방법
Hasabeldaim et al. Effect of substrate temperature and post annealing temperature on ZnO: Zn PLD thin film properties
RU2018113432A (ru) Способ изготовления составной подложки из sic
GB2534675A8 (en) Compound semiconductor device structures comprising polycrystalline CVD diamond
GB202212567D0 (en) Earth plant compostable biodefradable substrate and method of producing the same
PL431248A1 (pl) Sposób otrzymywania powierzchniowego kompozytu węglikowo-grafenowego o kontrolowanej morfologii powierzchni, zwłaszcza kompozytu SiC-grafen oraz kompozyt węglikowo-grafenowy
Abdelbagi et al. Effect of swift heavy ions irradiation on the migration behavior of strontium implanted into polycrystalline SiC
Reinle-Schmitt et al. Chemistry and structure of homoepitaxial SrTiO 3 films and their influence on oxide-heterostructure interfaces
Kracht et al. Plasma assisted molecular beam epitaxy of Cu2O on MgO (001): Influence of copper flux on epitaxial orientation
DE112014000633B4 (de) Halbleiterschichtenfolge und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtenfolge
Ito et al. 2H-SiC films grown by laser chemical vapor deposition
Jo et al. Crystallization and surface segregation in CuIn0. 7Ga0. 3Se2 thin films on Cu foils grown by pulsed laser deposition
Ramazanov et al. Structural properties of the epitaxial (SiC) 1− x (AlN) x solid solution films fabricated by magnetron sputtering of SiC-Al composite targets
Liu et al. Negative thermal expansion and shift in phase transition temperature in Mo-substituted ZrW2O8 thin films prepared by pulsed laser deposition
Heera et al. Ion beam synthesis of graphite and diamond in silicon carbide
Banai et al. Phase identification of RF-sputtered SnS thin films using rietveld analysis of X-ray diffraction patterns
EP0716166A1 (en) Process for preparing single crystal material and composite material for forming such single crystal material
Dzhumaliev et al. Magnetron sputtering of thin Cu (200) films on Ni (200)/SiO2/Si substrates
Pinho et al. The Temisas Carbonate Building: an example of a thermogene tufa system in Gran Canaria Island
DE102012003903A1 (de) Verfahren zur thermischen Behandlung von Siliziumcarbidsubstraten
Moreno et al. Characterization of chemical bath deposited CdS, CdSe and PbS
Katsikini et al. Dose-dependent bonding environment of oxygen implanted in GaN