PL438744A1 - Dwukierunkowa dioda elektroluminescencyjna i sposób wytwarzania takiej diody - Google Patents

Dwukierunkowa dioda elektroluminescencyjna i sposób wytwarzania takiej diody

Info

Publication number
PL438744A1
PL438744A1 PL438744A PL43874421A PL438744A1 PL 438744 A1 PL438744 A1 PL 438744A1 PL 438744 A PL438744 A PL 438744A PL 43874421 A PL43874421 A PL 43874421A PL 438744 A1 PL438744 A1 PL 438744A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
type
layer
diode
tunnel junction
adjacent
Prior art date
Application number
PL438744A
Other languages
English (en)
Other versions
PL245827B1 (pl
Inventor
Mikołaj Żak
Grzegorz Muzioł
Marcin Siekacz
Krzesimir NOWAKOWSKI-SZKUDLAREK
Henryk TURSKI
Czesław Skierbiszewski
Original Assignee
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk filed Critical Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Priority to PL438744A priority Critical patent/PL245827B1/pl
Priority to EP22461527.8A priority patent/EP4135055B1/en
Publication of PL438744A1 publication Critical patent/PL438744A1/pl
Publication of PL245827B1 publication Critical patent/PL245827B1/pl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/813—Bodies having a plurality of light-emitting regions, e.g. multi-junction LEDs or light-emitting devices having photoluminescent regions within the bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/811—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/811—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions
    • H10H20/812—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions within the light-emitting regions, e.g. having quantum confinement structures
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
    • H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
    • H10H20/825—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP containing nitrogen, e.g. GaN
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
    • H10H29/10—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00

Landscapes

  • Led Devices (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

Przedmiotem zgłoszenia jest dwukierunkowa dioda elektroluminescencyjna i sposób wytwarzania takiej diody. Dioda zawiera co najmniej jedną warstwową strukturę epitaksjalną (2-8) z azotków metali III grupy, naniesioną na podłoże krystaliczne (1), zawierającą emitujący światło obszar aktywny (5) z co najmniej jedną studnią kwantową. Każdy zespół (2-8) warstw epitaksjalnych, tworzą kolejno, licząc od podłoża krystalicznego (1), dolna warstwa o przewodnictwie typu n (2), dolne złącze tunelowe (3), dolna warstwa o przewodnictwie typu p (4), obszar aktywny (5), górna warstwa o przewodnictwie typu p (6), górne złącze tunelowe (7) oraz górna warstwa o przewodnictwie typu n (8). Każdy kolejny zespół warstw epitaksjalnych (2-8) ulokowany jest na górnej warstwie o przewodnictwie typu n (8) poprzedniego zespołu warstw epitaksjalnych (2-8). Dioda ma pierwszy terminal prądowy (9), połączony elektrycznie z najbliższą podłożu (1) dolną warstwą o przewodnictwie typu n (2) oraz drugi terminal prądowy (10) połączony elektrycznie z najdalszą podłożu (1) górną warstwą o przewodnictwie typu n (8). Dolne złącze tunelowe (3) ma pierwszą podwarstwę, domieszkowaną na typ n i sąsiadującą z dolną warstwą o przewodnictwie typu n (2), oraz drugą podwarstwę, domieszkowaną na typ p i sąsiadującą z dolną warstwą o przewodnictwie typu p (4). Górne złącze tunelowe (7) ma pierwszą podwarstwę, domieszkowaną na typ p i sąsiadującą z górną warstwą o przewodnictwie typu p (6), oraz drugą podwarstwę, domieszkowaną na typ n i sąsiadującą z górną warstwą o przewodnictwie typu n (8). Opisaną wyżej diodę wytwarza się w procesie wzrostu epitaksjalnego z wiązek molekularnych z użyciem plazmy azotowej (PAMBE).
PL438744A 2021-08-14 2021-08-14 Dwukierunkowa dioda elektroluminescencyjna i sposób wytwarzania takiej diody PL245827B1 (pl)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL438744A PL245827B1 (pl) 2021-08-14 2021-08-14 Dwukierunkowa dioda elektroluminescencyjna i sposób wytwarzania takiej diody
EP22461527.8A EP4135055B1 (en) 2021-08-14 2022-03-20 Bidirectional light emitting diode

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL438744A PL245827B1 (pl) 2021-08-14 2021-08-14 Dwukierunkowa dioda elektroluminescencyjna i sposób wytwarzania takiej diody

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL438744A1 true PL438744A1 (pl) 2023-02-20
PL245827B1 PL245827B1 (pl) 2024-10-21

Family

ID=81328565

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL438744A PL245827B1 (pl) 2021-08-14 2021-08-14 Dwukierunkowa dioda elektroluminescencyjna i sposób wytwarzania takiej diody

Country Status (2)

Country Link
EP (1) EP4135055B1 (pl)
PL (1) PL245827B1 (pl)

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6412971B1 (en) 1998-01-02 2002-07-02 General Electric Company Light source including an array of light emitting semiconductor devices and control method
JP4024431B2 (ja) * 1999-07-23 2007-12-19 株式会社東芝 双方向半導体発光素子及び光伝送装置
US6957899B2 (en) 2002-10-24 2005-10-25 Hongxing Jiang Light emitting diodes for high AC voltage operation and general lighting
US20040206970A1 (en) 2003-04-16 2004-10-21 Martin Paul S. Alternating current light emitting device
TWI371870B (en) 2006-11-08 2012-09-01 Epistar Corp Alternate current light-emitting device and fabrication method thereof
US8598799B2 (en) 2007-12-19 2013-12-03 Epistar Corporation Alternating current light emitting device
US20110204376A1 (en) 2010-02-23 2011-08-25 Applied Materials, Inc. Growth of multi-junction led film stacks with multi-chambered epitaxy system
JP5440525B2 (ja) * 2011-02-26 2014-03-12 豊田合成株式会社 半導体発光素子
JP6561367B2 (ja) 2014-02-26 2019-08-21 学校法人 名城大学 ｎｐｎ型窒化物半導体発光素子の製造方法
US20180323338A1 (en) * 2017-05-04 2018-11-08 X Development Llc Ultraviolet light emitting diode with tunnel junction
US20220294189A1 (en) * 2019-04-04 2022-09-15 Cornell University Monolithically inverted iii-v laser diode realized using buried tunnel junction

Also Published As

Publication number Publication date
PL245827B1 (pl) 2024-10-21
EP4135055A1 (en) 2023-02-15
EP4135055B1 (en) 2026-04-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5048076B2 (ja) 電流拡散層を含む発光ダイオードの製造方法
US8089082B2 (en) Nitride semiconductor LED and fabrication method thereof
KR100380536B1 (ko) 터널접합 구조를 가지는 질화물반도체 발광소자
US7253015B2 (en) Low doped layer for nitride-based semiconductor device
CN101714602A (zh) 用于光电器件的多量子阱结构
US20080054289A1 (en) Light emitting device and methods for forming the same
CN109256444B (zh) 一种发光二极管的外延片及其制备方法
TW200514285A (en) Nitride semiconductro; light-emitting device, light-emitting diode, laser device and lamp using the semiconductor; and production methods thereof
US6222208B1 (en) Light-emitting diode and light-emitting diode array
CN100530726C (zh) Ⅲ-ⅴ族金属氧化物半导体发光场效应晶体管及其制备方法
CN101587930A (zh) 一种氮化镓基led的量子阱结构及生长方法
PL438744A1 (pl) Dwukierunkowa dioda elektroluminescencyjna i sposób wytwarzania takiej diody
CN107808912B (zh) 一种氮化物发光二极管及其制备方法
JP2008078297A (ja) ＧａＮ系半導体発光素子
PL440375A1 (pl) Dioda elektroluminescencyjna o zmiennej barwie emisji i sposób wytwarzania takiej diody
CN107482098B (zh) 一种薄膜led芯片结构
KR100235994B1 (ko) 발광 다이오드 및 그 제조방법
PL440480A1 (pl) Hybrydowa dioda elektroluminescencyjna emitująca pojedyncze fotony i sposób wytwarzania hybrydowej diody elektroluminescencyjnej emitującej pojedyncze fotony
CN103390709B (zh) 一种具有双重作用电极的发光二极管及其制作方法
PL442428A1 (pl) Tyrystor przełączany światłem i sposób wytwarzania takiego tyrystora
US8980728B2 (en) Method of manufacturing a semiconductor apparatus
TWI437730B (zh) 發光二極體
CN2596556Y (zh) 一种GaN基多量子阱蓝光发光二极管
KR20160115902A (ko) 발광 소자 및 그 제조 방법
JP2001015805A (ja) ＡｌＧａＩｎＰ系発光素子及び発光素子用エピタキシャルウェハ