PL82569B1 - - Google Patents

Description

Uprawniony z patentu: Siemens Aktiengesellschaft, Monachium (Re¬ publika Federalna Niemiec i Berlin Zachodni) Uklad do wytwarzania jednostronnie zamknietych rur z materialu pólprzewodnikowego Przedmiotem wynalazku jest uklad do wytwa¬ rzania zamknietych jednostronnie rur z materialu pólprzewodnikowego w drodze wytracania z ga¬ zowego zwiazku materialu pólprzewodnikowego na pusty nosnik rurowy, zamkniety z jednej strony, nagrzewany przez plynacy przezen prad i w któ¬ rego wnetrzu jest umieszczony pret z przewodza¬ cego materialu polaczony galwanicznie z nosni¬ kiem.Znane sa juz uklady w których we wnetrzu nos¬ nika byl umieszczony pret zelazny. W czasie pracy stwierdzono, ze temperatura nosnika byla przy zamknietym koncu o wiele nizsza niz na pozosta¬ lych jego czesciach. Reakcja wytracania materialu pólprzewodnikowego z gazowego zwiazku przebie¬ gala w tym miejscu o wiele wolniej co nie moglo zagwarantowac równomiernej grubosci scianek rury.Celem wynalazku jest wyeliminowanie tych nie¬ dogodnosci i uzyskanie równomiernego wytracania materialu pólprzewodnikowego na calej dlugosci nosnika.Cel ten osiagnieto przez opracowanie ukladu we¬ dlug wynalazku w któryni zastosowano pret z grafitu wegla szklistego, wegla spektralnie czyste¬ go czy tez z pirografitu. Pret wykonany z takiego materialu ma wzglednie duza opornosc wlasciwa.Ten sam prad, który przeplywa przez nosnik ply¬ nie równiez i przez pret powodujac jego nagrze¬ wanie. Cieplo oddawane przez pret podnosi tem- 15 20 25 30 2 perature zamknietego konca nosnika dzieki czemu uzyskuje sie zasadniczo jednakowe wytracanie wzdluz calej dlugosci nosnika.Pret wykonany z grafitu lub jednego z wymie¬ nionych materialów ma jeszcze te zalete, ze w od¬ róznieniu od takich metali jak zelazo czy miedz nie jest atakowany w wysokich temperaturach przez gazowe zwiazki materialów pólprzewodniko¬ wych. Pret jest wprasowywany lub wkrecany w wybranie wykonane w zamknietym koncu nosnika.Wybraniem tym moze byc równiez otwór przelo¬ towy wykonany w zamknietym koncu nosnika, przy czym otwór ten jest zamkniety przez srodkowa czesc wkreconej lub wprasowanej pokrywy o grzyb¬ kowatym przekroju. W tym przypadku pret jest swym czolem Wkrecany lub wprasowywany do tej¬ ze srodkowej czesci. Jezeli wybranie stanowi otwór przelotowy wykonany w zamknietym koncu nosni¬ ka wówczas otwór ten moze byc zamkniety przez wkrecone lub wprasowane w otwór zakonczenie preta przy czym na czolowa sciane preta jest na¬ krecona lub w nia wprasowana srodkowa czesc po¬ krywy o grzybkowatym przekroju. Grzybkowata pokrywa ma srednice równa zewnetrznej srednicy nosnika.Rozwiazanie wedlug wynalazku jest przedstawio¬ ne przykladowo na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia uklad do wytwarzania zamknietych z jednego konca rur z materialu pólprzewodniko¬ wego, fig. 2 — przekrój górnej czesci nosnika, 82 56982 5 3 a fig. 3 — przekrój górnej czesci nosnika w dru¬ gim przykladzie wykonania wynalazku.Uklad wedlug wynalazku zawiera reaktor 1 po¬ laczony gazoszczelnie z dnem 2. W dnie 2 sa umieszczone rury 4 przez które jest wprowadzany 5 zwiazek gazowy wytracanego materialu pólprze¬ wodnikowego oraz gaz reagujacy. Rury 4 sa oto¬ czone innymi rurami 5 przez które wychodza po¬ zostale resztki gazu. W dnie 2 znajduja sie prze¬ pusty 6 przez które sa przeprowadzone do wnetrza 10 reaktora 1 doprowadzenia pradowe 7. Przepusty 6 sa wykonane np. z teflonu a doprowadzenia pradowe 7 ze srebra. Na górnej czesci doprowa¬ dzen pradowych 7 sa osadzone dwa uchwyty 8 19 wykonane np. z grafitu. Na uchwycie 8 jest umiesz- 15 czony rurowy nosnik 11 wykonany np. z grafitu, a na uchwycie 9 pret grafitowy 10. Nosnik 11 i pret 10 maja na swej górnej czesci wykonany gwint 12 laczacy mechanicznie i elektrycznie pret 10 z nos¬ nikiem 11. Pret moze byc wykonany równiez z we- 20 gla. szklistego, wegla spektralnie czystego czy tez pirografitu. Przylozenie napiecia do elektrod 7 po¬ woduje rozgrzanie nosnika 11 i preta 10.Pret 10 przekazuje cieplo na drodze promienio¬ wania we wszystkich kierunkach dzieki czemu 25 szczególnie górna powierzchnia nosnika zostaje na- "grzana do temperatury bliskiej temperaturze pozo¬ stalych czesci nosnika.Skutecznosc dzialania preta 10 moze ulec dalszej poprawie wskutek polaczenia czolowych scian preta 30 10 i nosnika 11 przy pomocy gwintu 12. Polacze¬ nie takie zwieksza opór przejscia pomiedzy pretem 10 i nosnikiem 11 dzieki czemu na scianach czolo¬ wych obu czesci nastepuje zamiana wiekszej ilosci energii elektrycznej w cieplna, proporcjonalnie o 35 zwiekszonej opornosci i zgodnie z prawem Ohma.Wielkosc opornosci przejscia a tym samym roz¬ klad temperatury wzdluz nosnika moze byc opty¬ malnie ustawiany przez odpowiednio glebokie wkrecenie preta 10 w sciane czolowa nosnika 11.Ustawiania tego dokonuje sie przed rozgrzaniem ukladu i przed wytracaniem materialu pólprze¬ wodnikowego. Czolowa sciana nosnika jest celowo zamykana pokrywa 13 dziejki czemu nosnik na zew¬ natrz przedstawia calkowicie gladka powierzchnie.W tym celu, w srodkowej czesci pokrywy 13 i w scianie czolowej preta 10 naciety jest gwint 14 przy pomocy którego mozna skrecic pokrywe 13 z pretem 10 a tym samym i z nosnikiem 11.Wytracanie rury 15 z materialu pólprzewodniko¬ wego odbywa sie w znany sposób podobnie do wy- 50 twarzania pretów z materialu pólprzewodnikowego.Jako zwiazek gazowy stosuje sie trójchiorosilan SiHCl3 a jako gaz reagujacy wodór H2. Wytracanie przebiega w temperaturze od okolo 1100 do 1200°C a najkorzystniej w temperaturze 1150°C. Opornosc 55 4 przejscia reguluje sie przez bardziej lub mniej gle¬ bokie wkrecenie preta.W drugim przykladzie wykonania pret 10 jest polaczony z nosnikiem 11 przy pomocy pokrywki 16. Pokrywka 16 posiada powierzchnie przyIgowa 17 tak zwymiarowana ze umozliwia wprasowanie pokrywki w nosnik 11. Na swej wewnetrznej stro¬ nie pokrywka 16 posiada powierzchnie przylgowa 18 tak zwymiarowana, by umozliwic wprasowanie preta 10 w pokrywe 16 wzglednie nacisniecie po¬ krywy 16 na pret 10. Równiez i w tym rozwia¬ zaniu pomiedzy pretem 10 a nosnikiem 11 znaj¬ duje sie utworzona przez powierzchnie przylgowe 17 i 18 strefa o zwiekszonej opornosci przejscia. :V Równiez i w tym przypadku temperatura czolowej ^ sciany urzadzenia zostaje podwyzszona tak dalece * by umozliwic równomierne wytracanie materialu pólprzewodnikowego na calej powierzchni nosnika.Opornosc przejscia jest regulowana przez zmiane dlugosci odcinka wprasowywanego. W kazdym z rozwiazan mozna równiez stosowac jedno polacze¬ nie srubowe i jedno polaczenie wciskowe. PL

Claims (5)

1. Zastrzezenia patentowe 1. Uklad do wytwarzania jednostronnie zamknie¬ tych rur z materialu pólprzewodnikowego przez wy¬ tracanie z gazowego zwiazku materialu pólprze¬ wodnikowego na nagrzewany bezposrednim prze¬ plywem pradu pusty, zamkniety z jednego konca rurowaty nosnik we wnetrzu którego jest umiesz¬ czony polaczony elektrycznie z nosnikiem pret z materialu przewodzacego, znamienny tym, ze pret jest wykonany z grafitu lub z wegla szklistego, we¬ gla spektralnie czystego czy tez pirografitu.
2. 2. Uklad wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze pret jest wkrecany lub wprasowany w wybranie wykonane w zamknietym koncu nosnika.
3. 3. Uklad wedlug zastrz. 2, znamienny tym, ze wybranie stanowi otwór przelotowy w zamknietym koncu nosnika, zamkniety przez srodkowa czesc wkreconej lub wprasowanej pokrywki o grzybko¬ watym przekroju, przy czym pret jest swa sciana czolowa skrecony ze srodkowa czescia lub nasuniety na te czesc.
4. 4. Uklad wedlug zastrz. 2, znamienny tym, ze wybranie stanowi otwór przelotowy w zamknietym koncu nosnika, zamkniety przez wkrecony lub wprasowany w niego koniec preta, przy czym na sciane czolowa preta jest nacisnieta lub nakrecona srodkowa czesc pokrywki o grzybkowatym prze¬ kroju.
5. 5. Uklad wedlug zastrz. 3 albo 4, znamienny tym, ze grzybkowata pokrywa ma górna czesc o srednicy równej zewnetrznej srednicy nosnika.82 569 Fig. 2 13 16 12 Fig.3 16 17 PL