RS1204A - Alkalni preparati bez amonijaka za čišćenje mikroelektronike sa boljom kompatibilnošću prema supstratu - Google Patents

Alkalni preparati bez amonijaka za čišćenje mikroelektronike sa boljom kompatibilnošću prema supstratu

Info

Publication number
RS1204A
RS1204A YUP-12/04A YUP1204A RS1204A RS 1204 A RS1204 A RS 1204A YU P1204 A YUP1204 A YU P1204A RS 1204 A RS1204 A RS 1204A
Authority
RS
Serbia
Prior art keywords
group
heteroatoms selected
integer
hydroxyethyl
aryl
Prior art date
Application number
YUP-12/04A
Other languages
English (en)
Inventor
Sherman Hsu Chien-Pin
Original Assignee
Mallinckrodt Baker Inc.,
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mallinckrodt Baker Inc., filed Critical Mallinckrodt Baker Inc.,
Publication of RS1204A publication Critical patent/RS1204A/sr
Publication of RS51832B publication Critical patent/RS51832B/sr

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22Organic compounds
    • C11D7/26Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/261Alcohols; Phenols
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/0005Other compounding ingredients characterised by their effect
    • C11D3/0073Anticorrosion compositions
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/02Inorganic compounds ; Elemental compounds
    • C11D3/04Water-soluble compounds
    • C11D3/042Acids
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16Organic compounds
    • C11D3/20Organic compounds containing oxygen
    • C11D3/2068Ethers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16Organic compounds
    • C11D3/26Organic compounds containing nitrogen
    • C11D3/28Heterocyclic compounds containing nitrogen in the ring
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16Organic compounds
    • C11D3/26Organic compounds containing nitrogen
    • C11D3/30Amines; Substituted amines ; Quaternized amines
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16Organic compounds
    • C11D3/26Organic compounds containing nitrogen
    • C11D3/32Amides; Substituted amides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16Organic compounds
    • C11D3/26Organic compounds containing nitrogen
    • C11D3/33Amino carboxylic acids
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/43Solvents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/02Inorganic compounds
    • C11D7/04Water-soluble compounds
    • C11D7/08Acids
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22Organic compounds
    • C11D7/26Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/265Carboxylic acids or salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22Organic compounds
    • C11D7/32Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3209Amines or imines with one to four nitrogen atoms; Quaternized amines
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22Organic compounds
    • C11D7/32Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3218Alkanolamines or alkanolimines
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22Organic compounds
    • C11D7/32Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3263Amides or imides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22Organic compounds
    • C11D7/32Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3281Heterocyclic compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50Solvents
    • C11D7/5004Organic solvents
    • C11D7/5009Organic solvents containing phosphorus, sulfur or silicon, e.g. dimethylsulfoxide
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50Solvents
    • C11D7/5004Organic solvents
    • C11D7/5013Organic solvents containing nitrogen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50Solvents
    • C11D7/5004Organic solvents
    • C11D7/5022Organic solvents containing oxygen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23GCLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G1/00Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
    • C23G1/14Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with alkaline solutions
    • C23G1/20Other heavy metals
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42Stripping or agents therefor
    • G03F7/422Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42Stripping or agents therefor
    • G03F7/422Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/426Stripping or agents therefor using liquids only containing organic halogen compounds; containing organic sulfonic acids or salts thereof; containing sulfoxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10Objects to be cleaned
    • C11D2111/14Hard surfaces
    • C11D2111/22Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22Organic compounds
    • C11D7/26Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/263Ethers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22Organic compounds
    • C11D7/34Organic compounds containing sulfur
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P70/00Cleaning of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P70/10Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H10P70/15Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process by wet cleaning only

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Emergency Medicine (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)

Abstract

Preparati za čišćenje bez amonijaka za čišćenje mikroelektronskih substrata, a naročito oni preparati za čišćenje koji su korisni zato što imaju bolju kompatibilnost prema mikroelektronskim substratima, koje karakterišu osetljivi porozni dielektrici sa niskom-k i visokom-k, i metalizacija sa bakrom. Preparati za čišćenje za skidanje fotozaštitnih slojeva, čišćenje ostataka organskih, organometalnih i neorganskih jedinjenja generisanih plazmom i za čišćenje ostataka od postupaka planarizacije. Preparat za čišćenje sadrži jednu ili više jakih baza koje ne proizvode amonijak, koje imaju ne-nukleofilne, pozitivno naelektrisane kontra-jone i jedno ili više jedinjenja rastvarača koji inhibiraju koroziju jer imaju najmanje dva mesta koja su u stanju da se kompleksiraju sa metalima.

Description

ALKALNI PREPARATI BEZ AMONIJAKA ZA ČIŠĆENJE
MIKROELEKTRONIKE SA BOLJOM KOMPATIBILNOSTI
PREMA SUBSTRATU
Ovaj pronalazak se odnosi na preparate za čišćenje bez amonijaka, za čišćenje mikroelektronskih substrata, a naročito na one preparate za čišćenje koji su korisni zato što imaju poboljšanu kompatibilnost prema mikroelektronskim substratima, koje karakterišu osetljivi dielektrici niske-Ki visoke-Ki metalizacija bakrom. Ovaj pronalazak se takođe odnosi na upotrebu ovih preparata za skidanje fotozaštitnih slojeva, čišćenje ostataka organskih, organometalnih i neorganskih jedinjenja generisanih plazmom i čišćenje ostataka od procesa planarizacije, kao što je hemijsko mehaničko poliranje (CMP), i od aditiva u ostacima guste suspenzije za planarizaciju.
Predložena su mnoga sredstva za čišćenje i skidanje ostataka fotozaštitnog sloja za upotrebu na polju mikroelektronike, kao izlazna ili završna faza proizvodne linije čišćenja. U proizvodnom procesu, taloži se tanak film fotozaštitnog materijala na pločicu kao substrat, a zatim se na ovaj tanki film prenosi lik sheme elektronskog kola. Nakon pečenja, nepolimerizovani zaštitni sloj se uklanja sa razvijačem za materijal fotozaštitnog sloja. Slika koja iz toga proizilazi prenosi se na materijal podloge, koji je obično dielektrik ili metal, preko gasova za nagrizanje iz reaktivne plazme ili rastvora za hemijsko nagrizanje. Gasovi za nagrizanje ili rastvori za hemijsko nagrizanje selektivno napadaju nezaštićenu površinu fotozaštitnog sloja na substratu. Kao rezultat procesa nagrizanja plazmom, talože se kao ostaci sporedni proizvodi fotozaštitnog sloja, gasa za nagrizanje i nagriženog materijala, u okolini ili na bočnim zidovima nagriženih otvora na substratu.
Pored toga, po završetku koraka nagrizanja, maska od zaštitnog sloja se mora ukloniti sa zaštićene površine pločice, tako da se može obaviti završna operacija poliranja. Ovo se može učiniti u koraku spaljivanja u plazmi, korišćenjem pogodnih gasova za spaljivanje u plazmi, ili pomoću vlažnih hemijskih sredstava za skidanje. Nalaženje pogodnog preparata za čišćenje za uklanjanje ovog materijala maske zaštitnog sloja, bez štetnih uticaja na metalnu shemu kola, npr. korodiranjem, rastvaranjem ili zaobljavanjem, pokazalo se takođe problematičnim.
Pošto je nivo integracije u proizvodnji mikroelektronike porastao, a dimenzije šablonizovanih mikroelektronskih uređaja se smanjile, u stanju tehnike je porasla potreba za metalizacijama sa bakrom i dielektricima niske-Ki visoke-K. Ovi materijali predstavljaju dodatne izazove u nalaženju prihvatljivih preparata za čišćenje. Mnogi preparati u procesnoj tehnologiji koji su prethodno razvijeni za "tradicionalne" ili "konvencionalne" uređaje, koji sadrže AI/S1O2ili AI(Cu)/Si02strukture, ne mogu da se koriste za strukture dielektrika sa niskim-K ili visokim-Kmetalizovane bakrom. Na primer, sredstva za skidanje ili sredstva za uklanjanje ostataka, koja se sa uspehom koriste za čišćenje uređaja sa Al metalizacijama, praktično su neupotrebljiva u onima sa bakarnim metalizacijama. Slično, mnoga sredstva za skidanje sa podloge metalizovane bakrom/niske-Knisu pogodna za Al metalizovane uređaje, ukoliko se ne učine značajna podešavanja u sastavima.
Uklanjanje ovih ostataka nagrizanja i/ili spaljivanja, zaostalih posle nagrizanja i/ili procesa spaljivanja, pokazalo se problematičnim. Neuspeh u potpunom uklanjanju ili neutralizaciji ovih ostataka može da dovede do absorpcije vlage i stvaranja neželjenih materijala, koji mogu da izazovu koroziju na metalnim strukturama. Materijali za elektronska kola korodiraju sa nepoželjnim materijalima i stvaraju diskontinuitete u kolima, povećavajući neželjeno električnu otpornost.
Današnja završna sredstva za čišćenje pokazuju širok opseg kompatibilnosti sa nekim osetljivim dielektricima i metalizacijama, koji se kreće od potpune neprihvatljivosti do marginalno zadovoljavajuće prihvatljivosti. Mnoga od današnjih sredstava za skidanje ili sredstava za čišćenje ostataka nisu prihvatljiva za savremene materijale za premošćavanje, kao što su dielektrici niske-Ki metalizacije sa bakrom. Pored toga, tipični alkalni rastvori za čišćenje koji su u upotrebi, preterano su agresivni prema dielektricima niske-Ki visoke-Ki/ili bakarnim metalizacijama. Pored toga, mnogi od ovih alkalnih prpearata za čišćenje sadrže organske rastvarače koji pokazuju nisku stabilnost proizvoda, naročito u opsezima viših pH i na višim procesnim temperaturama.
Prema tome, postoji potreba za preparatima za čišćenje mikroelektronike pogodnih za završne operacije čišćenja, za preparatima koji efikasno čiste, a primenljivi su za skidanje fotozaštitnih slojeva, čisšćenje ostataka od procesa u plazmi koji genereišu organske, organometalne i neorganske materijale, i čišćenje ostataka iz koraka procesa planarizacije, kao što je hemijsko mehaničko poliranje i slično. Ovaj pronalazak se odnosi na preparate koji su efikasni za skidanje fotozaštitnog sloja, pripremu/čišćenje poluprovodničkih površina i struktura, sa dobrom kompatibilnošću prema savremenim materijalima za premošćavanje, kao što su dielektrici niske-Ki visoke-K, i metalizacije sa bakrom. Pronađeno je da su amonijak (NH3) i baze izvedene iz amonijaka, kao što su amonijum-hidroksid i druge soli (NH4X, X = OH, karbonat itd.) u stanju da rastvaraju/korodiraju metale, kao što je bakar, preko stvaranja kompleksa. Dakle, oni su slab izbor za upotrebu u formulacijama za čišćenje poluprovodnika, kada se zahteva kompatibilnost sa dielektricima niske-K(tj. sa vrednošćuk3 ili manjom) i dielektricima visoke-K(tj. vrednošćuk20 ili većom) i metalizacijama sa bakrom. Ova jedinjenja mogu da generišu amonijak preko procesa ravnoteže. Amonijak može da formira kompleks sa metalima, kao što je bakar, koji dovodi do korozije/rastvaranja metala, kao što je pokazano jednačinama koje slede.
Dakle, amonijum-hidroksid i amonijumove soli mogu, preko procesa ravnoteže opisanog u Jednačini 1, da obezbede nukleofilni i za helatiranje metala neophodni amonijak (NH3), naročito kada se dodaju druge baze, kao što su amini i alkanolamini. U prisistvu kiseonika metali, kao što je bakar, mogu da se rastvaraju/korodiraju preko stvaranja kompleksa sa amonijakom, kao što opisuje Jednačina 2. Ovo stvaranje kompleksa može da dodatno pomeri ravnotežu (Jednačina 1) u smeru na desno, dajući još amonijaka, što vodi većem rastvaranju/koroziji metala.
Obično se, osetljivi dielektrici niske-Kznatno degradiraju pod jako alkalnim uslovima. Amonijak i baze izvedene iz amonijaka takođe pokazuju slabu kompatibilnost sa osetljivim dielektricima, kao što je vodonik silseskvioksan (HSQ) i metil silseskvioksan (MSQ). Ponovo, oni mogu stvoriti amonijak i/ili druge nukleofile i tako dovesti do reakcije/degradacije osetljivih dielektrika.
Pronađeno je da formulacije za čišćenje jakih alkalnih baza, koje ne stvaraju amonijak, koje sadrže ne-nukeofilne, pozitivno naelektrisane kontra-jone (kao što je tetraalkilamonijum), u rastvaračima koji sadrže bar jedno sredstvo ili ostatak koji inhibira koroziju, pokazuju znatno poboljšanu kompatibilnost sa osetljivim, poroznim dielektricima niske-Ki visoke-Ki prema metalizaciji sa bakrom. Poželjne matrice rastvarača su otporne prema jako alkalim uslovima, usled efekata stemih smetnji i/ili niske ili nikakve reaktivnosti prema nukleofilnim reakcijama (u odnosu na nukleofile kao što su hidroksilni joni). Bolja kompatibilnost prema dielektricima se delimično postiže usled odsustva nepoželjnih nukleofila u preparatima. Dobra kompatibilnost prema metalizaciji sa bakrom se postiže selektivnom upotrebom nekih prema bakru kompatibilnih rastvarača, ili rastvarača "koji inhibiraju koroziju". Ove komponente se mogu formulisati u polu-vodene do praktično ne-vodene (na bazi organskog rastvarača) rastvore za čišćenje, ili guste suspenzije.
Novi preparat za završno čišćenje iz ovog pronalaska sadrži jednu ili više pogodnih jakih baza, koje ne stvaraju amonijak, koje sadrže ne-nukleofilne, pozitivno naelektrisane kontra-jone i jedan ili više pogodnih rastvarača, stabilnih u jako alkalnim uslovima, koji imaju grupu za inhibiranje korozije u jedinjenju rastvarača. Između pogodnih jakih baza, koje ne stvaraju amonijak, a koje sadrže ne-nukleofilne, pozitivno naelektrisane kontra-jone, za upotrebu u preparatima za čišćenje iz ovog pronalaska, mogu se pomenuti tetraalkilamonijum-hidroksidi i soli formule [(R)4N+]prX"q], gde je svaki R nezavisno, supstituisani ili nesupstituisani alkil, poželjno alkil sa od 1 do 22, poželjnije 1 do 6, atoma ugljenika (R*H); a X = OH ili pogodni anjon soli, kao što je karbonat i slično; a p i q su jednaki, i celi brojevi od 1 do 3. Pogodne jake baze takođe su KOH i NaOH. Preparati za čišćenje koji sadrže jake baze, koje ne stvaraju amonijak, a sadrže ne-nukeofilne, pozitivno naelektrisane kontra-jone, pokazuju znatno bolju kompatibilnost prema poroznim dielektricima niske-Ki metalizaciji sa bakrom. Tetraalkiamonijum-hidroksidi, bez amonijaka, (TAAH) su vrlo jake baze, a ipak je pronađeno sa iznenađenjem da pružaju bolju kompatibilnost prema poroznim dielektricima sa niskom-K, u poređenju sa preparatima za čišćenje sa amonijum-hidroksidom. Naročito su poželjni tetrametilamonijum-hidroksid, tetrabutilamonijum-hidroksid i holin-hidroksid.
lako su prethodni pokušaji za kontrolu ili inhibiciju korozije metala obuhvatali pažljivo kontrolisanje pH i/ili korišćenje jedinjenja za inhibiciju korozije, kao što je benzotriazol (BT), sa relativno niskim koncentracijama <2mas%, pronađeno je da se neočekivano, značajno poboljšanje u kontrolisanju korozije metalnog bakra može obezbediti sa preparatima za čišćenje iz ovog pronalaska, kada se koristi jedan ili više "rastvarača koji inhibiraju koroziju", tj. kada se koristi jedinjenje rastvarača koje ima bar dva mesta koja su u stanju da se kompleksiraju sa metalom.
Poželjni ovakvi rastvarači koji inhibiraju koroziju su jedinjenja koja imaju dva ili više mesta koja su u stanju da se kompleksiraju sa metalom, a imaju jednu od dve opšte formule koje slede:
gde se
W i Y, svaki nezavisno, biraju između =0, -OR, -0-C(0)-R, -C(0)-, -C(0)-R, -S, -S(0)-R, -SR, -S-C(0)-R, -S(0)2-R, -S(0)2, -N, -NH-R, -NRiR2, -NC(0)-R, -NRi-C(0)-R2, -P(0), -P(0)-OR i-P(0)-(OR)2;
X je alkilen, cikloalkilen ili cikloalkilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P, i arilen ili arilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P; a svaki od
R, R-i i R2se nezavisno bira između: vodonik, alkil, cikloalkil ili cikloalkil koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P, i aril, ili ah! koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P; n1 i n2, svaki nezavisno, su ceo broj od 0 do 6; i
z je ceo broj od 1 do 6, kada X predstavlja alkilen, cikloalkilen ili arilen; a
z je ceo broj od 0 do 5 kada X predstavlja cikloalkilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P, ili arilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P;
T se bira između -0, -S, -N i -P;
Z se bira između vodonik, -OR5, -N(Rs)2 i -SR5;
R3, R4i R5, svaki nezavisno, se biraju između vodonik, alkil, cikloalkil ili cikloalkil koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P, i aril ili aril koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, NiP;
m je ceo broj od 0 do 6, i
y je ceo broj od 1 do 6.
U gornjim definicijama alkil i alkilen poželjno je da sadrže od 1 do 6 atoma ugljenika, poželjnije od 1 do 3 atoma ugljenika, cikloalkil i cikloalkilen poželjno je da sadrže od 3 do 6 atoma ugljenika, a aril i arilen poželjno je da sadrže od oko 3 do 14 atoma ugljenika, poželjnije od oko 3 do 10 atoma ugljenika. Alkil je poželjno metil, etil ili propil; alkilen je poželjno metilen, etilen ili propilen; aril je poželjno fenil; arilen je poželjno fenilen; heterosupstituisani cikloalkil je poželjno doksil, morfolinil i pirolidinil; a heterosupstituisani aril je poželjno piridinil.
Neki pogodni primeri ovih rastvarača koji inhibiraju koroziju su, na primer, ali ne i ograničeni njima, etilenglikol, dietilenglikol, glicerin, dietilenglikol dimetiletar, monoetanolamin, dietanolamin, trietanolamin, N.N-dimetiletanolamin, 1-(2-hidroksietil)-2-pirolidinon, 4-(2-hidroksietil)morfolin, 2-(metilamino)etanol, 2-amino-2-metil-1-propanol, 1-amino-2-propanol, 2-(2-aminoetoksi)-etanol, N-(2-hidroksietil)acetamid, N-(2-hidroksietil)sukcinimid i 3-(dietilamino)-1,2-propandiol.
Preparati za čišćenje iz ovog pronalaska koji sadrže jake baze koje ne proizvode amonijak, mogu se formulisati u vodene, polu-vodene preparate i preparate na bazi organskog rastvarača. Jake baze, koje ne proizvode amonijak, a koje sadrže ne-nukleofilne, pozitivno naelektrisane kontra-jone, mogu se korisititi sa rastvaračima koji inhibiraju koroziju, samim ili u kombinaciji sa drugim stabilnim rastvaračima, poželjno sa jednim ili više polarnih organskih rastvarača rezistentnih prema jakim bazama, a koji ne sadrže nukleofile koji nisu stemo ometeni, kao što su dimetilsulfoksid (DMSO), sulfolan (SFL) i dimetilpiperidon. Preparat za čisšćenje može takođe opciono da sadrži organske ili neorganske kiseline, poželjno slabe organske ili neorganske kiseline, sterno ometene amine, stemo ometene alkanolamine i sterno ometene hidroksilamine. Preparati za čišćenje mogu takođe da sadrže i druge inhibitore korozije metala, kao što je benzotriazol, i aril jedinjenja koja sadrže 2 ili više OH ili OR grupa, gde je R alkil ili aril, kao što su na primer katehol, pirogalol, rezorcinol i slično.
Preparati za čišćenje mogu takođe da sadrže i bilo koji pogodan surfaktant, kao što su na primer, dimetilheksinol (Surfynol-61), etoksilovani tetrametildecindiol (Syrfinol-465), politetrafluoroetilen cetoksipropilbetain (Zonyl FSK), (Zonyl FSH) i slično.
U preparatima iz ovog pronalaska može se koristiti bilo koji pogodan silikat bez jona metala. Ovakvi poželjni silikati su kvatememi amonijum-silikati, kao što je tetraalkilamonijum-silikat (uključujući alkil koji sadrži hidroksi i alkoksi grupe, obično sa od 1 do 4 atoma ugljenika u alkil ili alkoksi grupi). Najpoželjnija silikatna komponenta bez jona metala je tetrametilamonijum-silikat. Drugi izvori silikata bez jona metala pogodni za ovaj pronalazak se mogu generisatiin situ,rastvaranjem bilo koga između više sledećih materijala, u jako alkalnom sredstvu za čišćenje. Pogodni materijali bez jona metala, korisni za generisanje silikata u sredstvu za čišćenje, su čvrste pločice silicijuma, silicijumova kiselina, koloidni silicijum-dioksid, dimljeni silicijum-dioksid ili bilo koji drugi pogodan oblik silicijuma ili silicijum-dioksida. Mogu se koristiti metalni silikati, kao što je natrijum-metasilikat, ali se ne preporučuju zbog štetnih efekata i kontaminacije integralnih kola sa metalima. Ovakvi silikati mogu biti prisutni u ovom preparatu u sadržaju od oko 0 do 10 mas%, poželjno u sadržaju od oko 0,1 do oko 5 mas%. Preparati iz ovog pronalaska se mogu takođe formulisati sa pogodnim agensima za helatiranje metala, da se poveća kapacitet formulacije za zadržavanje metala u rastvoru i da se poboljša rastvaranje ostataka metala na pločici substrata. Agens za helatiranje je obično prisutan u ovim preparatima u sadržaju od oko 0 do 5 mas%, poželjno u sadržaju od oko 0,1 do 2 mas%. Tipični primeri agenasa za helatiranje korisnih za ovu svrhu su sledeće organske kiseline, njihovi izomeri i soli: (etilendinitrilo)tetrasirćetna kiselina (EDTA), butilendiamintetrasirćetna kiselina, (1,2-cikloheksilendinitrilo)tetrasirćetna kiselina (CyDTA), dietilentriaminpentasirćetnakiselina (DETPA), etilendiamintetrapropionska kiselina, (hidroksietil)etilendiamintetrasirćetna kiselina (HEDTA), N,N,N',N'-etilendiamintetra(metilenfosfonska) kiselina (EDTMP), trietilentetraminheksa-sirćetna kiselina (TTHA), 1,3-diamino-2-hidroksiproan-N,N,N',N'-tetrasirćetna kiselina (DHPTA), metiliminodisirćetna kiselina, propilendiamintetrasirćetna kiselina, nitrolotirsirćetna kiselina (NTA), limunska kiselina, vinska kiselina, glukonska kiselina, saharinska kiselina, glicerinska kiselina, oksalna kiselina, ftalna kiselina, maleinska kiselina, bademova kiselina, malonska kiselina, mlečna kiselina, salicilna kiselina, katehol, galinska kiselina, propilgalat, pirogalol, 8-hidroksihinolin i cistein. Poželjni agensi za helatiranje su aminokarboksilne kiseline, kao što su EDTA, CyDTA i aminofosfonske kiseline kao što je EDTMP.
Preparati za čišćenje mogu takođe opciono da sadrže fluoridna jedinjenja u preparatu za čišćenje, kao što su na primer, tetrametilamonijum-fluorid, tetrabutilamonijum-fluorid i amonijum-fluorid. Drugi podesni fluoridi su, na primer, fluoroborati, tetrabutilamonijum-fluoroborati, aluminijum-heksafluoridi, antimon-fluorid i slično. Fluoridne komponenete su prisutne u sadržaju od 0 do 10 mas%, poželjno od oko 0,1 do 5 mas%.
Tako, za efikasno uklanjanje i čišćenje fotozaštitnih slojeva, ostataka posle nagrizanja/spaljivanja plazmom, pomoćnih materijala za absorpciju svetlosti i anti-refleksivnih prevlaka (ARC), može se koristiti širok opseg procesnih/radnih pH i temperatura. Nađeno je takođe, da su neke od ovih formulacija naročito efikasne za čišćenje veoma zahtevnih uzoraka, koji u njihovim strukturama sadrže tantal, kao što je barijemi sloj od metalnog tantala (Ta) ili tantal-nitrida, i tantal-oksid.
Preparati za čišćenje iz ovog pronalaska obično sadrže od oko 0,05 do oko 30 mas% jake baze, koja ne proizvodi amonijak; od oko 0,5 do oko 99,95 mas% komponente rastvarača koji inhibira koroziju; od oko 0 do oko 95,45 mas% vode ili drugog organskog ko-rastvarača; od oko 0 do 40 mas% sterno ometenih amina, alkanolamina ili hidroksilamina; oko 0 do 40 mas% organskih ili neorganskih kiselina; oko 0 do 40 mas% jedinjenja koja su inhibitor korozije, kao što su benzotriazol, katehol, i slično; od oko 0 do 5 mas% surfaktanta; od oko 0 do 10 mas% silikata; od oko 0 do 5 mas% agensa za helatiranje; i od oko 0 do 10 mas% fluoridnih jedinjenja.
U delu ove prijave koji sledi koriste se sledeće skraćenice kojima se označavaju naznačena jedinjenja.
HEP = 1-(2-hidroksietil)-2-pirolidonon
TMAH = 25% tetrametilamonijum-hidroksid
BT = benzotriazol
DMSO = dimetilsulfoksid
TEA = trietanolamin
CyDTA = trans-1,2-cikloheksandiamintetrasirćetna kiselina SFL = sulfolan
EG = etilenglikol
CAT = katehol
EDTMP = etilendiamintetra(metilenfosfonska kiselina)
DMPD = dimetilpiperidon
TMAF = 25% tetrametilamonijum-fluorid
BSA = benzensulfonska kiselina
TMAS = 10%tetrametilamonijum-silikat
Primeri ovih vrsta formulacija su dati u Tabelama 1A, 1B i 1C koje slede, gde su količine komponenata naznačene u masenim delovima.
Brzine nagrizanja dielektrika unutar sloja (ILD) za Preparate D i F iz Tabele 1A i Preparate M do S iz Tabele 1C, za razne dielektrike, izračunavaju se u skladu sa sledećom procedurom testiranja.
Debljina filma na komadima pločica se meri pomoću interferometra Rudolph. Komadi pločica (sa materijalom ILD nanetim na silicijumove pločice) se urone 30 min u naznačene preparate za čišćenje, na naznačenoj temperaturi, posle čega se ispiraju dejonizovanom vodom i suše u protoku struje azota. Nakon ovog tretmana se ponovo meri debljina, a brzine nagrizanja se izračunavaju na bazi promene debljine filma, izazvane naznačenim tretmanima. Rezultati su dati u Tabelama 2, 3, 4 i 5. Primeri koji slede odlično ilustruju kompaktibilnost preparata iz ovog pronalska prema Cu, u poređenju sa relativno slabom kompatibilnošću prema Al. Podaci su dati za Preparate D i F iz Tabele 1A i za Preparat L iz Tabele 1B.
Brzina nagrizanja bakra i aluminijuma u preparatima za čišćenje iz ovog pronalaska je demonstrirana podacima o brzini nagrizanja u Tabelama 6 i 7 koje slede. Brzina nagrizanja je određivana koristeći sledeću proceduru testiranja. Koriste se komadi aluminijumske ili bakarne folije od približno 13x50mm. Izmeri se masa komada folije. Posle čišćenja komada folije sa 2-propanolom, destilovanom vodom i acetonom, komadi folije se osuše u sušnici. Očišćeni, suvi komadi folije se zatim stavljaju u pokrivene tegle u pethodno zagrejane preparate iz ovog pronalaska, pa se stave u vakuum sušnicu za vreme od 2 do 24 h, na naznačenu temperaturu. Posle tretmana i uklanjanja iz sušnice i tegli, očišćene folije se obilno isperu destilovanom vodom i suše 1 h u sušnici, zatim ostave da se ohlade na sobnu temperaturu, pa se brzina nagrizanja određuje na bazi gubitska mase ili promene mase.
Prednost od rastvarača koji inhibiraju koroziju u preparatima iz ovog pronalaska je demonstrirana sledećim primerima, koristeći razne rastvarače koji inhibiraju koroziju, sa uporednim podacima za dva uporedna primera, bez prisustva rastvarača koji inhibiraju koroziju. Test brzine nagrizanja Cu je obavljen na isti način kao što je opisano ranije, a rezultati su dati u Tabeli 8.
Sličan test brzina nagrizanja Cu je obavljen sa formulacijom koja sadrži TMAH, DMSO i H20, sa i bez rastvarača koji inhibira koroziju, a podaci o brzini nagrizanja su dati u Tabeli 9.
Sledeća serija ispitivanja brzine nagrizanja bakra je obavljena sa formulaciom SFL i TMAH, sa i bez prisustva rastvarača koji inhibira koroziju u formulaciji. Podaci tog testa su prikazani u Tabeli 10.
Sledeći primer pokazuje superiornu kompatibilnost jakih baza bez-amonijaka iz ovog pronalaska, npr. TMAH, u poređenju sa amonijačnim bazama, npr. amonijum-hidroksidom (NH4OH), prema osetljivom dielektriku niske-K, kao što je vodonik silseskvioksan (HSQ), tip tečljivog oksida Fox-15™. Procedura testa je sledeća. Uzorci pločica obloženih filmom dielektrika se urone u hemijski rastvor koji se meša magnetnom mešalicom (brzina mešanja 300 o/min), posle koga sledi ispiranje sa izopropanolom i destilovanom vodom. Uzorci se zatim suše u struji azota, pre IR analize.
IR spektri propustljivosti se dobijaju sa spektrometrom Nicolet 740 FTIR, koristeći deuterizovani triglicilsulfat (DTGS) kao detektor. Spektri su dobijeni sa razdvajanjem od 4 cm"<1>i uprosečeni za 32 skenovanja. Analiza Furieove transformacije infracrvenog spektra (FTIR) pruža način za praćenje strukturnih pramena dielektrika HSQ. Infracrvene absorpcione trake pripisane tipičnim istaloženim filmovima HSQ su kao što sledi.
Infracrvene absorpcione trake pripisane dielektriku HSQ
Sadržaj Si-H veza u filmovima HSQ se može odrediti merenjem površina ispod pika absorpcionih traka Si-H na 2250 cm"<1>. Koristeći kao interni standard/ referencu absorpciju svojstvenu silicijumskoj pločici na 650-525 cm"<1>(iz veza Si-Si u rešetki i Si-C nečistoćama), dobije se dobra preciznost u kvantitativnim analizama IR (relativno odstupanje u standardu: 2-5%).
Sposobnost čišćenja preparata iz ovog pronalaska je ilustrovana sledećim testovima u kojima se mikroelektronska struktura (koja se sastoji od pločice sledeće strukture: fotozaštitni sloj/oksid dopiran ugljenikom/silicijum-nitird/bakar, s tim da je silicijum-nitrid probušen tako da je izložen bakar) uroni u rastvore za čišćenje u naznačenom vremenu i naznačenoj temperaturi, pa ispere vodom, osuši i zatim se određuje efekat čišćenja inspekcijom pomoću SEM. Rezultati su dati u Tabeli 12.
Isti test čišćenja je obavljen na mikroelektronskom substratu koji se sastoji od pločice sledeće linearne strukture: fotozaštitni sloj/tantal-nitrid/FSG/bakar. Dva komercijalna proizvoda za čišćenje iz prethodnog stanja tehnike su testirana takođe, radi poređenja. Rezultati čišćenja su dati u Tabeli 13.
Sličan test čišćenja je obavljen na mikroelektronskoj strukturi koju čini pločica sledeće strukture: fotozaštitni sloj/oksid dopiran ugljenikom/silicijum-nitrid/bakar, stim da je silicijum-nitrid probušen da bi se izložio akar. Rezultati su dati u Tabeli 14.
Sličan test čišćenja je obavljen na mikroelektronskoj strukturi koju čini pločica sledeće strukture: pTEOS/Coral/SiN/Coral/SiN/bakar. Rezultati su dati u Tabeli 15.
Pomoću prethodnog opisa ovog pronalaska, oni koji su verzirani u stanje tehnike podrazumevaju da se mogu načiniti modifikacije ovog pronalaska bez odstupanja od njegovog duha i obima. Stoga, namera je da obim obog pronalaska ne bude ograničen na specifične realizacije koje su ilustrovane i prikazane.

Claims (48)

1. Preparat za čišćenje, za čišćenje mikroelektronskih substrata, naznačen time, što pomenuti preparat za čišćenje sadrži: od oko 0,05 do 30 mas% jedne ili više jakih baza koje ne proizvode amonijak, a koje sadrže ne-nukleofilne, pozitivno naelektrisane kontra-jone; od oko 0,5 do oko 99,95 mas% jednog ili više jedinjenja rastvarača koji inhibira koroziju, tako što ima najmanje dva mesta koja su u stanju da se kompleksiraju sa metalima; od oko 0 do oko 99,45 mas% vode ili drugog organskog ko-rastvarača; od oko 0 do oko 40 mas% sterno ometenog amina ili alkanolamina; od oko 0 do 40 mas% organske ili neorganske kiseline; od oko 0 do 40 mas% drugih jedinjenja koja su inhibitor korozije metala; od oko 0 do 5 mas% surfaktanta; od oko 0 do 10 mas% silikatnog jedinjenja bez jona metala; od oko 0 do 5 mas% agensa za helatiranje metala; i od oko 0 do 10 mas% fluoridnog jedinjenja.
2. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 1, naznačen time, što jaku bazu koja ne proizvodi amonijak predstavlja tetraalkilamonijum-hidroksid ili njegova so.
3. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 2, naznačen time, što je tetraalkilamonijum-hidroksid ili njegova so jedinjenje formule: gde je svaki R nezavisno, supstituisana ili nesupstituisana alkil grupa; X je OH ili anjon soli; a p i q su jednaki, i predstavljaju cele brojeve od 1 do 3.
4. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 3, naznačen time, što je R alkil grupa koja sadrži od 1 do 22 atoma ugljenika, a X je OH.
5. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 4, naznačen time, što je R alkil grupa sa od 1 do 6 atoma ugljenika.
6. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 1, naznačen time, što je jedinjenje rastvarača koji inhibira koroziju jedinjenje koje se bira između formula: gde se W i Y, svaki nezavisno, biraju iz grupe koju čine: =0, -OR, -0-C(0)-R, -C(0)-, -C(0)-R, -S, -S(0)-R, -SR, -S-C(0)-R, -S(0)2-R, -S(0)2, -N, -NH-R, -NR^z, -NC(0)-R, -NR^CfOH^, -P(0), -P(0)-OR i-P(0)-(OR)2; X se bira iz grupe koju čine alkilen, cikloalkilen ili cikloalkilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P, i arilen ili arilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P; a svaki od R, R-i i R2se nezavisno biraju iz grupe koju čine: vodonik, alkil, cikloalkil ili cikloalkil koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P, i aril, ili aril koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P; n1 i n2, svaki nezavisno, su ceo broj od 0 do 6; i z je ceo broj od 1 do 6, kada X predstavlja alkilen, cikloalkilen ili arilen; a z je ceo broj od 0 do 5 kada X predstavlja cikloalkilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P, ili arilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P; T se bira iz grupe koju čine -0, -S, -N i -P; Z se bira iz grupe koju čine vodonik, -OR5, -N(R5)2i -SR5; R3, R4i R5, svaki nezavisno, se biraju iz grupe koju čine vodonik, alkil, cikloalkil ili cikloalkil koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P, i aril ili aril koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P; m je ceo broj od 0 do 6, i y je ceo broj od 1 do 6.
7. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 2, naznačen time, što je jedinjenje rastvarača koji inhibira koroziju jedinjenje koje se bira između formula: gde se W i Y, svaki nezavisno, biraju iz grupe koju čine: =0, -OR, -0-C(0)-R, -C(0)-, -C(0)-R, -S, -S(0)-R, -SR, -S-C(0)-R, -S(0)2-R, -S(0)2, -N, -NH-R, -NRiR2, -NC(0)-R, -NR1-C(0)-R2, -P(0), -P(0)-OR i -P(0)-(OR)2; X se bira iz grupe koju čine alkilen, cikloalkilen ili cikloalkilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P, i arilen ili arilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P; a svaki od R, R1i R2se nezavisno biraju iz grupe koju čine: vodonik, alkil, cikloalkil ili cikloalkil koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P, i aril, ili aril koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P; n1 i n2, svaki nezavisno, su ceo broj od 0 do 6; i z je ceo broj od 1 do 6, kada X predstavlja alkilen, cikloalkilen ili arilen; a z je ceo broj od 0 do 5 kada X predstavlja cikloalkilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P, ili arilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P; T se bira iz grupe koju čine -0, -S, -N i -P; Z se bira iz grupe koju čine vodonik, -OR5, -N(Rs)2 i -SR5; R3, R4i R5, svaki nezavisno, se biraju iz grupe koju čine vodonik, alkil, cikloalkil ili cikloalkil koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P, i aril ili aril koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P; m je ceo broj od 0 do 6, i y je ceo broj od 1 do 6.
8. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 3, naznačen time, što je jedinjenje rastvarača koji inhibira koroziju jedinjenje koje se bira između formula: gde se W i Y, svaki nezavisno, biraju iz grupe koju čine: =0, -OR, -0-C(0)-R, -C(0)-, -C(0)-R, -S, -S(0)-R, -SR, -S-C(0)-R, -S(0)2-R, -S(0)2, -N, -NH-R, -NR1R2, -NC(0)-R, -NRi-C(0)-R2, -P(0), -P(0)-OR i-P(0)-(OR)2; X se bira iz grupe koju čine alkilen, cikloalkilen ili cikloalkilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P, i arilen ili arilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P; a svaki od R, R1i R2se nezavisno biraju iz grupe koju čine: vodonik, alkil, cikloalkil ili cikloalkil koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P, i aril, ili aril koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P; n1 i n2, svaki nezavisno, su ceo broj od 0 do 6; i z je ceo broj od 1 do 6, kada X predstavlja alkilen, cikloalkilen ili arilen; a z je ceo broj od 0 do 5 kada X predstavlja cikloalkilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P, ili arilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P; T se bira iz grupe koju čine -0, -S, -N i -P; Z se bira iz grupe koju čine vodonik, -OR5, -N(Rs)2i -SR5; R3, R4i R5, svaki nezavisno, se biraju iz grupe koju čine vodonik, alkil, cikloalkil ili cikloalkil koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P, i aril ili arii koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P; m je ceo broj od 0 do 6, i y je ceo broj od 1 do 6.
9. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 4, naznačen time, što je jedinjenje rastvarača koji inhibira koroziju jedinjenje koje se bira između formula: gde se W i Y, svaki nezavisno, biraju iz grupe koju čine: =0, -OR, -0-C(0)-R, -C(0)-, -C(0)-R, -S, -S(0)-R, -SR, -S-C(0)-R, -S(0)2-R, -S(0)2, -N, -NH-R, -NR1R2, -NC(0)-R, -NRi-C(0)-R2) -P(0), -P(0)-OR i -P(0)-(OR)2; X se bira iz grupe koju čine alkilen, cikloalkilen ili cikloalkilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P, i arilen ili arilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P; a svaki od R, R1i R2se nezavisno biraju iz grupe koju čine: vodonik, alkil, cikloalkil ili cikloalkil koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P, i aril, ili aril koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P; n1 i n2, svaki nezavisno, su ceo broj od 0 do 6; i z je ceo broj od 1 do 6, kada X predstavlja alkilen, cikloalkilen ili arilen; a z je ceo broj od 0 do 5 kada X predstavlja cikloalkilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P, ili arilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P; T se bira iz grupe koju čine -0, -S, -N i -P; Z se bira iz grupe koju čine vodonik, -0R5, -N(R5)2i -SR5; R3, R4 i R5, svaki nezavisno, se biraju iz grupe koju čine vodonik, alkil, cikloalkil ili cikloalkil koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P, i aril ili aril koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P; m je ceo broj od 0 do 6, i y je ceo broj od 1 do 6.
10. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 5, naznačen time, što je jedinjenje rastvarača koji inhibira koroziju jedinjenje koje se bira između formula: gde se W i Y, svaki nezavisno, biraju iz grupe koju čine: =0, -OR, -0-C(0)-R, -C(0)-, -C(0)-R, -S, -S(0)-R, -SR, -S-C(0)-R, -S(0)2-R, -S(0)2, -N, -NH-R, -NR^, -NC(0)-R, -NRi-CCOJ-Rs, -P(0), -P(0)-OR i -P(0)-(OR)2; X se bira iz grupe koju čine alkilen, cikloalkilen ili cikloalkilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P, i arilen ili arilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P; a svaki od R, R-i i R2se nezavisno biraju iz grupe koju čine: vodonik, alkil, cikloalkil ili cikloalkil koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P, i aril, ili aril koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P; n1 i n2, svaki nezavisno, su ceo broj od 0 do 6; i z je ceo broj od 1 do 6, kada X predstavlja alkilen, cikloalkilen ili arilen; a z je ceo broj od 0 do 5 kada X predstavlja cikloalkilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P, ili arilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P; T se bira iz grupe koju čine -0, -S, -N i -P; Z se bira iz grupe koju čine vodonik, -OR5, -N(R5)2i -SR5; R3, R4 i R5, svaki nezavisno, se biraju iz grupe koju čine vodonik, alkil, cikloalkil ili cikloalkil koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P, i aril ili aril koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P; m je ceo broj od 0 do 6, i y je ceo broj od 1 do 6.
11. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 10, naznačen time, što u definicijama R do R5alkil grupa ima od 1 do 6 atoma ugljenika, a aril grupa ima od 3 do 14 atoma ugljenika.
12. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 1, naznačen time, što se rastvarač koji inhibira koroziju bira iz grupe koju čine etilenglikol, dietilenglikol, glicerin, dietilenglikol dimetiletar, monoetanolamin, dietanolamin, trietanolamin, N,N-dimetiletanolamin, 1-(2-hidroksietil)-2-piroIidinon, 4-(2-hidroksietil)morfolin, 2-(metilamino)etanol, 2-amino-2-metil-1-propanol, 1-amino-2-propanol, 2-(2-aminoetoksi)-etanol, N-(2-hidroksietil)acetamid, N-(2-hidroksietil)sukcinimid i 3-(dietilamino)-l ,2-propandiol.
13. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 2, naznačen time, što se rastvarač koji inhibira koroziju bira iz grupe koju čine etilenglikol, dietilenglikol, glicerin, dietilenglikol dimetiletar, monoetanolamin, dietanolamin, trietanolamin, N,N-dimetiletanolamin, 1-(2-hidroksietil)-2-pirolidinon, 4-(2-hidroksietil)morfolin, 2-(metilamino)etanol, 2-amino-2-metil-1-propanol, 1-amino-2-propanol, 2-(2-aminoetoksi)-etanol, N-(2-hidroksietil)acetamid, N-(2-hidroksietil)sukcinimid i 3-(dietilamino)-l ,2-propandiol.
14. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 3, naznačen time, što se rastvarač koji inhibira koroziju bira iz grupe koju čine etilenglikol, dietilenglikol, glicerin, dietilenglikol dimetiletar, monoetanolamin, dietanolamin, trietanolamin, N,N-dimetiletanolamin, 1-(2-hidroksietil)-2-pirolidinon, 4-(2-hidroksietil)morfolin, 2-(metilamino)etanol, 2-amino-2-metil-1-propanol, 1-amino-2-propanol, 2-(2-aminoetoksi)-etanol, N-(2-hidroksietil)acetamid, N-(2-hidroksietil)sukcinimid i 3-(dietilamino)-l ,2-propandiol.
15. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 4, naznačen time, što se rastvarač koji inhibira koroziju bira iz grupe koju čine etilenglikol, dietilenglikol, glicerin, dietilenglikol dimetiletar, monoetanolamin, dietanolamin, trietanolamin, N,N-dimetiletanolamin, 1-(2-hidroksietil)-2-pirolidinon, 4-(2-hidroksietil)morfolin, 2-(metilamino)etanol, 2-amino-2-metil-1-propanol, 1-amino-2-propanol, 2-(2-aminoetoksi)-etanol, N-(2-hidroksietil)acetamid, N-(2-hidroksietil)sukcinimid i 3-(dietilamino)-l ,2-propandiol.
16. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 5, naznačen time, što se rastvarač koji inhibira koroziju bira iz grupe koju čine etilenglikol, dietilenglikol, glicerin, dietilenglikol dimetiletar, monoetanolamin, dietanolamin, trietanolamin, N,N-dimetiletanolamin, 1-(2-hidroksietil)-2-pirolidinon, 4-(2-hidroksietil)morfolin, 2-(metilamino)etanol, 2-amino-2-metil-1-propanol, 1-amino-2-propanol, 2-(2-aminoetoksi)-etanol, N-(2-hidroksietil)acetamid, N-(2-hidroksietil)sukcinimid i 3-(dietilamino)-l ,2-propandiol.
17. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 1, naznačen time, što sadrži vodu ili najmanje jedan drugi organski ko-rastvarač koji se bira iz grupe koju čine dimetilsulfoksid, sulfolan i dietanolamin.
18. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 6, naznačen time, što sadrži vodu ili najmanje jedan drugi organski ko-rastvarač koji se bira iz grupe koju čine dimetilsulfoksid, sulfolan i dietanolamin.
19. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 11, naznačen time, što sadrži vodu ili najmanje jedan drugi organski ko-rastvarač koji se bira iz grupe koju čine dimetilsulfoksid, sulfolan i dietanolamin.
20. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 16, naznačen time, što sadrži vodu ili najmanje jedan drugi organski ko-rastvarač koji se bira iz grupe koju čine dimetilsulfoksid, sulfolan i dietanolamin.
21. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 1, naznačen time, što sadrži tetrametilamonijum-hidroksid, trietanolamin, trans-1,2-cikloheksandiamintetra-sićetnu kiselinu, sulfolan i vodu.
22. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 1, naznačen time, što sadrži tetrametilamonijum-hidroksid, 1-(2-hidroksietil)-2-pirolidinon i vodu.
23. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 1, naznačen time, što sadrži tetrametilamonijum-hidroksid, dimetilsulfoksid, trietanolamin i vodu
24. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 1, naznačen time, što sadrži tetrametilamonijum-hidroksid, trietanolamin, etilenglikol, etilendiamin-tetra(metilenfosfonsku kiselinu) i vodu.
25. Postupak za čišćenje mikroelektronskog substrata koji ima najmanje jedan porozni dielektrik, dielektrik niskek, dielektrik visoke-Ki metalizaciju sa bakrom, naznačen time, što se taj postupak sastoji u dovođenju u kontakt ovog substrata sa preparatom za čišćenje dovoljno dugo vremena da se substrat očisti, pri čemu taj rastvor za čišćenje sadrži: od oko 0,05 do 30 mas% jedne ili više jakih baza koje ne proizvode amonijak, a koje sadrže ne-nukleofilne, pozitivno naelektrisane kontra-jone; od oko 0,5 do oko 99,95 mas% jednog ili više jedinjenja rastvarača koji , inhibiraju koroziju, a pomenuto jedinjenje rastvarača koje inhibira koriziju ima najmanje dva mesta u sposobna za kompleksiranje metala; od oko 0 do oko 99,45 mas% vode ili drugog organskog ko-rastvarača; od oko 0 do oko 40 mas% sterno ometenog amina ili alkanolamina; od oko 0 do 40 mas% organske ili neorganske kiseline; od oko 0 do 40 mas% drugih jedinjenja koja su inhibitor korozije metala; od oko 0 do 5 mas% surfaktanta; od oko 0 do 10 mas% silikatnog jedinjenja bez jona metala; od oko 0 do 5 mas% agensa za helatiranje metala; i od oko 0 do 10 mas% fluoridnog jedinjenja.
26. Postupak prema Zahtevu 25, naznačen time, što jaku bazu koja ne proizvodi amonijak predstavlja tetraalkilamonijum-hidroksid ili njegova so.
27. Postupak prema Zahtevu 26, naznačen time, što je tetraalkilamonijum-hidroksid ili njegova so jedinjenje formule: gde je svaki R nezavisno, supstituisana ili nesupstituisana alkil grupa, X je OH ili anjon soli; a p i q su jednaki i predstavljaju ceo broj od 1 do 3.
28. Postupak prema Zahtevu 27, naznačen time, što je R alkil grupa koja sadrži od 1 do 22 atoma ugljenika, a X je OH ili karbonat.
29. Postupak prema Zahtevu 27, naznačen time, što je R alkil grupa sa od 1 do 6 atoma ugljenika.
30. Postupak prema Zahtevu 25, naznačen time, što je jedinjenje rastvarača koji inhibira koroziju jedinjenje koje se bira između formula: gde se W i Y, svaki nezavisno, biraju iz grupe koju čine: =0, -OR, -0-C(0)-R, -C(0)-, -C(0)-R, -S, -S(0)-R, -SR, -S-C(0)-R, -S(0)2-R, -S(0)2, -N, -NH-R, -NR1R2, -NC(0)-R, -NRrCCOJ-R^ -P(0), -P(0)-OR i -P(0)-(OR)2; X se bira iz grupe koju čine alkilen, cikloalkilen ili cikloalkilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P, i arilen ili arilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P; a svaki od R, R- i i R2se nezavisno biraju iz grupe koju čine: vodonik, alkil, cikloalkil ili cikloalkil koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P, i aril, ili aril koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P; n1 i n2, svaki nezavisno, su ceo broj od 0 do 6; i z je ceo broj od 1 do 6, kada X predstavlja alkilen, cikloalkilen ili arilen; a z je ceo broj od 0 do 5 kada X predstavlja cikloalkilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P, ili arilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P; T se bira iz grupe koju čine -0, -S, -N i -P; Z se bira iz grupe koju čine vodonik, -OR5, -N(Rs)2i -SR5; R3, R4i R5, svaki nezavisno, se biraju iz grupe koju čine vodonik, alkil, cikloalkil ili cikloalkil koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P, i aril ili aril koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P; m je ceo broj od 0 do 6, i y je ceo broj od 1 do 6.
31. Postupak prema Zahtevu 26, naznačen time, što je jedinjenje rastvarača koji inhibira koroziju jedinjenje koje se bira između formula: gde se W i Y, svaki nezavisno, biraju iz grupe koju čine: =0, -OR, -0-C(0)-R, -C(0)-, -C(0)-R, -S, -S(0)-R, -SR, -S-C(0)-R, -S(0)2-R, -S(0)2, -N, -NH-R, -NR1R2, -NC(0)-R, -NR1-C(0)-R2, -P(0), -P(0)-OR i-P(0)-(OR)2; X se bira iz grupe koju čine alkilen, cikloalkilen ili cikloalkilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P, i arilen ili arilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P; a svaki od R, Rti R2se nezavisno biraju iz grupe koju čine: vodonik, alkil, cikloalkil ili cikloalkil koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P, i aril, ili aril koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P; n1 i n2, svaki nezavisno, su ceo broj od 0 do 6; i z je ceo broj od 1 do 6, kada X predstavlja alkilen, cikloalkilen ili arilen; a z je ceo broj od 0 do 5 kada X predstavlja cikloalkilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P, ili arilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P; T se bira iz grupe koju čine -O, -S, -N i -P; Z se bira iz grupe koju čine vodonik, -0R5, -N(R5)2i -SR5; R3, R4i R5, svaki nezavisno, se biraju iz grupe koju čine vodonik, alkil, cikloalkil ili cikloalkil koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P, i aril ili aril koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P; m je ceo broj od 0 do 6, i y je ceo broj od 1 do 6.
32. Postupak prema Zahtevu 27, naznačen time, što je jedinjenje rastvarača koji inhibira koroziju jedinjenje koje se bira između formula: gde se W i Y, svaki nezavisno, biraju iz grupe koju čine: =0, -OR, -0-C(0)-R, -C(0)-, -C(0)-R, -S, -S(0)-R, -SR, -S-C(0)-R, -S(0)2-R, -S(0)2, -N, -NH-R, -NR^, -NC(0)-R, -NR^C^^Rz, -P(0), -P(0)-OR i -P(0)-(OR)2; X se bira iz grupe koju čine alkilen, cikloalkilen ili cikloalkilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P, i arilen ili arilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P; a svaki od R, Ri i R2se nezavisno biraju iz grupe koju čine: vodonik, alkil, cikloalkil ili cikloalkil koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P, i aril, ili aril koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P; n1 i n2, svaki nezavisno, su ceo broj od 0 do 6; i z je ceo broj od 1 do 6, kada X predstavlja alkilen, cikloalkilen ili arilen; a z je ceo broj od 0 do 5 kada X predstavlja cikloalkilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P, ili arilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P; T se bira iz grupe koju čine -O, -S, -N i -P; Z se bira iz grupe koju čine vodonik, -ORs, -N(R5)2i -SR5; R3, R4 i R5, svaki nezavisno, se biraju iz grupe koju čine vodonik, alkil, cikloalkil ili cikloalkil koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P, i aril ili aril koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P; m je ceo broj od 0 do 6, i y je ceo broj od 1 do 6.
33. Postupak prema Zahtevu 28, naznačen time, što je jedinjenje rastvarača koji inhibira koroziju jedinjenje koje se bira između formula: gde se W i Y, svaki nezavisno, biraju iz grupe koju čine: =0, -OR, -0-C(0)-R, -C(0)-, -C(0)-R, -S, -S(0)-R, -SR, -S-C(0)-R, -S(0)2-R, -S(0)2, -N, -NH-R, -NR-|R2, -NC(0)-R, -NRrC(0)-R2, -P(0), -P(0)-OR i -P(0)-(OR)2; X se bira iz grupe koju čine alkilen, cikloalkilen ili cikloalkilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P, i arilen ili arilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P; a svaki od R, Ri i R2se nezavisno biraju iz grupe koju čine: vodonik, alkil, cikloalkil ili cikloalkil koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P, i aril, ili aril koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P; n1 i n2, svaki nezavisno, su ceo broj od 0 do 6; i z je ceo broj od 1 do 6, kada X predstavlja alkilen, cikloalkilen ili arilen; a z je ceo broj od 0 do 5 kada X predstavlja cikloalkilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P, ili arilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P; T se bira iz grupe koju čine -0, -S, -N i -P; Z se bira iz grupe koju čine vodonik, -ORs, -N(Rs)2i -SR5; R3, R4i R5, svaki nezavisno, se biraju iz grupe koju čine vodonik, alkil, cikloalkil ili cikloalkil koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P, i aril ili aril koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P; m je ceo broj od 0 do 6, i y je ceo broj od 1 do 6.
34. Postupak prema Zahtevu 29, naznačen time, što je jedinjenje rastvarača koji inhibira koroziju jedinjenje koje se bira između formula: gde se W i Y, svaki nezavisno, biraju iz grupe koju čine: =0, -OR, -0-C(0)-R, -C(0)-, -C(0)-R, -S, -S(0)-R, -SR, -S-C(0)-R, -S(0)2-R, -S(0)2, -N, -NH-R, -NRiR2, -NC(0)-R, -NRrC(0)-R2, -P(0), -P(0)-OR i -P(0)-(OR)2; X se bira iz grupe koju čine alkilen, cikloalkilen ili cikloalkilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P, i arilen ili arilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P; a svaki od R, Rii R2se nezavisno biraju iz grupe koju čine: vodonik, alkil, cikloalkil ili cikloalkil koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P, i aril, ili aril koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P; n1 i n2, svaki nezavisno, su ceo broj od 0 do 6; i z je ceo broj od 1 do 6, kada X predstavlja alkilen, cikloalkilen ili arilen; a z je ceo broj od 0 do 5 kada X predstavlja cikloalkilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P, ili arilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P; T se bira iz grupe koju čine -O, -S, -N i -P; Z se bira iz grupe koju čine vodonik, -0R5, -N(R5)2i -SR5; R3, R4i R5, svaki nezavisno, se biraju iz grupe koju čine vodonik, alkil, cikloalkil ili cikloalkil koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P, i aril ili aril koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P; m je ceo broj od 0 do 6, i y je ceo broj od 1 do 6.
35. Postupak prema Zahtevu 34, naznačen time, što R do R5 alkil grupa ima od 1 do 6 atoma ugljenika i aril grupa ima od 3 do 14 atoma ugljenika.
36. Postupak prema Zahtevu 25, naznačen time, što se rastvarač koji inhibira koroziju bira iz grupe koju čine etilenglikol, dietilenglikol, glicerin, dietilenglikol dimetiletar, monoetanolamin, dietanolamin, trietanolamin, N,N-dimetiletanolamin, 1-(2-hidroksietil)-2-pirolidinon, 4-(2-hidroksietil)morfolin, 2-(metilamino)etanol, 2-amino-2-metil-1-propanol, 1-amino-2-propanol, 2-(2-aminoetoksi)-etanol, N-(2-hidroksietil)acetamid, N-(2-hidroksietil)sukcinimid i 3-(dietilamino)-1,2-propandiol.
37. Postupak prema Zahtevu 26, naznačen time, što se rastvarač koji inhibira koroziju bira iz grupe koju čine etilenglikol, dietilenglikol, glicerin, dietilenglikol dimetiletar, monoetanolamin, dietanolamin, trietanolamin, N,N-dimetiletanolamin, 1-(2-hidroksietil)-2-pirolidinon, 4-(2-hidroksietil)morfolin, 2-(metilamino)etanol, 2-amino-2-metil-1-propanol, 1-amino-2-propanol, 2-(2-aminoetoksi)-etanol, N-(2-hidroksietil)acetamid, N-(2-hidroksietil)sukcinimid i 3-(dietilamino)-1,2-propandiol.
38. Postupak prema Zahtevu 27, naznačen time, što se rastvarač koji inhibira koroziju bira iz grupe koju čine etilenglikol, dietilenglikol, glicerin, dietilenglikol dimetiletar, monoetanolamin, dietanolamin, trietanolamin, N,N-dimetiletanolamin, 1-(2-hidroksietil)-2-pirolidinon, 4-(2-hidroksietil)morfolin, 2-(metilamino)etanol, 2-amino-2-metil-l-propanol, 1-amino-2-propanol, 2-(2-aminoetoksi)-etanol, N-(2-hidroksietil)acetamid, N-(2-hidroksietil)sukcinimid i 3-{dietilamino)-1,2-propandiol.
39. Postupak prema Zahtevu 28, naznačen time, što se rastvarač koji inhibira koroziju bira iz grupe koju čine etilenglikol, dietilenglikol, glicerin, dietilenglikol dimetiletar, monoetanolamin, dietanolamin, trietanolamin, N,N-dimetiletanolamin, 1-(2-hidroksietil)-2-pirolidinon, 4-(2-hidroksietil)morfolin, 2-(metilamino)etanol, 2-amino-2-metil-1-propanol, 1-amino-2-propanol, 2-(2-aminoetoksi)-etanol, N-(2-hidroksietil)acetamid, N-(2-hidroksietil)sukcinimid i 3-(dietilamino)-1,2-propandiol.
40. Postupak prema Zahtevu 29, naznačen time, što se rastvarač koji inhibira koroziju bira iz grupe koju čine etilenglikol, dietilenglikol, glicerin, dietilenglikol dimetiletar, monoetanolamin, dietanolamin, trietanolamin, N,N-dimetiletanolamin, 1-(2-hidroksietil)-2-pirolidinon, 4-(2-hidroksietil)morfolin, 2-(metilamino)etanol, 2-amino-2-metil-l-propanol, 1-amino-2-propanol, 2-(2-aminoetoksi)-etanol, N-(2-hidroksietil)acetamid, N-(2-hidroksietil)sukcinimid i 3-(dietilamino)-1,2-propandiol.
41. Postupak prema Zahtevu 25, naznačen time, što preparat za čišćenje sadrži vodu ili najmanje jedan drugi ko-rastvarač koji se bira iz grupe koju čine dimetilsulfoksid, sulfolan i dimetilpiperidon.
42. Postupak prema Zahtevu 29, naznačen time, što preparat za čišćenje sadrži vodu ili najmanje jedan drugi ko-rastvarač koji se bira iz grupe koju čine dimetilsulfoksid, sulfolan i dimetilpiperidon.
43. Postupak prema Zahtevu 35, naznačen time, što preparat za čišćenje sadrži vodu ili najmanje jedan drugi ko-rastvarač koji se bira iz grupe koju čine dimetilsulfoksid, sulfolan i dimetilpiperidon.
44. Postupak prema Zahtevu 40, naznačen time, što preparat za čišćenje sadrži vodu ili najmanje jedan drugi ko-rastvarač koji se bira iz grupe koju čine dimetilsulfoksid, sulfolan i dimetilpiperidon.
45. Postupak prema Zahtevu 25, naznačen time, što preparat za čišćenje sadrži tetrametilamonijum-hidroksid, trietanolamin, trans-1,2-cikloheksandiamin-tetrasirćetnu kiselinu, sulfolan i vodu.
46. Postupak prema Zahtevu 25, naznačen time, što preparat za čišćenje sadrži tetrametilamonijum-hidroksid, 1-(2-hidroksietil)-2-piroIidinoni vodu.
47. Postupak prema Zahtevu 25, naznačen time, što sadrži tetrametilamonijum-hidroksid, dimetilsulfoksid, trietanolamin i vodu.
48. Postupak prema Zahtevu 25, naznačen time, što preparat za čišćenje sadrži tetrametilamonijum-hidroksid, trietanolamin, etilenglikol, etilendiamintetra(metilenfosfonsku kiselinu) i vodu.
YU1204A 2001-07-09 2002-07-08 Alkalni preparati bez amonijaka za čišćenje mikroelektronike sa boljom kompatibilnošću prema supstratu RS51832B (sr)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US30403601P 2001-07-09 2001-07-09
PCT/US2002/021375 WO2003006598A1 (en) 2001-07-09 2002-07-08 Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RS1204A true RS1204A (sr) 2007-02-05
RS51832B RS51832B (sr) 2012-02-29

Family

ID=23174755

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
YU1204A RS51832B (sr) 2001-07-09 2002-07-08 Alkalni preparati bez amonijaka za čišćenje mikroelektronike sa boljom kompatibilnošću prema supstratu

Country Status (22)

Country Link
US (1) US20040220065A1 (sr)
EP (1) EP1404797B1 (sr)
JP (2) JP4256258B2 (sr)
KR (1) KR101009550B1 (sr)
CN (1) CN100410359C (sr)
AT (1) ATE355356T1 (sr)
AU (1) AU2002326341A1 (sr)
BR (1) BR0210888A (sr)
CA (1) CA2452885C (sr)
DE (1) DE60218468T2 (sr)
DK (1) DK1404797T3 (sr)
ES (1) ES2282453T3 (sr)
IL (2) IL159762A0 (sr)
IN (1) IN2004CH00044A (sr)
MY (1) MY131912A (sr)
NO (1) NO20040068L (sr)
PL (1) PL199523B1 (sr)
PT (1) PT1404797E (sr)
RS (1) RS51832B (sr)
TW (1) TWI262946B (sr)
WO (1) WO2003006598A1 (sr)
ZA (1) ZA200400067B (sr)

Families Citing this family (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7129199B2 (en) * 2002-08-12 2006-10-31 Air Products And Chemicals, Inc. Process solutions containing surfactants
MY143399A (en) * 2001-07-09 2011-05-13 Avantor Performance Mat Inc Microelectronic cleaning compositons containing ammonia-free fluoride salts for selective photoresist stripping and plasma ash residue cleaning
JP4282054B2 (ja) * 2002-09-09 2009-06-17 東京応化工業株式会社 デュアルダマシン構造形成プロセスに用いられる洗浄液および基板の処理方法
US20040220066A1 (en) * 2003-05-01 2004-11-04 Rohm And Haas Electronic Materials, L.L.C. Stripper
US7442675B2 (en) 2003-06-18 2008-10-28 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Cleaning composition and method of cleaning semiconductor substrate
US6930017B2 (en) 2003-08-21 2005-08-16 Micron Technology, Inc. Wafer Cleaning method and resulting wafer
JP2005075924A (ja) * 2003-08-29 2005-03-24 Neos Co Ltd シリカスケール除去剤
KR100593668B1 (ko) 2004-01-20 2006-06-28 삼성전자주식회사 세정액 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 세정방법
CN1918698B (zh) * 2004-02-09 2010-04-07 三菱化学株式会社 半导体装置用基板的洗涤液及洗涤方法
US7435712B2 (en) 2004-02-12 2008-10-14 Air Liquide America, L.P. Alkaline chemistry for post-CMP cleaning
US7498295B2 (en) 2004-02-12 2009-03-03 Air Liquide Electronics U.S. Lp Alkaline chemistry for post-CMP cleaning comprising tetra alkyl ammonium hydroxide
US8338087B2 (en) * 2004-03-03 2012-12-25 Advanced Technology Materials, Inc Composition and process for post-etch removal of photoresist and/or sacrificial anti-reflective material deposited on a substrate
JP4390616B2 (ja) 2004-04-27 2009-12-24 Necエレクトロニクス株式会社 洗浄液及び半導体装置の製造方法
WO2006056298A1 (en) * 2004-11-25 2006-06-01 Basf Aktiengesellschaft Resist stripper and residue remover for cleaning copper surfaces in semiconductor processing
KR20060064441A (ko) * 2004-12-08 2006-06-13 말린크로트 베이커, 인코포레이티드 비수성 비부식성 마이크로전자 세정 조성물
US7923423B2 (en) * 2005-01-27 2011-04-12 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions for processing of semiconductor substrates
WO2006081406A1 (en) * 2005-01-27 2006-08-03 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions for processing of semiconductor substrates
KR100675284B1 (ko) * 2005-02-01 2007-01-26 삼성전자주식회사 마이크로일렉트로닉 세정제 및 이것을 사용하여반도체소자를 제조하는 방법
US7365045B2 (en) * 2005-03-30 2008-04-29 Advanced Tehnology Materials, Inc. Aqueous cleaner with low metal etch rate comprising alkanolamine and tetraalkylammonium hydroxide
KR20060108436A (ko) * 2005-04-13 2006-10-18 매그나칩 반도체 유한회사 반도체 소자 세정용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의세정 방법
JP4667147B2 (ja) * 2005-07-15 2011-04-06 株式会社トクヤマ 基板洗浄液
US8772214B2 (en) * 2005-10-14 2014-07-08 Air Products And Chemicals, Inc. Aqueous cleaning composition for removing residues and method using same
US7632796B2 (en) 2005-10-28 2009-12-15 Dynaloy, Llc Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and method for its use
US9329486B2 (en) 2005-10-28 2016-05-03 Dynaloy, Llc Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and method for its use
US8263539B2 (en) 2005-10-28 2012-09-11 Dynaloy, Llc Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and methods for its use
TW200734448A (en) * 2006-02-03 2007-09-16 Advanced Tech Materials Low pH post-CMP residue removal composition and method of use
KR100770217B1 (ko) * 2006-06-12 2007-10-26 삼성전자주식회사 포토레지스트 제거용 조성물 및 이를 이용한 범프 전극의형성 방법
US8685909B2 (en) 2006-09-21 2014-04-01 Advanced Technology Materials, Inc. Antioxidants for post-CMP cleaning formulations
US20080076688A1 (en) * 2006-09-21 2008-03-27 Barnes Jeffrey A Copper passivating post-chemical mechanical polishing cleaning composition and method of use
SG175559A1 (en) * 2006-09-25 2011-11-28 Advanced Tech Materials Compositions and methods for the removal of photoresist for a wafer rework application
ES2356109T3 (es) * 2007-02-14 2011-04-05 Mallinckrodt Baker, Inc. Formulaciones basadas en oxometalato activadas por peróxido para la eliminación de residuos de grabado.
JP4848504B2 (ja) * 2007-03-14 2011-12-28 公益財団法人新産業創造研究機構 セラミックス基板又は無機耐熱性基板の洗浄方法及びこれを用いた素子の製造方法並びに素子
US20100261632A1 (en) * 2007-08-02 2010-10-14 Advanced Technology Materials, Inc. Non-fluoride containing composition for the removal of residue from a microelectronic device
KR100900341B1 (ko) 2007-08-21 2009-06-02 (주)켐넥스 액정 표시 패널 세정제
US7976638B2 (en) * 2007-11-13 2011-07-12 Sachem, Inc. High negative zeta potential polyhedral silsesquioxane composition and method for damage free semiconductor wet clean
JP5412722B2 (ja) * 2007-11-27 2014-02-12 富士通株式会社 電子装置の製造方法
JP5873718B2 (ja) 2008-10-21 2016-03-01 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド 銅の洗浄及び保護配合物
JP4903242B2 (ja) * 2008-10-28 2012-03-28 アバントール パフォーマンス マテリアルズ, インコーポレイテッド 多金属デバイス処理のためのグルコン酸含有フォトレジスト洗浄組成物
CN101735903B (zh) * 2008-11-04 2012-02-01 江阴市润玛电子材料有限公司 一种太阳能光伏专用电子清洗剂
US8361237B2 (en) * 2008-12-17 2013-01-29 Air Products And Chemicals, Inc. Wet clean compositions for CoWP and porous dielectrics
SG173833A1 (en) 2009-02-25 2011-09-29 Avantor Performance Mat Inc Stripping compositions for cleaning ion implanted photoresist from semiconductor device wafers
US8444768B2 (en) 2009-03-27 2013-05-21 Eastman Chemical Company Compositions and methods for removing organic substances
US8614053B2 (en) 2009-03-27 2013-12-24 Eastman Chemical Company Processess and compositions for removing substances from substrates
US8309502B2 (en) 2009-03-27 2012-11-13 Eastman Chemical Company Compositions and methods for removing organic substances
US8110535B2 (en) 2009-08-05 2012-02-07 Air Products And Chemicals, Inc. Semi-aqueous stripping and cleaning formulation for metal substrate and methods for using same
US8518865B2 (en) * 2009-08-31 2013-08-27 Air Products And Chemicals, Inc. Water-rich stripping and cleaning formulation and method for using same
US8298751B2 (en) 2009-11-02 2012-10-30 International Business Machines Corporation Alkaline rinse agents for use in lithographic patterning
DE102010006099A1 (de) * 2010-01-28 2011-08-18 EXCOR Korrosionsforschung GmbH, 01067 Zusammensetzungen von Dampfphasen-Korrosionsinhibitoren, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung für den temporären Korrosionsschutz
JP5508130B2 (ja) * 2010-05-14 2014-05-28 富士フイルム株式会社 洗浄組成物、半導体装置の製造方法及び洗浄方法
CN101838111B (zh) * 2010-05-20 2012-06-27 合肥茂丰电子科技有限公司 玻璃基板蚀刻液及其制备方法
DE102011050136A1 (de) 2010-09-03 2012-03-08 Schott Solar Ag Verfahren zum nasschemischen Ätzen einer Siliziumschicht
WO2012048079A2 (en) 2010-10-06 2012-04-12 Advanced Technology Materials, Inc. Composition and process for selectively etching metal nitrides
US8889609B2 (en) 2011-03-16 2014-11-18 Air Products And Chemicals, Inc. Cleaning formulations and method of using the cleaning formulations
JP6066552B2 (ja) 2011-12-06 2017-01-25 関東化學株式会社 電子デバイス用洗浄液組成物
CN102662312A (zh) * 2012-04-20 2012-09-12 陕西科技大学 一种金属基印刷ps 版上预感光涂层的清洗液及清洗方法
US9536730B2 (en) 2012-10-23 2017-01-03 Air Products And Chemicals, Inc. Cleaning formulations
US9029268B2 (en) 2012-11-21 2015-05-12 Dynaloy, Llc Process for etching metals
US9158202B2 (en) * 2012-11-21 2015-10-13 Dynaloy, Llc Process and composition for removing substances from substrates
JP6203525B2 (ja) 2013-04-19 2017-09-27 関東化學株式会社 洗浄液組成物
CN103336412B (zh) * 2013-07-03 2017-02-08 北京科华微电子材料有限公司 一种新型的光刻胶剥离液及其应用工艺
CN105210176B (zh) * 2014-04-10 2016-09-28 三菱瓦斯化学株式会社 半导体元件的清洗用液体组合物、和半导体元件的清洗方法
KR102405063B1 (ko) * 2014-06-30 2022-06-07 엔테그리스, 아이엔씨. 텅스텐 및 코발트 상용성을 갖는 에치후 잔류물을 제거하기 위한 수성 및 반-수성 세정제
TWI783640B (zh) * 2016-03-01 2022-11-11 日商東京應化工業股份有限公司 半導體基板或裝置之洗淨液
CN109962015B (zh) * 2017-12-22 2021-11-02 长鑫存储技术有限公司 用于改善铜线短路的制程工艺
US11353794B2 (en) * 2017-12-22 2022-06-07 Versum Materials Us, Llc Photoresist stripper
JP7465951B2 (ja) * 2019-08-30 2024-04-11 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー フォトレジスト剥離組成物
KR20220012521A (ko) * 2020-07-23 2022-02-04 주식회사 케이씨텍 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정 방법

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4744834A (en) * 1986-04-30 1988-05-17 Noor Haq Photoresist stripper comprising a pyrrolidinone, a diethylene glycol ether, a polyglycol and a quaternary ammonium hydroxide
US5091103A (en) * 1990-05-01 1992-02-25 Alicia Dean Photoresist stripper
US6110881A (en) * 1990-11-05 2000-08-29 Ekc Technology, Inc. Cleaning solutions including nucleophilic amine compound having reduction and oxidation potentials
JP3160344B2 (ja) * 1991-01-25 2001-04-25 アシュランド インコーポレーテッド 有機ストリッピング組成物
WO1994006265A1 (de) * 1992-09-03 1994-03-17 Circuit Chemical Products Gmbh Reinigungsmittelgemisch zum reinigen von gedruckten schaltungen und verfahren hierzu
US5308745A (en) * 1992-11-06 1994-05-03 J. T. Baker Inc. Alkaline-containing photoresist stripping compositions producing reduced metal corrosion with cross-linked or hardened resist resins
US5320709A (en) * 1993-02-24 1994-06-14 Advanced Chemical Systems International Incorporated Method for selective removal of organometallic and organosilicon residues and damaged oxides using anhydrous ammonium fluoride solution
JP3422117B2 (ja) * 1994-01-28 2003-06-30 和光純薬工業株式会社 新規な表面処理方法及び処理剤
US5466389A (en) * 1994-04-20 1995-11-14 J. T. Baker Inc. PH adjusted nonionic surfactant-containing alkaline cleaner composition for cleaning microelectronics substrates
US5498293A (en) * 1994-06-23 1996-03-12 Mallinckrodt Baker, Inc. Cleaning wafer substrates of metal contamination while maintaining wafer smoothness
US5478436A (en) * 1994-12-27 1995-12-26 Motorola, Inc. Selective cleaning process for fabricating a semiconductor device
US5563119A (en) * 1995-01-26 1996-10-08 Ashland Inc. Stripping compositions containing alkanolamine compounds
US5571447A (en) * 1995-03-20 1996-11-05 Ashland Inc. Stripping and cleaning composition
JP3236220B2 (ja) * 1995-11-13 2001-12-10 東京応化工業株式会社 レジスト用剥離液組成物
US5855811A (en) * 1996-10-03 1999-01-05 Micron Technology, Inc. Cleaning composition containing tetraalkylammonium salt and use thereof in semiconductor fabrication
US5989353A (en) * 1996-10-11 1999-11-23 Mallinckrodt Baker, Inc. Cleaning wafer substrates of metal contamination while maintaining wafer smoothness
US5709756A (en) * 1996-11-05 1998-01-20 Ashland Inc. Basic stripping and cleaning composition
US5698503A (en) * 1996-11-08 1997-12-16 Ashland Inc. Stripping and cleaning composition
JP2001508239A (ja) * 1997-01-09 2001-06-19 アドバンスド ケミカル システムズ インターナショナル,インコーポレイテッド 水性フッ化アンモニウムおよびアミンを用いた、半導体ウエハ洗浄組成物および方法
US5798323A (en) * 1997-05-05 1998-08-25 Olin Microelectronic Chemicals, Inc. Non-corrosive stripping and cleaning composition
JPH1167632A (ja) * 1997-08-18 1999-03-09 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 半導体装置用洗浄剤
US6211126B1 (en) * 1997-12-23 2001-04-03 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations including a 1, 3-dicarbonyl compound chelating agent for stripping residues from semiconductor substrates
US6432209B2 (en) * 1998-03-03 2002-08-13 Silicon Valley Chemlabs Composition and method for removing resist and etching residues using hydroxylazmmonium carboxylates
US6225030B1 (en) * 1998-03-03 2001-05-01 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Post-ashing treating method for substrates
AU4189599A (en) * 1998-05-18 1999-12-06 Mallinckrodt, Inc. Silicate-containing alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates
US6043005A (en) * 1998-06-03 2000-03-28 Haq; Noor Polymer remover/photoresist stripper
US6103680A (en) * 1998-12-31 2000-08-15 Arch Specialty Chemicals, Inc. Non-corrosive cleaning composition and method for removing photoresist and/or plasma etching residues
US6248704B1 (en) * 1999-05-03 2001-06-19 Ekc Technology, Inc. Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductors devices
JP3372903B2 (ja) * 1999-06-21 2003-02-04 ニチゴー・モートン株式会社 フォトレジスト剥離剤
JP3410403B2 (ja) * 1999-09-10 2003-05-26 東京応化工業株式会社 ホトレジスト用剥離液およびこれを用いたホトレジスト剥離方法
JP4283952B2 (ja) * 1999-10-12 2009-06-24 多摩化学工業株式会社 非鉄金属洗浄用洗浄液組成物
US6413923B2 (en) * 1999-11-15 2002-07-02 Arch Specialty Chemicals, Inc. Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues
US6194366B1 (en) * 1999-11-16 2001-02-27 Esc, Inc. Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition
US6417147B2 (en) * 2000-02-29 2002-07-09 Showa Denko K.K. Cleaning agent composition, method for cleaning and use thereof
US6599370B2 (en) * 2000-10-16 2003-07-29 Mallinckrodt Inc. Stabilized alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates
WO2002045148A2 (de) * 2000-11-29 2002-06-06 Infineon Technologies Ag Reinigungslösung für halbleiterscheiben im beol-bereich
US6627587B2 (en) * 2001-04-19 2003-09-30 Esc Inc. Cleaning compositions
MY143399A (en) * 2001-07-09 2011-05-13 Avantor Performance Mat Inc Microelectronic cleaning compositons containing ammonia-free fluoride salts for selective photoresist stripping and plasma ash residue cleaning
TW575783B (en) * 2001-07-13 2004-02-11 Ekc Technology Inc Sulfoxide pyrolid(in)one alkanolamine cleaner composition
US7393819B2 (en) * 2002-07-08 2008-07-01 Mallinckrodt Baker, Inc. Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility

Also Published As

Publication number Publication date
KR20040018438A (ko) 2004-03-03
CN1656206A (zh) 2005-08-17
BR0210888A (pt) 2004-06-22
ES2282453T3 (es) 2007-10-16
IN2004CH00044A (sr) 2005-12-02
RS51832B (sr) 2012-02-29
JP2009081445A (ja) 2009-04-16
DE60218468T2 (de) 2007-11-15
PL367434A1 (en) 2005-02-21
TWI262946B (en) 2006-10-01
JP4753986B2 (ja) 2011-08-24
DK1404797T3 (da) 2007-06-11
KR101009550B1 (ko) 2011-01-18
CA2452885A1 (en) 2003-01-23
NO20040068L (no) 2004-03-09
IL159762A (en) 2006-12-31
PT1404797E (pt) 2007-04-30
ZA200400067B (en) 2004-11-18
CN100410359C (zh) 2008-08-13
CA2452885C (en) 2011-09-13
NO20040068D0 (no) 2004-01-08
DE60218468D1 (de) 2007-04-12
EP1404797B1 (en) 2007-02-28
WO2003006598A1 (en) 2003-01-23
EP1404797A1 (en) 2004-04-07
PL199523B1 (pl) 2008-09-30
US20040220065A1 (en) 2004-11-04
IL159762A0 (en) 2004-06-20
AU2002326341A1 (en) 2003-01-29
JP2004536910A (ja) 2004-12-09
JP4256258B2 (ja) 2009-04-22
MY131912A (en) 2007-09-28
ATE355356T1 (de) 2006-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA2452885C (en) Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility
CA2452921C (en) Microelectronic cleaning compositions containing ammonia-free fluoride salts
US7393819B2 (en) Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility
CA2452884C (en) Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility