RU1780128C - Электронный умножитель - Google Patents
Электронный умножительInfo
- Publication number
- RU1780128C RU1780128C SU904779997A SU4779997A RU1780128C RU 1780128 C RU1780128 C RU 1780128C SU 904779997 A SU904779997 A SU 904779997A SU 4779997 A SU4779997 A SU 4779997A RU 1780128 C RU1780128 C RU 1780128C
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- diode
- mcp
- electrode
- multiplier
- truncated conical
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 3
- 101710121996 Hexon protein p72 Proteins 0.000 abstract description 26
- 101710125418 Major capsid protein Proteins 0.000 abstract description 26
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 3
- 230000013011 mating Effects 0.000 abstract description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 101100504320 Caenorhabditis elegans mcp-1 gene Proteins 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- AEUKDPKXTPNBNY-XEYRWQBLSA-N mcp 2 Chemical compound C([C@@H](C(=O)N[C@@H](CS)C(=O)N[C@@H](CCCNC(N)=N)C(=O)N[C@@H]([C@@H](C)CC)C(=O)N[C@@H](CCCNC(N)=N)C(=O)NCC(=O)N[C@@H](CCCNC(N)=N)C(=O)N[C@@H]([C@@H](C)CC)C(=O)N[C@@H](CC=1NC=NC=1)C(=O)N1[C@@H](CCC1)C(=O)N[C@@H](CC(C)C)C(=O)N[C@@H](CS)C(=O)N[C@@H](CS)C(=O)N[C@@H](CCCNC(N)=N)C(=O)N[C@@H](CCCNC(N)=N)C(O)=O)NC(=O)CNC(=O)[C@H](C)NC(=O)[C@H](CCCNC(N)=N)NC(=O)[C@H](CCCNC(N)=N)NC(=O)[C@H](CCC(O)=O)NC(=O)[C@H](CC(C)C)NC(=O)[C@H]1N(CCC1)C(=O)[C@H](CC(C)C)NC(=O)[C@H](CS)NC(=O)[C@H](CC(C)C)NC(=O)[C@H](C)NC(=O)[C@H](CCCNC(N)=N)NC(=O)[C@H](CCCNC(N)=N)NC(=O)[C@H](CS)NC(=O)[C@H](C)NC(=O)[C@H](CS)NC(=O)[C@@H](NC(=O)[C@@H](N)C(C)C)C(C)C)C1=CC=CC=C1 AEUKDPKXTPNBNY-XEYRWQBLSA-N 0.000 description 2
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010835 comparative analysis Methods 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Abstract
Использование: вглектронной технике, в частности в конструкци х гибридных электронных умножителей, построенныхна базе микроканальных пластин (МКП) и полупроводникового диода-усилител электронного потока. Сущность изобретени : электронный умножитель содержит последовательно установленные одну или несколько МКП и полупроводниковый диод, бомбардируемый потоком электронов, выход щих из МКП, причем выход ближайшей к диоду МКП и вход диода электрически соединены с первым и вторым электродами, соответственно установленными между МКП и диодом, причем первый электрод выполнен в форме усеченного конической поверхности, а второй электрод выполнен в форме усеченной конической поверхности, сопр женной с цилиндрической поверхностью, и установлен соосно с первым электродом. При подаче разности потенциалов на эти электроды между МКП и диодом образуетс неоднородное электрическое поле, обеспечивающее сбор электронов с рабочей площади МКП на входную поверхность диода. 1 з.п. ф-лы, 1 ил."ч^^
Description
Изобретение относитс к электронной технике и может быть использовано в научном приборостроении при разработке детекторов зар женных частиц низких энергий.
Известна конструкци быстродействующего электронного умножител ЭУ на основе .микроканальных пластин МКП, в котором после МКП установлен дополнительный динод с высоким коэффициентом вторичной эмиссии. Это позвол ет снизить усиление и плотность выходного тока МКП, сохранив высокое усиление ЭУ, и расширить верхний предел измер емых интенсивностей потока частиц в несколько дес тков раз(при использовании эмиттеров с отрицательным электронным сродством.
Однако эксплуатаци ЭУ в установках с периодическим ухудшением вакуума (например , в спектрометрах зар женных частиц ) приводит к необратимой деградации такого дин ода.
Известны также гибридные ЭУ, содержащие нар ду с МКП полупроводниковые усилители электронных потоков, принцип действи которых основан на влении генераций электронно-дырочных пар в рп-иереходе диода при его бомбардировке потоков
электронов.. Коэффициент усилени диода может достигать несколько тыс ч, он мало чувствителен к воздействию воздуха и стабилен при изменении выходных токов в широких пределах.
Известна конструкци ЭУ, выбранна в качестве прототипа, содержит последовательно установленные МКП и кремниевый пленарный диод, бомбардируемый потоком электронов, выход щих из МКП, Электроны ускор ютс в электрическом поле плоского зазора между выходной поверхностью МКП и входной поверхностью диода. При разности потенциалов в зазоре не менее 5 кВ обеспечиваетс коэффициент усилени диода пор дка сотен-тыс чи 3 и соответственно может быть расширен предел измер емых интенсивностей потока частиц.
Недостатком известной конструкции ЭУ вл етс ограничение величины рабочей площади МКП площадью входной поверхности диода, что не позвол ет в полной мере реализовать преимущества гибридного ЭУ. Дл повышени стабильности коэффициента усилени и долговечности при боль-, .ших загрузках желательно снижение плотности выходного тока МКП путем использовани больд1ей рабочей площади (пор дка нескольких квадоатных сантиметров при загрузках более 10 имп/с). Однако соответствующее увеличение площади диода приводит к увеличению его емкости до тыс ч пикофарад. В услови х, когда невозможно произвольное уменьшение сопротивлени нагрузки ЭУ (например, при включении токоограничивающего резистора в выходной цепи дл защиты диода и регистрирующей аппаратуры от высоковольтных пробоев, а также при передаче выходного сигнала ЭУ по согласованной линии с конечным волновым сопротивлением), посто нна времени интегрирующей цепи на выходе ЭУ превышает 10-100 не, ограничива быстродействие.
Цель изобретени - повышение стабильности коэффициента усилени и быстродействи ЭУ.
Указанна цель достигаетс тем, что ЭУ, содержащий последовательно установленные одну или несколько МКП и полупроводниковый диод в к.ачестве усилител электронного потока, снабжен по меньшей мере двум фокусирующими электродами, установленными соосно друг другу между МКП и диодом. Благодар этому между выходной поверхностью МКП и входной поверхностью диода создаетс неоднородное электрическое поле. Поперечное сечение потока выходных электронов МКП, ускор ющихс в этом поле, у.меиьшзетсй до величины , равной площади входной поверхности диода. Геометрические соотношени в конкретных выполнени х электродов и их взаимное расположение выбираютс расчетным путем так, чтобы получить необходимую равномерность сбора электронов со всей рабочей площади МКП на входную поверхность диода заданного размера (с учетом разброса начальных скоростей и
направлений вылета электронов из МКП). В предлагаемом варианте выполнени внутренн поверхность одного из электродов выполнена в форме усеченной конической поверхности, а внутренн поверхность
второго выполнена в форме усеченной конической поверхности, сопр женной своим меньшим основанием с цилиндрической поверхностью , диаметр которой не превышает диаметра меньшего основани конуса первого электрода, при этом электроды установлены так, что выход МПК совмещен с меньшим основанием конуса первого электрода , а входна поверхность диода совмещена с основанием цилиндра второго
электрода.
Предлагаема форма электродов обеспечивает:
а)малые вариации времени пролета электронов от МКП к диоду, что исключает
их вли ние на быстродействие ЭУ;
б)малый разброс углов падени электронов на вход диода и, как следствие, посто нство коэффициента усиление диода независимо от места вылета электронов с
поверхности МКП.
Сопоставительный анализ с прототипом показывает, что предлагаемый ЭУ отличаетс наличием фокусирующих электродов между МКП и входом диода, выполнением
одного из них в форме усеченной конической поверхности, а другого в форме усеченной конической поверхности, сопр женной с цилиндрической поверхностью , диаметр которой не превышает диаметра меньшего основани конуса первого электрода диода - с основанием цилиндра второго электрода. Таким образом, за вл емый ЭУ соответствует критерию новизна . Сравнение за вл емого решени с
другими техническими решени ми в данной области техники не позволили вы вить в них признаки, отличающие за вл емое решение от прототипа, на основании чего можно сделать вывод о соответствии критерию существенные отличи .
На чертеже схематично изображен предлагаемый ЭУ (в сечении плоскостью, проход щей через ось симметрии,;, представлен пример конкретного П1;толиени
электродов, устанавливаемых между МКП и диодов.
ЗУ содержит две МКП 1 и 2, полупроводниковый диод 3, электрод 4, соединенный с выходом МКП 2 и электрод 5, соединенный с входной поверхностью 6 диода 3. Электрод 4 имеет форму усеченной конической поверхности, а электрод 5 - форму усеченной конической поверхности, сопр женной с цилиндрической поверхностью. Отношение рабочих площадей МКП и диода может быть выбрано не менее 10...100, в данном случае оно составл ет более 30.
Предлагаемый ЗУ работает следующим образом.
На МКП 1 и 2 подаютс рабочие напр жени (600-900 В), на диод 3 подаетс напр жение обратного смещени (10-200 В). Между электродами 4 и 5 прикладываетс разность потенциалов 6...10 кВ. Первичной частице, падающей на вход МКП 1 в преде-лах рабочей площади МКП соответствует пакет электронов на выходе МКП 2, содержащий 10 ...10 электронов. Зти электроны ускор ютс в поле между электродами 4, 5 и приход т на входную поверхность 6 диода 3 независимо от места падени первичной частицы. При этом они создают в рп-переходе пор дка 10 электронно-дырочных пар, и в цепи диода возникает импульс тока длительностью 1...3 НС. Таким образом, при полном усилении ЗУ не менее 10 общее усиление МКП не превышает пор дка 10 , благодар чему обеспечиваетс стабильность работы умножител при потоках частиц на входе до 10 част/с на 1 см рабочей площади МКП.
Поскольку площадь диода значительно меньше 1 см (например, около 3 см ), его емкость не превышает нескольких дес тков пикофарад. Сопротивление нагрузки ЗУ может быть выбрано исход из удобства передачи его сигналов по согласованным лини м внутри и вне вакуумной камеры при посто нной времени выходной цепи ЗУ не более 1...2 не.
Испытани умножител дали следующие результаты: относительна нестабильность коэффициента усилени при загрузке от 10 имп/с до 5- 10 имп/с - не более 2% (при коэффициенте усилени около 2 -10): неравномерность коэффициента усилени в
пределах рабочей площади, составл ющей около 1 см - не более 15%; длительность выходного импульса на половине высоты при сопротивлении нагрузки 50 Ом и выходной емкости ЗУ около 20 пФ - менее 3 не.
Предлагаема конструкци ЗУ позвол ет использовать рабочую площадь МКП в несколько дес тков раз превышающую площадь входной поверхности диода. По сравнению с прототипом при одинаковых
Claims (2)
- заданных емкост х диодов сохран етс быстродействие и значительно увеличиваетс стабильность усилени и долговечности. При одинаковых заданных рабочих площад х МКП благодар возможности использовани диода меньшей площади и меньшей емкости возрастает быстродействие ЗУ. Формула изобретени 1. Злектронный умножитель, содержащий последовательно установленные однуили несколько микроканальных пластин и полупроводниковый диод в качестве усилител электронного потока, отличающийс тем, что, с целью повышени стабильности коэффициента усилени и быстродействи , умножитель снабжен по меньшей мере двум фокусирующими электродами, установленными соосно друг другу между ближайшей к диоду микроканальной пластиной и диодом.
- 2. Умножитель поп.1,отличающийс тем, что он снабжен двум фокусирующими электродами, внутренн поверхность одного из которых выполнена в форме усеченной конической поверхности, а внутренн поверхность второго выполнена в форме усеченной конической поверхности, сопр женной своим меньшим основанием с цилиндрической поверхностью, при этом выход микроканальной пластины совмещенс меньшим основанием конуса первого электрода, а входна поверхность диода совмещена с основанием цилиндра второго электрода.64выжод м.клewxoi (множителвхо9 диода
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU904779997A RU1780128C (ru) | 1990-01-09 | 1990-01-09 | Электронный умножитель |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU904779997A RU1780128C (ru) | 1990-01-09 | 1990-01-09 | Электронный умножитель |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU1780128C true RU1780128C (ru) | 1992-12-07 |
Family
ID=21490365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU904779997A RU1780128C (ru) | 1990-01-09 | 1990-01-09 | Электронный умножитель |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU1780128C (ru) |
-
1990
- 1990-01-09 RU SU904779997A patent/RU1780128C/ru active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Патент FR Мг 2506518, кл. Н 01 J 43/04.1981.Патент FR № 2494906, кл. Н 01 J 40/04, 1980. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0602982B1 (en) | Focused electron-bombarded detector | |
| US6958474B2 (en) | Detector for a bipolar time-of-flight mass spectrometer | |
| CN110416056B (zh) | 一种基于微通道板的高增益混合型光电倍增管 | |
| Huchital et al. | Resolution and Sensitivity of the Spherical‐Grid Retarding Potential Analyzer | |
| US2575769A (en) | Detection of ions | |
| US2769911A (en) | Mass spectrometer for analysing substances or indicating a small amount of a determined substance | |
| RU1780128C (ru) | Электронный умножитель | |
| Suyama et al. | A compact hybrid photodetector (HPD) | |
| van Geest et al. | Hybrid phototube with Si target | |
| JPH0727762B2 (ja) | ストリーク管 | |
| Lecomte et al. | Channel electron multipliers: Properties, development and applications | |
| WO2002095381A2 (en) | Tandem microchannel plate and solid state electron detector | |
| Barbarino et al. | Proof of feasibility of the vacuum silicon photomultiplier tube (vsipmt) | |
| JP3270707B2 (ja) | イオン検出装置 | |
| Dietz et al. | Electron multiplier–scintillator detector for pulse counting positive or negative ions | |
| US4709140A (en) | High speed light detection tube | |
| DeSalvo et al. | Hybrid photodiode tube | |
| Laprade et al. | Recent advances in small pore microchannel plate technology | |
| CN117854750B (zh) | 一种高时间分辨x光辐射流诊断系统 | |
| CN214152848U (zh) | 基于微通道板的检测器、飞行时间质谱仪及电子装置 | |
| Goodrich et al. | A 10,000 g Photomultiplier | |
| US7242008B2 (en) | Bipolar ion detector | |
| RU2708664C1 (ru) | Устройство фотоэлектронного умножителя с МКП | |
| JPH0627853B2 (ja) | イオン検出器 | |
| Leskovar | Microchannel Plate Photon Detectors |