RU1789966C - Электрофотографический материал - Google Patents

Электрофотографический материал

Info

Publication number
RU1789966C
RU1789966C SU904832990A SU4832990A RU1789966C RU 1789966 C RU1789966 C RU 1789966C SU 904832990 A SU904832990 A SU 904832990A SU 4832990 A SU4832990 A SU 4832990A RU 1789966 C RU1789966 C RU 1789966C
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
electrophotographic
tellurium
selenium
layer
photosensitive layer
Prior art date
Application number
SU904832990A
Other languages
English (en)
Inventor
Рамазан Абасович Селимханов
Анатолий Игоревич Попов
Альберт Андрясович Мкртичан
Владислав Михайлович Котов
Марк Исаакович Шнейдман
Валентин Павлович Дубовицкий
Original Assignee
Специальное Конструкторское Бюро Электрофотографических Аппаратов Геологического Производственного Объединения "Оргтехника"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Специальное Конструкторское Бюро Электрофотографических Аппаратов Геологического Производственного Объединения "Оргтехника" filed Critical Специальное Конструкторское Бюро Электрофотографических Аппаратов Геологического Производственного Объединения "Оргтехника"
Priority to SU904832990A priority Critical patent/RU1789966C/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU1789966C publication Critical patent/RU1789966C/ru

Links

Landscapes

  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

Использование; в электрофотографии дл  копировальной техники, микрофильмировани . Сущность изобретени : на электропровод щую подложку нанос т фоточувствительный слой. Данный слой содержит , %: триселенид мышь ка 3-35; теллур 5-20 и остальное - до 100% селена. 1 табл.

Description

Изобретение относитс  к электрогра- фии и может быть использовано в производстве материалов дл  копировальной техники, микрофильмировани , аэрокосмической съемки и оптических приборов, например люксметров.
Известен электрофотографический (ЭФГ) материал, состо щий из электропровод щей подложки и фоточувствительного сло  на основе трехкомпонентного сплава Se-As-Te.
Недостатком данного материала  вл етс  необходимость применени  специального оборудовани  и низка  фоточувствительность в длинноволновой области спектра.
Целью изобретени   вл етс  улучшение качества материала за счет расширени  спектральной чувствительности.
Поставленна  цель достигаетс  тем, что в ЭФГ материале, состо щего из электропровод щей подложки, нанесенного на нее фоточувствительного сло , выполненного на основе мышь ксодержащего компонента , селена и теллура, фоточувствительный слой выполнен из триселенида мышь ка, селена и теллура при следующем соотношении компонентов, мае.%:
Триселенид мышь ка 3-35 Теллур5-20 Селен Остальное За вл емый материал готов т соиспа- рением отдельных компонентов, а именно селена, теллура и триселенида мышь ка.
Примеры 1-3. В камеру вакуумной установки, содержащую вал дл  вращени  подложки, устройство дл  ее нагревани  и при автономно термоуправл емом испарителе , помещают обезжиренную и химически обработанную одним из известных способов подложку. В один из испарителей помещают селен, в другой триселенид мышь ка, а в третий - теллур. Камеру откачивают до 10 -10 Торр. Во врем  откачивани  камеры подложку нагревают до 120-140°С дл  обезглаживани , затем ее охлаждают до 60-65°С, подава  на подложку теплоноситель . Затем производ т одновременное на (Л
С
ы
СО
о ю
ON О
пыление загруженных компонентов при постепенном повышении температуры подложки от 60-65°С до 85-90°С. После этого ввод т а вакуумную камеру теплоноситель: воздух, инертные газы или их смеси, Таким образом дл  изготовлени  электрофотогра- фическрго материала отпадает необходимость Изготовлени  сплава Se-Те- А$2 - Без. Раздельное соиспарение элементов обеспечивает создание материала с посто нной и переменной концентрацией примесей в слое, а также получение электрофотографического материала с определенным процентным содержанием каждой примеси в слое, что дает возможность получить материал с заданными стабилизированными параметрами .
Определенное процентное содержание примесей в электрофотографическом материале обеспечиваетс  при определенных заданных температурах испарителей с вводимыми примес ми, а толщина электрофотографического материала зависит от количества загруженных компонентов и времени напылени .
Дл  определени  электрофотографических параметров материала готов т экспериментальные образцы в различных температурных регламентах (по 3 шт. в каждом температурном регламенте). После чего исследуют электрофотографические параметры и выбирают эти образцы и режимы их изготовлени , которые соответствуют требовани м , предъ вл емым к электрофотографическим материалам, как к граничным значени м, так и к средним. Выбранные образцы подвергают атомно-эмиссионному спектральному анализу дл  определени  количественного содержани  примесей в материалах.
Температурные режимы изготовлени  Г образца
tncn.Se300°С
т.исп АЗзЗез360°С
tncn.Te450°С
Содержание примесей в материале составл ет , мас.%:
ASaSes3,0
Те5,0
SeОстальное, т.е. 5еэ2(А525ез)ЗТе5.
Температурные режимы изготовлени  II образца
tncn. Se300°C
гисп. ASaSea380°C tncn. Те 500°С. Содержание примесей, мас.%: Те 17 Аз2$ез 32
SeОстальное, т.е, Se5i(AS2Ses)32Tei7
Температурные режимы изготовлени  III образца
tncn.Se300°C tncn.AS2Se3 400°С tncn.Te 550°С Содержание примесей в материале, мас.%:
Те20% AS2Se3 35% Se Остальное, т.е. 5е45(А52$ез)з5Те20
Если у i и II образцов врем  полуспада потенциала в темноте составл ет 10-15 с, то у III образца она составл ет 2,5-3,5 с.
Предпочтительна  толщина электрофотографического сло  - 35-45 мкм.
При толщине сло  ниже 35 мкм отсутст- Вует необходима  контрастность копии, электрофотографический материал зар жаетс  до 550-650 В, а при толщине сло  выше 45 мкм, остаточный потенциал выше 100 В и материал зар жаетс  до 800-1000 В. при увеличении содержани  примесей А525ез в электрофотографическом материале более 35%, электрофотографические параметры сло  нестабильны, а увеличение содержани  примесей теллура больше 20% в слое вызывает увеличение скорости тем- нового спада потенциала. Нижн   граница содержани  примесей Те и А525ез, в элект- рофотографическом слое определ етс  требованием к скорости темнового спада потенциала.
Электрофотографические параметры полученных образцов сведены в таблице.
Из таблицы следует, что за вл емый электрофотографический материал облада- ет значительно более высокой расширенной спектральной чувствительностью, что обеспечивает более высокое качество материала .
Применение предлагаемого электро- фотографического материала обеспечит создание высокоскоростных электрофотографических аппаратов с высоким качеством копировани  и откроет возможности создани  цветной электрографии,

Claims (1)

  1. Формула изобретени  Электрофотографический материал, состо щий из электропровод щей подложки и нанесенного на нее фоточувствительного сло , выполненного на основе мышь ксо- держащего компонента, селена и теллура, отличающийс  тем, что, с целью улучшени  качества материала за счет расширени  спектральной чувствительности, фоточувствительный слой выполнен из три- селенидз мышь ка, селена и теллура при следующем, соотношении компонентов, мас.%: .
    Триселенид мышь ка 3-35 Теллур .5-20 Селен Остальное.
SU904832990A 1990-05-30 1990-05-30 Электрофотографический материал RU1789966C (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU904832990A RU1789966C (ru) 1990-05-30 1990-05-30 Электрофотографический материал

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU904832990A RU1789966C (ru) 1990-05-30 1990-05-30 Электрофотографический материал

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU1789966C true RU1789966C (ru) 1993-01-23

Family

ID=21517441

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU904832990A RU1789966C (ru) 1990-05-30 1990-05-30 Электрофотографический материал

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU1789966C (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
За вка DE № 2553825, кл. G 03 G 5/08, 1987. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU1789966C (ru) Электрофотографический материал
US4731312A (en) Photoconductor for electrophotography comprises indium phthalocyanine
EP0146967B1 (en) Photoconductive target of image pickup tube and manufacturing method thereof
US4601965A (en) Photosensitive material for use in electrophotography
Shukla et al. X-ray K-absorption studies in glassy Se80Te10 and Se80Te18M10 (M= Ag, Cd, In and Sb)
US4870027A (en) Sensitization pretreatment of Pb-salt epitaxial films for Schottky diodes by sulfur vapor exposure
US4115115A (en) Crystallization of selenium in polymer matrices via in situ generation of organic crystalline nucleation sites
JPS636865B2 (ru)
Platikanova et al. Neutralization of trapped photoholes in AgBr
US4853339A (en) Method of sensitizing Pb-salt epitaxial films for schottky diodes
US3888634A (en) Process for preparation of a film of lead monoxide
US4900373A (en) Sensitization pretreatment of Pb-salt epitaxial films for schottky diodes by sulfur vapor exposure
CA1125495A (en) Cadmium sulfide/cadmium carbonate/cadmium oxide photoconductor
SU1051490A1 (ru) Электрофотографический материал
JPH0217021B2 (ru)
US3466183A (en) Method of manufacturing photoconductive layers
Heimann et al. Development of an Infra-red Vidicon-type Pick-up Tube with a Lead Sulphide Target
SU966656A1 (ru) Электрофотографический материал
JPS60252353A (ja) 電子写真感光体用セレン,セレン感光膜およびそれらの製造方法
JPS59223436A (ja) セレンテルル合金電子写真用感光体の製造方法
EP0162310A1 (en) Photoconductive target of the image pickup tube
JPH0372152B2 (ru)
JPS59133550A (ja) 電子写真用感光体
SU1191878A1 (ru) Способ изготовлени электрофотографического носител
SU957158A1 (ru) Способ изготовлени электрофотографического материала