RU1789966C - Электрофотографический материал - Google Patents
Электрофотографический материалInfo
- Publication number
- RU1789966C RU1789966C SU904832990A SU4832990A RU1789966C RU 1789966 C RU1789966 C RU 1789966C SU 904832990 A SU904832990 A SU 904832990A SU 4832990 A SU4832990 A SU 4832990A RU 1789966 C RU1789966 C RU 1789966C
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- electrophotographic
- tellurium
- selenium
- layer
- photosensitive layer
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 26
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 229910001295 No alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 229910001215 Te alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010410 dusting Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
Использование; в электрофотографии дл копировальной техники, микрофильмировани . Сущность изобретени : на электропровод щую подложку нанос т фоточувствительный слой. Данный слой содержит , %: триселенид мышь ка 3-35; теллур 5-20 и остальное - до 100% селена. 1 табл.
Description
Изобретение относитс к электрогра- фии и может быть использовано в производстве материалов дл копировальной техники, микрофильмировани , аэрокосмической съемки и оптических приборов, например люксметров.
Известен электрофотографический (ЭФГ) материал, состо щий из электропровод щей подложки и фоточувствительного сло на основе трехкомпонентного сплава Se-As-Te.
Недостатком данного материала вл етс необходимость применени специального оборудовани и низка фоточувствительность в длинноволновой области спектра.
Целью изобретени вл етс улучшение качества материала за счет расширени спектральной чувствительности.
Поставленна цель достигаетс тем, что в ЭФГ материале, состо щего из электропровод щей подложки, нанесенного на нее фоточувствительного сло , выполненного на основе мышь ксодержащего компонента , селена и теллура, фоточувствительный слой выполнен из триселенида мышь ка, селена и теллура при следующем соотношении компонентов, мае.%:
Триселенид мышь ка 3-35 Теллур5-20 Селен Остальное За вл емый материал готов т соиспа- рением отдельных компонентов, а именно селена, теллура и триселенида мышь ка.
Примеры 1-3. В камеру вакуумной установки, содержащую вал дл вращени подложки, устройство дл ее нагревани и при автономно термоуправл емом испарителе , помещают обезжиренную и химически обработанную одним из известных способов подложку. В один из испарителей помещают селен, в другой триселенид мышь ка, а в третий - теллур. Камеру откачивают до 10 -10 Торр. Во врем откачивани камеры подложку нагревают до 120-140°С дл обезглаживани , затем ее охлаждают до 60-65°С, подава на подложку теплоноситель . Затем производ т одновременное на (Л
С
ы
СО
о ю
ON О
пыление загруженных компонентов при постепенном повышении температуры подложки от 60-65°С до 85-90°С. После этого ввод т а вакуумную камеру теплоноситель: воздух, инертные газы или их смеси, Таким образом дл изготовлени электрофотогра- фическрго материала отпадает необходимость Изготовлени сплава Se-Те- А$2 - Без. Раздельное соиспарение элементов обеспечивает создание материала с посто нной и переменной концентрацией примесей в слое, а также получение электрофотографического материала с определенным процентным содержанием каждой примеси в слое, что дает возможность получить материал с заданными стабилизированными параметрами .
Определенное процентное содержание примесей в электрофотографическом материале обеспечиваетс при определенных заданных температурах испарителей с вводимыми примес ми, а толщина электрофотографического материала зависит от количества загруженных компонентов и времени напылени .
Дл определени электрофотографических параметров материала готов т экспериментальные образцы в различных температурных регламентах (по 3 шт. в каждом температурном регламенте). После чего исследуют электрофотографические параметры и выбирают эти образцы и режимы их изготовлени , которые соответствуют требовани м , предъ вл емым к электрофотографическим материалам, как к граничным значени м, так и к средним. Выбранные образцы подвергают атомно-эмиссионному спектральному анализу дл определени количественного содержани примесей в материалах.
Температурные режимы изготовлени Г образца
tncn.Se300°С
т.исп АЗзЗез360°С
tncn.Te450°С
Содержание примесей в материале составл ет , мас.%:
ASaSes3,0
Те5,0
SeОстальное, т.е. 5еэ2(А525ез)ЗТе5.
Температурные режимы изготовлени II образца
tncn. Se300°C
гисп. ASaSea380°C tncn. Те 500°С. Содержание примесей, мас.%: Те 17 Аз2$ез 32
SeОстальное, т.е, Se5i(AS2Ses)32Tei7
Температурные режимы изготовлени III образца
tncn.Se300°C tncn.AS2Se3 400°С tncn.Te 550°С Содержание примесей в материале, мас.%:
Те20% AS2Se3 35% Se Остальное, т.е. 5е45(А52$ез)з5Те20
Если у i и II образцов врем полуспада потенциала в темноте составл ет 10-15 с, то у III образца она составл ет 2,5-3,5 с.
Предпочтительна толщина электрофотографического сло - 35-45 мкм.
При толщине сло ниже 35 мкм отсутст- Вует необходима контрастность копии, электрофотографический материал зар жаетс до 550-650 В, а при толщине сло выше 45 мкм, остаточный потенциал выше 100 В и материал зар жаетс до 800-1000 В. при увеличении содержани примесей А525ез в электрофотографическом материале более 35%, электрофотографические параметры сло нестабильны, а увеличение содержани примесей теллура больше 20% в слое вызывает увеличение скорости тем- нового спада потенциала. Нижн граница содержани примесей Те и А525ез, в элект- рофотографическом слое определ етс требованием к скорости темнового спада потенциала.
Электрофотографические параметры полученных образцов сведены в таблице.
Из таблицы следует, что за вл емый электрофотографический материал облада- ет значительно более высокой расширенной спектральной чувствительностью, что обеспечивает более высокое качество материала .
Применение предлагаемого электро- фотографического материала обеспечит создание высокоскоростных электрофотографических аппаратов с высоким качеством копировани и откроет возможности создани цветной электрографии,
Claims (1)
- Формула изобретени Электрофотографический материал, состо щий из электропровод щей подложки и нанесенного на нее фоточувствительного сло , выполненного на основе мышь ксо- держащего компонента, селена и теллура, отличающийс тем, что, с целью улучшени качества материала за счет расширени спектральной чувствительности, фоточувствительный слой выполнен из три- селенидз мышь ка, селена и теллура при следующем, соотношении компонентов, мас.%: .Триселенид мышь ка 3-35 Теллур .5-20 Селен Остальное.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU904832990A RU1789966C (ru) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | Электрофотографический материал |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU904832990A RU1789966C (ru) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | Электрофотографический материал |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU1789966C true RU1789966C (ru) | 1993-01-23 |
Family
ID=21517441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU904832990A RU1789966C (ru) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | Электрофотографический материал |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU1789966C (ru) |
-
1990
- 1990-05-30 RU SU904832990A patent/RU1789966C/ru active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| За вка DE № 2553825, кл. G 03 G 5/08, 1987. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU1789966C (ru) | Электрофотографический материал | |
| US4731312A (en) | Photoconductor for electrophotography comprises indium phthalocyanine | |
| EP0146967B1 (en) | Photoconductive target of image pickup tube and manufacturing method thereof | |
| US4601965A (en) | Photosensitive material for use in electrophotography | |
| Shukla et al. | X-ray K-absorption studies in glassy Se80Te10 and Se80Te18M10 (M= Ag, Cd, In and Sb) | |
| US4870027A (en) | Sensitization pretreatment of Pb-salt epitaxial films for Schottky diodes by sulfur vapor exposure | |
| US4115115A (en) | Crystallization of selenium in polymer matrices via in situ generation of organic crystalline nucleation sites | |
| JPS636865B2 (ru) | ||
| Platikanova et al. | Neutralization of trapped photoholes in AgBr | |
| US4853339A (en) | Method of sensitizing Pb-salt epitaxial films for schottky diodes | |
| US3888634A (en) | Process for preparation of a film of lead monoxide | |
| US4900373A (en) | Sensitization pretreatment of Pb-salt epitaxial films for schottky diodes by sulfur vapor exposure | |
| CA1125495A (en) | Cadmium sulfide/cadmium carbonate/cadmium oxide photoconductor | |
| SU1051490A1 (ru) | Электрофотографический материал | |
| JPH0217021B2 (ru) | ||
| US3466183A (en) | Method of manufacturing photoconductive layers | |
| Heimann et al. | Development of an Infra-red Vidicon-type Pick-up Tube with a Lead Sulphide Target | |
| SU966656A1 (ru) | Электрофотографический материал | |
| JPS60252353A (ja) | 電子写真感光体用セレン,セレン感光膜およびそれらの製造方法 | |
| JPS59223436A (ja) | セレンテルル合金電子写真用感光体の製造方法 | |
| EP0162310A1 (en) | Photoconductive target of the image pickup tube | |
| JPH0372152B2 (ru) | ||
| JPS59133550A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| SU1191878A1 (ru) | Способ изготовлени электрофотографического носител | |
| SU957158A1 (ru) | Способ изготовлени электрофотографического материала |