RU1800309C - Способ подготовки образца кремни дл определени дефектности структуры - Google Patents

Abstract

Назначение: изобретение относитс  к области микроэлектроники и может быть использовано дл  препарировани  образцов при контроле структуры кремни . Сущность изобретени : поверхность образца подвергают обработке селективным травителем. Травление провод т путем электрохимического травлени  при освещении поверхности некогерентным светом. Травление провод т в две стадии. На первой стадии плотность энергии света не менее 500 Дж/см2, на второй не более 150 Дж/см2. 1 ил.

Description

Изобретение относитс  к области микроэлектроники , а более конкретно - к технологии препарировани  образцов и может быть использовано дл  контрол  структурного состо ни  полупроводниковых матери- алов.Цель изобретени  - повышение производительности процесса исследовани  дефектной структуры образца кремни .

Указанна  цель достигаетс  тем, что в известном способе исследовани  дефектной структуры образца кремни , включающем обработку его поверхности селективным травителем, на образце приготавливают наклонный шлиф с помощью электрохимического анодного растворени  материала при воздействии на поверхность образца некогерентным светом с плотностью энергии W 500 Дж/см2, после чего вы вл ют дефектную структуру, перевод  процесс травлени  в селективный режим путем снижени  интенсивности облучени  до уровн  WЈ150 Дж/см2.

Предлагаемый способ исследовани  дефектной структуры образца кремни  по сн етс  схемой, представленной на чертеже.

Исследуемый образец 1, снабженный тыловым контактом 2, укреплен на держателе 3, который помещен в электролитическую ванну 4 с катодом 5 и источником света 6, заполненную травителем дл  анодного электрохимического растворени . При приложении внешнего напр жени  плотность тока, протекающего через границу раздела полупроводник-электролит в каждой точке, а следовательно, и скорость растворени  материала, определ ютс , с одной стороны, .электрохимическими характеристиками используемого электролита и временем травлени , которые посто нны дл  любой точки поверхности, и с другой стороны, геометрическими факторами, обеспечивающими различную скорость стрэвливани  в зависимости от рассто ни  до катода и получени  наклонного профил  травленной поверхности , конкретна  форма которой

Ё

00

о о

(А О

ю

определ етс  конфигурацией катода, рассто нием от него до образца и их взаимным расположением.

Обнаружено, что при облучении поверхности образца кремни  некогерентным светом от лампы накаливани  с плотностью энергии Дж/см2, процесс травлени  не зависит от степени дефектности материала , наличи  примесей, а также типа и концентрации носителей в пределах экспериментальной точности измерений. Данный эффект достигаетс  за счет интенсивной генерации неравновесных носителей зар да в объеме образца, концентраци  которых при указанной плотности энергии облучени  существенно превышает фоновую величину, определ емую конкретными свойствами материала и оказывающую вли ние на кинетику процесса растворени .

Таким образом, осуществл   анодное электрохимическое растворение образца в оговоренных выше услови х, можно приготовить наклонный шлиф.с параметрами, которые заданы конкретной конфигурацией системы травлени .

0

5

0

5

Установлено, что способ дает возможность существенно повысить производительность процесса исследовани  дефектной структуры образца кремни , позвол   получить информацию о распределении кристаллографических дефектов по глубине, а также других объемных свойствах кристалла без дополнительных промежуточных операций стравливани  тонких поверх ностных слоев материала, при этом экономи  времени по сравнению с традиционными методиками в некоторых случа х достигает 50%.

Claims (1)

1. Формула изобретени  Способ подготовки образца кремни  дл  определени  дефектности структуры, включающий обработку его поверхности селективным травителем, отличающий; . с   тем, что, с целью повышени  производительности процесса, селективное травление провод т путем электрохимического травлени  в две стадии при освещении поверхности некогерентным светом, причем на первой стадии травление провод т при плотности энергии света не менее 500 Дж/см2, а на второй стадии - не более 150 Дж/см2.