RU2000354C1 - Устройство дл обработки изделий тлеющим разр дом - Google Patents
Устройство дл обработки изделий тлеющим разр домInfo
- Publication number
- RU2000354C1 RU2000354C1 SU5035477A RU2000354C1 RU 2000354 C1 RU2000354 C1 RU 2000354C1 SU 5035477 A SU5035477 A SU 5035477A RU 2000354 C1 RU2000354 C1 RU 2000354C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- zone
- cathode
- plates
- glow
- distance
- Prior art date
Links
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000003913 materials processing Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к устройствам дл обработки изделий тлеющим разр дом при нанесении вакуумных покрытий. Устройство содержит токоподвод с составным катодом (К), содержащем как минимум две замкнутые пластины (П) с параллельными образующими. Одна из П выполнена сплошной , а остальные - с отверсти ми (О) по всей поверхности. Рассто ние (Р) между П выбираетс равным не менее удвоенного Р между поверхностью К и зоной отрицательного свечени . Размер О и Р между ними выбираетс в пределах Р от поверхности К до зоны отрицательного свечени . Данное выполнение К обеспечивает возникновение эффекта полого К в полости П, а также повышенную плотность плазмы положительного столба тлеющего разр да в пространстве со стороны П с О, где обеспечиваетс эффективна обработка изделий. 1 ил.
Description
Изобретение относитс к обработке материалов в тлеющем разр де при нанесении вакуумных покрытий, в частности в микроэлектронике , оптике, изготовлении товаров народного потреблени .
Известно устройство, содержащее токо- провод и электроды в виде плоских пластин, расположенных в вакуумной камере (см . В.А.Брнештейн и др. О действии тлеющего разр да на поверхность стекла. Физика и хими обработки материалов, 1979, № 4, с. 147), При использовании таких электродов эффективность обработки обеспечиваетс в случае помещени изделий в узкой области отрицательного свечени тлеющего разр да , параллельно плоскости катода, В промышленных услови х размещение изделий в зоне отрицательного свечени св зано с большими трудност ми как в силу небольшой толщины самой зоны (не более 1-2 мм)
так и по причине Изменени положени зоны в зависимости от величины давлени в камере. Кроме того, дл изделий не плоской конфигурации их размещение в зоне отрицательного свечени вообще невозможно, и поэтому дл обеспечени равномерности обработки они размещаютс в зоне плазмы положительного столба тлеющего разр да, где энерги ионов и электронов разр да значительно ниже.
Известно устройство, содержащее токоподвод и катод в виде спирали (см . авт.св. СССР №388061). Така конструкци катода позвол ет эффективней использовать электроны , эмиттированные с боковых поверхностей спирали в пространстве между ее витками, и тем самым увеличить интенсивность ионизации газа и скорость распылени материала катода. Однако при использовании такой конструкции катода
/О
с
ю о о о
СА)
ел
N
о
дл обработки материала имеют место те же недостатки, что и дл предыдущего примера . Кроме того . более интенсивное воздействие разр да, обеспечиваемое конструкцией катода, ориентировано как в сторону обрабатываемого издели , так и в противоположную от издели сторону, что снижает эффективность использовани мощности разр да.
В литературе описано устройство, со- держащее токопровод и электрод полой цилиндрической формы с отверсти ми в боковой поверхности, обращенными в сторону обрабатываемого издели (см. Ройх И.Л. и Колтунова А.Н. Защитные вакуумные покрыти на стали, М., 1971). В описанной конструкции электрода с выбранными размерами внутренней полости, отверстий и рассто ний между ними разр д оказывает
с сосредоточенным исключительно в его внутренней полости, а показатели воздействи разр да на обрабатываемое изделие ниже, чем дл плоского электрода, т.к. при одинаковом напр жении на электродах обе
их конструкций дл полого электрода внеш- и часть разр да оказываетс значительно шунтированной разр дом в полости, тем самым существенно снижаетс эффективность обработки издели , расположенного с внешней стороны от цилиндрического по- лого электрода.
Целью изобретени вл етс создание электрода, обеспечивающего более эффективную обработку изделий за пределами зоны отрицательного свечени в большей части объема камеры, путем повышени плотности плазмы положительного столба тлеющего разр да и эффективности использовани мощности разр да.
Цель достигаетс тем, что в устройстве дл обработки изделий тлеющим разр дом, содержащем катод с токоподводом, полостью и зоной отрицательного свечени , полость катода образована не менее чем двум замкнутыми пластинами с параллель- ными образующими, причем одна из пластин выполнена сплошной, а другие - с отверсти ми по всей поверхности. Рассто ние между пластинами выбираетс равным не менее чем удвоенному рассто нию от поверхности катода до зоны отрицательного свечени , а размер отверстий и рассто ние между ними выбираютс в пределах рассто ни от поверхности катода до зоны
отрицательного свечени .
При такой конструкции катода электроны , эмиттированные с внутренних, параллельно расположенных поверхностей пластин, начинают осциллировать в полости между сплошной пластиной и сплошны5
Ю 15
0
5 0
5
40 45 50
55
ми участками пластин с отверсти ми, оттал киваемые этими поверхност ми, наход щимис под отрицательным потенциалом При выбранном рассто нии между пластинами электроны, до момента изменени направлени своего движени , успевают набрать энергию, достаточную дл ионизации газа. Вследствие этого в процессе колебаний каждый электрон обеспечивает многократную ионизацию в пространстве между пластинами , что вызывает лавинообразный рост количества самих электронов, и как следствие, дополнительное повышение степени ионизации газа в этом пространстве. В результате ток разр да резко увеличиваетс (до 10 раз). При выбранном размере отверстий в пластинах обеспечиваетс возможность выхода электронов из ловушки, образованной встречными электрическими пол ми параллельных пластин. При выбранном рассто нии между отверсти ми обеспечиваетс условие максимального выхода электронов в зону обрабатываемого издели . Таким образом обеспечиваетс прохождение повышенного тока через положительный столб тлеющего разр да со стороны пластин тлеющего разр да. Увеличение тока сопровождаетс значительным ростом интенсивности свечени газа и степени воздействи плазмы положительного столба тлеющего разр да на обрабатываемое изделие.
На чертеже изображено устройство дл обработки изделий тлеющим разр дом в случае использовани двух пластин параллельными плоскост ми.
Токоподвод 1 присоедин етс к сплошной пластине 2 и пластине 3 с отверсти ми, зафиксированными друг относительно друга при помощи ограничителей 4 на выбранном рассто нии. Траектори 5 движени электронов пересекает зону 6 отрицательного свечени между пластинами и выходит в пространство, где располагаетс обрабатываемое изделие 8. В качестве второго электрода служат стенки камеры 9.
Через токоподвод 1 подаетс отрицательный потенциал на пластины 2 и 3 с ограничителем4 .Электроны, эмиттированные за счет вторичной электронной эмиссии с внутренней поверхности одной из пластин, ускор ютс в направлении противоположной пластины. При достижении электронами энергии ионизации, в момент их столкновени с атомами газа, обеспечиваетс возможность ионизации этих атомов, в результате которой по вл ютс дополнительные электроны При дальнейшем движении электронов они тормоз тс встречным полем противоположной пластины, останавливаютс и начинают движение в обратном направлении, обеспечива новые акты ионизации, и так до того момента, пока не вылет т из этого полузамкнутого пространства через отверсти пластины 3 по траектории 5. В результате действи этих факторов происходит эффективна ионизаци газа с формированием зоны отрицательного свечени в полости между пластинами и лавинообразное размножение электронов. Ток разр да резко возрастает, возникает эффект полого катода , обусловленный асцилл цией внутри полости значительного количества быстрых электронов, которые, вырыва сь через отверсти пластины 3. обеспечивают повышенную плотность плазмы положительного столба тлеющего разр да в обширном пространства 7. ориентированном перпендикул рно плоскости катода в направлении пластины 3 с отверсти ми. В этом пространстве легко размещаютс издели 8 самой различной конфигурации. Использование в качестве второго электрода (анода) стенок камеры 9 практически не сказываетс на размерах и направленности пространства 7
5
0
5
Claims (3)
- с плазмой повышенной плотности. Формирование же разр да со стороны свободной поверхности сплошной пластины 3 практически отсутствует, что обеспечивает эффективное использование мощности разр да дл обработки поверхности издели . Формула изобретени 1.Устройство дл обработки изделий тлеющим разр дом, содержащее полый катод с зоной отрицательного свечени и с токоподводом, отличающеес тем, что катод образован не менее чем двум замкнутыми пластинами с параллельными образующими , причем одна из пластин сплошна , а другие - с отверсти ми по всей поверхности,
- 2.Устройство поп.1.отличающее- с тем. что рассто ние между пластинами равно не менее чем удвоенному рассто нию от поверхности катода до зоны отрицательного свечени .
- 3.Устройство поп.1,отличающее- с тем, что диаметр отверстий и рассто ние между ними наход тс в пределах рассто ни от поверхности катода до зоны отрицательного свечени .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU5035477 RU2000354C1 (ru) | 1992-04-01 | 1992-04-01 | Устройство дл обработки изделий тлеющим разр дом |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU5035477 RU2000354C1 (ru) | 1992-04-01 | 1992-04-01 | Устройство дл обработки изделий тлеющим разр дом |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2000354C1 true RU2000354C1 (ru) | 1993-09-07 |
Family
ID=21600906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU5035477 RU2000354C1 (ru) | 1992-04-01 | 1992-04-01 | Устройство дл обработки изделий тлеющим разр дом |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2000354C1 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2101383C1 (ru) * | 1995-02-21 | 1998-01-10 | Уфимский государственный авиационный технический университет | Способ катодного распыления |
| WO2007013703A1 (en) * | 2005-07-26 | 2007-02-01 | Psm Inc. | Injection type plasma treatment apparatus and method |
-
1992
- 1992-04-01 RU SU5035477 patent/RU2000354C1/ru active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2101383C1 (ru) * | 1995-02-21 | 1998-01-10 | Уфимский государственный авиационный технический университет | Способ катодного распыления |
| WO2007013703A1 (en) * | 2005-07-26 | 2007-02-01 | Psm Inc. | Injection type plasma treatment apparatus and method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Conrads et al. | Plasma generation and plasma sources | |
| Lu et al. | Atmospheric pressure nonthermal plasma sources | |
| CN100512592C (zh) | 等离子加速器装置 | |
| US5846608A (en) | Process for ion-supported vacuum coating | |
| JP3328498B2 (ja) | 高速原子線源 | |
| US4551221A (en) | Vacuum-arc plasma apparatus | |
| EP0463408A2 (en) | Plasma accelerator with closed electron drift | |
| CN106029215B (zh) | 用于利用加速的电子加载散装货物的装置 | |
| AR025066A2 (es) | Metodo para ionizar un vapor de revestimiento en una disposicion de revestimiento por deposicion de vapor, y disposicion de revestimiento por deposicion devapor que usa un catodo con una campana anodica | |
| US12274971B2 (en) | Apparatus and method for applying accelerated electrons to gaseous media | |
| SE516336C2 (sv) | Apparat för plasmabehandling av ytor | |
| Coll et al. | Design of vacuum arc-based sources | |
| US20080191629A1 (en) | Focused anode layer ion source with converging and charge compensated beam (falcon) | |
| US3406349A (en) | Ion beam generator having laseractivated ion source | |
| US3271556A (en) | Atmospheric charged particle beam welding | |
| JPH07501654A (ja) | 帯電粒子の加速方法および粒子加速器 | |
| RU2000354C1 (ru) | Устройство дл обработки изделий тлеющим разр дом | |
| US5519213A (en) | Fast atom beam source | |
| US5434469A (en) | Ion generator with ionization chamber constructed from or coated with material with a high coefficient of secondary emission | |
| US3619812A (en) | Metallic vapor laser | |
| RU2726187C1 (ru) | Устройство для обработки изделий быстрыми атомами | |
| RU2096933C1 (ru) | Устройство для плазмохимического нанесения покрытия | |
| US3358169A (en) | Metastable ion pinch light source | |
| RU1745080C (ru) | Источник ионов паров металлов | |
| RU2496283C1 (ru) | Генератор широкоаппертурного потока газоразрядной плазмы |