RU2012106418A - Наноструктурный электрод для псевдоемкостного накопления энергии - Google Patents
Наноструктурный электрод для псевдоемкостного накопления энергии Download PDFInfo
- Publication number
- RU2012106418A RU2012106418A RU2012106418/07A RU2012106418A RU2012106418A RU 2012106418 A RU2012106418 A RU 2012106418A RU 2012106418/07 A RU2012106418/07 A RU 2012106418/07A RU 2012106418 A RU2012106418 A RU 2012106418A RU 2012106418 A RU2012106418 A RU 2012106418A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- capacitive
- pseudo
- energy storage
- storage device
- nanocylinders
- Prior art date
Links
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 title claims abstract 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 19
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 8
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 2
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 claims 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/22—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/22—Electrodes
- H01G11/24—Electrodes characterised by structural features of the materials making up or comprised in the electrodes, e.g. form, surface area or porosity; characterised by the structural features of powders or particles used therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/22—Electrodes
- H01G11/26—Electrodes characterised by their structure, e.g. multi-layered, porosity or surface features
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/22—Electrodes
- H01G11/30—Electrodes characterised by their material
- H01G11/32—Carbon-based
- H01G11/36—Nanostructures, e.g. nanofibres, nanotubes or fullerenes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/22—Electrodes
- H01G11/30—Electrodes characterised by their material
- H01G11/46—Metal oxides
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/13—Energy storage using capacitors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
- Secondary Cells (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
1. Накопитель энергии, содержащий электрод, который содержит множество псевдоемкостных наноцилиндров, расположенных на проводящей подложке, причем каждый псевдоемкостный наноцилиндр содержит псевдоемкостный материал и имеет выполненную в нем полость.2. Накопитель энергии по п.1, в котором полость в каждом псевдоемкостном наноцилиндре не заключена в оболочку из псевдоемкостного наноцилиндра.3. Накопитель энергии по п.1, в котором на одном конце каждого псевдоемкостного наноцилиндра имеется отверстие, сообщающееся с полостью.4. Накопитель энергии по п.1, в котором боковые стенки множества псевдоемкостных наноцилиндров перпендикулярны поверхности проводящей подложки.5. Накопитель энергии по п.4, в котором каждый псевдоемкостный наноцилиндр имеет торцевую крышку без отверстия, которая имеет наружную торцевую поверхность, примыкающую к боковым стенкам псевдоемкостного наноцилиндра по всей его окружности.6. Накопитель энергии по п.5, в котором вся наружная торцевая поверхность соприкасается с проводящей подложкой.7. Накопитель энергии по п.4, в котором каждый псевдоемкостный наноцилиндр отстоит в боковом направлении от любого другого из множества емкостных наноцилиндров и не соприкасается с ним.8. Накопитель энергии по п.4, в котором каждый псевдоемкостный наноцилиндр имеет два отверстия, которые расположены на его концах.9. Накопитель энергии по п.4, в котором все емкостные наноцилиндры указанного множества связаны друг с другом посредством планарного слоя псевдоемкостного материала на конце каждого емкостного наноцилиндра.10. Накопитель энергии по п.9, в котором в планарном слое псевдоемкостного материала со�
Claims (25)
1. Накопитель энергии, содержащий электрод, который содержит множество псевдоемкостных наноцилиндров, расположенных на проводящей подложке, причем каждый псевдоемкостный наноцилиндр содержит псевдоемкостный материал и имеет выполненную в нем полость.
2. Накопитель энергии по п.1, в котором полость в каждом псевдоемкостном наноцилиндре не заключена в оболочку из псевдоемкостного наноцилиндра.
3. Накопитель энергии по п.1, в котором на одном конце каждого псевдоемкостного наноцилиндра имеется отверстие, сообщающееся с полостью.
4. Накопитель энергии по п.1, в котором боковые стенки множества псевдоемкостных наноцилиндров перпендикулярны поверхности проводящей подложки.
5. Накопитель энергии по п.4, в котором каждый псевдоемкостный наноцилиндр имеет торцевую крышку без отверстия, которая имеет наружную торцевую поверхность, примыкающую к боковым стенкам псевдоемкостного наноцилиндра по всей его окружности.
6. Накопитель энергии по п.5, в котором вся наружная торцевая поверхность соприкасается с проводящей подложкой.
7. Накопитель энергии по п.4, в котором каждый псевдоемкостный наноцилиндр отстоит в боковом направлении от любого другого из множества емкостных наноцилиндров и не соприкасается с ним.
8. Накопитель энергии по п.4, в котором каждый псевдоемкостный наноцилиндр имеет два отверстия, которые расположены на его концах.
9. Накопитель энергии по п.4, в котором все емкостные наноцилиндры указанного множества связаны друг с другом посредством планарного слоя псевдоемкостного материала на конце каждого емкостного наноцилиндра.
10. Накопитель энергии по п.9, в котором в планарном слое псевдоемкостного материала содержится по меньшей мере такое же число отверстий, что и общее число псевдоемкостных наноцилиндров в составе множества псевдоемкостных наноцилиндров.
11. Накопитель энергии по п.1, в котором ориентация псевдоемкостных наноцилиндров является рандомизированной.
12. Накопитель энергии по п.11, в котором каждый псевдоемкостный наноцилиндр имеет два отверстия, расположенных на его концах.
13. Накопитель энергии по п.1, в котором псевдоемкостный материал выбран из оксида марганца, оксида рутения, оксида никеля и их сочетания.
14. Накопитель энергии по п.1, содержащий также другой электрод, который не соприкасается с упомянутым электродом, и электропроводящий материал.
15. Накопитель энергии по п.14, содержащий также:
- раствор электролита, находящийся между упомянутым электродом и упомянутым другим электродом, и
- погруженный в раствор электролита сепаратор, способный под действием напряжения смещения, подаваемого на упомянутый электрод и упомянутый другой электрод, пропускать ионы, и препятствующий прохождению через него электронов.
16. Накопитель энергии по п.1, в котором на множество псевдоемкостных наноцилиндров нанесено покрытие из функциональной группы, содержащей псевдоемкостный материал.
17. Способ изготовления множества псевдоемкостных наноцилиндров, характеризующийся тем, что:
- осаждают слой псевдоемкостного материала на подложку из анодированного оксида алюминия с множеством выполненных в ней отверстий,
- обнажают поверхности подложки из анодированного оксида алюминия, и
- удаляют подложку из анодированного оксида алюминия, при этом из остающихся участков слоя псевдоемкостного материала образуется множество псевдоемкостных наноцилиндров.
18. Способ по п.17, характеризующийся тем, что слой псевдоемкостного материала формируют путем атомно-слоевого осаждения (ALD).
19. Способ по п.17, характеризующийся тем, что до осаждения слоя псевдоемкостного материала дополнительно помещают подложку из анодированного оксида алюминия на проводящую подложку, при этом слой псевдоемкостного материала осаждают на поверхность проводящей подложки.
20. Способ по п.19, характеризующийся тем, что поверхности подложки из анодированного оксида алюминия обнажают путем удаления дистальных планарных участков слоя псевдоемкостного материала, которые не соприкасаются с проводящей подложкой.
21. Способ по п.19, характеризующийся тем, что множество псевдоемкостных наноцилиндров формируют в виде массива псевдоемкостных наноцилиндров, боковые стенки которых перпендикулярны поверхности проводящей подложки.
22. Способ по п.17, характеризующийся тем, что до осаждения слоя псевдоемкостного материала подложку из анодированного оксида алюминия помещают на съемную подложку, при этом слой псевдоемкостного материала осаждают на поверхность проводящей подложки.
23. Способ по п.22, характеризующийся тем, что дополнительно:
- удаляют съемную подложку из конструкции, образованной слоем псевдоемкостного материала и подложкой из анодированного оксида алюминия, и
- прикрепляют упомянутую конструкцию к проводящей подложке, после чего обнажают поверхности подложки из анодированного оксида алюминия.
24. Способ по п.22, характеризующийся тем, что дополнительно:
- удаляют съемную подложку из конструкции, образованной слоем псевдоемкостного материала и подложкой из анодированного оксида алюминия, и
- размещают множество псевдоемкостных наноцилиндров на проводящей подложке, при этом ориентация множества псевдоемкостных наноцилиндров после их размещения является рандомизированной.
25. Способ по п.17, характеризующийся тем, что на множество псевдоемкостных наноцилиндров дополнительно наносят покрытие из функциональной группы, содержащей псевдоемкостный материал.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US12/876,441 US8599533B2 (en) | 2010-09-07 | 2010-09-07 | Nanostructure electrode for pseudocapacitive energy storage |
| US12/876,441 | 2010-09-07 | ||
| PCT/US2011/044643 WO2012033570A1 (en) | 2010-09-07 | 2011-07-20 | Nanostructure electrode for pseudocapacitive energy storage |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2012106418A true RU2012106418A (ru) | 2013-10-27 |
| RU2521083C2 RU2521083C2 (ru) | 2014-06-27 |
Family
ID=45770566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012106418/07A RU2521083C2 (ru) | 2010-09-07 | 2011-07-20 | Наноструктурный электрод для псевдоемкостного накопления энергии |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8599533B2 (ru) |
| JP (1) | JP5629381B2 (ru) |
| CN (1) | CN103098160B (ru) |
| DE (1) | DE112011102970T5 (ru) |
| GB (1) | GB2497040B (ru) |
| RU (1) | RU2521083C2 (ru) |
| TW (1) | TWI497547B (ru) |
| WO (1) | WO2012033570A1 (ru) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012128763A1 (en) * | 2011-03-23 | 2012-09-27 | Empire Technology Development Llc | Capacitor with parallel nanotubes |
| JP2014535124A (ja) | 2011-09-30 | 2014-12-25 | インテル コーポレイション | エネルギー貯蔵デバイスのエネルギー密度及び達成可能な電力出力を増やす方法 |
| US9396883B2 (en) * | 2013-04-26 | 2016-07-19 | Intel Corporation | Faradaic energy storage device structures and associated techniques and configurations |
| CA2851434A1 (en) | 2013-05-03 | 2014-11-03 | The Governors Of The University Of Alberta | Carbon nanosheets |
| US10090376B2 (en) | 2013-10-29 | 2018-10-02 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming semiconductor device structures, and methods of forming capacitor structures |
| EP3097574A4 (en) * | 2014-01-23 | 2017-12-27 | Masdar Institute of Science and Technology | Fabrication of enhanced supercapacitors using atomic layer deposition of metal oxide on nanostructures |
| CN106252071B (zh) * | 2016-08-05 | 2018-04-03 | 南京理工大学 | 一种高比容量纳米电介质电容器及其制备方法 |
| CN106449158B (zh) * | 2016-09-12 | 2018-07-17 | 武汉理工大学 | 钛基底上镍锰复合氧化物纳米菱柱阵列电极及其制备方法 |
| JP2017130669A (ja) * | 2017-02-27 | 2017-07-27 | インテル コーポレイション | エネルギー貯蔵デバイスのエネルギー密度及び達成可能な電力出力を増やす方法 |
| RU2678055C2 (ru) * | 2017-07-14 | 2019-01-22 | ООО "Нелан-оксид плюс" | Способ получения эластичной алюмооксидной наномембраны |
| CN108133838B (zh) * | 2017-12-21 | 2019-09-17 | 北京理工大学 | 一种基于飞秒激光复合阳极氧化制备赝电容电极的方法 |
| EP3570307A1 (en) * | 2018-05-18 | 2019-11-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Integrated energy storage component |
| RU2716700C1 (ru) * | 2019-08-28 | 2020-03-16 | Акционерное общество "Концерн "Созвездие" | Способ модификации поверхности фольги для электролитических конденсаторов |
| CN114744211B (zh) * | 2022-05-13 | 2024-03-29 | 南京邮电大学 | 一种超分支氧化的多孔金属负极集流体及其制备方法 |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2800616A (en) | 1954-04-14 | 1957-07-23 | Gen Electric | Low voltage electrolytic capacitor |
| US3652902A (en) * | 1969-06-30 | 1972-03-28 | Ibm | Electrochemical double layer capacitor |
| RU2123738C1 (ru) * | 1997-03-21 | 1998-12-20 | Воронежский государственный технический университет | Пористое покрытие для модификации поверхности фольги электролитического конденсатора |
| WO1998048456A1 (en) | 1997-04-24 | 1998-10-29 | Massachusetts Institute Of Technology | Nanowire arrays |
| US6205016B1 (en) | 1997-06-04 | 2001-03-20 | Hyperion Catalysis International, Inc. | Fibril composite electrode for electrochemical capacitors |
| US6129901A (en) | 1997-11-18 | 2000-10-10 | Martin Moskovits | Controlled synthesis and metal-filling of aligned carbon nanotubes |
| KR100403611B1 (ko) * | 2000-06-07 | 2003-11-01 | 삼성전자주식회사 | 금속-절연체-금속 구조의 커패시터 및 그 제조방법 |
| JP4002829B2 (ja) | 2000-09-06 | 2007-11-07 | 日立マクセル株式会社 | 電気化学素子用電極材料とその製造方法および電気化学素子 |
| AU2002307151A1 (en) * | 2001-04-06 | 2002-10-21 | Carnegie Mellon University | A process for the preparation of nanostructured materials |
| US7355216B2 (en) * | 2002-12-09 | 2008-04-08 | The Regents Of The University Of California | Fluidic nanotubes and devices |
| US7116547B2 (en) * | 2003-08-18 | 2006-10-03 | Wilson Greatbatch Technologies, Inc. | Use of pad printing in the manufacture of capacitors |
| KR100534845B1 (ko) | 2003-12-30 | 2005-12-08 | 현대자동차주식회사 | 나노 크기의 금속산화물 전극의 제조 방법 |
| US7400490B2 (en) * | 2005-01-25 | 2008-07-15 | Naturalnano Research, Inc. | Ultracapacitors comprised of mineral microtubules |
| KR100647333B1 (ko) | 2005-08-31 | 2006-11-23 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
| DE602006008816D1 (de) * | 2005-09-22 | 2009-10-08 | Honda Motor Co Ltd | Polarisierte elektrode und elektrischer doppelschichtkondensator |
| KR100760530B1 (ko) | 2005-10-27 | 2007-10-04 | 한국기초과학지원연구원 | 음극산화알루미늄 템플릿을 이용한 산화망간 나노튜브 또는나노막대의 제조방법 |
| RU2308112C1 (ru) * | 2005-12-26 | 2007-10-10 | Общество с ограниченной ответственностью "Восток" | Анодная многослойная пленка |
| GB0607957D0 (en) | 2006-04-21 | 2006-05-31 | Imp Innovations Ltd | Energy storage device |
| US7623340B1 (en) | 2006-08-07 | 2009-11-24 | Nanotek Instruments, Inc. | Nano-scaled graphene plate nanocomposites for supercapacitor electrodes |
| JP2008192695A (ja) * | 2007-02-01 | 2008-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電極体、その製造方法及び電気二重層キャパシタ |
| US8085522B2 (en) * | 2007-06-26 | 2011-12-27 | Headway Technologies, Inc. | Capacitor and method of manufacturing the same and capacitor unit |
| WO2009123666A2 (en) * | 2007-12-19 | 2009-10-08 | University Of Maryland College Park | High-powered electrochemical energy storage devices and methods for their fabrication |
| US8389157B2 (en) * | 2008-02-22 | 2013-03-05 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Oriented nanotube electrodes for lithium ion batteries and supercapacitors |
| US7995952B2 (en) * | 2008-03-05 | 2011-08-09 | Xerox Corporation | High performance materials and processes for manufacture of nanostructures for use in electron emitter ion and direct charging devices |
| CN101625930B (zh) * | 2009-06-19 | 2012-04-11 | 东南大学 | 有序纳米管阵列结构电极材料及其制备方法和储能应用 |
-
2010
- 2010-09-07 US US12/876,441 patent/US8599533B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-07-20 DE DE112011102970T patent/DE112011102970T5/de active Pending
- 2011-07-20 JP JP2013527076A patent/JP5629381B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-07-20 RU RU2012106418/07A patent/RU2521083C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2011-07-20 CN CN201180042946.9A patent/CN103098160B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-07-20 WO PCT/US2011/044643 patent/WO2012033570A1/en not_active Ceased
- 2011-07-20 GB GB1304363.3A patent/GB2497040B/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-09-07 TW TW100132203A patent/TWI497547B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201243888A (en) | 2012-11-01 |
| US20120057273A1 (en) | 2012-03-08 |
| WO2012033570A1 (en) | 2012-03-15 |
| GB2497040A (en) | 2013-05-29 |
| TWI497547B (zh) | 2015-08-21 |
| GB2497040B (en) | 2014-06-18 |
| CN103098160B (zh) | 2016-12-07 |
| JP5629381B2 (ja) | 2014-11-19 |
| DE112011102970T5 (de) | 2013-08-08 |
| CN103098160A (zh) | 2013-05-08 |
| JP2013541836A (ja) | 2013-11-14 |
| US8599533B2 (en) | 2013-12-03 |
| GB201304363D0 (en) | 2013-04-24 |
| RU2521083C2 (ru) | 2014-06-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2012106418A (ru) | Наноструктурный электрод для псевдоемкостного накопления энергии | |
| JP2013541836A5 (ru) | ||
| US10050320B2 (en) | Integrated circuit with shared electrode energy storage devices | |
| CN109791844A (zh) | 固体电解电容器 | |
| CN104025225B (zh) | 储能结构、制造用于储能结构的支承结构的方法及包含储能结构的微电子组件和系统 | |
| US10373766B2 (en) | Method of producing a super-capacitor | |
| CN111684639A (zh) | 薄膜式能量存储装置 | |
| WO2007106756A3 (en) | High-efficiency solar cell with insulated vias | |
| EA201190076A1 (ru) | Ультраконденсатор и электронная аккумуляторная батарея с квантовой точкой | |
| US9443663B2 (en) | Electric double-layer capacitor | |
| JP2011521457A5 (ru) | ||
| JP2017509100A5 (ru) | ||
| WO2016060769A2 (en) | Integrated super-capacitor | |
| AR081896A1 (es) | Super capacitor super conductor, metodo para capturar energia electrica a partir de rayos y metodo para generar electricidad | |
| JP2014032893A (ja) | 薄膜電池 | |
| RU140924U1 (ru) | Электрохимическое устройство | |
| US8956764B2 (en) | Electrode plate, secondary battery having the same, and manufacturing method for the electrode plate | |
| CA2932306C (en) | Battery | |
| CN106450504A (zh) | 双极性铅酸蓄电池 | |
| KR20170050238A (ko) | 슈퍼 커패시터를 이용한 급속 충전 휴대용 보조 전원 장치 | |
| US20160233026A1 (en) | Capacitor | |
| KR102050439B1 (ko) | 다중 접합 박막 전지 및 그 제조 방법 | |
| CN206134858U (zh) | 双极性铅酸蓄电池 | |
| TW200727407A (en) | Cylindrical capacitor and method of manufacturing the same | |
| TW201103050A (en) | Stacked capacitance with positive multi-pin structure |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20160721 |