RU2012107135A - Средство для удаления фоторезиста после ионной имплантации для перспективных областей применения полупроводников - Google Patents
Средство для удаления фоторезиста после ионной имплантации для перспективных областей применения полупроводников Download PDFInfo
- Publication number
- RU2012107135A RU2012107135A RU2012107135/04A RU2012107135A RU2012107135A RU 2012107135 A RU2012107135 A RU 2012107135A RU 2012107135/04 A RU2012107135/04 A RU 2012107135/04A RU 2012107135 A RU2012107135 A RU 2012107135A RU 2012107135 A RU2012107135 A RU 2012107135A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- composition
- alcohols
- amine
- composition according
- propanol
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
- H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
- H10P50/28—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials
- H10P50/286—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of organic materials
- H10P50/287—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of organic materials by chemical means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/37—Polymers
- C11D3/3746—Macromolecular compounds obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
- C11D3/3757—(Co)polymerised carboxylic acids, -anhydrides, -esters in solid and liquid compositions
- C11D3/3765—(Co)polymerised carboxylic acids, -anhydrides, -esters in solid and liquid compositions in liquid compositions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
- H10P50/60—Wet etching
- H10P50/68—Wet etching of insulating materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
Abstract
1. Композиция для удаления фоторезиста после ионной имплантации, содержащая:(a) амин,(b) органический растворитель A, и(c) сорастворитель,гдеданная композиция по существу не содержит воду;амин представляет собой гидроксид четвертичного аммония;органический растворитель A выбран из группы, состоящей из диметилсульфоксида (DMSO), диметилсульфона (DMSO), 1-метил-2-пирролидинона (NMP), Y-бутиролактона (BLO)(GBL), этилметилкетона, 2-пентанона, 3-пентанона, 2-гексанона и изобутилметилкетона, 1-пропанола, 2-пропанола, бутилового спирта, пентанола, 1-гексанола, 1-гептанола, 1-октанола, этилдигликоля (EDG), бутилдигликоля (BDG), бензилового спирта, бензальдегида, тридекана, додекана, ундекана, декана, N,N-диметилэтаноламина, ди-н-пропиламина, три-н-пропиламина,изобутиламина, втор-бутиламина, циклогексиламина, метиламилина, о-толуидина, м-толуидина, о-хлоранилина, м-хлоранилина, октиламина, N,N-диэтилгидроксиламина, хинолина, N,N-диметилэтаноламина, N,N-диметилформамида и их комбинации;исорастворитель выбран из группы, состоящей из изопропиловых спиртов, изобутиловых спиртов, втор-бутиловых спиртов, изопентиловых спиртов, трет-пентиловых спиртов, этиленгликоля (EG), пропиленгликоля, 1,2-пропандиола, 1,3-пропандиола, 1,2,3-пропантриола, 1-амино-2-пропанола, изопропилацетата, этилацетоацетата, триэтаноламина, этаноламина (МЕА), формамида, диметилацетамида (DMAC), 2-метиламино-этанола (NMEA), N-этилдиизопропиламина и их комбинации.2. Композиция по п.1, в которой амин представляет собой гидроксид тетраметиламмония (ТМАН), гидроксид бензилтриметиламмония (ВТМАН) или их комбинацию.3. Композиция по п.1, в которой амин присутствует в количестве от 1 до 10 мас.% композиции.4. Композ�
Claims (16)
1. Композиция для удаления фоторезиста после ионной имплантации, содержащая:
(a) амин,
(b) органический растворитель A, и
(c) сорастворитель,
где
данная композиция по существу не содержит воду;
амин представляет собой гидроксид четвертичного аммония;
органический растворитель A выбран из группы, состоящей из диметилсульфоксида (DMSO), диметилсульфона (DMSO2), 1-метил-2-пирролидинона (NMP), Y-бутиролактона (BLO)(GBL), этилметилкетона, 2-пентанона, 3-пентанона, 2-гексанона и изобутилметилкетона, 1-пропанола, 2-пропанола, бутилового спирта, пентанола, 1-гексанола, 1-гептанола, 1-октанола, этилдигликоля (EDG), бутилдигликоля (BDG), бензилового спирта, бензальдегида, тридекана, додекана, ундекана, декана, N,N-диметилэтаноламина, ди-н-пропиламина, три-н-пропиламина,
изобутиламина, втор-бутиламина, циклогексиламина, метиламилина, о-толуидина, м-толуидина, о-хлоранилина, м-хлоранилина, октиламина, N,N-диэтилгидроксиламина, хинолина, N,N-диметилэтаноламина, N,N-диметилформамида и их комбинации;
и
сорастворитель выбран из группы, состоящей из изопропиловых спиртов, изобутиловых спиртов, втор-бутиловых спиртов, изопентиловых спиртов, трет-пентиловых спиртов, этиленгликоля (EG), пропиленгликоля, 1,2-пропандиола, 1,3-пропандиола, 1,2,3-пропантриола, 1-амино-2-пропанола, изопропилацетата, этилацетоацетата, триэтаноламина, этаноламина (МЕА), формамида, диметилацетамида (DMAC), 2-метиламино-этанола (NMEA), N-этилдиизопропиламина и их комбинации.
2. Композиция по п.1, в которой амин представляет собой гидроксид тетраметиламмония (ТМАН), гидроксид бензилтриметиламмония (ВТМАН) или их комбинацию.
3. Композиция по п.1, в которой амин присутствует в количестве от 1 до 10 мас.% композиции.
4. Композиция по п.3, в которой амин присутствует в количестве от 1 до 4 мас.% композиции.
5. Композиция по п.1, в которой органический растворитель А представляет собой диметилсульфоксид (DMSO), 1-метил-2-пирролидинон (NMP), бензиловый спирт, пропанол, бутилдигликоль, пентанол, N,N-диметилэтаноламин, бензальдегид или их смесь.
6. Композиция по п.5, в которой органический растворитель А представляет собой DMSO, NMP, бензиловый спирт, бутилдигликоль или их смесь.
7. Композиция по п.1, в которой сорастворитель выбран из группы, состоящей из этиленгликоля, 1,2-пропандиола, 1-амино-2-пропанола, триэтаноламина, этаноламина (МЕА), изопропилацетата и их комбинации.
8. Композиция по п.7, в которой сорастворитель представляет собой этиленгликоль, триэтаноламин, МЕА или их комбинацию.
9. Композиция по п.1, в которой содержание воды в композиции составляет менее 3 мас.% композиции.
10. Композиция по п.9, в которой содержание воды в композиции составляет менее 1 мас.% композиции.
11. Композиция по п.10, в которой содержание воды в композиции составляет менее 0.5 мас.% композиции.
12. Способ удаления фоторезиста после ионной имплантации, включающий стадии:
(a) обеспечение субстрата с имплантированными фоторезистами, и
(b) контактирование субстрата с композицией по п.1 при температуре обработки в течение периода времени, достаточного для удаления фоторезиста с субстрата.
13. Способ по п.12, в котором температура обработки находится в пределах от 25°C до 90°C.
14. Способ по п.13, в котором температура обработки находится в пределах от 40°C до 80°C.
15. Способ по п.14, в котором температура обработки находится в пределах от 60°C до 80°C.
16. Способ по п.12, в котором время контакта составляет от 20 мин до 1 ч.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US22976009P | 2009-07-30 | 2009-07-30 | |
| US61/229,760 | 2009-07-30 | ||
| PCT/EP2010/060762 WO2011012559A2 (en) | 2009-07-30 | 2010-07-26 | Post ion implant stripper for advanced semiconductor application |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2012107135A true RU2012107135A (ru) | 2013-09-10 |
| RU2575012C2 RU2575012C2 (ru) | 2016-02-10 |
Family
ID=
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101746879B1 (ko) | 2017-06-14 |
| US20120129747A1 (en) | 2012-05-24 |
| SG177755A1 (en) | 2012-03-29 |
| KR20120041777A (ko) | 2012-05-02 |
| CN102473638B (zh) | 2015-02-18 |
| JP2013500503A (ja) | 2013-01-07 |
| TWI594088B (zh) | 2017-08-01 |
| SG10201404328QA (en) | 2014-10-30 |
| IL217708A0 (en) | 2012-03-29 |
| MY185453A (en) | 2021-05-19 |
| EP2460177B1 (en) | 2016-03-23 |
| IL217708A (en) | 2017-07-31 |
| JP6165442B2 (ja) | 2017-07-19 |
| TW201128327A (en) | 2011-08-16 |
| US9484218B2 (en) | 2016-11-01 |
| WO2011012559A3 (en) | 2011-03-24 |
| CN102473638A (zh) | 2012-05-23 |
| EP2460177A2 (en) | 2012-06-06 |
| WO2011012559A2 (en) | 2011-02-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2013500503A5 (ru) | ||
| KR101746879B1 (ko) | 고급 반도체 적용을 위한 이온 주입 후 스트리퍼 | |
| KR101362913B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링을 위한 조성물 및 방법 | |
| US5308745A (en) | Alkaline-containing photoresist stripping compositions producing reduced metal corrosion with cross-linked or hardened resist resins | |
| CN103426744A (zh) | 用于硅片制绒的组合物和方法 | |
| WO2008081416A2 (en) | Stripper for coating layer | |
| TWI688639B (zh) | 用於自基板除去物質之組合物 | |
| EP2500775A3 (en) | Patterning process and composition for forming silicon-containing film usable therefor | |
| IL273542B2 (en) | Stripper solutions and methods of using stripper solutions | |
| IL260481A (en) | Wet etching composition for substrate having sin layer and si layer and wet etching method using same | |
| KR20220124916A (ko) | 포토레지스트 박리액 조성물 | |
| CN109164686B (zh) | 一种正性光刻胶去胶清洗组合物及其应用 | |
| WO2014071689A1 (zh) | 一种去除光阻残留物的清洗液 | |
| KR20090080206A (ko) | 포토레지스트 박리용 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트박리 방법 | |
| CN106752293B (zh) | 一种废旧易拉罐表面脱漆剂及其制备方法和应用 | |
| RU2575012C2 (ru) | Средство для удаления фоторезиста после ионной имплантации для перспективных областей применения полупроводников | |
| CN106997158B (zh) | 光刻胶去除用剥离液组合物 | |
| KR20080031565A (ko) | 포토레지스트 박리용 조성물 및 이를 이용한 박리 방법 | |
| KR20130129142A (ko) | 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링을 위한 조성물 및 방법 | |
| CN102981379A (zh) | 一种光刻胶清洗剂组合物 | |
| CN113009793B (zh) | 一种去除光刻胶残留物的清洗液 | |
| CN108535971B (zh) | 光致抗蚀剂去除用剥离液组合物 | |
| Le et al. | Effect of solvent additives on the morphology and efficiency of Perovskite solar cells | |
| KR20090038590A (ko) | 포토레지스트 박리용 조성물 및 이를 이용한 박리 방법 | |
| RU2017105846A (ru) | Получение твердой формы гадобената димеглюмина |