RU2012108191A - Электронное устройство - Google Patents

Электронное устройство Download PDF

Info

Publication number
RU2012108191A
RU2012108191A RU2012108191/28A RU2012108191A RU2012108191A RU 2012108191 A RU2012108191 A RU 2012108191A RU 2012108191/28 A RU2012108191/28 A RU 2012108191/28A RU 2012108191 A RU2012108191 A RU 2012108191A RU 2012108191 A RU2012108191 A RU 2012108191A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
semiconductor layer
thermoelectric
type
converter
thermoelectric element
Prior art date
Application number
RU2012108191/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2515214C2 (ru
Inventor
Масаюки АБЭ
Original Assignee
Айвьютек Ко., Лтд
3Д-Био Ко., Лтд
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Айвьютек Ко., Лтд, 3Д-Био Ко., Лтд filed Critical Айвьютек Ко., Лтд
Publication of RU2012108191A publication Critical patent/RU2012108191A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2515214C2 publication Critical patent/RU2515214C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one thermoelectric or thermomagnetic element covered by groups H10N10/00 - H10N15/00
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/429—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors applied to measurement of ultraviolet light
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/02—Constructional details
    • G01J5/0215—Compact construction
    • G01J5/022—Monolithic
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/02—Constructional details
    • G01J5/0225—Shape of the cavity itself or of elements contained in or suspended over the cavity
    • G01J5/023—Particular leg structure or construction or shape; Nanotubes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
    • G01J5/12—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
    • H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
    • H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H10F30/22—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes
    • H10F30/223—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes the potential barrier being a PIN barrier

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)

Abstract

1. Электронное устройство, содержащее:термоэлектрический преобразователь, содержащий полупроводниковый слой, осуществляющий термоэлектрическое преобразование с использованием эффекта Зеебека, ипо меньшей мере, либо фотоэлектрический преобразователь, в котором, по крайней мере, часть полупроводникового слоя выполняет фотоэлектрическое преобразование, либо транзистор или диод, имеющий, по крайней мере, часть полупроводникового слоя выполняющего функции рабочего слоя,причем полупроводниковый слой имеет ширину запрещенной зоны, соответствующую ультрафиолетовому (УФ) излучению,термоэлектрический преобразователь имеет поглощающую часть, абсорбирующую инфракрасное (ИК) излучение, и преобразующую его в тепло, и, по крайней мере, часть полупроводникового слоя фотоэлектрического преобразователя обеспечивает фотоэлектрическое преобразование УФ излучения.2. Электронное устройство, содержащее:термоэлектрический преобразователь, содержащий полупроводниковый слой, осуществляющий термоэлектрическое преобразование с использованием эффекта Зеебека, ипо меньшей мере, либо фотоэлектрический преобразователь, в котором, по крайней мере, часть полупроводникового слоя выполняет фотоэлектрическое преобразование, либо транзистор или диод, имеющий, по крайней мере, часть полупроводникового слоя выполняющего функции рабочего слоя,причем полупроводниковый слой имеет ширину запрещенной зоны, соответствующей ИК излучению,термоэлектрический преобразователь имеет поглощающую часть, абсорбирующую ИК излучение, и преобразующую его в тепло, ипо крайней мере, часть полупроводникового слоя фотоэлектрического преобр

Claims (13)

1. Электронное устройство, содержащее:
термоэлектрический преобразователь, содержащий полупроводниковый слой, осуществляющий термоэлектрическое преобразование с использованием эффекта Зеебека, и
по меньшей мере, либо фотоэлектрический преобразователь, в котором, по крайней мере, часть полупроводникового слоя выполняет фотоэлектрическое преобразование, либо транзистор или диод, имеющий, по крайней мере, часть полупроводникового слоя выполняющего функции рабочего слоя,
причем полупроводниковый слой имеет ширину запрещенной зоны, соответствующую ультрафиолетовому (УФ) излучению,
термоэлектрический преобразователь имеет поглощающую часть, абсорбирующую инфракрасное (ИК) излучение, и преобразующую его в тепло, и, по крайней мере, часть полупроводникового слоя фотоэлектрического преобразователя обеспечивает фотоэлектрическое преобразование УФ излучения.
2. Электронное устройство, содержащее:
термоэлектрический преобразователь, содержащий полупроводниковый слой, осуществляющий термоэлектрическое преобразование с использованием эффекта Зеебека, и
по меньшей мере, либо фотоэлектрический преобразователь, в котором, по крайней мере, часть полупроводникового слоя выполняет фотоэлектрическое преобразование, либо транзистор или диод, имеющий, по крайней мере, часть полупроводникового слоя выполняющего функции рабочего слоя,
причем полупроводниковый слой имеет ширину запрещенной зоны, соответствующей ИК излучению,
термоэлектрический преобразователь имеет поглощающую часть, абсорбирующую ИК излучение, и преобразующую его в тепло, и
по крайней мере, часть полупроводникового слоя фотоэлектрического преобразователя обеспечивает фотоэлектрическое преобразование ИК излучения.
3. Электронное устройство по п.1, в котором полупроводниковый слой содержит полупроводниковый слой p-типа и полупроводниковый слой n-типа, расположенные один над другим, и
термоэлектрический преобразователь содержит термоэлектрический элемент p-типа, выполняющий термоэлектрическое преобразование и термоэлектрический элемент n-типа, выполняющий термоэлектрическое преобразование.
4. Электронное устройство по п.2, в котором полупроводниковый слой содержит полупроводниковый слой p-типа и полупроводниковый слой n-типа, расположенные один над другим, и
термоэлектрический преобразователь содержит термоэлектрический элемент p-типа, выполняющий термоэлектрическое преобразование и термоэлектрический элемент n-типа, выполняющий термоэлектрическое преобразование.
5. Электронное устройство, содержащее:
термоэлектрический преобразователь, содержащий полупроводниковый слой, осуществляющий термоэлектрическое преобразование с использованием эффекта Зеебека, и
по меньшей мере, либо фотоэлектрический преобразователь, в котором, по крайней мере, часть полупроводникового слоя выполняет фотоэлектрическое преобразование либо транзистор или диод, имеющий, по крайней мере, часть полупроводникового слоя, выполняющего функции рабочего слоя,
причем полупроводниковый слой содержит полупроводниковый слой p-типа и полупроводниковый слой n-типа, расположенные один над другим,
термоэлектрический преобразователь содержит термоэлектрический элемент p-типа обеспечивающий термоэлектрическое преобразование и термоэлектрический элемент n-типа, обеспечивающий термоэлектрическое преобразование, и
фотоэлектрический преобразователь является фотодиодом, использующим полупроводниковые слои p-типа и n-типа.
6. Электронное устройство, содержащее:
термоэлектрический преобразователь, включающий в себя полупроводниковый слой, осуществляющий термоэлектрическое преобразование с использованием эффекта Зеебека, и
по меньшей мере, либо фотоэлектрический преобразователь, в котором, по крайней мере, часть полупроводникового слоя выполняет фотоэлектрическое преобразование либо транзистор или диод, имеющий, по крайней мере, часть полупроводникового слоя, выполняющего функции рабочего слоя,
причем полупроводниковый слой содержит полупроводниковый слой p-типа и полупроводниковый слой n-типа, расположенные один над другим,
термоэлектрический преобразователь содержит термоэлектрический элемент p-типа обеспечивающий термоэлектрическое преобразование и термоэлектрический элемент n-типа, обеспечивающий термоэлектрическое преобразование, и
имеется изолирующая часть, расположенная между термоэлектрическим элементом p-типа и термоэлектрическим элементом n-типа, обеспечивая электрическую изоляцию полупроводниковых слоев p-типа и n-типа.
7. Электронное устройство, содержащее:
термоэлектрический преобразователь, содержащий полупроводниковый слой, осуществляющий термоэлектрическое преобразование с использованием эффекта Зеебека, и
по меньшей мере, либо фотоэлектрический преобразователь, в котором, по крайней мере, часть полупроводникового слоя выполняет фотоэлектрическое преобразование либо транзистор или диод, имеющий, по крайней мере, часть полупроводникового слоя выполняющего функции рабочего слоя,
причем полупроводниковый слой содержит полупроводниковый слой p-типа и полупроводниковый слой n-типа, расположенные один над другим,
термоэлектрический преобразователь содержит термоэлектрический элемент p-типа обеспечивающий термоэлектрическое преобразование и термоэлектрический элемент n-типа, обеспечивающий термоэлектрическое преобразование, и
омический электрод, сформированный на полупроводниковом слое наверху между полупроводниковым слоем p-типа и полупроводниковым слоем n-типа, является нелегированным омическим электродом, а омический электрод, сформированный внизу между полупроводниковым слоем p-типа и полупроводниковым слоем n-типа, является легированным электродом.
8. Электронное устройство, содержащее:
термоэлектрический преобразователь, содержащий полупроводниковый слой, осуществляющий термоэлектрическое преобразование с использованием эффекта Зеебека, и
по меньшей мере, либо фотоэлектрический преобразователь, в котором, по крайней мере, часть полупроводникового слоя выполняет фотоэлектрическое преобразование либо транзистор или диод, имеющий, по крайней мере, часть полупроводникового слоя, выполняющего функции рабочего слоя,
причем полупроводниковый слой имеет модулированную легированную структуру.
9. Электронное устройство по п.1, в котором предусмотрено несколько термоэлектрических и фотоэлектрических преобразователей так, что несколько термоэлектрических преобразователей и несколько фотоэлектрических преобразователей выполнены в форме матрицы, причем предусмотрена часть для выбора, позволяющая выбирать, по крайней мере, один из нескольких термоэлектрических и один из нескольких фотоэлектрических преобразователей, причем также имеется транзистор.
10. Электронное устройство по п.1, в котором полупроводниковый слой содержит полупроводниковый слой p-типа и полупроводниковый слой n-типа, расположенные один над другим, и
термоэлектрический преобразователь содержит:
первый термоэлектрический преобразователь, содержащий первый термоэлектрический элемент n-типа с полупроводниковым слоем n-типа, обеспечивающим термоэлектрическое преобразование, и первый термоэлектрический элемент p-типа с полупроводниковым слоем p-типа, обеспечивающим термоэлектрическое преобразование,
второй термоэлектрический преобразователь, содержащий второй термоэлектрический элемент n-типа с полупроводниковым слоем n-типа, обеспечивающим термоэлектрическое преобразование, и второй термоэлектрический элемент p-типа с полупроводниковым слоем p-типа, обеспечивающим термоэлектрическое преобразование,
первую балку, содержащую первый термоэлектрический элемент n-типа и второй термоэлектрический элемент p-типа,
вторую балку содержащую первый термоэлектрический элемент p-типа и второй термоэлектрический элемент n-типа,
центральную область, с которой соединены первая и вторая балка и которая содержит первую изолирующую часть для электрической изоляции, по крайней мере, одного из полупроводниковых слоев p-типа или n-типа между первым термоэлектрическим преобразователем и вторым термоэлектрическим преобразователями,
причем первый термоэлектрический преобразователь и второй термоэлектрический преобразователь соединены последовательно таким образом, что соединены первый термоэлектрический элемент n-типа и второй термоэлектрический элемент p-типа.
11. Электронное устройство по п.2, в котором полупроводниковый слой содержит полупроводниковый слой p-типа и полупроводниковый слой n-типа, расположенные один над другим, и
термоэлектрический преобразователь содержит:
первый термоэлектрический преобразователь, содержащий первый термоэлектрический элемент n-типа с полупроводниковым слоем n-типа, обеспечивающим термоэлектрическое преобразование, и первый термоэлектрический элемент p-типа с полупроводниковым слоем p-типа, обеспечивающим термоэлектрическое преобразование,
второй термоэлектрический преобразователь, содержащий второй термоэлектрический элемент n-типа с полупроводниковым слоем n-типа, обеспечивающим термоэлектрическое преобразование, и второй термоэлектрический элемент p-типа с полупроводниковым слоем p-типа, обеспечивающим термоэлектрическое преобразование,
первую балку, содержащую первый термоэлектрический элемент n-типа и второй термоэлектрический элемент p-типа,
вторую балку содержащую первый термоэлектрический элемент p-типа и второй термоэлектрический элемент n-типа,
центральную область, с которой соединены первая и вторая балка и которая содержит первую изолирующую часть для электрической изоляции, по крайней мере, одного из полупроводниковых слоев p-типа или n-типа между первым термоэлектрическим преобразователем и вторым термоэлектрическим преобразователями,
причем первый термоэлектрический преобразователь и второй термоэлектрический преобразователь соединены последовательно таким образом, что соединены первый термоэлектрический элемент n-типа и второй термоэлектрический элемент p-типа.
12. Электронное устройство по п.10, в котором первая балка содержит вторую изолирующую часть для электрической изоляции первого термоэлектрического элемента n-типа и второго термоэлектрического элемента p-типа и вторая балка содержит третью изолирующую часть для электрической изоляции первого термоэлектрического элемента p-типа и второго термоэлектрического элемента n-типа.
13. Электронное устройство по п.11, в котором первая балка содержит вторую изолирующую часть для электрической изоляции первого термоэлектрического элемента n-типа и второго термоэлектрического элемента p-типа и вторая балка содержит третью изолирующую часть для электрической изоляции первого термоэлектрического элемента p-типа и второго термоэлектрического элемента n-типа.
RU2012108191/28A 2009-08-11 2010-08-05 Электронное устройство RU2515214C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009-186884 2009-08-11
JP2009186884A JP4516625B1 (ja) 2009-08-11 2009-08-11 電子装置
PCT/KR2010/005150 WO2011019163A2 (ko) 2009-08-11 2010-08-05 전자장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012108191A true RU2012108191A (ru) 2013-09-20
RU2515214C2 RU2515214C2 (ru) 2014-05-10

Family

ID=42709006

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012108191/28A RU2515214C2 (ru) 2009-08-11 2010-08-05 Электронное устройство

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8872302B2 (ru)
JP (1) JP4516625B1 (ru)
KR (1) KR100992585B1 (ru)
CN (1) CN102511087B (ru)
DE (1) DE112010002834B4 (ru)
RU (1) RU2515214C2 (ru)
SG (1) SG178181A1 (ru)
WO (1) WO2011019163A2 (ru)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5363573B2 (ja) 2008-08-15 2013-12-11 エルエスアイ コーポレーション ニア・コードワードのｒａｍリスト復号
CN102077173B (zh) 2009-04-21 2015-06-24 艾格瑞系统有限责任公司 利用写入验证减轻代码的误码平层
US8464142B2 (en) 2010-04-23 2013-06-11 Lsi Corporation Error-correction decoder employing extrinsic message averaging
US8499226B2 (en) 2010-06-29 2013-07-30 Lsi Corporation Multi-mode layered decoding
US8504900B2 (en) 2010-07-02 2013-08-06 Lsi Corporation On-line discovery and filtering of trapping sets
US8768990B2 (en) 2011-11-11 2014-07-01 Lsi Corporation Reconfigurable cyclic shifter arrangement
WO2013105270A1 (ja) * 2012-01-13 2013-07-18 株式会社日立製作所 受光デバイスユニット、偏光イメージングデバイス、及び装置
RU2012146685A (ru) 2012-11-01 2014-05-10 ЭлЭсАй Корпорейшн База данных наборов-ловушек для декодера на основе разреженного контроля четности
US10468548B2 (en) * 2015-05-01 2019-11-05 North Carolina State University Oxide heterojunction for detection of infrared radiation
ITUA20162954A1 (it) 2016-04-28 2017-10-28 St Microelectronics Srl Dispositivo a semiconduttore per la rilevazione di radiazione ultravioletta e infrarossa e relativo metodo di fabbricazione
US10158040B2 (en) 2016-07-08 2018-12-18 North Carolina State University Polaritonic hot electron infrared photodetector
US10741649B2 (en) 2017-05-31 2020-08-11 North Carolina State University High mobility doped metal oxide thin films and reactive physical vapor deposition methods of fabricating the same
IT201800004620A1 (it) 2018-04-17 2019-10-17 Dispositivo a semiconduttore ad elevata sensibilita' per la rilevazione di specie chimiche fluide e relativo metodo di fabbricazione
IT201800004621A1 (it) 2018-04-17 2019-10-17 Dispositivo optoelettronico ad elevata sensibilita' per la rilevazione di specie chimiche e relativo metodo di fabbricazione
CN110828649B (zh) * 2019-11-20 2023-09-05 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 半导体制冷结构及其于smar温漂校正领域的用途
FR3106406B1 (fr) * 2020-01-16 2023-06-23 Commissariat Energie Atomique Capteur thermoélectrique à gaz d’électrons
FR3106437B1 (fr) * 2020-01-16 2023-11-24 Commissariat Energie Atomique Composant électronique de puissance intégrant un capteur thermoélectrique
JP7435972B2 (ja) * 2020-02-06 2024-02-21 三菱マテリアル株式会社 熱流スイッチング素子
WO2023013148A1 (ja) * 2021-08-03 2023-02-09 住友電気工業株式会社 光センサ
WO2025158930A1 (ja) * 2024-01-26 2025-07-31 国立大学法人大阪大学 薄膜熱電デバイス

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3311436A1 (de) * 1983-03-29 1984-10-04 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Vorrichtung zur erzeugung einer gate-vorspannung an feldeffekttransistoren
US4710588A (en) 1986-10-06 1987-12-01 Hughes Aircraft Company Combined photovoltaic-thermoelectric solar cell and solar cell array
US5432470A (en) * 1991-08-02 1995-07-11 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optoelectronic integrated circuit device
JPH07297454A (ja) * 1994-04-28 1995-11-10 Oki Electric Ind Co Ltd 赤外線イメージセンサ及びその製造方法
KR960008579A (ko) 1994-08-31 1996-03-22 배순훈 다이얼 기능을 갖는 전자수첩
KR20010040487A (ko) 1998-02-02 2001-05-15 유니액스 코포레이션 Ｘ-ｙ 번지지정 가능한 전기 마이크로스위치 어레이 및이를 사용한 센서 매트릭스
JP3484354B2 (ja) * 1998-09-14 2004-01-06 三菱電機株式会社 熱型赤外線検出器アレイおよびその製造方法
JP3002466B1 (ja) * 1999-02-18 2000-01-24 株式会社関西新技術研究所 熱電変換装置
JP3228267B2 (ja) * 1999-04-27 2001-11-12 日本電気株式会社 電子デバイス
JP3396698B2 (ja) 1999-09-30 2003-04-14 株式会社スリーディ・バイオ 熱電変換装置
TW468360B (en) * 1999-11-04 2001-12-11 Jeng-San Jou Thermopile infrared device, thermalpile infrared array device and the manufacturing method thereof
JP3946406B2 (ja) * 2000-03-30 2007-07-18 株式会社東芝 熱型赤外線センサの製造方法
JP2002072963A (ja) * 2000-06-12 2002-03-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光モジュールおよびその駆動方法並びに光センサ
JP2002107224A (ja) * 2000-09-29 2002-04-10 Toshiba Corp 赤外線センサ及びその製造方法
JP3589997B2 (ja) * 2001-03-30 2004-11-17 株式会社東芝 赤外線センサおよびその製造方法
JP2003017672A (ja) * 2001-07-04 2003-01-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子デバイス，その製造方法，カメラ及び車両
TW580570B (en) * 2001-11-29 2004-03-21 Toshiba Corp Sensor device
JP2003179230A (ja) * 2001-12-12 2003-06-27 Yaskawa Electric Corp 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
JP4364553B2 (ja) 2002-08-30 2009-11-18 シャープ株式会社 光電変換装置及びその製造方法
US8481843B2 (en) * 2003-09-12 2013-07-09 Board Of Trustees Operating Michigan State University Silver-containing p-type semiconductor
US7170059B2 (en) * 2003-10-03 2007-01-30 Wood Roland A Planar thermal array
JP4195396B2 (ja) * 2004-01-28 2008-12-10 株式会社東芝 固体撮像装置および撮像回路
JP2005297454A (ja) 2004-04-14 2005-10-27 Mitsubishi Materials Corp ホットランナー式金型装置及び成形方法
US20060225782A1 (en) * 2005-03-21 2006-10-12 Howard Berke Photovoltaic cells having a thermoelectric material
JP4901320B2 (ja) * 2006-06-13 2012-03-21 三菱電機株式会社 ２波長イメージセンサ
JP4858210B2 (ja) * 2007-02-16 2012-01-18 三菱電機株式会社 撮像素子
GB0708030D0 (en) * 2007-04-25 2007-06-06 Strep Ltd Solar cell
JP2009182143A (ja) 2008-01-30 2009-08-13 Sony Corp 熱電素子およびその製造方法、ならびに熱電モジュール
CN102197291A (zh) * 2008-09-25 2011-09-21 松下电工株式会社 红外线传感器
KR20100138774A (ko) * 2009-06-24 2010-12-31 (주)아이뷰테크 열전변환장치 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US8872302B2 (en) 2014-10-28
CN102511087A (zh) 2012-06-20
KR100992585B1 (ko) 2010-11-08
JP4516625B1 (ja) 2010-08-04
CN102511087B (zh) 2016-06-08
DE112010002834B4 (de) 2018-07-19
DE112010002834T5 (de) 2012-12-06
WO2011019163A2 (ko) 2011-02-17
JP2011040585A (ja) 2011-02-24
WO2011019163A3 (ko) 2011-07-21
RU2515214C2 (ru) 2014-05-10
SG178181A1 (en) 2012-03-29
US20120139074A1 (en) 2012-06-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9082922B2 (en) Organic/inorganic hybrid optical amplifier with wavelength conversion
ATE498203T1 (de) Photovoltaische tandem-zelle
RU2008126318A (ru) Термоэлектрический элемент
WO2012091311A3 (en) High efficiency light emitting diode
JP2011512689A5 (ru)
US20100212741A1 (en) Solar cell
US10020329B2 (en) Image sensor with solar cell function
KR101665309B1 (ko) 광전 열전 융합 발전소자 및 그 제조방법
RU2013131017A (ru) Солнечный элемент и модуль солнечного элемента
WO2010104890A3 (en) Efficiency enhancement of solar cells using light management
JP2014120775A (ja) 太陽電池及び太陽電池モジュール
TW200507286A (en) Three dimensional radiation conversion semiconductor devices
WO2015130364A3 (en) Materials for thermoelectric energy conversion
WO2010151012A3 (ko) 열전변환장치 및 그 제조 방법
ES2733723T3 (es) Dispositivo fotovoltaico y panel fotovoltaico
KR101418687B1 (ko) 태양전지
JP2014519720A5 (ru)
KR101650442B1 (ko) 하이브리드 태양광 소자
TW200805689A (en) Panel type semiconductor module
US20110220173A1 (en) Active solar concentrator with multi-junction devices
CN106935639B (zh) 光触发可控硅器件
US7956282B2 (en) Photoelectric conversion element
JP2007103591A (ja) Ｃｍｏｓイメージセンサ
Fang et al. Self-powered ultraviolet bipolar switching photodetectors based on β-Ga 2 O 3/GaN heterojunctions
Kosyachenko et al. Photoelectric properties of HgMnTe photodiodes with ion etched pn junctions

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20190806