RU2012108590A - Электронное устройство, включающее в себя слой(и) на основе графена, и/или способ его изготовления - Google Patents

Электронное устройство, включающее в себя слой(и) на основе графена, и/или способ его изготовления Download PDF

Info

Publication number
RU2012108590A
RU2012108590A RU2012108590/28A RU2012108590A RU2012108590A RU 2012108590 A RU2012108590 A RU 2012108590A RU 2012108590/28 A RU2012108590/28 A RU 2012108590/28A RU 2012108590 A RU2012108590 A RU 2012108590A RU 2012108590 A RU2012108590 A RU 2012108590A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
graphene
layer
touch panel
substrate
based layer
Prior art date
Application number
RU2012108590/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2535235C2 (ru
Inventor
Виджайен С. ВЕЕРАСАМИ
Original Assignee
Гардиан Индастриз Корп.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Гардиан Индастриз Корп. filed Critical Гардиан Индастриз Корп.
Publication of RU2012108590A publication Critical patent/RU2012108590A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2535235C2 publication Critical patent/RU2535235C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • H10F77/244—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. transparent conductive oxide [TCO] layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
    • H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
    • H10F10/17—Photovoltaic cells having only PIN junction potential barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/16—Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
    • H10F77/169—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/16—Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
    • H10F77/169—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates
    • H10F77/1694—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates the films including Group I-III-VI materials, e.g. CIS or CIGS
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/16—Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
    • H10F77/169—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates
    • H10F77/1696—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates the films including Group II-VI materials, e.g. CdTe or CdS
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/81—Electrodes
    • H10K30/82—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Position Input By Displaying (AREA)

Abstract

1. Солнечный элемент, содержащий:стеклянную подложку;первый проводящий слой на основе графена, расположенный, непосредственно или опосредованно, на стеклянной подложке;первый слой полупроводника в контакте с первым проводящим слоем на основе графена;по меньшей мере один поглощающий слой, расположенный, непосредственно или опосредованно, на первом слое полупроводника;второй слой полупроводника, расположенный, непосредственно или опосредованно, на упомянутом по меньшей мере одном поглощающем слое;второй проводящий слой на основе графена в контакте со вторым слоем полупроводника; изадний контакт, расположенный, непосредственно или опосредованно, на втором проводящем слое на основе графена.2. Солнечный элемент по п.1, дополнительно содержащий просветляющее покрытие, предусмотренное на поверхности подложки, противоположной первому проводящему слою на основе графена.3. Солнечный элемент по п.1, при этом первый слой полупроводника является слоем полупроводника n-типа, и первый слой на основе графена легирован легирующими примесями n-типа.4. Солнечный элемент по п.3, при этом второй слой полупроводника является слоем полупроводника p-типа, и второй слой на основе графена легирован легирующими примесями p-типа.5. Солнечный элемент по п.4, дополнительно содержащий слой легированного цинком оксида олова, проложенный между стеклянной подложкой и первым слоем на основе графена.6. Солнечный элемент по п.1, при этом первый и/или второй слои полупроводника содержат полимерный(е) материал(ы).7. Фотоэлектрическое устройство, содержащее:подложку;по меньшей мере один тонкопленочный фотоэлектрический слой;первый и второй элект�

Claims (30)

1. Солнечный элемент, содержащий:
стеклянную подложку;
первый проводящий слой на основе графена, расположенный, непосредственно или опосредованно, на стеклянной подложке;
первый слой полупроводника в контакте с первым проводящим слоем на основе графена;
по меньшей мере один поглощающий слой, расположенный, непосредственно или опосредованно, на первом слое полупроводника;
второй слой полупроводника, расположенный, непосредственно или опосредованно, на упомянутом по меньшей мере одном поглощающем слое;
второй проводящий слой на основе графена в контакте со вторым слоем полупроводника; и
задний контакт, расположенный, непосредственно или опосредованно, на втором проводящем слое на основе графена.
2. Солнечный элемент по п.1, дополнительно содержащий просветляющее покрытие, предусмотренное на поверхности подложки, противоположной первому проводящему слою на основе графена.
3. Солнечный элемент по п.1, при этом первый слой полупроводника является слоем полупроводника n-типа, и первый слой на основе графена легирован легирующими примесями n-типа.
4. Солнечный элемент по п.3, при этом второй слой полупроводника является слоем полупроводника p-типа, и второй слой на основе графена легирован легирующими примесями p-типа.
5. Солнечный элемент по п.4, дополнительно содержащий слой легированного цинком оксида олова, проложенный между стеклянной подложкой и первым слоем на основе графена.
6. Солнечный элемент по п.1, при этом первый и/или второй слои полупроводника содержат полимерный(е) материал(ы).
7. Фотоэлектрическое устройство, содержащее:
подложку;
по меньшей мере один тонкопленочный фотоэлектрический слой;
первый и второй электроды; и
первый и второй прозрачные, проводящие слои на основе графена;
причем первый и второй слои на основе графена легированы соответственно легирующими примесями n- и p-типа.
8. Подузел сенсорной панели, содержащий:
стеклянную подложку;
первый прозрачный, проводящий слой на основе графена, предусмотренный, непосредственно или опосредованно, на стеклянной подложке;
деформируемую фольгу, причем деформируемая фольга является практически параллельной стеклянной подложке и расположена на некотором расстоянии от нее; и
второй прозрачный, проводящий слой на основе графена, предусмотренный, непосредственно или опосредованно, на деформируемой фольге.
9. Подузел сенсорной панели по п.8, при этом первый и/или второй слой(и) на основе графена снабжен(ы) рисунком.
10. Подузел сенсорной панели по п.9, дополнительно содержащий:
множество столбиков, расположенных между деформируемой фольгой и стеклянной подложкой, и
по меньшей мере один краевой уплотнитель на периферии подузла.
11. Подузел сенсорной панели по п.10, при этом деформируемая фольга является фольгой ПЭТ.
12. Подузел сенсорной панели по п.8, при этом первый и/или второй слой(и) на основе графена имеет(ют) поверхностное сопротивление менее 500 ом/квадрат.
13. Подузел сенсорной панели по п.8, при этом первый и/или второй слой(и) на основе графена имеет(ют) поверхностное сопротивление менее 300 ом/квадрат.
14. Аппарат с сенсорной панелью, содержащий:
подузел сенсорной панели по п.8; и
дисплей, присоединенный к поверхности подложки подузла сенсорной панели, противоположной деформируемой фольге.
15. Аппарат с сенсорной панелью по п.14, при этом дисплей представляет собой ЖК дисплей.
16. Аппарат с сенсорной панелью по п.15, при этом аппарат с сенсорной панелью является аппаратом с емкостной сенсорной панелью.
17. Аппарат с сенсорной панелью по п.15, при этом аппарат с сенсорной панелью является аппаратом с резистивной сенсорной панелью.
18. Линия/шина данных, содержащая слой на основе графена, поддерживаемый подложкой, причем:
участок слоя на основе графена был подвергнут обработке ионным лучом/плазмой и/или травлению с помощью H*, со снижением тем самым проводимости этого участка.
19. Линия/шина данных по п.18, при этом участок не является электропроводящим.
20. Линия/шина данных по п.18, при этом подложка является стеклянной подложкой.
21. Линия/шина данных по п.18, при этом подложка является кремниевой пластиной.
22. Линия/шина данных по п.18, при этом участок по меньшей мере частично удален при воздействии обработки ионным лучом/плазмой и/или травления с помощью H*.
23. Антенна, содержащая:
слой на основе графена, поддерживаемый подложкой, причем:
участок слоя на основе графена был подвергнут обработке ионным лучом/плазмой и/или травлению с помощью H* для утоньшения этого участка слоя на основе графена по сравнению с другими участками слоя на основе графена,
при этом слой на основе графена, как целое, имеет коэффициент пропускания в видимом спектре по меньшей мере 80%.
24. Антенна по п.23, при этом слой на основе графена, как целое, имеет коэффициент пропускания в видимом спектре по меньшей мере 90%.
25. Способ изготовления электронного устройства, содержащий:
предусматривание подложки;
формирование на подложке слоя на основе графена; и
избирательное снабжение рисунком слоя на основе графена посредством одного из: воздействия ионным лучом/плазмой и травления с помощью H*.
26. Способ по п.25, дополнительно содержащий перенесение слоя на основе графена на вторую подложку перед снабжением рисунком.
27. Способ по п.26, при этом снабжение рисунком осуществляют для снижения проводимости и/или удаления участков слоя на основе графена.
28. Способ по п.26, дополнительно содержащий предусматривание защитной маски поверх участков слоя на основе графена перед снабжением рисунком.
29. Способ по п.28, при этом защитная маска содержит материал-фоторезист.
30. Способ по п.28, дополнительно содержащий удаление защитной маски.
RU2012108590/28A 2009-08-07 2010-07-16 Электронное устройство, включающее в себя слой(и) на основе графена, и/или способ его изготовления RU2535235C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/461,349 2009-08-07
US12/461,349 US10164135B2 (en) 2009-08-07 2009-08-07 Electronic device including graphene-based layer(s), and/or method or making the same
PCT/US2010/002016 WO2011016832A2 (en) 2009-08-07 2010-07-16 Electronic device including graphene-based layer(s),and/or method of making the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012108590A true RU2012108590A (ru) 2013-09-20
RU2535235C2 RU2535235C2 (ru) 2014-12-10

Family

ID=42983469

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012108590/28A RU2535235C2 (ru) 2009-08-07 2010-07-16 Электронное устройство, включающее в себя слой(и) на основе графена, и/или способ его изготовления

Country Status (11)

Country Link
US (1) US10164135B2 (ru)
EP (1) EP2462624B1 (ru)
JP (1) JP2013502049A (ru)
KR (4) KR20160108601A (ru)
CN (1) CN102656702B (ru)
BR (1) BR112012002653A2 (ru)
MX (1) MX2012001602A (ru)
PL (1) PL2462624T3 (ru)
RU (1) RU2535235C2 (ru)
TW (2) TWI669781B (ru)
WO (1) WO2011016832A2 (ru)

Families Citing this family (71)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011058651A1 (ja) 2009-11-13 2011-05-19 富士通株式会社 半導体装置及びその製造方法
US9098162B2 (en) * 2010-02-02 2015-08-04 Samsung Techwin Co., Ltd. Touch panel including graphene and method of manufacturing the same
GB201004554D0 (en) * 2010-03-18 2010-05-05 Isis Innovation Superconducting materials
WO2011129708A1 (en) * 2010-04-16 2011-10-20 Institutt For Energiteknikk Thin film solar cell electrode with graphene electrode layer
US20120031477A1 (en) * 2010-08-04 2012-02-09 Egypt Nanotechnology Center Photovoltaic devices with an interfacial band-gap modifying structure and methods for forming the same
US8293607B2 (en) * 2010-08-19 2012-10-23 International Business Machines Corporation Doped graphene films with reduced sheet resistance
WO2012031238A2 (en) * 2010-09-03 2012-03-08 The Regents Of The University Of Michigan Uniform multilayer graphene by chemical vapor deposition
KR101100414B1 (ko) * 2010-10-25 2011-12-30 서울대학교산학협력단 태양전지 및 그 제조 방법
KR101142545B1 (ko) * 2010-10-25 2012-05-08 서울대학교산학협력단 태양전지 및 그 제조 방법
KR20120066719A (ko) * 2010-11-17 2012-06-25 성균관대학교산학협력단 정전용량식 터치 패널용 외부입력기기
US20120156424A1 (en) * 2010-12-15 2012-06-21 Academia Sinica Graphene-silicon carbide-graphene nanosheets
KR101271249B1 (ko) * 2010-12-22 2013-06-10 한국과학기술원 질소가 도핑된 투명 그래핀 필름 및 이의 제조방법
KR101806916B1 (ko) * 2011-03-17 2017-12-12 한화테크윈 주식회사 그래핀 필름 제조 장치 및 그래핀 필름 제조 방법
CN103477448B (zh) * 2011-03-29 2016-11-09 加州理工学院 基于石墨烯的多结柔性太阳能电池
US8739728B2 (en) * 2011-04-07 2014-06-03 Dynamic Micro Systems, Semiconductor Equipment Gmbh Methods and apparatuses for roll-on coating
KR101878011B1 (ko) * 2011-04-07 2018-08-09 닛샤 가부시키가이샤 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막을 구비한 전사 시트와 그 제조방법, 및 투명 도전물
IL220677A (en) * 2011-06-30 2017-02-28 Rohm & Haas Elect Mat Transparent conductive items
JP2013035699A (ja) * 2011-08-04 2013-02-21 Sony Corp グラフェン構造体、グラフェン構造体の製造方法、光電変換素子、太陽電池及び撮像装置
US8878157B2 (en) 2011-10-20 2014-11-04 University Of Kansas Semiconductor-graphene hybrids formed using solution growth
KR101878739B1 (ko) 2011-10-24 2018-07-17 삼성전자주식회사 그래핀 전사부재, 그래핀 전사방법 및 이를 이용한 그래핀 소자 제조방법
US8927415B2 (en) * 2011-12-09 2015-01-06 Intermolecular, Inc. Graphene barrier layers for interconnects and methods for forming the same
JP2013216510A (ja) * 2012-04-05 2013-10-24 Tokyo Electron Ltd グラフェンの加工方法
GB201211038D0 (en) * 2012-06-21 2012-08-01 Norwegian Univ Sci & Tech Ntnu Solar cells
CN102774118B (zh) * 2012-07-31 2015-05-13 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 一种以静电保护膜为媒介转移石墨烯薄膜的方法
CN102880369B (zh) * 2012-10-15 2016-08-24 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 一种单片式电容触摸屏及其制备方法
TWI524825B (zh) 2012-10-29 2016-03-01 財團法人工業技術研究院 碳材導電膜的轉印方法
KR101405557B1 (ko) * 2012-12-21 2014-06-11 경희대학교 산학협력단 그래핀 태양전지
US10315275B2 (en) * 2013-01-24 2019-06-11 Wisconsin Alumni Research Foundation Reducing surface asperities
KR101446906B1 (ko) * 2013-03-28 2014-10-07 전자부품연구원 그래핀 기반의 배리어 필름 복합체 및 제조방법
US9632542B2 (en) * 2013-05-02 2017-04-25 The Boeing Company Touch screens comprising graphene layers
US9248466B2 (en) 2013-05-10 2016-02-02 Infineon Technologies Ag Application of fluids to substrates
CN103279239A (zh) * 2013-05-24 2013-09-04 重庆绿色智能技术研究院 一种石墨烯电容式触摸屏
US9449873B2 (en) * 2013-06-19 2016-09-20 Infineon Technologies Ag Method for processing a carrier and an electronic component
CN104423745A (zh) * 2013-09-02 2015-03-18 天津富纳源创科技有限公司 触摸屏的制备方法
US20150136215A1 (en) * 2013-11-21 2015-05-21 Tsmc Solar Ltd. Solar cell contacts and method of fabricating same
US9505624B2 (en) 2014-02-18 2016-11-29 Corning Incorporated Metal-free CVD coating of graphene on glass and other dielectric substrates
CN103872178B (zh) * 2014-02-28 2016-07-06 江苏武进汉能光伏有限公司 一种薄膜太阳能电池及组件、以及二者的制备方法
JP6129772B2 (ja) * 2014-03-14 2017-05-17 株式会社東芝 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2015179695A (ja) * 2014-03-18 2015-10-08 国立研究開発法人科学技術振興機構 半導体素子の製造方法、半導体素子および透明導電膜
CN106458600B (zh) * 2014-04-04 2020-01-21 飞利浦灯具控股公司 制造石墨烯层的方法
US10389016B2 (en) * 2014-05-12 2019-08-20 Magna Electronics Inc. Vehicle communication system with heated antenna
US20170152344A1 (en) * 2014-07-20 2017-06-01 The Regents Of The University Of California Functional graphene nanostructure devices from living polymers
CN104498892A (zh) * 2014-12-12 2015-04-08 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 一种低温定点成核制备石墨烯薄膜的方法
KR101741313B1 (ko) * 2015-05-14 2017-05-30 경희대학교 산학협력단 이온주입을 통한 지지층 기반의 그래핀의 도핑 방법
CN104965616B (zh) * 2015-06-29 2017-09-19 重庆墨希科技有限公司 一种石墨烯触摸屏的制备方法
US10347791B2 (en) 2015-07-13 2019-07-09 Crayonano As Nanowires or nanopyramids grown on graphitic substrate
EP3323152B1 (en) 2015-07-13 2021-10-27 Crayonano AS Nanowires/nanopyramids shaped light emitting diodes and photodetectors
BR112018001815A2 (pt) 2015-07-31 2018-09-18 Crayonano As processo para cultivar nanofios ou nanopirâmides em substratos grafíticos
US10401548B2 (en) * 2015-09-24 2019-09-03 Intel Corporation Integrated antenna with display uniformity
CN105550449B (zh) * 2015-12-15 2018-11-09 清华大学 石墨烯高频特性模型及其参数提取方法
RU2648341C2 (ru) * 2016-05-23 2018-03-23 Общество с ограниченной ответственностью "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике", ООО "НТЦ ТПТ" Конструкция тонкопленочного солнечного модуля и способ ее изготовления
CN105932105A (zh) * 2016-05-26 2016-09-07 合肥工业大学 一种可以识别探测波长的智能薄膜光探测器的构筑方法
CN107564980B (zh) * 2016-07-01 2020-03-31 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体装置及其制造方法
CN106371670A (zh) * 2016-09-29 2017-02-01 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 一种多点触压力成像的石墨烯电容式触摸屏及智能终端
CN106648272B (zh) * 2016-12-28 2020-02-14 无锡第六元素电子薄膜科技有限公司 一种基于石墨烯的超薄柔性电容式触控传感器及其制备方法
RU2659903C1 (ru) * 2017-02-22 2018-07-04 Общество с ограниченной ответственностью "ЭпиГраф" Способ формирования структуры сенсора газообразных токсичных веществ на основе пленок графена
US10685163B2 (en) * 2017-03-01 2020-06-16 Synopsys, Inc. Computationally efficient nano-scale conductor resistance model
GB201705755D0 (en) 2017-04-10 2017-05-24 Norwegian Univ Of Science And Tech (Ntnu) Nanostructure
PL421831A1 (pl) * 2017-06-08 2018-12-17 Euro Com Project Nowinski Zamroczynska Spolka Jawna Moduł fotowoltaiczny
CN107611189A (zh) * 2017-09-08 2018-01-19 南通强生光电科技有限公司 薄膜太阳能电池片及其制备方法
KR102139639B1 (ko) * 2018-05-24 2020-07-29 (주)엠씨케이테크 그래핀 투명전극 및 이를 포함하는 실리콘액정 소자를 이용한 파장 선택 스위치
KR20210075174A (ko) * 2018-10-18 2021-06-22 코닝 인코포레이티드 열 폴링에 의한 그래핀 도핑
CN109739037B (zh) * 2018-11-23 2023-12-15 深圳市新盈恒科技有限公司 一种方便维修的液晶显示屏
GB201913701D0 (en) 2019-09-23 2019-11-06 Crayonano As Composition of matter
RU2724228C1 (ru) * 2019-11-19 2020-06-22 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук (ИТ СО РАН) Способ изготовления нагревателя на основе графена
WO2021201876A1 (en) * 2020-04-03 2021-10-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Heat spreading substrates for a display
CN111439746B (zh) * 2020-05-20 2021-07-23 东华大学 一种扭转角度可控的单层石墨烯折叠结构制备方法
RU2743155C1 (ru) * 2020-06-18 2021-02-15 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный технический университет"(ОмГТУ) Датчик микропримесей аммиака
CN112778823B (zh) * 2021-01-27 2022-08-12 九江纳维新材料科技有限公司 超高电导率电子级石墨烯-银复合导电uv固化油墨及其制备方法与应用
WO2023014579A1 (en) * 2021-08-03 2023-02-09 Corning Incorporated Glass article comprising n-doped graphene
CN119858893B (zh) * 2024-12-30 2026-02-27 深圳清力技术有限公司 层间公度接触的超滑块及其制备方法

Family Cites Families (115)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4929205A (en) 1988-10-07 1990-05-29 Jones Elene K Leg immobilizer-drag for training swimmers
US5227038A (en) * 1991-10-04 1993-07-13 William Marsh Rice University Electric arc process for making fullerenes
US5300203A (en) * 1991-11-27 1994-04-05 William Marsh Rice University Process for making fullerenes by the laser evaporation of carbon
US5591312A (en) * 1992-10-09 1997-01-07 William Marsh Rice University Process for making fullerene fibers
DE4313481A1 (de) * 1993-04-24 1994-10-27 Hoechst Ag Fullerenderivate, Verfahren zur Herstellung und deren Verwendung
WO1995000440A1 (en) * 1993-06-28 1995-01-05 William Marsh Rice University Solar process for making fullerenes
US5650597A (en) * 1995-01-20 1997-07-22 Dynapro Systems, Inc. Capacitive touch sensor
US6162926A (en) * 1995-07-31 2000-12-19 Sphere Biosystems, Inc. Multi-substituted fullerenes and methods for their preparation and characterization
US6183714B1 (en) 1995-09-08 2001-02-06 Rice University Method of making ropes of single-wall carbon nanotubes
US7338915B1 (en) * 1995-09-08 2008-03-04 Rice University Ropes of single-wall carbon nanotubes and compositions thereof
JP2000516708A (ja) * 1996-08-08 2000-12-12 ウィリアム・マーシュ・ライス・ユニバーシティ ナノチューブ組立体から作製された巨視的操作可能なナノ規模の装置
US6123824A (en) * 1996-12-13 2000-09-26 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing photo-electricity generating device
JPH10178195A (ja) 1996-12-18 1998-06-30 Canon Inc 光起電力素子
US6683783B1 (en) 1997-03-07 2004-01-27 William Marsh Rice University Carbon fibers formed from single-wall carbon nanotubes
WO1998039250A1 (en) 1997-03-07 1998-09-11 William Marsh Rice University Carbon fibers formed from single-wall carbon nanotubes
JPH1146006A (ja) * 1997-07-25 1999-02-16 Canon Inc 光起電力素子およびその製造方法
US6129901A (en) * 1997-11-18 2000-10-10 Martin Moskovits Controlled synthesis and metal-filling of aligned carbon nanotubes
GB9806066D0 (en) 1998-03-20 1998-05-20 Cambridge Display Tech Ltd Multilayer photovoltaic or photoconductive devices
KR20010074667A (ko) * 1998-06-19 2001-08-08 추후보정 자립 정렬형 탄소 나노튜브 및 그 합성방법
US6077722A (en) * 1998-07-14 2000-06-20 Bp Solarex Producing thin film photovoltaic modules with high integrity interconnects and dual layer contacts
US6057903A (en) * 1998-08-18 2000-05-02 International Business Machines Corporation Liquid crystal display device employing a guard plane between a layer for measuring touch position and common electrode layer
US6204897B1 (en) * 1998-08-18 2001-03-20 International Business Machines Corporation Integrated resistor for measuring touch position in a liquid crystal display device
US6692717B1 (en) * 1999-09-17 2004-02-17 William Marsh Rice University Catalytic growth of single-wall carbon nanotubes from metal particles
US6835366B1 (en) 1998-09-18 2004-12-28 William Marsh Rice University Chemical derivatization of single-wall carbon nanotubes to facilitate solvation thereof, and use of derivatized nanotubes
EP1115655B1 (en) 1998-09-18 2006-11-22 William Marsh Rice University Catalytic growth of single-wall carbon nanotubes from metal particles
ATE440073T1 (de) * 1998-09-18 2009-09-15 Univ Rice William M Chemische derivatisierung von einwandigen kohlenstoffnanoríhren um ihre solvatation zu erleichtern und verwendung derivatisierter nanoríhren
US7150864B1 (en) 1998-09-18 2006-12-19 William Marsh Rice University Ropes comprised of single-walled and double-walled carbon nanotubes
KR100688138B1 (ko) 1998-11-03 2007-03-09 윌리엄 마쉬 라이스 유니버시티 고압 일산화탄소로부터의 단일벽 탄소 나노튜브의 기상핵형성 방법 및 성장 방법
US6808606B2 (en) * 1999-05-03 2004-10-26 Guardian Industries Corp. Method of manufacturing window using ion beam milling of glass substrate(s)
AU4753200A (en) * 1999-05-04 2000-11-17 Pirelli Cavi E Sistemi S.P.A. Process for producing a superconductive layered material and product obtainable therefrom
KR100673367B1 (ko) * 1999-10-27 2007-01-24 윌리엄 마쉬 라이스 유니버시티 탄소 나노튜브의 거시적 정돈 어셈블리
US7195780B2 (en) * 2002-10-21 2007-03-27 University Of Florida Nanoparticle delivery system
JP2004506530A (ja) * 2000-08-24 2004-03-04 ウィリアム・マーシュ・ライス・ユニバーシティ ポリマー巻き付け単層カーボンナノチューブ
US6359388B1 (en) 2000-08-28 2002-03-19 Guardian Industries Corp. Cold cathode ion beam deposition apparatus with segregated gas flow
US6784361B2 (en) * 2000-09-20 2004-08-31 Bp Corporation North America Inc. Amorphous silicon photovoltaic devices
US7052668B2 (en) * 2001-01-31 2006-05-30 William Marsh Rice University Process utilizing seeds for making single-wall carbon nanotubes
US6913789B2 (en) * 2001-01-31 2005-07-05 William Marsh Rice University Process utilizing pre-formed cluster catalysts for making single-wall carbon nanotubes
US7090819B2 (en) * 2001-02-12 2006-08-15 William Marsh Rice University Gas-phase process for purifying single-wall carbon nanotubes and compositions thereof
US6752977B2 (en) * 2001-02-12 2004-06-22 William Marsh Rice University Process for purifying single-wall carbon nanotubes and compositions thereof
US6602371B2 (en) * 2001-02-27 2003-08-05 Guardian Industries Corp. Method of making a curved vehicle windshield
KR20010094773A (ko) 2001-03-16 2001-11-03 장광식 정윤철 편광판 일체형 터치 패널 및 터치 패널 일체형 평판디스플레이 그리고 적층 방법
US7265174B2 (en) * 2001-03-22 2007-09-04 Clemson University Halogen containing-polymer nanocomposite compositions, methods, and products employing such compositions
US6890506B1 (en) * 2001-04-12 2005-05-10 Penn State Research Foundation Method of forming carbon fibers
WO2003040446A2 (en) 2001-06-15 2003-05-15 The Pennsylvania State Research Foundation Method of purifying nanotubes and nanofibers using electromagnetic radiation
US7125502B2 (en) 2001-07-06 2006-10-24 William Marsh Rice University Fibers of aligned single-wall carbon nanotubes and process for making the same
WO2003020638A1 (en) * 2001-08-29 2003-03-13 Georgia Tech Research Corporation Compositions comprising rigid-rod polymers and carbon nanotubes and process for making the same
US6538153B1 (en) * 2001-09-25 2003-03-25 C Sixty Inc. Method of synthesis of water soluble fullerene polyacids using a macrocyclic malonate reactant
DE10228523B4 (de) * 2001-11-14 2017-09-21 Lg Display Co., Ltd. Berührungstablett
US7138100B2 (en) * 2001-11-21 2006-11-21 William Marsh Rice Univesity Process for making single-wall carbon nanotubes utilizing refractory particles
KR100445475B1 (ko) 2001-12-18 2004-08-21 주식회사 엘지이아이 밀폐형 압축기의 크랭크축
AU2002357360A1 (en) * 2001-12-28 2003-07-24 The Penn State Research Foundation Method for low temperature synthesis of single wall carbon nanotubes
TW200307563A (en) * 2002-02-14 2003-12-16 Sixty Inc C Use of BUCKYSOME or carbon nanotube for drug delivery
WO2003075207A2 (en) * 2002-03-01 2003-09-12 Planar Systems, Inc. Reflection resistant touch screens
AU2003237782A1 (en) 2002-03-04 2003-10-20 William Marsh Rice University Method for separating single-wall carbon nanotubes and compositions thereof
EP1370489B1 (en) 2002-03-14 2014-03-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Composite materials comprising polycarbonate and single-wall carbon nanotubes
US6899945B2 (en) * 2002-03-19 2005-05-31 William Marsh Rice University Entangled single-wall carbon nanotube solid material and methods for making same
US7192642B2 (en) * 2002-03-22 2007-03-20 Georgia Tech Research Corporation Single-wall carbon nanotube film having high modulus and conductivity and process for making the same
JP2003285530A (ja) * 2002-03-28 2003-10-07 Konica Corp インクジェット画像形成方法およびインクジェットインク
US7135160B2 (en) * 2002-04-02 2006-11-14 Carbon Nanotechnologies, Inc. Spheroidal aggregates comprising single-wall carbon nanotubes and method for making the same
JP2005522398A (ja) * 2002-04-08 2005-07-28 ウィリアム・マーシュ・ライス・ユニバーシティ フッ素化を介して単層カーボンナノチューブを切断する方法
US7061749B2 (en) * 2002-07-01 2006-06-13 Georgia Tech Research Corporation Supercapacitor having electrode material comprising single-wall carbon nanotubes and process for making the same
US6852410B2 (en) * 2002-07-01 2005-02-08 Georgia Tech Research Corporation Macroscopic fiber comprising single-wall carbon nanotubes and acrylonitrile-based polymer and process for making the same
US7250148B2 (en) * 2002-07-31 2007-07-31 Carbon Nanotechnologies, Inc. Method for making single-wall carbon nanotubes using supported catalysts
KR100480823B1 (ko) * 2002-11-14 2005-04-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 표시장치용 터치 패널
US7273095B2 (en) * 2003-03-11 2007-09-25 United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Nanoengineered thermal materials based on carbon nanotube array composites
DE602004010506D1 (de) 2003-04-24 2008-01-17 Carbon Nanotechnologies Inc Leitfähiger kohlenstoff-nanoröhrenpolymerverbundstoff
US7220818B2 (en) * 2003-08-20 2007-05-22 The Regents Of The University Of California Noncovalent functionalization of nanotubes
US7109581B2 (en) * 2003-08-25 2006-09-19 Nanoconduction, Inc. System and method using self-assembled nano structures in the design and fabrication of an integrated circuit micro-cooler
US7163956B2 (en) * 2003-10-10 2007-01-16 C Sixty Inc. Substituted fullerene compositions and their use as antioxidants
US7211795B2 (en) * 2004-02-06 2007-05-01 California Institute Of Technology Method for manufacturing single wall carbon nanotube tips
KR100995073B1 (ko) 2004-04-23 2010-11-18 삼성에스디아이 주식회사 염료감응 태양전지의 모듈 및 그 제조방법
US7279916B2 (en) * 2004-10-05 2007-10-09 Nanoconduction, Inc. Apparatus and test device for the application and measurement of prescribed, predicted and controlled contact pressure on wires
EP1839347A2 (de) 2005-01-20 2007-10-03 Schott AG Elektro-optisches element mit gesteuerter, insbesondere uniformer funktionalitätsverteilung
JP5054896B2 (ja) 2005-03-28 2012-10-24 勝 堀 カーボンナノウォールの処理方法、カーボンナノウォール、カーボンナノウォールデバイス
JP4522320B2 (ja) 2005-05-31 2010-08-11 株式会社エフ・ティ・エスコーポレーション 透明断熱積層体の製造方法
US7535462B2 (en) * 2005-06-02 2009-05-19 Eastman Kodak Company Touchscreen with one carbon nanotube conductive layer
RU2292409C1 (ru) 2005-11-07 2007-01-27 Пензенский государственный университет (ПГУ) Способ электроосаждения покрытий сплавом никель-хром
US20080169021A1 (en) * 2007-01-16 2008-07-17 Guardian Industries Corp. Method of making TCO front electrode for use in photovoltaic device or the like
US7964238B2 (en) * 2007-01-29 2011-06-21 Guardian Industries Corp. Method of making coated article including ion beam treatment of metal oxide protective film
WO2008127780A2 (en) 2007-02-21 2008-10-23 Nantero, Inc. Symmetric touch screen system with carbon nanotube-based transparent conductive electrode pairs
JP5135825B2 (ja) 2007-02-21 2013-02-06 富士通株式会社 グラフェントランジスタ及びその製造方法
WO2008108383A1 (ja) 2007-03-02 2008-09-12 Nec Corporation グラフェンを用いる半導体装置及びその製造方法
US7858876B2 (en) * 2007-03-13 2010-12-28 Wisconsin Alumni Research Foundation Graphite-based photovoltaic cells
US20080245414A1 (en) 2007-04-09 2008-10-09 Shuran Sheng Methods for forming a photovoltaic device with low contact resistance
WO2008128554A1 (en) 2007-04-20 2008-10-30 MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Highly conductive, transparent carbon films as electrode materials
US7875945B2 (en) * 2007-06-12 2011-01-25 Guardian Industries Corp. Rear electrode structure for use in photovoltaic device such as CIGS/CIS photovoltaic device and method of making same
US20080308147A1 (en) 2007-06-12 2008-12-18 Yiwei Lu Rear electrode structure for use in photovoltaic device such as CIGS/CIS photovoltaic device and method of making same
RU2353961C1 (ru) 2007-06-25 2009-04-27 Институт прикладной физики РАН Фазоконтрастное устройство для визуализации прозрачных объектов
JP5101200B2 (ja) 2007-07-31 2012-12-19 三菱重工業株式会社 光電変換装置の製造方法
US20090032098A1 (en) * 2007-08-03 2009-02-05 Guardian Industries Corp. Photovoltaic device having multilayer antireflective layer supported by front substrate
KR20090026568A (ko) * 2007-09-10 2009-03-13 삼성전자주식회사 그라펜 시트 및 그의 제조방법
KR101384665B1 (ko) 2007-09-13 2014-04-15 성균관대학교산학협력단 그라펜 시트를 함유하는 투명 전극, 이를 채용한 표시소자및 태양전지
US8587559B2 (en) 2007-09-28 2013-11-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Multipoint nanostructure-film touch screen
US20090174435A1 (en) * 2007-10-01 2009-07-09 University Of Virginia Monolithically-Integrated Graphene-Nano-Ribbon (GNR) Devices, Interconnects and Circuits
EP2212248B1 (en) 2007-10-19 2017-05-24 University Of Wollongong Process for the preparation of graphene
KR101622306B1 (ko) 2009-10-29 2016-05-19 삼성전자주식회사 그라펜 시트, 이를 포함하는 그라펜 기재 및 그의 제조방법
KR100923304B1 (ko) 2007-10-29 2009-10-23 삼성전자주식회사 그라펜 시트 및 그의 제조방법
US8659009B2 (en) * 2007-11-02 2014-02-25 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Locally gated graphene nanostructures and methods of making and using
KR101435999B1 (ko) 2007-12-07 2014-08-29 삼성전자주식회사 도펀트로 도핑된 산화그라펜의 환원물, 이를 포함하는 박막및 투명전극
KR101344493B1 (ko) 2007-12-17 2013-12-24 삼성전자주식회사 단결정 그라펜 시트 및 그의 제조방법
EP2240286A4 (en) 2007-12-20 2014-05-21 Cima Nano Tech Israel Ltd TRANSPARENT LINE COATING WITH FILLER MATERIAL
WO2009094277A2 (en) 2008-01-14 2009-07-30 The Regents Of The University Of California High-throughput solution processing of large scale graphene and device applications
US8535553B2 (en) * 2008-04-14 2013-09-17 Massachusetts Institute Of Technology Large-area single- and few-layer graphene on arbitrary substrates
CN100552981C (zh) 2008-06-17 2009-10-21 四川大学 一种柔性碲化镉薄膜太阳电池制造方法
US8222799B2 (en) * 2008-11-05 2012-07-17 Bayer Materialscience Ag Surface deformation electroactive polymer transducers
CN101423109A (zh) 2008-12-09 2009-05-06 张越明 船用gps/gsm防水自动报警装置
JP5097172B2 (ja) 2009-06-23 2012-12-12 株式会社沖データ グラフェン層の剥離方法、グラフェンウエハの製造方法、及び、グラフェン素子の製造方法
KR101622304B1 (ko) 2009-08-05 2016-05-19 삼성전자주식회사 그라펜 기재 및 그의 제조방법
KR101636442B1 (ko) 2009-11-10 2016-07-21 삼성전자주식회사 촉매합금을 이용한 그라핀의 제조방법
KR101652787B1 (ko) 2009-11-12 2016-09-01 삼성전자주식회사 대면적 그라핀의 제조방법 및 전사방법
KR101603766B1 (ko) 2009-11-13 2016-03-15 삼성전자주식회사 그라펜 적층체 및 그의 제조방법
JP2011157241A (ja) 2010-02-03 2011-08-18 Central Glass Co Ltd 自動車用合わせガラス
JP5660425B2 (ja) 2010-03-04 2015-01-28 独立行政法人物質・材料研究機構 グラフェン膜のエピタキシャル成長方法
WO2012153803A1 (ja) 2011-05-10 2012-11-15 国際先端技術総合研究所株式会社 窓用ガラス板
EP2719672A1 (en) 2011-06-06 2014-04-16 International Frontier Technology Laboratory Inc. Composite glass plate

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170096239A (ko) 2017-08-23
MX2012001602A (es) 2012-04-11
KR20120093814A (ko) 2012-08-23
KR101909852B1 (ko) 2018-10-18
TWI669781B (zh) 2019-08-21
US10164135B2 (en) 2018-12-25
CN102656702A (zh) 2012-09-05
TW201603191A (zh) 2016-01-16
WO2011016832A3 (en) 2011-03-31
TWI653765B (zh) 2019-03-11
US20110030772A1 (en) 2011-02-10
EP2462624B1 (en) 2018-05-30
WO2011016832A2 (en) 2011-02-10
CN102656702B (zh) 2017-04-12
BR112012002653A2 (pt) 2021-02-02
PL2462624T3 (pl) 2018-11-30
KR20160108601A (ko) 2016-09-19
RU2535235C2 (ru) 2014-12-10
TW201133906A (en) 2011-10-01
JP2013502049A (ja) 2013-01-17
KR20180056806A (ko) 2018-05-29
KR101968056B1 (ko) 2019-08-19
EP2462624A2 (en) 2012-06-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2013502049A5 (ru)
RU2012142175A (ru) Электронные устройства, содержащие прозрачные проводящие покрытия, содержащие углеродные нанотрубки и композиты из нанопроводов, и способы их изготовления
CN105552027B (zh) 阵列基板的制作方法及阵列基板
US9634043B2 (en) Array substrate, manufacturing method thereof, display device, thin-film transistor (TFT) and manufacturing method thereof
CN103354218B (zh) 阵列基板及其制作方法和显示装置
CN103021939B (zh) 一种阵列基板及其制造方法、显示装置
CN102751240B (zh) 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置
CN101604713B (zh) 薄膜型太阳能电池及其制造方法
CN105684160B (zh) 太阳能电池及其制造方法
CN104362179B (zh) 一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置
CN103760707A (zh) 一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置
US11495699B2 (en) Thin-film photovoltaic cell with high photoelectric conversion rate and preparation process thereof
JP2010507199A5 (ru)
TW201303905A (zh) 透明導電膜、加熱器、觸控面板、太陽電池、有機ｅｌ裝置、液晶裝置及電子紙
CN102654703B (zh) 一种阵列基板及其制造方法、以及显示设备
CN103531639B (zh) 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置
CN102253547B (zh) 阵列基板及其制造方法和液晶显示器
CN104834117A (zh) 彩膜基板、显示装置及彩膜基板的制作方法
CN102709236A (zh) 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN104091761A (zh) 一种图案化薄膜的制备方法、显示基板及显示装置
CN103531640A (zh) 薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法和显示装置
CN103107286A (zh) 一种采用非光刻工艺制备图形化ito电极的方法
US9059347B2 (en) Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
KR101260299B1 (ko) 투명전극 및 그 제조방법
KR101059067B1 (ko) 태양전지 모듈

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20200717