RU2012108641A - Осаждение графена на большую поверхность путем гетероэпитаксиального роста и содержащие его изделия - Google Patents
Осаждение графена на большую поверхность путем гетероэпитаксиального роста и содержащие его изделия Download PDFInfo
- Publication number
- RU2012108641A RU2012108641A RU2012108641/05A RU2012108641A RU2012108641A RU 2012108641 A RU2012108641 A RU 2012108641A RU 2012108641/05 A RU2012108641/05 A RU 2012108641/05A RU 2012108641 A RU2012108641 A RU 2012108641A RU 2012108641 A RU2012108641 A RU 2012108641A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- thin
- film
- catalyst
- graphene
- hydrocarbon
- Prior art date
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract 14
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 title claims abstract 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 27
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract 26
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract 19
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims abstract 16
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims abstract 16
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims abstract 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 14
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract 10
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 9
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract 9
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract 7
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims abstract 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims abstract 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims abstract 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims abstract 2
- 230000004936 stimulating effect Effects 0.000 claims abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 3
- 229920000997 Graphane Polymers 0.000 claims 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims 1
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/15—Nano-sized carbon materials
- C01B32/182—Graphene
- C01B32/184—Preparation
- C01B32/186—Preparation by chemical vapour deposition [CVD]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/15—Nano-sized carbon materials
- C01B32/182—Graphene
- C01B32/184—Preparation
- C01B32/188—Preparation by epitaxial growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
- C30B25/105—Heating of the reaction chamber or the substrate by irradiation or electric discharge
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
1. Способ получения тонкой графеновой пленки, который включаетприготовление несущей подложки;нанесение тонкой пленки катализатора непосредственно или косвенно на несущую подложку;введение содержащего углеводороды газа в область вблизи тонкой пленки катализатора;нагревание несущей подложки, чтобы заставить содержащий углеводороды газ, по меньшей мере, частично выделить углерод из содержащего углеводороды газа и стимулировать рост графена в и/или на тонкой пленке катализатора; ибыстрое охлаждение несущей подложки, стимулирующее кристаллизацию графена, непосредственно или косвенно, на самой внешней поверхности тонкой пленки катализатора с получением тонкой графеновой пленки.2. Способ по п.1, в котором тонкая пленка катализатора имеет практически моноориентированную крупнозернистую кристаллическую структуру, причем длина кристаллов в тонкой пленке катализатора вдоль главной оси составляет порядка десятков микрометров.3. Способ по п.1, в котором тонкая пленка катализатора включает металл.4. Способ по п.3, в котором тонкая пленка катализатора включает, по меньшей мере, один из следующих металлов: никель, кобальт, железо, пермаллой, сплав никеля и хрома, медь и их сочетания.5. Способ по п.4, в котором тонкая пленка катализатора включает сплав никеля и хрома, и в котором сплав никеля и хрома содержит 3-15% хрома.6. Способ по п.1, в котором содержащий углеводороды газ включает газообразный СН.7. Способ по п.1, в котором содержащий углеводороды газ включает газообразные СНи Ar.8. Способ по п.1, в котором содержащий углеводороды газ вводят при давлении, составляющем 5-150 мТорр (0,665-19,95 Па).9. Способ по п.1, в котором несущую подложк�
Claims (20)
1. Способ получения тонкой графеновой пленки, который включает
приготовление несущей подложки;
нанесение тонкой пленки катализатора непосредственно или косвенно на несущую подложку;
введение содержащего углеводороды газа в область вблизи тонкой пленки катализатора;
нагревание несущей подложки, чтобы заставить содержащий углеводороды газ, по меньшей мере, частично выделить углерод из содержащего углеводороды газа и стимулировать рост графена в и/или на тонкой пленке катализатора; и
быстрое охлаждение несущей подложки, стимулирующее кристаллизацию графена, непосредственно или косвенно, на самой внешней поверхности тонкой пленки катализатора с получением тонкой графеновой пленки.
2. Способ по п.1, в котором тонкая пленка катализатора имеет практически моноориентированную крупнозернистую кристаллическую структуру, причем длина кристаллов в тонкой пленке катализатора вдоль главной оси составляет порядка десятков микрометров.
3. Способ по п.1, в котором тонкая пленка катализатора включает металл.
4. Способ по п.3, в котором тонкая пленка катализатора включает, по меньшей мере, один из следующих металлов: никель, кобальт, железо, пермаллой, сплав никеля и хрома, медь и их сочетания.
5. Способ по п.4, в котором тонкая пленка катализатора включает сплав никеля и хрома, и в котором сплав никеля и хрома содержит 3-15% хрома.
6. Способ по п.1, в котором содержащий углеводороды газ включает газообразный С2Н2.
7. Способ по п.1, в котором содержащий углеводороды газ включает газообразные СН4 и Ar.
8. Способ по п.1, в котором содержащий углеводороды газ вводят при давлении, составляющем 5-150 мТорр (0,665-19,95 Па).
9. Способ по п.1, в котором несущую подложку нагревают до температуры 800-900°С на этапе нагревания.
10. Способ по п.1, в котором охлаждение осуществляют с использованием инертного газа.
11. Способ по п.10, в котором охлаждение уменьшает температуру несущей подложки до 700°С или ниже.
12. Способ по п.1, дополнительно включающий определение времени окончания охлаждения по увеличению видимости графена на самой внешней поверхности тонкой пленки катализатора методом фазового контраста.
13. Способ по п.12, в котором увеличение видимости графена включает нанесение материала на основе полимера на тонкую пленку катализатора поверх графена.
14. Способ по п.1, дополнительно включающий вытравливание, по меньшей мере, части тонкой графеновой пленки с использованием атомов водорода.
15. Способ по п.1, в котором тонкая графеновая пленка представляет собой n-слойную тонкую пленку графена категории HEG при n=2-3.
16. Способ гетероэпитаксиального выращивания тонкой графеновой пленки, который включает
приготовление подложки;
нанесение тонкой пленки металлического катализатора непосредственно или косвенно на несущую подложку;
введение содержащего углеводороды газа в область вблизи тонкой пленки металлического катализатора при давлении, составляющем 5-150 мТорр (0,665-19,95 Па);
нагревание несущей подложки до температуры более чем приблизительно 700°С, чтобы заставить содержащий углеводороды газ, по меньшей мере, частично выделить углерод из содержащего углеводороды газа;
рост графита на тонкой пленке металлического катализатора;
травление тонкой пленки металлического катализатора с образованием графана при использовании атомов водорода; и
дальнейшее травление графана с образованием графена при использовании атомов водорода.
17. Способ по п.16, в котором тонкая пленка катализатора включает, по меньшей мере, один из следующих металлов: никель, кобальт, железо, пермаллой, сплав никеля и хрома, медь и их сочетания.
18. Способ по п.16, в котором содержащий углеводороды газ включает газообразный С2Н2 или газообразные СН4 и Ar.
19. Тонкая графеновая пленка, выращенная гетероэпитаксиально непосредственно или косвенно на тонкой пленке металлического катализатора, имеющая практически моноориентированную крупнозернистую кристаллическую структуру,
где тонкая графеновая пленка имеет толщину от 1 до 10 атомных слоев.
20. Тонкая графеновая пленка по п.19, имеющая поверхностное сопротивление слоя, составляющее 150 Ом/квадрат или менее, где светопропускание тонкой графеновой пленки уменьшается менее чем на 3% на каждый атомный слой практически равномерно во всем видимом и инфракрасном спектре.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US12/461,346 | 2009-08-07 | ||
| US12/461,346 US10167572B2 (en) | 2009-08-07 | 2009-08-07 | Large area deposition of graphene via hetero-epitaxial growth, and products including the same |
| PCT/US2010/001982 WO2011016828A2 (en) | 2009-08-07 | 2010-07-15 | Large area deposition of graphene hetero-epitaxial growth, and products including the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2012108641A true RU2012108641A (ru) | 2013-09-20 |
Family
ID=42797336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012108641/05A RU2012108641A (ru) | 2009-08-07 | 2010-07-15 | Осаждение графена на большую поверхность путем гетероэпитаксиального роста и содержащие его изделия |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10167572B2 (ru) |
| EP (2) | EP2462262A2 (ru) |
| JP (1) | JP5731502B2 (ru) |
| KR (1) | KR101724772B1 (ru) |
| CN (2) | CN109023514A (ru) |
| BR (1) | BR112012008091A2 (ru) |
| IN (1) | IN2012DN00856A (ru) |
| MX (1) | MX338878B (ru) |
| RU (1) | RU2012108641A (ru) |
| SA (1) | SA110310637B1 (ru) |
| TW (1) | TW201114683A (ru) |
| WO (1) | WO2011016828A2 (ru) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2725266C1 (ru) * | 2017-01-11 | 2020-06-30 | Бейкер Хьюз, Э Джии Компани, Ллк | Тонкопленочные подложки, содержащие сшитые углеродные наноструктуры, и связанные способы |
| RU2784523C2 (ru) * | 2017-08-22 | 2022-11-28 | Нтерма Корпорейшн | Графеновые наноленты, графеновые нанопластинки и их смеси, а также способы синтеза |
| US11560313B2 (en) | 2017-08-22 | 2023-01-24 | Ntherma Corporation | Graphene nanoribbons, graphene nanoplatelets and mixtures thereof and methods of synthesis |
Families Citing this family (56)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB201004554D0 (en) * | 2010-03-18 | 2010-05-05 | Isis Innovation | Superconducting materials |
| US20120068161A1 (en) * | 2010-09-16 | 2012-03-22 | Lee Keon-Jae | Method for forming graphene using laser beam, graphene semiconductor manufactured by the same, and graphene transistor having graphene semiconductor |
| CN102127750B (zh) * | 2011-03-01 | 2012-08-22 | 哈尔滨工程大学 | 一种基于化学沉积法制备石墨烯材料的方法 |
| KR101806916B1 (ko) * | 2011-03-17 | 2017-12-12 | 한화테크윈 주식회사 | 그래핀 필름 제조 장치 및 그래핀 필름 제조 방법 |
| KR101842018B1 (ko) * | 2011-04-01 | 2018-03-26 | 한화테크윈 주식회사 | 그래핀을 포함하는 필름 제조 방법 |
| US8739728B2 (en) * | 2011-04-07 | 2014-06-03 | Dynamic Micro Systems, Semiconductor Equipment Gmbh | Methods and apparatuses for roll-on coating |
| JP5562283B2 (ja) * | 2011-04-07 | 2014-07-30 | 日本写真印刷株式会社 | グラフェンを主成分とする透明導電膜を備えた透明導電物とその製造方法 |
| JP5455963B2 (ja) * | 2011-04-07 | 2014-03-26 | 日本写真印刷株式会社 | グラフェンを主成分とする透明導電膜を備えた転写シートとその製造方法 |
| JP5541741B2 (ja) * | 2011-04-11 | 2014-07-09 | 日本写真印刷株式会社 | グラフェンを主成分とする透明導電膜を備えた転写シートとその製造方法 |
| CN102719877B (zh) * | 2011-06-09 | 2014-09-03 | 中国科学院金属研究所 | 一种低成本无损转移石墨烯的方法 |
| KR101380835B1 (ko) * | 2011-07-22 | 2014-04-04 | 성균관대학교산학협력단 | 그래핀의 원자층 식각 방법 |
| CN102296361B (zh) * | 2011-09-05 | 2013-09-25 | 电子科技大学 | 一种单晶石墨烯的制备方法 |
| KR20140092809A (ko) | 2011-09-09 | 2014-07-24 | 보드 오브 트러스티즈 오브 노선 일리노이스 유니버시티 | 결정성 그래핀 및 결정성 그래핀 제조 방법 |
| KR101878739B1 (ko) | 2011-10-24 | 2018-07-17 | 삼성전자주식회사 | 그래핀 전사부재, 그래핀 전사방법 및 이를 이용한 그래핀 소자 제조방법 |
| JP5851804B2 (ja) * | 2011-11-09 | 2016-02-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 前処理方法、グラフェンの形成方法及びグラフェン製造装置 |
| SG10201908213VA (en) * | 2012-02-24 | 2019-10-30 | California Inst Of Techn | Method and system for graphene formation |
| US9527043B2 (en) * | 2012-05-17 | 2016-12-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Gas separation membrane and method of preparing the same |
| KR101920716B1 (ko) | 2012-05-17 | 2019-02-13 | 삼성전자주식회사 | 기체 분리막 및 그 제조방법 |
| EP2679540A1 (en) * | 2012-06-29 | 2014-01-01 | Graphenea, S.A. | Method of manufacturing a graphene monolayer on insulating substrates |
| CN103572247A (zh) * | 2012-07-27 | 2014-02-12 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种在金属催化剂表面制备薄层石墨烯的方法 |
| CN102774118B (zh) * | 2012-07-31 | 2015-05-13 | 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 | 一种以静电保护膜为媒介转移石墨烯薄膜的方法 |
| PL224447B1 (pl) | 2012-08-25 | 2016-12-30 | Advanced Graphene Products Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością | Sposób oddzielania grafenu od ciekłej matrycy formującej |
| WO2014055040A1 (en) * | 2012-10-03 | 2014-04-10 | National University Of Singapore | Touch screen devices employing graphene networks with polyvinylidene fluoride films |
| CN102903617B (zh) * | 2012-10-22 | 2015-09-09 | 西安电子科技大学 | 基于GaN衬底的石墨烯CVD直接外延生长方法及制造的器件 |
| CN102903616A (zh) * | 2012-10-22 | 2013-01-30 | 西安电子科技大学 | 基于ZnO衬底的石墨烯CVD直接外延生长方法及制造的器件 |
| CN102903618B (zh) * | 2012-10-22 | 2015-07-29 | 西安电子科技大学 | 基于AlN衬底的石墨烯CVD直接外延生长方法及制造的器件 |
| US9595436B2 (en) | 2012-10-25 | 2017-03-14 | Applied Materials, Inc. | Growing graphene on substrates |
| CN104995332B (zh) * | 2012-11-19 | 2017-08-08 | 加利福尼亚大学董事会 | 基于石墨烯的电极及应用 |
| US10315275B2 (en) * | 2013-01-24 | 2019-06-11 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Reducing surface asperities |
| US10163576B2 (en) * | 2013-02-06 | 2018-12-25 | Apaq Technology Co., Ltd. | Capacitor cathode foil structure and manufacturing method thereof |
| KR102049487B1 (ko) * | 2013-03-08 | 2019-11-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조 방법 |
| US10431354B2 (en) * | 2013-03-15 | 2019-10-01 | Guardian Glass, LLC | Methods for direct production of graphene on dielectric substrates, and associated articles/devices |
| US9593019B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-03-14 | Guardian Industries Corp. | Methods for low-temperature graphene precipitation onto glass, and associated articles/devices |
| JP6002087B2 (ja) * | 2013-05-29 | 2016-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | グラフェンの生成方法 |
| ES2589793T3 (es) | 2013-10-28 | 2016-11-16 | Advanced Graphene Products Sp. Z O. O. | Procedimiento de producción de grafeno sobre un metal líquido |
| US9284640B2 (en) | 2013-11-01 | 2016-03-15 | Advanced Graphene Products Sp. Z.O.O. | Method of producing graphene from liquid metal |
| JP6353308B2 (ja) * | 2014-07-24 | 2018-07-04 | 株式会社カネカ | 配線材料、配線材料の製造方法、および配線材料を用いた配線板の製造方法 |
| CN104409177B (zh) * | 2014-11-28 | 2017-02-22 | 中国科学院金属研究所 | 一种稳定掺杂的大面积石墨烯透明导电膜规模化制备方法 |
| JP6190562B2 (ja) * | 2015-03-26 | 2017-08-30 | 中国科学院上海微系統与信息技術研究所 | グラフェンの成長方法 |
| US10133428B2 (en) * | 2015-05-29 | 2018-11-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Flexible display device including a flexible substrate having a bending part and a conductive pattern at least partially disposed on the bending part |
| GB201514542D0 (en) | 2015-08-14 | 2015-09-30 | Thomas Simon C S | A method of producing graphene |
| US10145005B2 (en) | 2015-08-19 | 2018-12-04 | Guardian Glass, LLC | Techniques for low temperature direct graphene growth on glass |
| JP6440850B2 (ja) | 2015-09-02 | 2018-12-19 | 東京エレクトロン株式会社 | グラフェンの製造方法、グラフェンの製造装置及び電子デバイスの製造方法 |
| US9666615B2 (en) | 2015-10-20 | 2017-05-30 | International Business Machines Corporation | Semiconductor on insulator substrate with back bias |
| RU2614289C1 (ru) * | 2015-11-10 | 2017-03-24 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук (ИПТМ РАН) | Способ получения пленки графена на подложке |
| US10190211B2 (en) * | 2015-11-20 | 2019-01-29 | Fourté International, Sdn. Bhd | High conductivity graphane-metal and graphene-metal composite and methods of manufacture |
| US20230275229A1 (en) * | 2015-11-23 | 2023-08-31 | Tereza M. Paronyan | Graphene networks and methods for synthesis and use of the same |
| US11718529B1 (en) * | 2015-11-23 | 2023-08-08 | Paronyan Tereza M | Graphene networks and methods for synthesis and use of the same |
| US20170155985A1 (en) * | 2015-11-30 | 2017-06-01 | Bragi GmbH | Graphene Based Mesh for Use in Portable Electronic Devices |
| JP6960813B2 (ja) | 2017-09-20 | 2021-11-05 | 東京エレクトロン株式会社 | グラフェン構造体の形成方法および形成装置 |
| GB2570126B (en) * | 2018-01-11 | 2022-07-27 | Paragraf Ltd | Graphene based contact layers for electronic devices |
| CN110697861A (zh) * | 2019-11-13 | 2020-01-17 | 孙晓阳 | 活性光解微晶及其制备方法 |
| US11515163B2 (en) * | 2021-01-06 | 2022-11-29 | Applied Materials, Inc. | Low temperature graphene growth |
| JP7600879B2 (ja) * | 2021-06-03 | 2024-12-17 | 富士通株式会社 | 多層グラフェンの製造方法 |
| CN114228182B (zh) * | 2021-12-24 | 2024-05-31 | 中科合肥智慧农业协同创新研究院 | 一种快速制备石墨烯三明治型光热转换地膜的方法 |
| CN119314869A (zh) * | 2024-08-26 | 2025-01-14 | 湖南大学 | 图案化的二维VX2、横向、垂直VX2/TMDs异质结及其制备和应用 |
Family Cites Families (112)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4929205A (en) | 1988-10-07 | 1990-05-29 | Jones Elene K | Leg immobilizer-drag for training swimmers |
| US5227038A (en) * | 1991-10-04 | 1993-07-13 | William Marsh Rice University | Electric arc process for making fullerenes |
| US5300203A (en) * | 1991-11-27 | 1994-04-05 | William Marsh Rice University | Process for making fullerenes by the laser evaporation of carbon |
| US5591312A (en) * | 1992-10-09 | 1997-01-07 | William Marsh Rice University | Process for making fullerene fibers |
| DE4313481A1 (de) * | 1993-04-24 | 1994-10-27 | Hoechst Ag | Fullerenderivate, Verfahren zur Herstellung und deren Verwendung |
| WO1995000440A1 (en) * | 1993-06-28 | 1995-01-05 | William Marsh Rice University | Solar process for making fullerenes |
| US5650597A (en) * | 1995-01-20 | 1997-07-22 | Dynapro Systems, Inc. | Capacitive touch sensor |
| US6162926A (en) * | 1995-07-31 | 2000-12-19 | Sphere Biosystems, Inc. | Multi-substituted fullerenes and methods for their preparation and characterization |
| US6183714B1 (en) * | 1995-09-08 | 2001-02-06 | Rice University | Method of making ropes of single-wall carbon nanotubes |
| US7338915B1 (en) * | 1995-09-08 | 2008-03-04 | Rice University | Ropes of single-wall carbon nanotubes and compositions thereof |
| WO1998005920A1 (en) * | 1996-08-08 | 1998-02-12 | William Marsh Rice University | Macroscopically manipulable nanoscale devices made from nanotube assemblies |
| US6123824A (en) * | 1996-12-13 | 2000-09-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing photo-electricity generating device |
| JPH10178195A (ja) | 1996-12-18 | 1998-06-30 | Canon Inc | 光起電力素子 |
| ATE299474T1 (de) | 1997-03-07 | 2005-07-15 | Univ Rice William M | Kohlenstofffasern ausgehend von einwandigen kohlenstoffnanoröhren |
| US6683783B1 (en) * | 1997-03-07 | 2004-01-27 | William Marsh Rice University | Carbon fibers formed from single-wall carbon nanotubes |
| JPH1146006A (ja) * | 1997-07-25 | 1999-02-16 | Canon Inc | 光起電力素子およびその製造方法 |
| US6129901A (en) * | 1997-11-18 | 2000-10-10 | Martin Moskovits | Controlled synthesis and metal-filling of aligned carbon nanotubes |
| GB9806066D0 (en) | 1998-03-20 | 1998-05-20 | Cambridge Display Tech Ltd | Multilayer photovoltaic or photoconductive devices |
| CA2335449A1 (en) * | 1998-06-19 | 1999-12-23 | The Research Foundation Of The State University Of New York | Free-standing and aligned carbon nanotubes and synthesis thereof |
| US6077722A (en) * | 1998-07-14 | 2000-06-20 | Bp Solarex | Producing thin film photovoltaic modules with high integrity interconnects and dual layer contacts |
| US6057903A (en) * | 1998-08-18 | 2000-05-02 | International Business Machines Corporation | Liquid crystal display device employing a guard plane between a layer for measuring touch position and common electrode layer |
| US6204897B1 (en) * | 1998-08-18 | 2001-03-20 | International Business Machines Corporation | Integrated resistor for measuring touch position in a liquid crystal display device |
| US7150864B1 (en) | 1998-09-18 | 2006-12-19 | William Marsh Rice University | Ropes comprised of single-walled and double-walled carbon nanotubes |
| DE69941294D1 (de) * | 1998-09-18 | 2009-10-01 | Univ Rice William M | Chemische derivatisierung von einwandigen kohlenstoffnanoröhren um ihre solvatation zu erleichtern und verwendung derivatisierter nanoröhren |
| US6692717B1 (en) * | 1999-09-17 | 2004-02-17 | William Marsh Rice University | Catalytic growth of single-wall carbon nanotubes from metal particles |
| CA2344180C (en) | 1998-09-18 | 2008-04-29 | William Marsh Rice University | Catalytic growth of single-wall carbon nanotubes from metal particles |
| US6835366B1 (en) | 1998-09-18 | 2004-12-28 | William Marsh Rice University | Chemical derivatization of single-wall carbon nanotubes to facilitate solvation thereof, and use of derivatized nanotubes |
| JP4619539B2 (ja) * | 1998-11-03 | 2011-01-26 | ウィリアム・マーシュ・ライス・ユニバーシティ | 高温一酸化炭素気体からの単層カーボンナノチューブの結晶核形成および成長 |
| US6808606B2 (en) * | 1999-05-03 | 2004-10-26 | Guardian Industries Corp. | Method of manufacturing window using ion beam milling of glass substrate(s) |
| CN100366528C (zh) * | 1999-10-27 | 2008-02-06 | 威廉马歇莱思大学 | 碳质毫微管的宏观有序集合体 |
| US7195780B2 (en) * | 2002-10-21 | 2007-03-27 | University Of Florida | Nanoparticle delivery system |
| US20020048632A1 (en) * | 2000-08-24 | 2002-04-25 | Smalley Richard E. | Polymer-wrapped single wall carbon nanotubes |
| US6359388B1 (en) * | 2000-08-28 | 2002-03-19 | Guardian Industries Corp. | Cold cathode ion beam deposition apparatus with segregated gas flow |
| US6784361B2 (en) * | 2000-09-20 | 2004-08-31 | Bp Corporation North America Inc. | Amorphous silicon photovoltaic devices |
| US7052668B2 (en) * | 2001-01-31 | 2006-05-30 | William Marsh Rice University | Process utilizing seeds for making single-wall carbon nanotubes |
| US6913789B2 (en) * | 2001-01-31 | 2005-07-05 | William Marsh Rice University | Process utilizing pre-formed cluster catalysts for making single-wall carbon nanotubes |
| US6752977B2 (en) * | 2001-02-12 | 2004-06-22 | William Marsh Rice University | Process for purifying single-wall carbon nanotubes and compositions thereof |
| US7090819B2 (en) * | 2001-02-12 | 2006-08-15 | William Marsh Rice University | Gas-phase process for purifying single-wall carbon nanotubes and compositions thereof |
| US6602371B2 (en) * | 2001-02-27 | 2003-08-05 | Guardian Industries Corp. | Method of making a curved vehicle windshield |
| KR20010094773A (ko) | 2001-03-16 | 2001-11-03 | 장광식 정윤철 | 편광판 일체형 터치 패널 및 터치 패널 일체형 평판디스플레이 그리고 적층 방법 |
| US7265174B2 (en) * | 2001-03-22 | 2007-09-04 | Clemson University | Halogen containing-polymer nanocomposite compositions, methods, and products employing such compositions |
| US6890506B1 (en) * | 2001-04-12 | 2005-05-10 | Penn State Research Foundation | Method of forming carbon fibers |
| US7014737B2 (en) * | 2001-06-15 | 2006-03-21 | Penn State Research Foundation | Method of purifying nanotubes and nanofibers using electromagnetic radiation |
| US7125502B2 (en) | 2001-07-06 | 2006-10-24 | William Marsh Rice University | Fibers of aligned single-wall carbon nanotubes and process for making the same |
| DE60229955D1 (de) * | 2001-08-29 | 2009-01-02 | Georgia Tech Res Inst | Zusammensetzungen, welche stäbchenförmige polymere und nanoröhrenförmige strukturen umfassen, sowie verfahren zur herstellung derselben |
| US6538153B1 (en) * | 2001-09-25 | 2003-03-25 | C Sixty Inc. | Method of synthesis of water soluble fullerene polyacids using a macrocyclic malonate reactant |
| DE10228523B4 (de) * | 2001-11-14 | 2017-09-21 | Lg Display Co., Ltd. | Berührungstablett |
| US7138100B2 (en) * | 2001-11-21 | 2006-11-21 | William Marsh Rice Univesity | Process for making single-wall carbon nanotubes utilizing refractory particles |
| US7338648B2 (en) * | 2001-12-28 | 2008-03-04 | The Penn State Research Foundation | Method for low temperature synthesis of single wall carbon nanotubes |
| TW200307563A (en) * | 2002-02-14 | 2003-12-16 | Sixty Inc C | Use of BUCKYSOME or carbon nanotube for drug delivery |
| WO2003075207A2 (en) * | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Planar Systems, Inc. | Reflection resistant touch screens |
| WO2003084869A2 (en) * | 2002-03-04 | 2003-10-16 | William Marsh Rice University | Method for separating single-wall carbon nanotubes and compositions thereof |
| US6936653B2 (en) * | 2002-03-14 | 2005-08-30 | Carbon Nanotechnologies, Inc. | Composite materials comprising polar polymers and single-wall carbon nanotubes |
| US6899945B2 (en) * | 2002-03-19 | 2005-05-31 | William Marsh Rice University | Entangled single-wall carbon nanotube solid material and methods for making same |
| US7192642B2 (en) * | 2002-03-22 | 2007-03-20 | Georgia Tech Research Corporation | Single-wall carbon nanotube film having high modulus and conductivity and process for making the same |
| US7135160B2 (en) * | 2002-04-02 | 2006-11-14 | Carbon Nanotechnologies, Inc. | Spheroidal aggregates comprising single-wall carbon nanotubes and method for making the same |
| KR20040101200A (ko) * | 2002-04-08 | 2004-12-02 | 윌리엄 마쉬 라이스 유니버시티 | 불소화를 이용한 단일-장벽 탄소 나노튜브의 절단 방법 |
| US6852410B2 (en) * | 2002-07-01 | 2005-02-08 | Georgia Tech Research Corporation | Macroscopic fiber comprising single-wall carbon nanotubes and acrylonitrile-based polymer and process for making the same |
| US7061749B2 (en) * | 2002-07-01 | 2006-06-13 | Georgia Tech Research Corporation | Supercapacitor having electrode material comprising single-wall carbon nanotubes and process for making the same |
| US7250148B2 (en) * | 2002-07-31 | 2007-07-31 | Carbon Nanotechnologies, Inc. | Method for making single-wall carbon nanotubes using supported catalysts |
| KR100480823B1 (ko) * | 2002-11-14 | 2005-04-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 표시장치용 터치 패널 |
| US7273095B2 (en) * | 2003-03-11 | 2007-09-25 | United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Nanoengineered thermal materials based on carbon nanotube array composites |
| EP1623437B1 (en) | 2003-04-24 | 2007-12-05 | Carbon Nanotechnologies, Inc. | Conductive carbon nanotube-polymer composite |
| US7220818B2 (en) * | 2003-08-20 | 2007-05-22 | The Regents Of The University Of California | Noncovalent functionalization of nanotubes |
| US7109581B2 (en) * | 2003-08-25 | 2006-09-19 | Nanoconduction, Inc. | System and method using self-assembled nano structures in the design and fabrication of an integrated circuit micro-cooler |
| US8153240B2 (en) | 2003-10-03 | 2012-04-10 | College Of William And Mary | Carbon nanostructures and methods of making and using the same |
| US7163956B2 (en) * | 2003-10-10 | 2007-01-16 | C Sixty Inc. | Substituted fullerene compositions and their use as antioxidants |
| US7211795B2 (en) * | 2004-02-06 | 2007-05-01 | California Institute Of Technology | Method for manufacturing single wall carbon nanotube tips |
| KR100995073B1 (ko) | 2004-04-23 | 2010-11-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 염료감응 태양전지의 모듈 및 그 제조방법 |
| US7279916B2 (en) * | 2004-10-05 | 2007-10-09 | Nanoconduction, Inc. | Apparatus and test device for the application and measurement of prescribed, predicted and controlled contact pressure on wires |
| WO2006077136A2 (de) | 2005-01-20 | 2006-07-27 | Schott Ag | Elssktro-optisches element mit gesteuerter, insbesondere uniformer funktionali tätsverssilung |
| JP5054896B2 (ja) | 2005-03-28 | 2012-10-24 | 勝 堀 | カーボンナノウォールの処理方法、カーボンナノウォール、カーボンナノウォールデバイス |
| JP4522320B2 (ja) | 2005-05-31 | 2010-08-11 | 株式会社エフ・ティ・エスコーポレーション | 透明断熱積層体の製造方法 |
| RU2292409C1 (ru) | 2005-11-07 | 2007-01-27 | Пензенский государственный университет (ПГУ) | Способ электроосаждения покрытий сплавом никель-хром |
| US7619257B2 (en) * | 2006-02-16 | 2009-11-17 | Alcatel-Lucent Usa Inc. | Devices including graphene layers epitaxially grown on single crystal substrates |
| US20080169021A1 (en) * | 2007-01-16 | 2008-07-17 | Guardian Industries Corp. | Method of making TCO front electrode for use in photovoltaic device or the like |
| US7964238B2 (en) * | 2007-01-29 | 2011-06-21 | Guardian Industries Corp. | Method of making coated article including ion beam treatment of metal oxide protective film |
| JP5135825B2 (ja) | 2007-02-21 | 2013-02-06 | 富士通株式会社 | グラフェントランジスタ及びその製造方法 |
| US20080238882A1 (en) | 2007-02-21 | 2008-10-02 | Ramesh Sivarajan | Symmetric touch screen system with carbon nanotube-based transparent conductive electrode pairs |
| JP4669957B2 (ja) | 2007-03-02 | 2011-04-13 | 日本電気株式会社 | グラフェンを用いる半導体装置及びその製造方法 |
| US7858876B2 (en) | 2007-03-13 | 2010-12-28 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Graphite-based photovoltaic cells |
| US20080245414A1 (en) | 2007-04-09 | 2008-10-09 | Shuran Sheng | Methods for forming a photovoltaic device with low contact resistance |
| WO2008128554A1 (en) | 2007-04-20 | 2008-10-30 | MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | Highly conductive, transparent carbon films as electrode materials |
| US7875945B2 (en) * | 2007-06-12 | 2011-01-25 | Guardian Industries Corp. | Rear electrode structure for use in photovoltaic device such as CIGS/CIS photovoltaic device and method of making same |
| US20080308147A1 (en) | 2007-06-12 | 2008-12-18 | Yiwei Lu | Rear electrode structure for use in photovoltaic device such as CIGS/CIS photovoltaic device and method of making same |
| RU2353961C1 (ru) | 2007-06-25 | 2009-04-27 | Институт прикладной физики РАН | Фазоконтрастное устройство для визуализации прозрачных объектов |
| JP5101200B2 (ja) | 2007-07-31 | 2012-12-19 | 三菱重工業株式会社 | 光電変換装置の製造方法 |
| US20090032098A1 (en) * | 2007-08-03 | 2009-02-05 | Guardian Industries Corp. | Photovoltaic device having multilayer antireflective layer supported by front substrate |
| KR20090026568A (ko) | 2007-09-10 | 2009-03-13 | 삼성전자주식회사 | 그라펜 시트 및 그의 제조방법 |
| KR101384665B1 (ko) | 2007-09-13 | 2014-04-15 | 성균관대학교산학협력단 | 그라펜 시트를 함유하는 투명 전극, 이를 채용한 표시소자및 태양전지 |
| US8587559B2 (en) | 2007-09-28 | 2013-11-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Multipoint nanostructure-film touch screen |
| US20090174435A1 (en) | 2007-10-01 | 2009-07-09 | University Of Virginia | Monolithically-Integrated Graphene-Nano-Ribbon (GNR) Devices, Interconnects and Circuits |
| US8715610B2 (en) | 2007-10-19 | 2014-05-06 | University Of Wollongong | Process for the preparation of graphene |
| KR101622306B1 (ko) | 2009-10-29 | 2016-05-19 | 삼성전자주식회사 | 그라펜 시트, 이를 포함하는 그라펜 기재 및 그의 제조방법 |
| KR100923304B1 (ko) * | 2007-10-29 | 2009-10-23 | 삼성전자주식회사 | 그라펜 시트 및 그의 제조방법 |
| US8659009B2 (en) | 2007-11-02 | 2014-02-25 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Locally gated graphene nanostructures and methods of making and using |
| KR101344493B1 (ko) * | 2007-12-17 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | 단결정 그라펜 시트 및 그의 제조방법 |
| WO2009086161A1 (en) | 2007-12-20 | 2009-07-09 | Cima Nanotech Israel Ltd. | Transparent conductive coating with filler material |
| WO2009094277A2 (en) | 2008-01-14 | 2009-07-30 | The Regents Of The University Of California | High-throughput solution processing of large scale graphene and device applications |
| US8535553B2 (en) | 2008-04-14 | 2013-09-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Large-area single- and few-layer graphene on arbitrary substrates |
| CN100552981C (zh) | 2008-06-17 | 2009-10-21 | 四川大学 | 一种柔性碲化镉薄膜太阳电池制造方法 |
| CN101423109A (zh) | 2008-12-09 | 2009-05-06 | 张越明 | 船用gps/gsm防水自动报警装置 |
| JP5097172B2 (ja) | 2009-06-23 | 2012-12-12 | 株式会社沖データ | グラフェン層の剥離方法、グラフェンウエハの製造方法、及び、グラフェン素子の製造方法 |
| KR101622304B1 (ko) | 2009-08-05 | 2016-05-19 | 삼성전자주식회사 | 그라펜 기재 및 그의 제조방법 |
| KR101636442B1 (ko) | 2009-11-10 | 2016-07-21 | 삼성전자주식회사 | 촉매합금을 이용한 그라핀의 제조방법 |
| KR101652787B1 (ko) | 2009-11-12 | 2016-09-01 | 삼성전자주식회사 | 대면적 그라핀의 제조방법 및 전사방법 |
| KR101603766B1 (ko) | 2009-11-13 | 2016-03-15 | 삼성전자주식회사 | 그라펜 적층체 및 그의 제조방법 |
| JP2011157241A (ja) | 2010-02-03 | 2011-08-18 | Central Glass Co Ltd | 自動車用合わせガラス |
| JP5660425B2 (ja) | 2010-03-04 | 2015-01-28 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | グラフェン膜のエピタキシャル成長方法 |
| TW201302655A (zh) | 2011-05-10 | 2013-01-16 | Internat Frontier Tech Lab Inc | 窗用玻璃板 |
| WO2012169530A1 (ja) | 2011-06-06 | 2012-12-13 | 国際先端技術総合研究所株式会社 | 複合ガラス板 |
| WO2023163923A1 (en) | 2022-02-24 | 2023-08-31 | Pdq Industries, Inc. | Dampening mechanism for touch bar exit device |
-
2009
- 2009-08-07 US US12/461,346 patent/US10167572B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-07-15 EP EP10737395A patent/EP2462262A2/en not_active Withdrawn
- 2010-07-15 MX MX2012001603A patent/MX338878B/es active IP Right Grant
- 2010-07-15 JP JP2012523594A patent/JP5731502B2/ja active Active
- 2010-07-15 EP EP13151830.0A patent/EP2584072A3/en not_active Withdrawn
- 2010-07-15 CN CN201810910302.0A patent/CN109023514A/zh active Pending
- 2010-07-15 BR BR112012008091A patent/BR112012008091A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2010-07-15 KR KR1020127005782A patent/KR101724772B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2010-07-15 WO PCT/US2010/001982 patent/WO2011016828A2/en not_active Ceased
- 2010-07-15 RU RU2012108641/05A patent/RU2012108641A/ru not_active Application Discontinuation
- 2010-07-15 CN CN2010800347360A patent/CN102549202A/zh active Pending
- 2010-07-28 TW TW099124896A patent/TW201114683A/zh unknown
- 2010-08-04 SA SA110310637A patent/SA110310637B1/ar unknown
-
2012
- 2012-01-31 IN IN856DEN2012 patent/IN2012DN00856A/en unknown
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2725266C1 (ru) * | 2017-01-11 | 2020-06-30 | Бейкер Хьюз, Э Джии Компани, Ллк | Тонкопленочные подложки, содержащие сшитые углеродные наноструктуры, и связанные способы |
| RU2784523C2 (ru) * | 2017-08-22 | 2022-11-28 | Нтерма Корпорейшн | Графеновые наноленты, графеновые нанопластинки и их смеси, а также способы синтеза |
| US11560313B2 (en) | 2017-08-22 | 2023-01-24 | Ntherma Corporation | Graphene nanoribbons, graphene nanoplatelets and mixtures thereof and methods of synthesis |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101724772B1 (ko) | 2017-04-07 |
| US10167572B2 (en) | 2019-01-01 |
| JP2013501695A (ja) | 2013-01-17 |
| WO2011016828A2 (en) | 2011-02-10 |
| JP5731502B2 (ja) | 2015-06-10 |
| IN2012DN00856A (ru) | 2015-07-10 |
| CN102549202A (zh) | 2012-07-04 |
| EP2462262A2 (en) | 2012-06-13 |
| TW201114683A (en) | 2011-05-01 |
| EP2584072A2 (en) | 2013-04-24 |
| US20110033688A1 (en) | 2011-02-10 |
| EP2584072A3 (en) | 2013-07-10 |
| SA110310637B1 (ar) | 2014-05-25 |
| KR20120081977A (ko) | 2012-07-20 |
| BR112012008091A2 (pt) | 2016-03-01 |
| WO2011016828A3 (en) | 2011-03-31 |
| MX2012001603A (es) | 2012-04-11 |
| CN109023514A (zh) | 2018-12-18 |
| MX338878B (es) | 2016-05-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2012108641A (ru) | Осаждение графена на большую поверхность путем гетероэпитаксиального роста и содержащие его изделия | |
| JP2013501695A5 (ru) | ||
| Liu et al. | Achievements and challenges of graphene chemical vapor deposition growth | |
| CN105603514B (zh) | 大尺寸Cu(111)单晶铜箔和超大尺寸单晶石墨烯的制备方法 | |
| Zhang et al. | Controlled growth of single‐crystal graphene films | |
| CN102134067B (zh) | 一种制备单层石墨烯的方法 | |
| CN105714382B (zh) | 大尺寸Cu(100)单晶铜箔的制备方法 | |
| KR101636442B1 (ko) | 촉매합금을 이용한 그라핀의 제조방법 | |
| CN108728813B (zh) | 一种快速连续制备超大单晶薄膜的方法及装置 | |
| US9284640B2 (en) | Method of producing graphene from liquid metal | |
| TWI466823B (zh) | 雪花型石墨烯及其製備方法 | |
| CN110616454B (zh) | 一种基于单晶二维材料/单晶铜的垂直异质外延单晶金属薄膜的方法 | |
| KR20130020351A (ko) | 그래핀 박막의 형성방법 및 그 방법에 의해 제조된 그래핀 | |
| CN105483824A (zh) | 制备单晶双层石墨烯的方法 | |
| WO2016149934A1 (zh) | 石墨烯的生长方法 | |
| Pu et al. | High-temperature oxidation behaviors of CVD diamond films | |
| CN108396377B (zh) | 一种高质量单层多晶石墨烯薄膜的制备方法 | |
| KR20130000964A (ko) | 그래핀 제조방법 | |
| CN110616458B (zh) | 一种基于单晶铜的垂直异质外延单晶金属薄膜的方法 | |
| CN107244666B (zh) | 一种以六方氮化硼为点籽晶生长大晶畴石墨烯的方法 | |
| EP2865646A1 (en) | Method of producing graphene from liquid metal | |
| US10035708B2 (en) | Method for manufacturing graphene using cover member and method for manufacturing electronic element including same | |
| CN117602617A (zh) | 双层石墨烯薄膜及其生长方法 | |
| CN113186597B (zh) | 一种低成本、大尺寸、高品质单晶金刚石及其制备方法和应用 | |
| KR20150000362A (ko) | 단일 결정 그래핀 필름 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA94 | Acknowledgement of application withdrawn (non-payment of fees) |
Effective date: 20170321 |