RU2012113230A - Способ и устройство для выращивания монокристаллов сапфира - Google Patents

Способ и устройство для выращивания монокристаллов сапфира Download PDF

Info

Publication number
RU2012113230A
RU2012113230A RU2012113230/05A RU2012113230A RU2012113230A RU 2012113230 A RU2012113230 A RU 2012113230A RU 2012113230/05 A RU2012113230/05 A RU 2012113230/05A RU 2012113230 A RU2012113230 A RU 2012113230A RU 2012113230 A RU2012113230 A RU 2012113230A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
crucible
sapphire
seed crystal
temperature
fragments
Prior art date
Application number
RU2012113230/05A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2520472C2 (ru
Inventor
Чон Тхэ АН
Original Assignee
Кристек Ко., Лтд.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Кристек Ко., Лтд. filed Critical Кристек Ко., Лтд.
Publication of RU2012113230A publication Critical patent/RU2012113230A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2520472C2 publication Critical patent/RU2520472C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/02—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method without using solvents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/002—Crucibles or containers for supporting the melt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/003—Heating or cooling of the melt or the crystallised material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/36—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method characterised by the seed, e.g. its crystallographic orientation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B17/00—Single-crystal growth onto a seed which remains in the melt during growth, e.g. Nacken-Kyropoulos method
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C30B29/20—Aluminium oxides
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1092—Shape defined by a solid member other than seed or product [e.g., Bridgman-Stockbarger]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

1. Устройство для выращивания монокристаллов сапфира, содержащее: печь, выполненную с возможностью нагрева и термоизоляции от окружающего воздуха таким образом, чтобы температура внутри печи поднималась до температуры, превышающей температуру плавления обломков сапфира; тигель, расположенный в печи таким образом, что обеспечивает расплавление обломков сапфира в тигле и обеспечивает рост монокристалла в длину из затравочного кристалла в тигле; нагреватель, расположенный снаружи тигля, таким образом, чтобы расплавлять обломки сапфира; и охлаждающие средства, расположенные на нижней части тигля таким образом, чтобы предотвращать полное расплавление затравочного кристалла,причем, нагреватель, расположенный снаружи тигля выполнен в виде нескольких отдельных нагревателей, которые работают независимо друг от друга таким образом, что он равномерно поддерживает температуру внутри тигля в горизонтальном направлении.2. Устройство по п.1, в котором длина каждого из отдельных нагревателей составляет от 5 см до 25 см.3. Устройство по п.1, в котором нагреватель содержит несколько боковых нагревательных элементов, которые расположены с обеих сторон тигля рядом с наружными стенками тигля, каждый из них соединен с соответствующим электродом, а также содержит соединительный нагревательный элемент, расположенный на верхних частях боковых нагревательных элементов для соединения боковых нагревательных элементов друг с другом таким образом, чтобы создать вертикальный градиент температуры и сократить количество электродов.4. Устройство по п.1, в котором нижняя часть тигля, на которую помещают затравочный кристалл, сформир

Claims (18)

1. Устройство для выращивания монокристаллов сапфира, содержащее: печь, выполненную с возможностью нагрева и термоизоляции от окружающего воздуха таким образом, чтобы температура внутри печи поднималась до температуры, превышающей температуру плавления обломков сапфира; тигель, расположенный в печи таким образом, что обеспечивает расплавление обломков сапфира в тигле и обеспечивает рост монокристалла в длину из затравочного кристалла в тигле; нагреватель, расположенный снаружи тигля, таким образом, чтобы расплавлять обломки сапфира; и охлаждающие средства, расположенные на нижней части тигля таким образом, чтобы предотвращать полное расплавление затравочного кристалла,
причем, нагреватель, расположенный снаружи тигля выполнен в виде нескольких отдельных нагревателей, которые работают независимо друг от друга таким образом, что он равномерно поддерживает температуру внутри тигля в горизонтальном направлении.
2. Устройство по п.1, в котором длина каждого из отдельных нагревателей составляет от 5 см до 25 см.
3. Устройство по п.1, в котором нагреватель содержит несколько боковых нагревательных элементов, которые расположены с обеих сторон тигля рядом с наружными стенками тигля, каждый из них соединен с соответствующим электродом, а также содержит соединительный нагревательный элемент, расположенный на верхних частях боковых нагревательных элементов для соединения боковых нагревательных элементов друг с другом таким образом, чтобы создать вертикальный градиент температуры и сократить количество электродов.
4. Устройство по п.1, в котором нижняя часть тигля, на которую помещают затравочный кристалл, сформирована вогнутой внутрь или выгнутой наружу таким образом, чтобы предотвращать неполное расплавление обломков сапфира и полное расплавление затравочного кристалла.
5. Способ выращивания монокристаллов сапфира с использованием устройства по любому из пп.1-4, который включает стадию расплавления обломков сапфира и стадию выращивания монокристалла из затравочного кристалла, при этом температуру внутри тигля регулируют несколькими нагревателями, расположенными снаружи тигля.
6. Способ по п.5, дополнительно включающий стадию, на которой после завершения роста кристалла осуществляют отжиг путем прерывания процесса охлаждения, проводимого с использованием охлаждающих средств, до того, как тигль будет охлажден до комнатной температуры.
7. Устройство для выращивания монокристаллов сапфира, содержащее: печь, выполненную с возможностью нагрева и термоизоляции от окружающего воздуха таким образом, чтобы температура внутри печи поднималась до температуры, превышающей температуру плавления обломков сапфира; тигель, расположенный в печи таким образом, что обеспечивает расплавление обломков сапфира в тигле и обеспечивает рост монокристалла в длину из затравочного кристалла в тигле; нагреватель, расположенный снаружи тигля, таким образом, чтобы расплавлять обломки сапфира; и охлаждающие средства, расположенные на нижней части тигля таким образом, чтобы предотвращать полное расплавление затравочного кристалла, причем, нижняя часть тигля, на которую помещен затравочный кристалл, сформирована вогнутой внутрь или выгнутой наружу таким образом, чтобы предотвращать неполное расплавление обломков сапфира и полное расплавление затравочного кристалла.
8. Устройство по п.7, в котором нижняя часть тигля сформирована вогнутой внутрь или выгнутой наружу и имеет поперечное сечение в виде буквы W или V.
9. Устройство по п.7, в котором нагреватель, расположенный снаружи тигля выполнен в виде нескольких отдельных нагревателей, которые работают независимо друг от друга таким образом, что он равномерно поддерживает температуру внутри тигля в горизонтальном направлении.
10. Устройство по п.7, в котором нагреватель содержит несколько боковых нагревательных элементов, которые расположены с обеих сторон тигля рядом с наружными стенками тигля, каждый из них соединен с соответствующим электродом, а также содержит соединительный нагревательный элемент, расположенный на верхних частях боковых нагревательных элементов для соединения боковых нагревательных элементов друг с другом таким образом, чтобы создать вертикальный градиент температуры и сократить количество электродов.
11. Способ выращивания монокристаллов сапфира с использованием устройства по любому из пп.7-10, который включает стадию расплавления обломков сапфира и стадию выращивания монокристалла из затравочного кристалла.
12. Способ по п.11, дополнительно включающий стадию, на которой после завершения роста кристалла осуществляют отжиг путем прерывания процесса охлаждения, проводимого с использованием охлаждающих средств, до того, как тигль будет охлажден до комнатной температуры.
13. Устройство для выращивания монокристаллов сапфира, содержащее: печь, выполненную с возможностью нагрева и термоизоляции от окружающего воздуха таким образом, чтобы температура внутри печи поднималась до температуры, превышающей температуру плавления обломков сапфира; тигель, расположенный в печи таким образом, что обеспечивает расплавление обломков сапфира в тигле и обеспечивает рост монокристалла в длину из затравочного кристалла в тигле; нагреватель, расположенный снаружи тигля, таким образом, чтобы расплавлять обломки сапфира; и охлаждающие средства, расположенные на нижней части тигля таким образом, чтобы предотвращать полное расплавление затравочного кристалла, причем, нагреватель содержит пару боковых нагревательных элементов, которые расположены с обеих сторон тигля рядом с наружными стенками тигля, каждый из них соединен с соответствующим электродом, а также содержит соединительный нагревательный элемент, расположенный на верхних частях боковых нагревательных элементов для соединения пары боковых нагревательных элементов друг с другом таким образом, чтобы создать вертикальный градиент температуры и сократить количество электродов.
14. Устройство по п.13, в котором нижняя часть тигля, на которую помещен затравочный кристалл, сформирована вогнутой внутрь или выгнутой наружу таким образом, чтобы предотвращать неполное расплавление обломков сапфира и полное расплавление затравочного кристалла.
15. Способ выращивания монокристаллов сапфира с использованием устройства по п.13 или 14, который включает стадию расплавления обломков сапфира и стадию выращивания монокристалла из затравочного кристалла.
16. Способ выращивания монокристаллов сапфира, включающий: стадию, на которой после размещения затравочного кристалла на нижней части тигля и заполнения тигля измельченными обломками сапфира, указанные обломки сапфира расплавляют с получением расплава путем повышения температуры внутри тигля от комнатной температуры до температуры, превышающей температуру плавления обломков сапфира посредством электрического нагревателя, при этом нижнюю часть тигля охлаждают с использованием охлаждающих средств, установленных па нижней стороне тигля таким образом, чтобы предотвращать полное расплавление затравочного кристалла; а также стадию, на которой монокристалл сапфира выращивают из затравочного кристалла путем постепенного снижения температуры нагревателя при охлаждении нижней части тигля с использованием охлаждающих средств, причем, способ дополнительно включает стадию, на которой после завершения роста кристалла осуществляют отжиг путем прерывания процесса охлаждения, проводимого с использованием охлаждающих средств, до того, как тигль будет охлажден до комнатной температуры.
17. Способ по п.16, в котором стадию отжига выполняют при поддержании температуры внутри тигля в диапазоне от 1700°C до 2000°C в течение от 1 до 50 ч.
18. Способ по п.16, в котором в качестве охлаждающего средства используют охлаждающую плиту и для прерывания процесса охлаждения охлаждающую плиту отделяют от тигля путем вертикального перемещения охлаждающей плиты или тигля.
RU2012113230/05A 2009-09-05 2010-08-26 Способ и устройство для выращивания монокристаллов сапфира RU2520472C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2009-0083722 2009-09-05
KR1020090083722A KR101136143B1 (ko) 2009-09-05 2009-09-05 사파이어 단결정 성장방법과 그 장치
PCT/KR2010/005731 WO2011027992A2 (ko) 2009-09-05 2010-08-26 사파이어 단결정 성장방법과 그 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012113230A true RU2012113230A (ru) 2013-10-20
RU2520472C2 RU2520472C2 (ru) 2014-06-27

Family

ID=43649757

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012113230/05A RU2520472C2 (ru) 2009-09-05 2010-08-26 Способ и устройство для выращивания монокристаллов сапфира

Country Status (8)

Country Link
US (1) US9790618B2 (ru)
EP (1) EP2474651A4 (ru)
JP (1) JP5596788B2 (ru)
KR (1) KR101136143B1 (ru)
CN (2) CN102597334A (ru)
RU (1) RU2520472C2 (ru)
TW (1) TWI404843B (ru)
WO (1) WO2011027992A2 (ru)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102330144A (zh) * 2011-10-08 2012-01-25 陕西合木实业有限公司 一种成品大面积籽晶和矩形大面积籽晶的制备方法及设备
US9206525B2 (en) * 2011-11-30 2015-12-08 General Electric Company Method for configuring a system to grow a crystal by coupling a heat transfer device comprising at least one elongate member beneath a crucible
KR101196445B1 (ko) 2012-05-03 2012-11-01 주식회사 크리스텍 사파이어 단결정 성장장치 및 이를 이용한 사파이어 단결정 성장방법
CN102828232A (zh) * 2012-09-25 2012-12-19 倪屹 三维蓝宝石晶体生长装置
KR101439380B1 (ko) * 2012-10-31 2014-09-11 주식회사 사파이어테크놀로지 사파이어 단결정 열처리 방법 및 장치
KR101420841B1 (ko) 2012-10-31 2014-07-17 주식회사 사파이어테크놀로지 사파이어 단결정 성장방법
CN103806101A (zh) * 2012-11-15 2014-05-21 上海中电振华晶体技术有限公司 一种方形蓝宝石晶体的生长方法及设备
CN103074668A (zh) * 2013-01-11 2013-05-01 元亮科技有限公司 水平温度梯度法生长大尺寸高温晶体的装置及方法
DE102013103271A1 (de) * 2013-04-02 2014-10-02 Schott Ag Verfahren und Anordnung zur gerichteten Erstarrung eines einkristallinen plattenförmigen Körpers
CN103147121B (zh) * 2013-04-03 2015-10-21 中国科学院上海硅酸盐研究所 提拉泡生法生长晶体的装置
CN105401220B (zh) * 2014-09-12 2018-07-17 浙江汇锋塑胶科技有限公司 一种消除蓝宝石薄片应力的方法及设备
KR101654856B1 (ko) * 2015-01-22 2016-09-06 주식회사 사파이어테크놀로지 단결정 성장용 히터 및 이를 이용한 단결정 성장장치 및 성장방법.
CN104711676B (zh) * 2015-03-16 2017-05-24 内蒙古京晶光电科技有限公司 一种宝石单晶生长方法
TWI614473B (zh) * 2015-07-20 2018-02-11 茂迪股份有限公司 長晶爐設備
CN105088145B (zh) * 2015-08-19 2017-03-29 京东方科技集团股份有限公司 用于oled蒸发源的坩埚及其制造方法
KR101639627B1 (ko) 2015-09-07 2016-07-14 에스엠엔티 주식회사 도가니 지지체를 이용한 사파이어 단결정 성장장치 및 이를 이용한 사파이어 단결정 성장방법
CN105386125A (zh) * 2015-12-03 2016-03-09 河南西格马晶体科技有限公司 一种制备蓝宝石单晶体的控制方法
CN105350069A (zh) * 2015-12-24 2016-02-24 洛阳西格马炉业股份有限公司 一种蓝宝石晶体生长炉及制备蓝宝石晶体的方法
KR101785038B1 (ko) * 2016-03-21 2017-11-20 에스엠엔티 주식회사 보조 발열부가 구비된 결정성장장치
CN109725178A (zh) * 2017-10-27 2019-05-07 江苏维福特科技发展股份有限公司 晶体夹头
CN107881550B (zh) * 2017-11-08 2020-11-06 中国科学院合肥物质科学研究院 一种大尺寸晶体的熔体法晶体生长方法
KR20200046468A (ko) 2018-10-24 2020-05-07 주식회사 에스티씨 사파이어 단결정 성장장치용 도가니
KR20200046467A (ko) * 2018-10-24 2020-05-07 주식회사 에스티씨 사파이어 단결정 성장장치 및 성장방법
JP7477997B2 (ja) * 2019-03-25 2024-05-02 京セラ株式会社 サファイアリボンおよび単結晶リボン製造装置
CN109898136A (zh) * 2019-04-03 2019-06-18 贝民贤 多重蓝宝石单晶生长装置及生长方法
CN111411394A (zh) * 2020-04-08 2020-07-14 内蒙古露笑蓝宝石有限公司 一种大尺寸蓝宝石单晶的防断裂泡生制备方法
CN113061981A (zh) * 2021-03-12 2021-07-02 内蒙古晶环电子材料有限公司 一种蓝宝石晶体生长热场结构及其生长方法
CN114318494B (zh) * 2021-11-30 2023-09-19 江苏吉星新材料有限公司 减少蓝宝石晶体长晶缺陷的方法及蓝宝石长晶炉
CN115044962A (zh) * 2022-07-13 2022-09-13 北京铭镓半导体有限公司 一种vgf法彩色宝石晶体生长坩埚盖

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10010484A1 (de) * 2000-03-03 2001-09-13 Schott Glas Verfahren und Vorrichtung zur Züchtung von großvolumigen orientierten Einkristallen
US3898051A (en) 1973-12-28 1975-08-05 Crystal Syst Crystal growing
JPS59165469U (ja) * 1983-04-22 1984-11-06 株式会社トーキン るつぼ支持台
JPS6456394A (en) * 1987-08-28 1989-03-03 Nippon Mining Co Device for growing single crystal
US5116456A (en) * 1988-04-18 1992-05-26 Solon Technologies, Inc. Apparatus and method for growth of large single crystals in plate/slab form
JPH03115184A (ja) * 1989-09-29 1991-05-16 Tokin Corp フェライト単結晶の製造装置
JPH06166588A (ja) * 1992-11-30 1994-06-14 Furukawa Electric Co Ltd:The 単結晶製造用るつぼ
JP3368113B2 (ja) * 1995-09-05 2003-01-20 シャープ株式会社 多結晶半導体の製造方法
JPH10139580A (ja) * 1996-11-13 1998-05-26 Japan Steel Works Ltd:The 一方向凝固材の製造方法および一方向凝固装置
JP3520957B2 (ja) * 1997-06-23 2004-04-19 シャープ株式会社 多結晶半導体インゴットの製造方法および装置
JP3988217B2 (ja) * 1997-09-09 2007-10-10 株式会社ニコン 大口径蛍石の製造装置および製造方法
US6309461B1 (en) * 1999-06-07 2001-10-30 Sandia Corporation Crystal growth and annealing method and apparatus
DE19934940C2 (de) * 1999-07-26 2001-12-13 Ald Vacuum Techn Ag Vorrichtung zum Herstellen von gerichtet erstarrten Blöcken und Betriebsverfahren hierfür
KR20010011553A (ko) 1999-07-29 2001-02-15 김영환 반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법
KR20010017991A (ko) * 1999-08-16 2001-03-05 이민상 개선된 단결정성장로
US6423136B1 (en) * 2000-03-20 2002-07-23 Carl Francis Swinehart Crucible for growing macrocrystals
KR20020056247A (ko) * 2000-12-29 2002-07-10 김병관 사파이어 단결정 제조장치
US20030172870A1 (en) 2002-03-14 2003-09-18 Axt, Inc. Apparatus for growing monocrystalline group II-VI and III-V compounds
JP2003342098A (ja) * 2002-05-27 2003-12-03 Canon Inc フッ化物結晶の製造装置及び製造方法
CN1485467A (zh) * 2003-08-08 2004-03-31 中国科学院上海光学精密机械研究所 大面积晶体的温梯法生长装置及其生长晶体的方法
US20070151510A1 (en) * 2003-08-27 2007-07-05 Andreas Muhe Crystal-Growing Furnace, In Particular A Vertical Bridgman Crystal-Growing Furnace Or A Vertical Gradient Freeze Crystal-Growing Furnace Having A Jacket Heater And A Method of Regulating The Heat Output of the Jacket Heater
KR100573525B1 (ko) * 2003-12-11 2006-04-26 주식회사 모노세라피아 단결정 성장장치
RU2261297C1 (ru) * 2004-08-05 2005-09-27 Амосов Владимир Ильич Способ выращивания монокристаллов из расплава методом амосова
US20070195852A1 (en) * 2005-08-18 2007-08-23 Bp Corporation North America Inc. Insulation Package for Use in High Temperature Furnaces
US7344596B2 (en) * 2005-08-25 2008-03-18 Crystal Systems, Inc. System and method for crystal growing
DE102006017621B4 (de) * 2006-04-12 2008-12-24 Schott Ag Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von multikristallinem Silizium
DE102006020234A1 (de) * 2006-04-27 2007-10-31 Deutsche Solar Ag Ofen für Nichtmetall-Schmelzen
JP2008007353A (ja) 2006-06-28 2008-01-17 Sumitomo Metal Mining Co Ltd サファイア単結晶育成装置およびそれを用いた育成方法
CN100436659C (zh) * 2007-01-17 2008-11-26 上海晶生实业有限公司 蓝宝石晶体多坩埚熔体生长技术
JP2008247706A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Jfe Mineral Co Ltd コランダム単結晶の育成方法、コランダム単結晶およびコランダム単結晶ウェーハ
US20080257254A1 (en) * 2007-04-17 2008-10-23 Dieter Linke Large grain, multi-crystalline semiconductor ingot formation method and system
DE102007038851A1 (de) * 2007-08-16 2009-02-19 Schott Ag Verfahren zur Herstellung von monokristallinen Metall- oder Halbmetallkörpern
CN101323978B (zh) * 2008-07-29 2011-03-23 成都东骏激光股份有限公司 大尺寸蓝宝石晶体制备工艺及其生长装置
TWI519685B (zh) * 2009-07-22 2016-02-01 國立大學法人信州大學 藍寶石單結晶之製造方法以及藍寶石單結晶之製造裝置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2011027992A2 (ko) 2011-03-10
US9790618B2 (en) 2017-10-17
JP5596788B2 (ja) 2014-09-24
RU2520472C2 (ru) 2014-06-27
KR20110025716A (ko) 2011-03-11
US20120174857A1 (en) 2012-07-12
TWI404843B (zh) 2013-08-11
CN106978628A (zh) 2017-07-25
CN102597334A (zh) 2012-07-18
WO2011027992A3 (ko) 2011-07-21
KR101136143B1 (ko) 2012-04-17
JP2013503810A (ja) 2013-02-04
TW201109487A (en) 2011-03-16
EP2474651A2 (en) 2012-07-11
EP2474651A4 (en) 2013-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102877117B (zh) 基于多加热器的铸锭炉热场结构及运行方法
KR101136143B1 (ko) 사파이어 단결정 성장방법과 그 장치
CN103966657B (zh) 一种多晶硅和准单晶硅铸锭炉及其使用方法
RU2011101453A (ru) Системы и способы выращивания монокристаллических кремниевых слитков путем направленного отверждения
CN201942778U (zh) 多温区蓝宝石单晶生长炉
RU2010130676A (ru) Способ и устройство для получения монокристалла сапфира
CN202989330U (zh) 新型多晶炉加热装置
US20150086464A1 (en) Method of producing monocrystalline silicon
CN103952759B (zh) 加热体内置的坩埚下降法制备氟化钙晶体的方法及装置
CN202989351U (zh) 基于多加热器的铸锭炉热场结构
CN103343387A (zh) 一种多晶硅铸锭炉及其铸锭方法
KR101196445B1 (ko) 사파이어 단결정 성장장치 및 이를 이용한 사파이어 단결정 성장방법
KR101196378B1 (ko) 멀티 다결정 실리콘 잉곳 제조장치
CN203174222U (zh) 一种多晶硅铸锭炉的热场结构
CN103397377A (zh) 多晶硅均匀长晶工艺及其铸锭炉热场加热装置
CN1322172C (zh) 一种纯静态双加热温梯法晶体生长装置
NO20083111L (no) Fremgangsmate og prosess for produksjon av en blokk krystallinsk materiale
CN104480527B (zh) 一种多晶硅铸锭炉全功率控制铸锭工艺
KR20130007354A (ko) 실리콘 결정 성장장치 및 그를 이용한 실리콘 결정 성장방법
KR101199562B1 (ko) 다결정 실리콘 잉곳 제조장치
KR101623023B1 (ko) 어닐링 단열수단을 구비한 사파이어 단결정 성장장치 및 그 성장방법
CN102912416A (zh) 新型多晶炉加热装置
CN206070039U (zh) 一种准单晶硅铸锭炉的热场结构
CN102653881A (zh) 一种铸造大晶粒硅锭的方法
KR101229984B1 (ko) 사파이어 단결정 성장방법과 그 장치