RU2012124397A - Способ получения полупроводниковых наночастиц - Google Patents

Способ получения полупроводниковых наночастиц Download PDF

Info

Publication number
RU2012124397A
RU2012124397A RU2012124397/28A RU2012124397A RU2012124397A RU 2012124397 A RU2012124397 A RU 2012124397A RU 2012124397/28 A RU2012124397/28 A RU 2012124397/28A RU 2012124397 A RU2012124397 A RU 2012124397A RU 2012124397 A RU2012124397 A RU 2012124397A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
formation
sample
semiconductor nanoparticles
producing semiconductor
pbte
Prior art date
Application number
RU2012124397/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2517781C2 (ru
Inventor
Александр Анатольевич Антипов
Стелла Владимировна Кутровская
Алексей Олегович Кучерик
Антон Владиславович Осипов
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Владимирский государственный университет имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых" (ВлГУ)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Владимирский государственный университет имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых" (ВлГУ) filed Critical Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Владимирский государственный университет имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых" (ВлГУ)
Priority to RU2012124397/28A priority Critical patent/RU2517781C2/ru
Publication of RU2012124397A publication Critical patent/RU2012124397A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2517781C2 publication Critical patent/RU2517781C2/ru

Links

Landscapes

  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

Способ получения полупроводниковых наночастиц на основе халькогенидов металлов, отличающийся тем, что полупроводниковый образец (например, кристалл халькогенида свинца - PbTe, PbS, PbSe) помещают в инертную (во избежание образования оксидов) жидкую фазу (например, глицерин), лазерное излучение фокусируют со стороны раствора на границе раздела образец-жидкость с диаметром пятна от 50 мкм до 100 мкм варьируя, мощностью в диапазоне от 4 Вт до 10 Вт без образования оптического пробоя.

Claims (1)

  1. Способ получения полупроводниковых наночастиц на основе халькогенидов металлов, отличающийся тем, что полупроводниковый образец (например, кристалл халькогенида свинца - PbTe, PbS, PbSe) помещают в инертную (во избежание образования оксидов) жидкую фазу (например, глицерин), лазерное излучение фокусируют со стороны раствора на границе раздела образец-жидкость с диаметром пятна от 50 мкм до 100 мкм варьируя, мощностью в диапазоне от 4 Вт до 10 Вт без образования оптического пробоя.
RU2012124397/28A 2012-06-13 2012-06-13 Способ получения полупроводниковых наночастиц RU2517781C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012124397/28A RU2517781C2 (ru) 2012-06-13 2012-06-13 Способ получения полупроводниковых наночастиц

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012124397/28A RU2517781C2 (ru) 2012-06-13 2012-06-13 Способ получения полупроводниковых наночастиц

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012124397A true RU2012124397A (ru) 2013-12-20
RU2517781C2 RU2517781C2 (ru) 2014-05-27

Family

ID=49784528

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012124397/28A RU2517781C2 (ru) 2012-06-13 2012-06-13 Способ получения полупроводниковых наночастиц

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2517781C2 (ru)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2587537C1 (ru) * 2015-04-10 2016-06-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Владимирский государственный университет имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых" (ВлГУ) Способ осаждения полупроводниковых наночастиц халькогенидов свинца из коллоидных растворов
RU2630342C1 (ru) * 2015-12-21 2017-09-07 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" Способ извлечения углеродных нанотрубок из дисперсного углерод-катализаторного композита

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5231047A (en) * 1991-12-19 1993-07-27 Energy Conversion Devices, Inc. High quality photovoltaic semiconductor material and laser ablation method of fabrication same
RU2417155C2 (ru) * 2009-01-22 2011-04-27 Закрытое акционерное общество "Объединенная компания высокорискового инновационного финансирования ОК ВИНФИН" Способ получения наноразмерных частиц, наноструктуирования, упрочнения поверхности и устройство для его реализации
RU130402U1 (ru) * 2012-10-19 2013-07-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ) Устройство для получения коллоидного раствора наночастиц в жидкости методом лазерной абляции

Also Published As

Publication number Publication date
RU2517781C2 (ru) 2014-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Abd-El-Aziz et al. Transition metal-containing macromolecules: En route to new functional materials
EP3029394A4 (en) Photovoltaic power generation device and method using optical beam uniformly condensed by using plane mirrors and cooling method by direct contact
MX2016016001A (es) Sistemas y metodos para distribución de sutura.
WO2014161534A3 (de) Verfahren und vorrichtung zum einbringen von durchbrechungen in ein substrat sowie ein derart hergestelltes substrat
MA40654B1 (fr) Capteur solaire
EA201690433A1 (ru) Способ получения подложки, снабженной покрытием, содержащим несплошной тонкий металлический слой
EP2922124A4 (en) COLLECTOR, ELECTRODE STRUCTURE, ELECTRICITY CONSUMPTION COMPOSITION AND COMPOSITION FOR COLLECTORS
GB201305018D0 (en) Apparatus and methods for additive-layer manufacturing of an article
ITTO20130706A1 (it) Struttura di regolazione della messa a fuoco di una torcia a led.
EP2969373A4 (en) LASER DISPLAY PLATFORM FOR SOLAR CELLS
EP3079186A4 (en) METHOD FOR PRODUCING AN ELECTRODE STRUCTURE FOR A FLEXIBLE ENERGY STORAGE DEVICE, ELECTRODE STRUCTURE MANUFACTURED THEREFOR AND ENERGY STORAGE DEVICE THEREWITH
WO2012032064A3 (en) Chalcopyrite-type semiconductor photovoltaic device
EP2772569A4 (en) METHOD FOR THE PRODUCTION OF A POROUS ALUMINUM FOIL, POROUS ALUMINUM FOIL, POSITIVE ELECTRODE COLLECTOR FOR AN ELECTRICITY STORAGE DEVICE, ELECTRODE FOR AN ELECTRICITY STORAGE DEVICE AND ELECTRICITY STORAGE DEVICE
FR3047843B1 (fr) Electrode electrochrome pour dispositif de stockage d'energie
EP2587505A4 (en) ELECTRODES FOR ELECTRICAL STORES, METHOD FOR THE PRODUCTION OF ELECTRODE AND METHOD FOR THE CONNECTION OF ELECTRODE
JP2015528646A5 (ru)
EP2973639A4 (en) COMPACT HIGH VOLTAGE PLASMA SOURCE FOR NEUTRON GENERATION
MA37097A1 (fr) Conduction d'energie solaire en utilisant thermoplastics pour des applications agricoles
EP3361629A4 (en) HOUSING FOR CONCENTRATING SOLAR THERMAL DEVICE AND DEVICE FOR CONCENTRATING SOLAR THERMIE USING THEREOF
EP3349275A4 (en) RESIN RESERVOIR ELECTRODE, COMPOSITION FOR FORMING THE ELECTRODE OF AN ENERGY DEVICE, POSITIVE ELECTRODE FOR ENERGY DEVICE AND ENERGY DEVICE
BR112016006669A2 (pt) partículas de metal mecanicamente deformadas
EP3432331A4 (en) CONNECTING STRUCTURE FOR AN ENERGY STORAGE MODULE
JP2015012261A5 (ru)
WO2014042531A3 (en) Double tilt holder and multicontact device
EP2709154A3 (en) Semiconductor Device and Method for Making the Same

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20170614