RU2012127370A - ОСАЖДЕНИЕ ТОНКОЙ ПЛЕНКИ Cu(In,Ga)Х2 КАТОДНЫМ РАСПЫЛЕНИЕМ - Google Patents
ОСАЖДЕНИЕ ТОНКОЙ ПЛЕНКИ Cu(In,Ga)Х2 КАТОДНЫМ РАСПЫЛЕНИЕМ Download PDFInfo
- Publication number
- RU2012127370A RU2012127370A RU2012127370/02A RU2012127370A RU2012127370A RU 2012127370 A RU2012127370 A RU 2012127370A RU 2012127370/02 A RU2012127370/02 A RU 2012127370/02A RU 2012127370 A RU2012127370 A RU 2012127370A RU 2012127370 A RU2012127370 A RU 2012127370A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- laminar
- chamber
- gas stream
- paragraph
- injection tube
- Prior art date
Links
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 title claims abstract 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 title claims abstract 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 title 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 15
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract 13
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract 13
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract 11
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract 5
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 claims abstract 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
- C23C14/0036—Reactive sputtering
- C23C14/0047—Activation or excitation of reactive gases outside the coating chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
- C23C14/0036—Reactive sputtering
- C23C14/0057—Reactive sputtering using reactive gases other than O2, H2O, N2, NH3 or CH4
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
- C23C14/0036—Reactive sputtering
- C23C14/0068—Reactive sputtering characterised by means for confinement of gases or sputtered material, e.g. screens, baffles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0623—Sulfides, selenides or tellurides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
1. Устройство для осаждения пленки Cu(In,Ga)X, где Х - Se или S, или их смесь, на по меньшей мере одну поверхность подложки, содержащее камеру (1) катодного распыления, содержащую:- подложкодержатель (6),- средство нагревания подложкодержателя,- по меньшей мере один держатель (7) распыляемой мишени,причем подложкодержатель (6) расположен напротив по меньшей мере одного держателя (7) распыляемой мишени и отделенным от него,- первую инжекционную трубку (3) для введения первого ламинарного потока инертного газа, содержащего Х или предшественник Х в парообразном виде,отличающееся тем, что оно дополнительно содержит вторую инжекционную трубку (4) для введения второго ламинарного потока инертного газа, у которой впускное отверстие в камеру (1) расположено между впускным отверстием в камеру (1) первой инжекционной трубки (3) и упомянутым по меньшей мере одним держателем (7) мишени,так, что второй ламинарный поток инертного газа, входящий через впускное отверстие второй инжекционной трубки (4), является параллельным первому ламинарному потоку инертного газа, содержащему Х или его предшественник в парообразном виде, и ограничивает первый ламинарный поток инертного газа, содержащий Х или предшественник Х в парообразном виде, окрестностью подложкодержателя (6).2. Устройство по пункту 1, отличающееся тем, что оно дополнительно содержит оболочку (2), содержащую средства испарения X, причем оболочка (2) находится в проточной связи с первой инжекционной трубкой (3) и камерой (1).3. Устройство по пункту 1, отличающееся тем, что оно дополнительно содержит оболочку (2), содержащую средства для создания плазмы для разложения и испарения предшественника X, пр
Claims (18)
1. Устройство для осаждения пленки Cu(In,Ga)X2, где Х - Se или S, или их смесь, на по меньшей мере одну поверхность подложки, содержащее камеру (1) катодного распыления, содержащую:
- подложкодержатель (6),
- средство нагревания подложкодержателя,
- по меньшей мере один держатель (7) распыляемой мишени,
причем подложкодержатель (6) расположен напротив по меньшей мере одного держателя (7) распыляемой мишени и отделенным от него,
- первую инжекционную трубку (3) для введения первого ламинарного потока инертного газа, содержащего Х или предшественник Х в парообразном виде,
отличающееся тем, что оно дополнительно содержит вторую инжекционную трубку (4) для введения второго ламинарного потока инертного газа, у которой впускное отверстие в камеру (1) расположено между впускным отверстием в камеру (1) первой инжекционной трубки (3) и упомянутым по меньшей мере одним держателем (7) мишени,
так, что второй ламинарный поток инертного газа, входящий через впускное отверстие второй инжекционной трубки (4), является параллельным первому ламинарному потоку инертного газа, содержащему Х или его предшественник в парообразном виде, и ограничивает первый ламинарный поток инертного газа, содержащий Х или предшественник Х в парообразном виде, окрестностью подложкодержателя (6).
2. Устройство по пункту 1, отличающееся тем, что оно дополнительно содержит оболочку (2), содержащую средства испарения X, причем оболочка (2) находится в проточной связи с первой инжекционной трубкой (3) и камерой (1).
3. Устройство по пункту 1, отличающееся тем, что оно дополнительно содержит оболочку (2), содержащую средства для создания плазмы для разложения и испарения предшественника X, причем оболочка (2) находится в проточной связи с первой инжекционной трубкой (3) и камерой (1).
4. Устройство по любому из пунктов 1-3, отличающееся тем, что камера (1) дополнительно содержит сетку (8), необязательно снабженную средствами охлаждения, простирающуюся по всей длине камеры (1) параллельно подложкодержателю (6) и между впускным отверстием первой инжекционной трубки (3) и отверстием второй инжекционной трубки (4).
5. Устройство по любому из пунктов 1-3, отличающееся тем, что оно содержит две распыляемые мишени, расположенные рядом друг с другом.
6. Устройство по пункту 4, отличающееся тем, что оно содержит две распыляемые мишени, расположенные рядом друг с другом.
7. Устройство по любому из пунктов 1-3, отличающееся тем, что оно содержит три распыляемые мишени, расположенные рядом друг с другом.
8. Устройство по пункту 4, отличающееся тем, что оно содержит три распыляемые мишени, расположенные рядом друг с другом.
9. Способ осаждения пленки Cu(In,Ga)X2, где X - Se или S, или их смесь, включающий:
этап осаждения Cu, In и Ga катодным распылением из по меньшей мере одной распыляемой мишени на по меньшей мере одну поверхность подложки одновременно с этапом осаждения Х из паровой фазы на упомянутую по меньшей мере одну поверхность в катодной камере (1), отличающийся тем, что Х или его предшественник в парообразном виде подают в виде первого ламинарного газового потока, путь движения которого является параллельным упомянутой по меньшей мере одной поверхности подложки, и в контакте с ней, одновременно со вторым ламинарным газовым потоком инертного газа, путь движения которого:
- является параллельным пути движения первого ламинарного газового потока и
- находится между путем движения первого ламинарного газового потока и поверхностью распыляемой(ых) мишени(ей),
таким образом ограничивая первый ламинарный газовый поток окрестностью подложки.
10. Способ по пункту 9, отличающийся тем, что скорость второго ламинарного газового потока выше, чем скорость первого ламинарного газового потока.
11. Способ по пункту 9 или 10, отличающийся тем, что первый и второй ламинарные газовые потоки, каждый независимо один от другого, имеют такое число Кнудсена K=L/a, где L - среднее расстояние, проходимое атомом или молекулой между двумя столкновениями, и а - расстояние между распыляемой(ыми) мишенью(ями) и подложкой, что К≤10-2.
12. Способ по пункту 9, отличающийся тем, что первый и второй ламинарные газовые потоки, каждый независимо один от другого, имеют число Рейнольдса R≤1000.
13. Способ по пункту 9, отличающийся тем, что Х осаждают из предшественника X, имеющего формулу R2X, где R - Н, Me, Et, iPr или tBu.
14. Способ по пункту 9, отличающийся тем, что Х испаряют и вовлекают в упомянутый первый ламинарный газовый поток, содержащий инертный газ, такой как аргон, в камере (1).
15. Способ по пункту 9, отличающийся тем, что упомянутый второй ламинарный газовый поток представляет собой ламинарный поток аргона.
16. Способ по пункту 13, отличающийся тем, что предшественник Х разлагают плазмой перед введением в камеру (1).
17. Способ по пункту 9, отличающийся тем, что упомянутый первый ламинарный поток и упомянутый второй ламинарный поток отделяют один от другого сеткой (8).
18. Способ по пункту 17, отличающийся тем, что сетку (8) охлаждают.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR0905811 | 2009-12-02 | ||
| FR0905811A FR2953222B1 (fr) | 2009-12-02 | 2009-12-02 | Depot d'une couche mince de cu(in,ga)x2 par pulverisation cathodique |
| PCT/FR2010/000792 WO2011067480A1 (fr) | 2009-12-02 | 2010-11-29 | DEPOT D'UNE COUCHE MINCE DE Cu(In,Ga)X2 PAR PULVERISATION CATHODIQUE |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2012127370A true RU2012127370A (ru) | 2014-01-10 |
Family
ID=42026198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012127370/02A RU2012127370A (ru) | 2009-12-02 | 2010-11-29 | ОСАЖДЕНИЕ ТОНКОЙ ПЛЕНКИ Cu(In,Ga)Х2 КАТОДНЫМ РАСПЫЛЕНИЕМ |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20130015057A1 (ru) |
| EP (1) | EP2516690B1 (ru) |
| JP (1) | JP2013513024A (ru) |
| KR (1) | KR20120106964A (ru) |
| CN (1) | CN102782177B (ru) |
| BR (1) | BR112012013506A2 (ru) |
| FR (1) | FR2953222B1 (ru) |
| RU (1) | RU2012127370A (ru) |
| WO (1) | WO2011067480A1 (ru) |
| ZA (1) | ZA201204162B (ru) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102194915B1 (ko) | 2014-01-13 | 2020-12-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 스퍼터링 장치 및 스퍼터링용 가스 공급관 |
| RU2765222C1 (ru) * | 2020-12-30 | 2022-01-26 | Тхе Баттериес Сп. з о.о. | Способ формирования пленки LiCoO2 и устройство для его реализации |
| CN114231905A (zh) * | 2021-12-17 | 2022-03-25 | 无锡极电光能科技有限公司 | 反应溅射法制备钙钛矿层的装置、系统装置、制备方法和用途 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4798660A (en) | 1985-07-16 | 1989-01-17 | Atlantic Richfield Company | Method for forming Cu In Se2 films |
| US4976996A (en) * | 1987-02-17 | 1990-12-11 | Lam Research Corporation | Chemical vapor deposition reactor and method of use thereof |
| US5439575A (en) * | 1988-06-30 | 1995-08-08 | Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Hybrid method for depositing semi-conductive materials |
| JPH0668976A (ja) * | 1992-08-21 | 1994-03-11 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜ｅｌ素子の製造方法およびｅｌ発光層成膜装置 |
| JPH06219783A (ja) * | 1993-01-27 | 1994-08-09 | Central Glass Co Ltd | スパツタ法による成膜方法 |
| JP3853449B2 (ja) * | 1996-12-10 | 2006-12-06 | 株式会社アルバック | 薄膜形成装置 |
| JP3787430B2 (ja) * | 1998-04-01 | 2006-06-21 | キヤノン株式会社 | スパッタリング装置及びそれを用いた薄膜形成法 |
| US6488824B1 (en) * | 1998-11-06 | 2002-12-03 | Raycom Technologies, Inc. | Sputtering apparatus and process for high rate coatings |
| JP4137277B2 (ja) * | 1999-04-15 | 2008-08-20 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
| JP2001044464A (ja) * | 1999-07-28 | 2001-02-16 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Ｉｂ―ＩＩＩｂ―ＶＩｂ２族化合物半導体層の形成方法、薄膜太陽電池の製造方法 |
| US6461483B1 (en) * | 2000-03-10 | 2002-10-08 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for performing high pressure physical vapor deposition |
| WO2004032189A2 (en) * | 2002-09-30 | 2004-04-15 | Miasolé | Manufacturing apparatus and method for large-scale production of thin-film solar cells |
| US20050029091A1 (en) * | 2003-07-21 | 2005-02-10 | Chan Park | Apparatus and method for reactive sputtering deposition |
| US20050211546A1 (en) * | 2004-03-26 | 2005-09-29 | Applied Materials, Inc. | Reactive sputter deposition plasma process using an ion shower grid |
| US20070068794A1 (en) * | 2005-09-23 | 2007-03-29 | Barret Lippey | Anode reactive dual magnetron sputtering |
| US8435388B2 (en) * | 2005-11-01 | 2013-05-07 | Cardinal Cg Company | Reactive sputter deposition processes and equipment |
| JP2008069402A (ja) * | 2006-09-13 | 2008-03-27 | Shincron:Kk | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 |
-
2009
- 2009-12-02 FR FR0905811A patent/FR2953222B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-11-29 JP JP2012541549A patent/JP2013513024A/ja active Pending
- 2010-11-29 KR KR1020127016648A patent/KR20120106964A/ko not_active Ceased
- 2010-11-29 EP EP10805247.3A patent/EP2516690B1/fr not_active Not-in-force
- 2010-11-29 US US13/513,328 patent/US20130015057A1/en not_active Abandoned
- 2010-11-29 BR BR112012013506A patent/BR112012013506A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2010-11-29 WO PCT/FR2010/000792 patent/WO2011067480A1/fr not_active Ceased
- 2010-11-29 CN CN201080061012.5A patent/CN102782177B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-11-29 RU RU2012127370/02A patent/RU2012127370A/ru not_active Application Discontinuation
-
2012
- 2012-06-04 ZA ZA2012/04162A patent/ZA201204162B/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102782177A (zh) | 2012-11-14 |
| EP2516690A1 (fr) | 2012-10-31 |
| EP2516690B1 (fr) | 2013-11-27 |
| BR112012013506A2 (pt) | 2019-09-24 |
| JP2013513024A (ja) | 2013-04-18 |
| ZA201204162B (en) | 2013-02-27 |
| FR2953222A1 (fr) | 2011-06-03 |
| KR20120106964A (ko) | 2012-09-27 |
| US20130015057A1 (en) | 2013-01-17 |
| CN102782177B (zh) | 2015-01-14 |
| WO2011067480A1 (fr) | 2011-06-09 |
| FR2953222B1 (fr) | 2011-12-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101892115B1 (ko) | 박막 트랜지스터 분야에 사용되는 갈륨 아르세나이드 기반 물질 | |
| CN103648974B (zh) | 氧化膜成膜方法及氧化膜成膜装置 | |
| JP6471371B2 (ja) | モリブデンシルシクロペンタジエニル錯体、シリルアリル錯体、及び、薄膜堆積におけるその使用 | |
| CN102312212B (zh) | 扫描镀膜装置及扫描镀膜组件 | |
| KR101965219B1 (ko) | 알루미늄 화합물 및 이를 이용한 알루미늄-함유 막의 형성 방법 | |
| TW200739727A (en) | Semiconductor processing system and vaporizer | |
| US12404585B2 (en) | Lithium precursors for deposition of lithium-containing layers, islets or clusters | |
| RU2012127370A (ru) | ОСАЖДЕНИЕ ТОНКОЙ ПЛЕНКИ Cu(In,Ga)Х2 КАТОДНЫМ РАСПЫЛЕНИЕМ | |
| GB0624376D0 (en) | A universal method for selective area growth of organic molecular by vapour deposition | |
| CN103866291A (zh) | 一种耐腐蚀的气体喷淋头及其制作方法 | |
| JP2016513180A (ja) | ガス供給を持つ堆積装置および材料を堆積させるための方法 | |
| RU2006113115A (ru) | Металлизация основы (основ) способом осаждения из парожидкостной фазы | |
| RU2014146776A (ru) | НАНЕСЕННОЕ ЭЛЕКТРОДУГОВЫМ НАПЫЛЕНИЕМ ПОКРЫТИЕ Al-Cr-O, СОДЕРЖАЩЕЕ Si, ИМЕЮЩЕЕ УЛУЧШЕННУЮ КРОЮЩУЮ СПОСОБНОСТЬ | |
| KR102700784B1 (ko) | 화합물 및 리튬 함유 막의 제조 방법 | |
| DE102004034103A1 (de) | Verfahren zur Abscheidung von Silizium und Germanium enthaltenen Schichten und Schichtfolgen unter Verwendung von nicht-kontinuierlicher Injektion von flüssigen und gelösten Ausgangssubstanzen über eine Mehrkanalinjektionseinheit | |
| JP2007308774A (ja) | 薄膜形成装置、及び薄膜形成方法 | |
| CN203382817U (zh) | 金属有机化学气相沉积装置 | |
| JP2012062527A (ja) | 金属酸化物薄膜の製造方法およびその方法を用いる金属酸化物薄膜形成装置 | |
| CN204898053U (zh) | 真空喷雾装置 | |
| CN208791746U (zh) | 用于涂布基板的设备 | |
| TWI685580B (zh) | 真空蒸鍍裝置及其蒸發頭、真空蒸鍍方法 | |
| TW200730263A (en) | Method and system for depositing a layer from light-induced vaporization of a solid precursor | |
| RU2013136554A (ru) | Способ осаждения системы прозрачных барьерных слоев | |
| US12398469B2 (en) | Methods and systems for producing conformal thin films | |
| Kreis et al. | Organic Vapor Phase Deposition (OVPD) for efficient OLED manufacturing: The specific advantages and possibilities of carrier-gas enhanced vapor phase deposition for the manufacturing of organic thin film devices |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA92 | Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted) |
Effective date: 20150406 |