RU2012134375A - Реберная объединенная подложка и способ изготовления реберной объединенной подложки - Google Patents

Реберная объединенная подложка и способ изготовления реберной объединенной подложки Download PDF

Info

Publication number
RU2012134375A
RU2012134375A RU2012134375/28A RU2012134375A RU2012134375A RU 2012134375 A RU2012134375 A RU 2012134375A RU 2012134375/28 A RU2012134375/28 A RU 2012134375/28A RU 2012134375 A RU2012134375 A RU 2012134375A RU 2012134375 A RU2012134375 A RU 2012134375A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
base plate
metal base
rib
substrate according
heat
Prior art date
Application number
RU2012134375/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2521787C2 (ru
Inventor
Хисаси ХОРИ
Хидейо ОСАНАИ
Такаюки ТАКАХАСИ
Original Assignee
Ниппон Лайт Метал Компани, Лтд.
Дова Металтек Ко., Лтд.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ниппон Лайт Метал Компани, Лтд., Дова Металтек Ко., Лтд. filed Critical Ниппон Лайт Метал Компани, Лтд.
Publication of RU2012134375A publication Critical patent/RU2012134375A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2521787C2 publication Critical patent/RU2521787C2/ru

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W40/00Arrangements for thermal protection or thermal control
    • H10W40/40Arrangements for thermal protection or thermal control involving heat exchange by flowing fluids
    • H10W40/47Arrangements for thermal protection or thermal control involving heat exchange by flowing fluids by flowing liquids, e.g. forced water cooling
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W40/00Arrangements for thermal protection or thermal control
    • H10W40/20Arrangements for cooling
    • H10W40/25Arrangements for cooling characterised by their materials
    • H10W40/255Arrangements for cooling characterised by their materials having a laminate or multilayered structure, e.g. direct bond copper [DBC] ceramic substrates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/01Manufacture or treatment
    • H10W70/02Manufacture or treatment of conductive package substrates serving as an interconnection, e.g. of metal plates
    • H10W70/027Mechanical treatments, e.g. deforming, punching or cutting
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y10T29/49144Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. by metal fusion

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

1. Реберная объединенная подложка, в которой металлическая монтажная плата, изготовленная из алюминия или сплава алюминия, соединена с одной поверхностью керамической подложки, одна поверхность металлической базовой пластины в форме плоской пластины, изготовленной из алюминия или сплава алюминия, соединена с другой поверхностью керамической подложки, и множество теплоизлучающих ребер образованы интегрально с металлической базовой пластиной таким образом, чтобы выступать от другой поверхности металлической базовой пластины и, чтобы размещаться на заданных интервалах друг от друга, при этом:коэффициент теплопроводности металлической базовой пластины равен 170 Вт/(м·К) или более;твердость металлической базовой пластины является твердостью по Виккерсу от 20 до 40 (Hv);ширина теплоизлучающих ребер составляет от 0,2 до 2,0 мм;ширина пазовой части, образованной между множеством теплоизлучающих ребер, составляет от 0,2 до 2,0 мм; иглубина пазовой части составляет от 2 до 20 мм.2. Реберная объединенная подложка по п.1,в которой толщина участка металлической базовой пластины, в котором не образовано теплоизлучающее ребро, составляет от 0,5 до 5 мм.3. Реберная объединенная подложка по п.1,в которой множество теплоизлучающих ребер образовано так, чтобы выступать почти в вертикальном направлении относительно металлической базовой пластины и почти параллельно друг другу.4. Реберная объединенная подложка по п.1,в которой металлическая базовая пластина является алюминиевым сплавом, содержащим по меньшей мере один элемент, выбранный среди Si, Mg, Zn, Bi и Sn.5. Реберная объединенная подложка по п.1,в которой диаметр кристаллического зерна м

Claims (19)

1. Реберная объединенная подложка, в которой металлическая монтажная плата, изготовленная из алюминия или сплава алюминия, соединена с одной поверхностью керамической подложки, одна поверхность металлической базовой пластины в форме плоской пластины, изготовленной из алюминия или сплава алюминия, соединена с другой поверхностью керамической подложки, и множество теплоизлучающих ребер образованы интегрально с металлической базовой пластиной таким образом, чтобы выступать от другой поверхности металлической базовой пластины и, чтобы размещаться на заданных интервалах друг от друга, при этом:
коэффициент теплопроводности металлической базовой пластины равен 170 Вт/(м·К) или более;
твердость металлической базовой пластины является твердостью по Виккерсу от 20 до 40 (Hv);
ширина теплоизлучающих ребер составляет от 0,2 до 2,0 мм;
ширина пазовой части, образованной между множеством теплоизлучающих ребер, составляет от 0,2 до 2,0 мм; и
глубина пазовой части составляет от 2 до 20 мм.
2. Реберная объединенная подложка по п.1,
в которой толщина участка металлической базовой пластины, в котором не образовано теплоизлучающее ребро, составляет от 0,5 до 5 мм.
3. Реберная объединенная подложка по п.1,
в которой множество теплоизлучающих ребер образовано так, чтобы выступать почти в вертикальном направлении относительно металлической базовой пластины и почти параллельно друг другу.
4. Реберная объединенная подложка по п.1,
в которой металлическая базовая пластина является алюминиевым сплавом, содержащим по меньшей мере один элемент, выбранный среди Si, Mg, Zn, Bi и Sn.
5. Реберная объединенная подложка по п.1,
в которой диаметр кристаллического зерна металлической базовой пластины равен 5 мм или менее.
6. Реберная объединенная подложка по п.1,
в которой размещение множества теплоизлучающих ребер выполнено зигзагообразным образом.
7. Реберная объединенная подложка по п.1,
в которой предусмотрена коробкообразная рубашка жидкостного типа охлаждения для размещения в ней множества теплоизлучающих ребер, при этом рубашка соединена с металлической базовой пластиной.
8. Реберная объединенная подложка по п.7,
в которой рубашка и концевые участки по меньшей мере части теплоизлучающих ребер соединены вместе.
9. Способ изготовления реберной объединенной подложки, предназначенный для изготовления реберной объединенной подложки, в котором металлическую монтажную плату, изготовленную из алюминия или сплава алюминия, соединяют с одной поверхностью керамической подложки, одну поверхность металлической базовой пластины в форме плоской пластины, изготовленной из алюминия или сплава алюминия, соединяют с другой поверхностью керамической подложки, и множество теплоизлучающих ребер образуют интегрально с металлической базовой пластиной таким образом, чтобы они выступали от другой поверхности металлической базовой пластины и чтобы размещались на заданных интервалах друг от друга,
при этом соединение металлической монтажной пластины с керамической подложкой выполняют способом соединения жидким металлом, а образование множества теплоизлучающих ребер в части для резки, которая является частью металлической базовой пластины, выполняют за счет фиксирования фиксатором для прикладывания нагрузки на растяжение на поверхность части для резки, на которой должны быть образованы теплоизлучающие ребра, и за счет выполнения обработки по образованию пазов для образования множества пазов за счет передвижения многоножевого устройства, состоящего из множества находящихся рядом друг с другом дискообразных режущих инструментов, по поверхности, к которой приложена нагрузка на растяжение, при вращении многоножевого устройства.
10. Способ изготовления реберной объединенной подложки по п.9,
в котором металлическую базовую пластину выполняют как одно целое, состоящее из пластинчатой части и блоковой части, выступающей возле среднего участка пластинчатой части, при этом поверхность блоковой части, на которой должны быть образованы теплоизлучающие ребра, имеет выпуклую форму.
11. Способ изготовления реберной объединенной подложки по п.10,
в котором средний участок блоковой части является более толстым, чем периферийный участок блоковой части.
12. Способ изготовления реберной объединенной подложки по п.9,
в котором вращающиеся лезвия многоножевого устройства являются чередующимися лезвиями и имеют передний угол 10° или более.
13. Способ изготовления реберной объединенной подложки по п.9,
в котором скорость резки многоножевого устройства равна 700 мм/мин или более.
14. Способ изготовления реберной объединенной подложки по п.9,
в котором фиксатор имеет форму, не контактирующую с керамической подложкой, и размещен в местоположении, в котором фиксатор не препятствует деформации металлической базовой пластины при обработке по образованию пазов.
15. Способ изготовления реберной объединенной подложки по п.9,
в котором фиксатор имеет вакуумный тип, и его сила всасывания является управляемой.
16. Способ изготовления реберной объединенной подложки по п.9,
в котором, после обработки по образованию пазов, коробкообразную рубашку жидкостного типа охлаждения, для помещения в нее теплоизлучающих ребер, соединяют с поверхностью металлической базовой пластины, где были образованы теплоизлучающее ребра.
17. Способ изготовления реберной объединенной подложки по п.16,
в котором соединение металлической базовой пластины и рубашки является пайкой твердым припоем.
18. Способ изготовления реберной объединенной подложки по п.16,
в котором концевая участки по меньшей мере части теплоизлучающих ребер и рубашка соединены вместе.
19. Способ изготовления реберной объединенной подложки по п.16,
в котором часть рубашки, где концевые части теплоизлучающих ребер и рубашка соединены вместе, является тонкой по сравнению с другой частью.
RU2012134375/28A 2010-01-12 2011-01-12 Реберная объединенная подложка и способ изготовления реберной объединенной подложки RU2521787C2 (ru)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010-003630 2010-01-12
JP2010003630 2010-01-12
JP2011-000386 2011-01-05
JP2011000386A JP5686606B2 (ja) 2010-01-12 2011-01-05 フィン一体型基板の製造方法およびフィン一体型基板
PCT/JP2011/050381 WO2011087028A1 (ja) 2010-01-12 2011-01-12 フィン一体型基板およびフィン一体型基板の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012134375A true RU2012134375A (ru) 2014-02-20
RU2521787C2 RU2521787C2 (ru) 2014-07-10

Family

ID=44304301

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012134375/28A RU2521787C2 (ru) 2010-01-12 2011-01-12 Реберная объединенная подложка и способ изготовления реберной объединенной подложки

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8927873B2 (ru)
EP (1) EP2525638B1 (ru)
JP (1) JP5686606B2 (ru)
KR (1) KR101690825B1 (ru)
CN (1) CN102714929B (ru)
RU (1) RU2521787C2 (ru)
WO (1) WO2011087028A1 (ru)

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2978872B1 (fr) * 2011-08-01 2016-01-15 Valeo Sys Controle Moteur Sas Dispositif comportant un substrat portant au moins un composant electronique et une piece dans laquelle est menage un espace interieur apte a recevoir un fluide de refroidissement
DK177415B1 (en) * 2011-11-09 2013-04-15 Danfoss As Power module cooling
JP6012990B2 (ja) * 2012-03-19 2016-10-25 日本軽金属株式会社 放熱器一体型基板の製造方法
JP6262422B2 (ja) * 2012-10-02 2018-01-17 昭和電工株式会社 冷却装置および半導体装置
JP5838949B2 (ja) * 2012-10-17 2016-01-06 日本軽金属株式会社 複合型中空容器の製造方法及び複合型中空容器
ITBO20120618A1 (it) * 2012-11-09 2014-05-10 Mecc Al S R L A Socio Unico Procedimento per la realizzazione di un dissipatore e dissipatore cosi' ottenuto
KR101446023B1 (ko) 2013-05-28 2014-10-01 전북대학교산학협력단 히트싱크
DE112014000898T5 (de) 2013-09-05 2015-11-26 Fuji Electric Co., Ltd. Leistungshalbleitermodul
DE112015006352T5 (de) * 2015-03-25 2017-11-30 Mitsubishi Electric Corporation Energiewandlereinrichtung
CN107078115B (zh) * 2015-04-01 2019-11-08 富士电机株式会社 半导体模块
JP6469521B2 (ja) * 2015-05-19 2019-02-13 昭和電工株式会社 液冷式冷却装置
JP6558114B2 (ja) 2015-07-16 2019-08-14 富士通株式会社 冷却部品の接合方法
KR101703724B1 (ko) 2015-12-09 2017-02-07 현대오트론 주식회사 파워 모듈 패키지
CN112714588A (zh) * 2015-12-30 2021-04-27 讯凯国际股份有限公司 热交换腔及液冷装置
DE112017002999B4 (de) 2016-06-16 2022-03-24 Mitsubishi Electric Corporation Halbleiter-montage-wärmeabführungs-basisplatte und herstellungsverfahren für dieselbe
CN108231714B (zh) * 2016-12-14 2019-12-27 株洲中车时代电气股份有限公司 一种功率模块及其制作方法
JP6764777B2 (ja) * 2016-12-16 2020-10-07 三菱アルミニウム株式会社 空冷モジュール
JP2018163995A (ja) * 2017-03-27 2018-10-18 三菱電機株式会社 半導体実装用放熱ベース板及びその製造方法並びに製造装置
US10211124B2 (en) * 2017-05-12 2019-02-19 Intel Corporation Heat spreaders with staggered fins
JP6940997B2 (ja) * 2017-07-31 2021-09-29 Dowaメタルテック株式会社 アルミニウム−セラミックス接合基板およびその製造方法
US10292316B2 (en) * 2017-09-08 2019-05-14 Hamilton Sundstrand Corporation Power module with integrated liquid cooling
JP6939481B2 (ja) * 2017-11-30 2021-09-22 富士通株式会社 冷却ジャケット及び電子機器
CN108337862B (zh) * 2018-03-02 2019-09-06 惠州市博宇科技有限公司 一种新能源电动车专用铝基板
US10900412B2 (en) * 2018-05-31 2021-01-26 Borg Warner Inc. Electronics assembly having a heat sink and an electrical insulator directly bonded to the heat sink
CN108770304A (zh) * 2018-06-27 2018-11-06 江苏英杰电子器件有限公司 一种分体式散热器盖板
EP3595002A1 (de) * 2018-07-12 2020-01-15 Heraeus Deutschland GmbH & Co KG Metall-keramik-substrat mit einer zur direkten kühlung geformten folie als substratunterseite
CN110828398A (zh) * 2018-08-08 2020-02-21 株洲中车时代电气股份有限公司 用于功率半导体模块封装的一体化均热基板及其制造方法
DE102019200478A1 (de) * 2019-01-16 2020-07-16 Heraeus Noblelight Gmbh Lichtquelle mit mindestens einem ersten lichtemittierenden halbleiterbauelement, einem ersten trägerelement und einem verteilerelement
JP7334464B2 (ja) * 2019-05-15 2023-08-29 富士電機株式会社 半導体モジュール、半導体モジュールの製造方法および段差冶具
CN113892172B (zh) * 2019-05-30 2025-01-14 三菱电机株式会社 半导体装置
JP7388145B2 (ja) * 2019-11-19 2023-11-29 株式会社レゾナック 半導体冷却装置
DE102019135146B4 (de) * 2019-12-19 2022-11-24 Rogers Germany Gmbh Metall-Keramik-Substrat
JP7205662B2 (ja) * 2020-03-18 2023-01-17 富士電機株式会社 半導体モジュール
JP7383582B2 (ja) * 2020-07-29 2023-11-20 Dowaメタルテック株式会社 アルミニウム-セラミックス接合基板およびその製造方法
CN112144054B (zh) * 2020-08-27 2022-12-13 东南大学 带有鳍式散热片的激光熔覆冷却装置
CN112285974B (zh) * 2020-10-30 2021-12-03 惠州市华星光电技术有限公司 背光模组和显示装置
JP7622410B2 (ja) * 2020-12-01 2025-01-28 富士電機株式会社 冷却器及び半導体装置
JP7555261B2 (ja) * 2020-12-22 2024-09-24 日立Astemo株式会社 電気回路体および電力変換装置
DE102021201263A1 (de) * 2021-02-10 2022-08-11 Zf Friedrichshafen Ag Leistungsmodul zum Betreiben eines Elektrofahrzeugantriebs mit einer Direktkühlung der Leistungshalbleiter
JP2022171241A (ja) * 2021-04-30 2022-11-11 Dowaメタルテック株式会社 金属-セラミックス接合基板およびその製造方法
JP7767079B2 (ja) * 2021-09-28 2025-11-11 日軽金Almo株式会社 パワーデバイス用冷却器
CN114126345B (zh) * 2021-10-18 2022-07-05 富贤勋电子科技(南通)有限公司 一种散热片的制作方法
WO2023204167A1 (ja) * 2022-04-20 2023-10-26 株式会社 東芝 セラミックス回路基板、半導体装置、及び半導体装置の使用方法
CN114850797B (zh) * 2022-05-18 2023-11-03 浙江华鑫实业有限公司 一种通信用散热器加工方法
EP4734741A1 (en) * 2024-09-29 2026-04-29 Shenzhen STS Microelectronics Co., Ltd. Power modules, methods for manufacturing same, and electrical systems
KR102876819B1 (ko) * 2025-02-26 2025-10-29 주식회사 한산테크 반도체 패키지 유리 기판용 동핀 가공 장치 및 가공 방법

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1450154A1 (ru) * 1986-05-11 1989-01-07 Предприятие П/Я В-2634 Радиоэлектронный модуль
DE19615787A1 (de) * 1996-04-20 1997-10-23 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung eines keramischen Multilayer-Substrats
JP2002083910A (ja) * 2000-09-08 2002-03-22 Mizutani Denki Kogyo Kk 電子部品の放熱器およびその製造方法
JP2002185175A (ja) * 2000-12-19 2002-06-28 Toyota Motor Corp 冷却フィン装置及び機器
JP2004022914A (ja) * 2002-06-19 2004-01-22 Hitachi Ltd 絶縁回路基板とその冷却構造及ぴパワー半導体装置とその冷却構造
US6845647B2 (en) * 2002-08-28 2005-01-25 Fan Zhen Co., Ltd. Heat sink processing method
JP4133170B2 (ja) * 2002-09-27 2008-08-13 Dowaホールディングス株式会社 アルミニウム−セラミックス接合体
JP4115795B2 (ja) * 2002-09-27 2008-07-09 株式会社東芝 帳票類処理装置
US7215545B1 (en) * 2003-05-01 2007-05-08 Saeed Moghaddam Liquid cooled diamond bearing heat sink
JP2005011922A (ja) * 2003-06-18 2005-01-13 Mitsubishi Electric Corp ヒートシンクを備えた両面銅貼り基板、およびこれを用いた半導体装置
EP1518847B1 (en) * 2003-09-29 2013-08-28 Dowa Metaltech Co., Ltd. Aluminum/ceramic bonding substrate and method for producing same
JP4821013B2 (ja) * 2003-09-29 2011-11-24 Dowaメタルテック株式会社 アルミニウム−セラミックス接合基板およびその製造方法
JP4543279B2 (ja) * 2004-03-31 2010-09-15 Dowaメタルテック株式会社 アルミニウム接合部材の製造方法
JP2006245479A (ja) * 2005-03-07 2006-09-14 Nichicon Corp 電子部品冷却装置
JP4687541B2 (ja) 2005-04-21 2011-05-25 日本軽金属株式会社 液冷ジャケット
JP4687706B2 (ja) 2005-04-21 2011-05-25 日本軽金属株式会社 液冷ジャケット
JP2007294891A (ja) * 2006-03-30 2007-11-08 Dowa Metaltech Kk 放熱器
US8198540B2 (en) * 2006-06-06 2012-06-12 Mitsubishi Materials Corporation Power element mounting substrate, method of manufacturing the same, power element mounting unit, method of manufacturing the same, and power module
JP2008124187A (ja) * 2006-11-10 2008-05-29 Toyota Industries Corp パワーモジュール用ベース
JP2008218938A (ja) * 2007-03-08 2008-09-18 Dowa Metaltech Kk 金属−セラミックス接合基板
US7564129B2 (en) * 2007-03-30 2009-07-21 Nichicon Corporation Power semiconductor module, and power semiconductor device having the module mounted therein
JP4924298B2 (ja) 2007-08-30 2012-04-25 日本軽金属株式会社 溝入れ加工方法
JP5467407B2 (ja) * 2007-10-22 2014-04-09 Dowaメタルテック株式会社 アルミニウム−セラミックス接合体
JP5381561B2 (ja) * 2008-11-28 2014-01-08 富士電機株式会社 半導体冷却装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN102714929A (zh) 2012-10-03
EP2525638A4 (en) 2013-09-04
US20120279761A1 (en) 2012-11-08
KR101690825B1 (ko) 2017-01-09
WO2011087028A1 (ja) 2011-07-21
US8927873B2 (en) 2015-01-06
CN102714929B (zh) 2015-05-20
JP2011166122A (ja) 2011-08-25
EP2525638B1 (en) 2021-12-08
EP2525638A1 (en) 2012-11-21
KR20130000372A (ko) 2013-01-02
RU2521787C2 (ru) 2014-07-10
JP5686606B2 (ja) 2015-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2012134375A (ru) Реберная объединенная подложка и способ изготовления реберной объединенной подложки
US8210242B2 (en) Heat dissipation device
US8087456B2 (en) Method for manufacturing heat sink having heat-dissipating fins and structure of the same
TW202010071A (zh) 半導體封裝
EP2224481A1 (en) Semiconductor device
CN103227154B (zh) 具有压印底板的功率半导体模块及其制造方法
JP2008270609A (ja) 電子部品の放熱装置
US7530388B2 (en) Heat sink
JP2008294279A (ja) 半導体装置
TWI611740B (zh) 可撓性基板
JP4466644B2 (ja) ヒートシンク
JP6834815B2 (ja) 半導体モジュール
JP2011199202A (ja) 熱拡散部材、放熱部材及び冷却装置
JP2016072354A (ja) パワーモジュール
JP2017059723A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2011103358A5 (ru)
JP2018085495A (ja) 発光素子用基板、発光素子モジュールおよび発光装置
US20070261242A1 (en) Method for manufacturing phase change type heat sink
EP2733737B1 (en) Heat dissipating device
JP2005142323A (ja) 半導体モジュール
JP5693395B2 (ja) 半導体装置
US20070295482A1 (en) Heat spreader for use in conjunction with a semiconducting device and method of manufacturing same
JP7033443B2 (ja) 半導体冷却装置
TW200730084A (en) Radiator plate and semiconductor device
JP6727732B2 (ja) 電力変換装置