RU2012134704A - Органический полупроводниковый материал, органический полупроводниковый состав, органическая тонкая пленка, полевой транзистор и способ их получения - Google Patents
Органический полупроводниковый материал, органический полупроводниковый состав, органическая тонкая пленка, полевой транзистор и способ их получения Download PDFInfo
- Publication number
- RU2012134704A RU2012134704A RU2012134704/04A RU2012134704A RU2012134704A RU 2012134704 A RU2012134704 A RU 2012134704A RU 2012134704/04 A RU2012134704/04 A RU 2012134704/04A RU 2012134704 A RU2012134704 A RU 2012134704A RU 2012134704 A RU2012134704 A RU 2012134704A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- group
- organic semiconductor
- semiconductor material
- formula
- organic
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract 29
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract 12
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims abstract 6
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims abstract 6
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract 5
- 125000004178 (C1-C4) alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract 4
- 125000004767 (C1-C4) haloalkoxy group Chemical group 0.000 claims abstract 4
- 125000004765 (C1-C4) haloalkyl group Chemical group 0.000 claims abstract 4
- 125000000229 (C1-C4)alkoxy group Chemical group 0.000 claims abstract 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims abstract 3
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 claims abstract 3
- 125000004642 (C1-C12) alkoxy group Chemical group 0.000 claims abstract 2
- 125000004400 (C1-C12) alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract 2
- 125000004643 (C1-C12) haloalkoxy group Chemical group 0.000 claims abstract 2
- 125000004641 (C1-C12) haloalkyl group Chemical group 0.000 claims abstract 2
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 claims abstract 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 6
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims 2
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 claims 2
- 125000000876 trifluoromethoxy group Chemical group FC(F)(F)O* 0.000 claims 2
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 claims 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 abstract 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D495/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
- C07D495/02—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms in which the condensed system contains two hetero rings
- C07D495/04—Ortho-condensed systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/36—Sulfur-, selenium-, or tellurium-containing compounds
- C08K5/45—Heterocyclic compounds having sulfur in the ring
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L65/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G2261/30—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain
- C08G2261/31—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating aromatic structural elements in the main chain
- C08G2261/316—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating aromatic structural elements in the main chain bridged by heteroatoms, e.g. N, P, Si or B
- C08G2261/3162—Arylamines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/484—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
1. Органический полупроводниковый материал, содержащий соединение, представленное формулой (1), и соединение, представленное формулой (2):в котором Rи Rнезависимо представляют собой незамещенную или замещенную галогеном группу С1-С36 алифатического углеводорода; ив котором Ar, Arи Arнезависимо представляют собой замещенную или незамещенную группу ароматического углеводорода, и n представляет собой целое число 6 или больше.2. Органический полупроводниковый материал по п.1, отличающийся тем, что:Ar, Arи Arв формуле (2) независимо представляют собой фенильную группу, замещенную атомом водорода, атомом галогена, С1-С12 алкильной группой, С1-С12 алкоксильной группой, С1-С12 галогеналкильной группой, С1-С12 галогеналкоксильной группой или цианогруппой; имолекулярный вес соединения, представленного формулой (2), составляет 5000 или больше.3. Органический полупроводниковый материал по п.2, отличающийся тем, что соединение, представленное формулой (2), представляет собой соединение с молекулярным весом 5000 или больше и представлено формулой (3):где по меньшей мере один из R, Rи Rпредставляет собой атом галогена, С1-С4 алкильную группу, С1-С4 алкоксильную группу, С1-С4 галогеналкильную группу, С1-С4 галогеналкоксильную группу или цианогруппу; а другой (-ие) независимо представляет собой атом водорода, атом галогена, С1-С4 алкильную группу, С1-С4 алкоксильную группу, С1-С4 галогеналкильную группу, С1-С4 галогеналкоксильную группу или цианогруппу; и m представляет собой целое число 10 или больше.4. Органический полупроводниковый материал по п.3, отличающийся тем, что по меньшей мере один из R, Rи Rв формуле (3) представляет собой метальную группу, трифторметильну
Claims (17)
1. Органический полупроводниковый материал, содержащий соединение, представленное формулой (1), и соединение, представленное формулой (2):
в котором R1 и R2 независимо представляют собой незамещенную или замещенную галогеном группу С1-С36 алифатического углеводорода; и
в котором Ar1, Ar2 и Ar3 независимо представляют собой замещенную или незамещенную группу ароматического углеводорода, и n представляет собой целое число 6 или больше.
2. Органический полупроводниковый материал по п.1, отличающийся тем, что:
Ar1, Ar2 и Ar3 в формуле (2) независимо представляют собой фенильную группу, замещенную атомом водорода, атомом галогена, С1-С12 алкильной группой, С1-С12 алкоксильной группой, С1-С12 галогеналкильной группой, С1-С12 галогеналкоксильной группой или цианогруппой; и
молекулярный вес соединения, представленного формулой (2), составляет 5000 или больше.
3. Органический полупроводниковый материал по п.2, отличающийся тем, что соединение, представленное формулой (2), представляет собой соединение с молекулярным весом 5000 или больше и представлено формулой (3):
где по меньшей мере один из R3, R4 и R5 представляет собой атом галогена, С1-С4 алкильную группу, С1-С4 алкоксильную группу, С1-С4 галогеналкильную группу, С1-С4 галогеналкоксильную группу или цианогруппу; а другой (-ие) независимо представляет собой атом водорода, атом галогена, С1-С4 алкильную группу, С1-С4 алкоксильную группу, С1-С4 галогеналкильную группу, С1-С4 галогеналкоксильную группу или цианогруппу; и m представляет собой целое число 10 или больше.
4. Органический полупроводниковый материал по п.3, отличающийся тем, что по меньшей мере один из R3, R4 и R5 в формуле (3) представляет собой метальную группу, трифторметильную группу, метоксигруппу, трифторметоксигруппу или фтор группу; а другой (-ие) представляет собой атом водорода, метальную группу, трифторметильную группу, метоксигруппу, трифторметоксигруппу или фторгруппу.
5. Органический полупроводниковый материал по любому пп.1-4, отличающийся тем, что R1 и R2 в формуле (1) независимо представляют собой линейную С6-С12 алкильную группу.
6. Органический полупроводниковый материал по любому пп.1-4, отличающийся тем, что отношение соединения, представленного формулой (1), к соединению, представленному формулой (2), составляет от 5:1 до 1: 1.
7. Органический полупроводниковый состав, полученный растворением и/или диспергированием органического полупроводникового материала по любому из пп.1-4, по меньшей мере в одном органическом растворителе.
8. Органический полупроводниковый состав по п.7, содержащий раствор, который содержит по меньшей мере один органический растворитель с температурой кипения 150°C или выше.
9. Органический полупроводниковый состав по п.8, содержащий раствор, который содержит по меньшей мере один органический растворитель с температурой кипения 180°C или выше.
10. Органический полупроводниковый состав по п.7, отличающийся тем, что содержание твердого органического полупроводникового материала составляет не меньше 0,5%, но не больше 5%.
11. Органическая тонкая пленка, содержащая органический полупроводниковый материал по любому из пп.1-4.
12. Органическая тонкая пленка, полученная нанесением посредством процесса печати с использованием органического полупроводникового состава по п.7.
13. Полевой транзистор, содержащий органический полупроводниковый материал по любому из пп.1-4.
14. Полевой транзистор по п.13, содержащий структуру с верхним затвором.
15. Полевой транзистор по п.14, обладающий структурой с нижним контактом верхнего затвора, в котором верхний затвор имеет структуру, в которой:
слой полупроводника, содержащий органический полупроводниковый материал, обеспечен на подложке, содержащей электрод истока и электрод стока; изолирующий слой затвора обеспечен части или на всю верхнюю секцию органического полупроводникового материала; и
электрод затвора обеспечен с возможностью контакта с верхней секцией изолирующего слоя затвора.
16. Способ получения полевого транзистора, включающий формирование слоя полупроводника нанесением посредством процесса печати с использованием органического полупроводникового состава по п.7.
17. Способ получения полевого транзистора, обладающего структурой с нижним контактом верхнего затвора, включающий:
формирование слоя полупроводника нанесением посредством процесса печати с использованием органического полупроводникового состава по п.7; и
формирование изолирующего слоя затвора на верхней секции слоя полупроводника нанесением посредством процесса печати.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010199956 | 2010-09-07 | ||
| JP2010-199956 | 2010-09-07 | ||
| PCT/JP2011/070214 WO2012033073A1 (ja) | 2010-09-07 | 2011-09-06 | 有機半導体材料、有機半導体組成物、有機薄膜及び電界効果トランジスタ並びにその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2012134704A true RU2012134704A (ru) | 2014-10-20 |
Family
ID=45810671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012134704/04A RU2012134704A (ru) | 2010-09-07 | 2011-09-06 | Органический полупроводниковый материал, органический полупроводниковый состав, органическая тонкая пленка, полевой транзистор и способ их получения |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20120313086A1 (ru) |
| EP (1) | EP2615657B1 (ru) |
| JP (1) | JP5913107B2 (ru) |
| KR (1) | KR20120127502A (ru) |
| CN (1) | CN102823011A (ru) |
| RU (1) | RU2012134704A (ru) |
| TW (1) | TWI462926B (ru) |
| WO (1) | WO2012033073A1 (ru) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103151461A (zh) * | 2013-02-27 | 2013-06-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机薄膜晶体管及其制备方法和制备装置 |
| CN105229813B (zh) * | 2013-05-23 | 2017-08-25 | 富士胶片株式会社 | 有机半导体组合物、有机薄膜晶体管、以及电子纸及显示装置 |
| TWI628719B (zh) * | 2013-11-21 | 2018-07-01 | 尼康股份有限公司 | 電晶體之製造方法及電晶體 |
| US9818946B2 (en) | 2014-04-21 | 2017-11-14 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Film and organic semiconductor device containing the film |
| WO2015163206A1 (ja) * | 2014-04-21 | 2015-10-29 | 住友化学株式会社 | 組成物および高分子化合物、並びに、該組成物または該高分子化合物を含有する有機半導体素子 |
| JP6295335B2 (ja) * | 2014-08-13 | 2018-03-14 | 富士フイルム株式会社 | 有機半導体膜形成用の組成物、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料、有機トランジスタ用材料、非発光性有機半導体デバイス用塗布溶液、非発光性有機半導体デバイス用インク、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜および有機トランジスタ |
| JP6484724B2 (ja) * | 2015-11-20 | 2019-03-13 | 富士フイルム株式会社 | 有機半導体組成物、有機半導体膜、有機薄膜トランジスタおよび有機薄膜トランジスタの製造方法 |
| JP6699142B2 (ja) * | 2015-11-27 | 2020-05-27 | 東ソー株式会社 | 有機半導体層形成用溶液、有機半導体層、および有機薄膜トランジスタ |
| JP6699141B2 (ja) * | 2015-11-27 | 2020-05-27 | 東ソー株式会社 | 有機半導体層形成用溶液、有機半導体層、および有機薄膜トランジスタ |
| CN108431985B (zh) * | 2016-01-08 | 2020-06-23 | 日立化成株式会社 | 有机电子材料、有机电子元件及有机电致发光元件 |
| EP3608981A4 (en) * | 2017-03-21 | 2020-12-23 | Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha | ORGANIC SEMICONDUCTOR COMPOSITION, ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN-FILM AND ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR |
| CN109535166B (zh) * | 2018-11-09 | 2020-08-18 | 西安交通大学 | 一种发光有机半导体骨架材料及其应用 |
| JP7823568B2 (ja) * | 2020-03-04 | 2026-03-04 | 東ソー株式会社 | 芳香族化合物、有機半導体層、及び有機薄膜トランジスタ |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61168625A (ja) * | 1985-01-23 | 1986-07-30 | Nissan Motor Co Ltd | ポリトリフエニルアミンの製膜方法 |
| US5728801A (en) | 1996-08-13 | 1998-03-17 | The Dow Chemical Company | Poly (arylamines) and films thereof |
| GB9726810D0 (en) | 1997-12-19 | 1998-02-18 | Zeneca Ltd | Compounds composition & use |
| EP1459392B1 (en) * | 2001-12-19 | 2011-09-21 | Merck Patent GmbH | Organic field effect transistor with an organic dielectric |
| EP2330108A1 (en) | 2005-01-19 | 2011-06-08 | National University of Corporation Hiroshima University | Method for the preparation of condensed polycyclic aromatic compounds |
| JP4866041B2 (ja) * | 2005-08-29 | 2012-02-01 | 株式会社リコー | アリールアミン重合体 |
| EP1974401A1 (en) | 2006-01-21 | 2008-10-01 | Merck Patent GmbH | Electronic short channel device comprising an organic semiconductor formulation |
| JP4581062B2 (ja) | 2006-10-20 | 2010-11-17 | 日本化薬株式会社 | 電界効果トランジスタ、半導体デバイス作製用インク、電界効果トランジスタの製造方法、および有機複素環化合物 |
| JP5546752B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2014-07-09 | 住友化学株式会社 | 高分子化合物及びその製造方法、並びに、この高分子化合物を含む組成物 |
| JP5480510B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2014-04-23 | 住友化学株式会社 | 有機半導体組成物、並びに有機薄膜及びこれを備える有機薄膜素子 |
| JP5428104B2 (ja) | 2008-05-23 | 2014-02-26 | 日本化薬株式会社 | 有機半導体組成物 |
-
2011
- 2011-09-06 RU RU2012134704/04A patent/RU2012134704A/ru not_active Application Discontinuation
- 2011-09-06 TW TW100132022A patent/TWI462926B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-09-06 WO PCT/JP2011/070214 patent/WO2012033073A1/ja not_active Ceased
- 2011-09-06 EP EP11823548.0A patent/EP2615657B1/en not_active Not-in-force
- 2011-09-06 JP JP2012532979A patent/JP5913107B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-09-06 CN CN2011800167377A patent/CN102823011A/zh active Pending
- 2011-09-06 US US13/579,318 patent/US20120313086A1/en not_active Abandoned
- 2011-09-06 KR KR1020127024194A patent/KR20120127502A/ko not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2012033073A1 (ja) | 2012-03-15 |
| JPWO2012033073A1 (ja) | 2014-01-20 |
| KR20120127502A (ko) | 2012-11-21 |
| CN102823011A (zh) | 2012-12-12 |
| US20120313086A1 (en) | 2012-12-13 |
| EP2615657A1 (en) | 2013-07-17 |
| EP2615657A4 (en) | 2014-03-05 |
| JP5913107B2 (ja) | 2016-04-27 |
| EP2615657B1 (en) | 2016-12-21 |
| TWI462926B (zh) | 2014-12-01 |
| TW201223955A (en) | 2012-06-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2012134704A (ru) | Органический полупроводниковый материал, органический полупроводниковый состав, органическая тонкая пленка, полевой транзистор и способ их получения | |
| Huang et al. | Dibenzoannelated tetrathienoacene: synthesis, characterization, and applications in organic field-effect transistors | |
| Liang et al. | Soluble and stable N‐heteropentacenes with high field‐effect mobility | |
| EP2679589A4 (en) | COMPOUNDS WITH AN INDENCARBAZOL RING STRUCTURE AND AN ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT | |
| JP2015510539A5 (ru) | ||
| RU2013151295A (ru) | Газоразделительная мембрана | |
| Chen et al. | Ullmann-type intramolecular C–O reaction toward thieno [3, 2-b] furan derivatives with up to six fused rings | |
| JP2010519270A5 (ru) | ||
| RU2014115454A (ru) | Производные карбазола для органических электролюминисцентных устройств | |
| JP2012039103A5 (ru) | ||
| JP2010529036A5 (ru) | ||
| JP2015122459A5 (ru) | ||
| JP2008538221A5 (ru) | ||
| ATE500711T1 (de) | Phenanthrolinverbindungen und elektrolumineszensbauelemente damit | |
| TWI665244B (zh) | 有機半導體膜形成用組成物、有機半導體膜及其製造方法、以及有機半導體元件及其製造方法 | |
| Sun et al. | Synthesis and structure of bull’s horn-shaped oligothienoacene with seven fused thiophene rings | |
| JP5940104B2 (ja) | 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料 | |
| AR065980A1 (es) | Metodos para preparar compuestos basados en imidazol | |
| RU2010131490A (ru) | Функционализованный полимер и способы его получения и применения | |
| JP2011524908A5 (ru) | ||
| EP1867687A4 (en) | SUPPLIER COMPOSITION FOR POROUS MEMBRANE AND THEIR PRODUCTION, POROUS MEMBRANE AND THEIR PRODUCTION AND SEMICONDUCTOR DEVICE | |
| Choi et al. | Development of dithieno [3, 2-b: 2′, 3′-d] thiophene (DTT) derivatives as solution-processable small molecular semiconductors for organic thin film transistors | |
| JP6243054B2 (ja) | 有機半導体組成物、及び、有機半導体素子 | |
| JP2013056959A5 (ru) | ||
| JP2013159584A (ja) | 電子材料およびこれを用いた電子素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA92 | Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted) |
Effective date: 20150407 |