RU2012134904A - Способ получения керамического проводника, система для его получения и сверхпроводящий проводник с его применением - Google Patents
Способ получения керамического проводника, система для его получения и сверхпроводящий проводник с его применением Download PDFInfo
- Publication number
- RU2012134904A RU2012134904A RU2012134904/07A RU2012134904A RU2012134904A RU 2012134904 A RU2012134904 A RU 2012134904A RU 2012134904/07 A RU2012134904/07 A RU 2012134904/07A RU 2012134904 A RU2012134904 A RU 2012134904A RU 2012134904 A RU2012134904 A RU 2012134904A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- container
- conductor
- substrate
- temperature
- oxygen
- Prior art date
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 title claims abstract 44
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 26
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 19
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract 19
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract 19
- 239000012700 ceramic precursor Substances 0.000 claims abstract 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims 2
- 241000954177 Bangana ariza Species 0.000 claims 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 claims 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 claims 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical group 0.000 claims 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B12/00—Superconductive or hyperconductive conductors, cables, or transmission lines
- H01B12/02—Superconductive or hyperconductive conductors, cables, or transmission lines characterised by their form
- H01B12/06—Films or wires on bases or cores
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/45—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides
- C04B35/4504—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides containing rare earth oxides
- C04B35/4508—Type 1-2-3
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/62227—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products obtaining fibres
- C04B35/62231—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products obtaining fibres based on oxide ceramics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5806—Thermal treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5846—Reactive treatment
- C23C14/5853—Oxidation
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
- H10N60/0548—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers by deposition and subsequent treatment, e.g. oxidation of pre-deposited material
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/20—Permanent superconducting devices
- H10N60/203—Permanent superconducting devices comprising high-Tc ceramic materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3215—Barium oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3281—Copper oxides, cuprates or oxide-forming salts thereof, e.g. CuO or Cu2O
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
- C04B2235/6583—Oxygen containing atmosphere, e.g. with changing oxygen pressures
- C04B2235/6584—Oxygen containing atmosphere, e.g. with changing oxygen pressures at an oxygen percentage below that of air
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
1. Способ получения керамического проводника, включающий:осаждение керамической пленки-предшественника на подложку проводника и термообработку подложки проводника, на которой осаждена керамическая пленка-предшественник, включающую:регулирование температуры подложки проводника и/или парциального давления кислорода в технологической камере, в которой находится подложка проводника, таким образом, что керамическая пленка-предшественник находится в жидком состоянии; иформирование эпитаксиальной керамической пленки из жидкой керамической пленки-предшественника на подложке проводника.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что регулирование температуры подложки проводника включает повышение температуры подложки проводника, а образование эпитаксиальной керамической пленки включает понижение температуры подложки проводника.3. Способ по п.2, отличающийся тем, что регулирование парциального давления кислорода вокруг подложки проводника или формирование эпитаксиальной керамической пленки включает повышение парциального давления кислорода вокруг подложки проводника.4. Способ по п.1, отличающийся тем, что осаждение керамической пленки-предшественника и термообработку подложки проводника соответственно проводят в пространствах, разделенных друг от друга.5. Способ по п.1, отличающийся тем, что технологическая камера включает первый контейнер, второй контейнер и третий контейнер, которые расположены в указанном порядке, при этом термообработку подложки проводника последовательно проводят в первом контейнере, втором контейнере и третьем контейнере, через которые непрерывно пропускают подложку проводника.6. �
Claims (21)
1. Способ получения керамического проводника, включающий:
осаждение керамической пленки-предшественника на подложку проводника и термообработку подложки проводника, на которой осаждена керамическая пленка-предшественник, включающую:
регулирование температуры подложки проводника и/или парциального давления кислорода в технологической камере, в которой находится подложка проводника, таким образом, что керамическая пленка-предшественник находится в жидком состоянии; и
формирование эпитаксиальной керамической пленки из жидкой керамической пленки-предшественника на подложке проводника.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что регулирование температуры подложки проводника включает повышение температуры подложки проводника, а образование эпитаксиальной керамической пленки включает понижение температуры подложки проводника.
3. Способ по п.2, отличающийся тем, что регулирование парциального давления кислорода вокруг подложки проводника или формирование эпитаксиальной керамической пленки включает повышение парциального давления кислорода вокруг подложки проводника.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что осаждение керамической пленки-предшественника и термообработку подложки проводника соответственно проводят в пространствах, разделенных друг от друга.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что технологическая камера включает первый контейнер, второй контейнер и третий контейнер, которые расположены в указанном порядке, при этом термообработку подложки проводника последовательно проводят в первом контейнере, втором контейнере и третьем контейнере, через которые непрерывно пропускают подложку проводника.
6. Способ по п.5, отличающийся тем, что парциальное давление кислорода в первом контейнере ниже парциального давления кислорода в третьем контейнере, и парциальное давление кислорода во втором контейнере выше парциального давления кислорода в первом контейнере и ниже парциального давления кислорода в третьем контейнере.
7. Способ по п.6, отличающийся тем, что парциальное давление кислорода во втором контейнере возрастает при переходе от первой части, прилегающей к первому контейнеру, ко второй части второго контейнера, прилегающей к третьему контейнеру.
8. Способ по п.5, отличающийся тем, что температура во втором контейнере выше температуры в первом контейнере и температуры в третьем контейнере.
9. Способ по п.8, отличающийся тем, что температура в первом контейнере и температура в третьем контейнере снижаются при удалении от второго контейнера.
10. Способ по п.5, отличающийся тем, что температура во втором контейнере составляет примерно 800°С, и парциальное давление кислорода во втором контейнере находится в диапазоне от примерно 0,01 мм рт.ст. до примерно 0,3 мм рт.ст.
11. Способ по п.1, отличающийся тем, что термообработку подложки проводника проводят в технологической камере, через которую непрерывно пропускают подложку проводника, и температура в контейнере уменьшается при удалении от центральной части контейнера.
12. Способ по п.1, отличающийся тем, что осаждение керамической пленки-предшественника включает обеспечение одного из редкоземельных элементов, бария и меди.
13. Способ по п.12, отличающийся тем, что керамическая пленка-предшественник включает Re2BaCuO5, ReBa3Cu2O6 и BaCu2O3, которые разлагаются, и регулирование температуры подложки проводника и/или парциального давления кислорода вокруг подложки проводника осуществляют таким образом, что BaCu2O2 находится в жидком состоянии.
14. Способ по п.1, отличающийся тем, что керамическую пленку-предшественник формируют при помощи метода совместного испарения или при помощи метода осаждения металлорганических соединений.
15. Сверхпроводящий проводник, включающий:
подложку проводника;
буферный слой на подложке проводника; и
сверхпроводящий слой на буферном слое, включающий один из редкоземельных элементов, барий и медь, включающий:
первую часть, прилегающую к буферному слою, имеющую сверхпроводящую фазу; и
вторую часть на первой части, имеющей фазу, отличную от сверхпроводящей фазы.
16. Сверхпроводящий проводник по п.15, отличающийся тем, что вторая часть включает по меньшей мере одну фазу, имеющую кристаллическую структуру, которая отличается от кристаллической структуры первой части.
17. Сверхпроводящий проводник по п.15, отличающийся тем, что сверхпроводящий проводник имеет плотность тока, которая составляет более чем примерно 1 МА/см2 при температуре, равной примерно 77 К.
18. Система получения керамического проводника, включающая:
блок осаждения пленки, в котором выполняют осаждение керамической пленки на подложку проводника; и
блок термообработки, в котором выполняют термообработку подложки проводника с керамической пленкой, включающий первый контейнер, второй контейнер и третий контейнер, через которые пропускают подложку проводника в указанном порядке, и расположенные рядом друг с другом,
при этом в первом контейнере, втором контейнере и третьем контейнере независимо поддерживают состояние вакуума, и
при этом температуру в первом контейнере, втором контейнере и третьем контейнере контролируют независимо.
19. Система по п.18, отличающаяся тем, что парциальное давление кислорода в первом контейнере ниже парциального давления кислорода в третьем контейнере, и парциальное давление кислорода во втором контейнере выше парциального давления кислорода в первом контейнере и ниже парциального давления кислорода в третьем контейнере.
20. Система по п.19, отличающаяся тем, что температура во втором контейнере выше температуры в первом контейнере и температуры в третьем контейнере.
21. Система по п.19, отличающаяся тем, что температура в первом контейнере и температура в третьем контейнере снижаются при удалении от второго контейнера.
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2010-0011151 | 2010-02-05 | ||
| KR20100011151 | 2010-02-05 | ||
| KR1020100074924A KR101158747B1 (ko) | 2010-02-05 | 2010-08-03 | 세라믹 선재 형성 방법, 세라믹 선재 형성 시스템, 및 이를 이용한 초전도 선재 |
| KR10-2010-0074924 | 2010-08-03 | ||
| PCT/KR2010/005103 WO2011096624A1 (en) | 2010-02-05 | 2010-08-03 | Method of forming ceramic wire, system of forming the same, and superconductor wire using the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2012134904A true RU2012134904A (ru) | 2014-03-10 |
| RU2521827C2 RU2521827C2 (ru) | 2014-07-10 |
Family
ID=44928852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012134904/07A RU2521827C2 (ru) | 2010-02-05 | 2010-08-03 | Способ получения керамического проводника, система для его получения и сверхпроводящий проводник с его применением |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9362477B2 (ru) |
| EP (1) | EP2532013B1 (ru) |
| JP (1) | JP5671556B2 (ru) |
| KR (4) | KR101158747B1 (ru) |
| CN (1) | CN102884594B (ru) |
| ES (1) | ES2567462T3 (ru) |
| RU (1) | RU2521827C2 (ru) |
| WO (1) | WO2011096624A1 (ru) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ES2683973T3 (es) * | 2012-01-17 | 2018-10-01 | Sunam Co. Ltd. | Cable superconductor y método de formación del mismo |
| KR101456152B1 (ko) * | 2012-08-06 | 2014-11-03 | 서울대학교산학협력단 | 초전도체 및 초전도체 형성방법 |
| KR101458513B1 (ko) | 2012-08-29 | 2014-11-07 | 주식회사 서남 | 초전도 선재 제조방법 및 그에 의해 제조된 초전도 선재 |
| KR101487834B1 (ko) * | 2013-11-08 | 2015-02-03 | 주식회사 서남 | 세라믹 선재의 제조설비 |
| KR101487831B1 (ko) * | 2013-11-08 | 2015-01-29 | 주식회사 서남 | 세라믹 선재의 제조장치 및 그를 이용한 세라믹 선재의 제조방법 |
| KR20160006829A (ko) | 2014-07-09 | 2016-01-20 | 서울대학교산학협력단 | 초전도체, 초전도 선재, 및 초전도체 형성방법 |
| RU2641099C2 (ru) * | 2016-06-17 | 2018-01-16 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) | Высокотемпературная сверхпроводящая пленка на кристаллической кварцевой подложке и способ ее получения |
| KR101719266B1 (ko) * | 2016-06-27 | 2017-04-06 | 서울대학교산학협력단 | 초전도체, 초전도 선재, 및 초전도체 형성방법 |
| WO2019107597A1 (ko) * | 2017-11-29 | 2019-06-06 | 주식회사 서남 | 세라믹 선재의 제조방법 |
| CN109112483B (zh) * | 2018-08-03 | 2019-10-08 | 上海交通大学 | 一种高速率生长高性能稀土钡铜氧高温超导膜的热处理方法 |
| CN110629177A (zh) * | 2019-09-18 | 2019-12-31 | 上海超导科技股份有限公司 | 适用于生产二代高温超导带材的工艺方法 |
| CN112575308B (zh) | 2019-09-29 | 2023-03-24 | 宝山钢铁股份有限公司 | 一种能在真空下带钢高效镀膜的真空镀膜装置 |
| CN115176349B (zh) * | 2020-02-20 | 2026-08-11 | 梅托克斯国际公司 | 用于化学气相沉积反应器的基座 |
| JP2024507585A (ja) * | 2021-02-26 | 2024-02-20 | メトオックス インターナショナル，インコーポレイテッド | 高スループット超電導体製造用マルチスタックサセプタ反応器 |
| KR102695807B1 (ko) | 2023-08-03 | 2024-08-20 | 한국기초과학지원연구원 | 일정한 권선평면을 갖는 고온초전도 자석용 코일 및 그의 권선 방법 |
| KR20250021204A (ko) | 2023-08-03 | 2025-02-12 | 한국기초과학지원연구원 | 고온초전도 자석용 선재의 접합을 위한 페이스트 솔더의 도포장치 |
| EP4680001A1 (en) * | 2024-07-12 | 2026-01-14 | Renaissance Fusion | Apparatus and method for deposition of a high temperature superconductor on a substrate |
| KR102845396B1 (ko) | 2024-07-17 | 2025-08-13 | 한국기초과학지원연구원 | 초전도성을 유지하기 위한 고온초전도 자석용 코일 및 그 제조방법 |
| KR102902433B1 (ko) | 2024-10-11 | 2025-12-24 | 한국기초과학지원연구원 | 이종금속선재로 균일한 임계전류 밀도를 구현하는 고온초전도 자석 및 그의 설계 파라미터 결정방법 |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5157017A (en) | 1987-06-12 | 1992-10-20 | At&T Bell Laboratories | Method of fabricating a superconductive body |
| US5011823A (en) * | 1987-06-12 | 1991-04-30 | At&T Bell Laboratories | Fabrication of oxide superconductors by melt growth method |
| JPH01274320A (ja) * | 1988-04-26 | 1989-11-02 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | セラミックス超電導線の製造方法 |
| US5270296A (en) | 1988-12-29 | 1993-12-14 | Troy Investments Inc. | High critical temperature superconducting wire with radially grown crystallites |
| EP0499049B1 (de) | 1991-02-14 | 1996-05-22 | Vacuumschmelze GmbH | Oxidkeramischer supraleitender Verbundkörper und Verfahren zu seiner Herstellung |
| JPH0623459A (ja) | 1992-07-08 | 1994-02-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ばね成形性に優れた鋼線の製造方法。 |
| JPH06112713A (ja) | 1992-08-21 | 1994-04-22 | Conductus Inc | 基板の対向する両面上に高温超伝導体膜を作製する方法 |
| US5661114A (en) * | 1993-04-01 | 1997-08-26 | American Superconductor Corporation | Process of annealing BSCCO-2223 superconductors |
| WO1998058415A1 (en) | 1997-06-18 | 1998-12-23 | Massachusetts Institute Of Technology | Controlled conversion of metal oxyfluorides into superconducting oxides |
| KR100249782B1 (ko) | 1997-11-20 | 2000-03-15 | 정선종 | 입방정 yba2cu3ox 박막을 장벽층으로 사용한 초전도 접합의 제조방법 |
| US6974501B1 (en) * | 1999-11-18 | 2005-12-13 | American Superconductor Corporation | Multi-layer articles and methods of making same |
| KR100336940B1 (ko) | 2000-08-02 | 2002-05-17 | 장인순 | （100）＜001＞집합조직을 갖는 니켈판 위에화학증착법으로 에피택시알(ｅｐｉｔａｘｉａｌ)하게ＮｉＯ박막을 제조한 Ｎｉ/ＮｉＯ 복합체 및 이의제조방법과 장치 |
| WO2003067672A2 (en) * | 2001-07-31 | 2003-08-14 | American Superconductor Corporation | Methods and reactors for forming superconductor layers |
| JP3851948B2 (ja) * | 2002-05-10 | 2006-11-29 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 超電導体の製造方法 |
| US8182862B2 (en) * | 2003-06-05 | 2012-05-22 | Superpower Inc. | Ion beam-assisted high-temperature superconductor (HTS) deposition for thick film tape |
| US20050065035A1 (en) * | 2003-06-10 | 2005-03-24 | Rupich Martin W. | Superconductor methods and reactors |
| JP4698937B2 (ja) | 2003-06-12 | 2011-06-08 | トピー工業株式会社 | ポリオレフィン系組成物及びその製造方法 |
| US8153281B2 (en) * | 2003-06-23 | 2012-04-10 | Superpower, Inc. | Metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) process and apparatus to produce multi-layer high-temperature superconducting (HTS) coated tape |
| US20050223984A1 (en) * | 2004-04-08 | 2005-10-13 | Hee-Gyoun Lee | Chemical vapor deposition (CVD) apparatus usable in the manufacture of superconducting conductors |
| KR100669489B1 (ko) | 2004-06-11 | 2007-01-16 | 한국전기연구원 | 박막 테이프 제조장치 |
| US7582328B2 (en) * | 2004-08-20 | 2009-09-01 | American Superconductor Corporation | Dropwise deposition of a patterned oxide superconductor |
| KR100665587B1 (ko) | 2005-05-12 | 2007-01-09 | 학교법인 한국산업기술대학 | 유기금속전구용액 제조방법 및 이를 이용하여유기금속증착법에 의한 박막형 산화물 초전도체 제조방법 |
| JP2007220467A (ja) | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導薄膜材料の製造方法、超電導機器、および超電導薄膜材料 |
| KR100844276B1 (ko) | 2006-11-24 | 2008-07-07 | 주식회사 디엠에스 | 롤 증착 장치 |
| RU2386732C1 (ru) | 2008-12-18 | 2010-04-20 | Закрытое акционерное общество "СуперОкс" | Способ получения двухстороннего сверхпроводника второго поколения |
-
2010
- 2010-08-03 US US13/577,290 patent/US9362477B2/en active Active
- 2010-08-03 WO PCT/KR2010/005103 patent/WO2011096624A1/en not_active Ceased
- 2010-08-03 CN CN201080065852.9A patent/CN102884594B/zh active Active
- 2010-08-03 EP EP10845311.9A patent/EP2532013B1/en active Active
- 2010-08-03 RU RU2012134904/07A patent/RU2521827C2/ru active
- 2010-08-03 KR KR1020100074924A patent/KR101158747B1/ko active Active
- 2010-08-03 ES ES10845311.9T patent/ES2567462T3/es active Active
- 2010-08-03 JP JP2012551896A patent/JP5671556B2/ja active Active
-
2011
- 2011-10-21 KR KR1020110107993A patent/KR101123830B1/ko active Active
- 2011-10-21 KR KR1020110107992A patent/KR20110122081A/ko not_active Ceased
-
2012
- 2012-06-21 KR KR1020120066918A patent/KR101183158B1/ko active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9362477B2 (en) | 2016-06-07 |
| US20120329658A1 (en) | 2012-12-27 |
| KR101183158B1 (ko) | 2012-09-17 |
| KR20110122082A (ko) | 2011-11-09 |
| KR101158747B1 (ko) | 2012-06-22 |
| CN102884594B (zh) | 2016-06-08 |
| ES2567462T3 (es) | 2016-04-22 |
| EP2532013A4 (en) | 2013-09-04 |
| WO2011096624A1 (en) | 2011-08-11 |
| CN102884594A (zh) | 2013-01-16 |
| JP5671556B2 (ja) | 2015-02-18 |
| KR20110122081A (ko) | 2011-11-09 |
| JP2013519201A (ja) | 2013-05-23 |
| EP2532013B1 (en) | 2016-01-13 |
| EP2532013A1 (en) | 2012-12-12 |
| KR101123830B1 (ko) | 2012-03-16 |
| KR20110091422A (ko) | 2011-08-11 |
| RU2521827C2 (ru) | 2014-07-10 |
| KR20120079456A (ko) | 2012-07-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5671556B2 (ja) | セラミック線材形成方法、及びセラミック線材形成システム | |
| KR102275410B1 (ko) | 초전도 선재 제조를 위한 플라즈마 보조 반응성 동시 증착 시스템 | |
| CN104205296A (zh) | 半导体装置或结晶 | |
| CN104988579A (zh) | 基于蓝宝石衬底的氧化镓薄膜及其生长方法 | |
| JP5838596B2 (ja) | 超電導薄膜材料およびその製造方法 | |
| CN107492490A (zh) | 半导体设备的成膜方法、氮化铝成膜方法以及电子装置 | |
| KR20150139217A (ko) | 그래핀 및 금속 칼코게나이드의 이종 접합 박막의 제조 방법, 그 박막 및 이를 이용한 쇼트키 장벽 다이오드 및 그 제조 방법 | |
| CN110993504A (zh) | 基于SiC衬底的Ga2O3薄膜的制备方法及基于SiC衬底的Ga2O3薄膜 | |
| JP5148404B2 (ja) | 傾斜型薄膜 | |
| JP4717861B2 (ja) | 超伝導テープ製造装置および方法 | |
| KR101969976B1 (ko) | Cigs 박막의 제조방법, 이에 의해 제조된 cigs 박막 및 이를 포함하는 태양전지 | |
| JP2005126756A (ja) | 化合物半導体薄膜の製造方法および製造装置 | |
| KR20240129918A (ko) | 쌍정결함이 제거된 단결정 다이아몬드기판 및 이의 제조방법 | |
| da Costa et al. | Effect of the Heat Treatment on the Microstructure and Morphology of Cigs Thin Films Prepared by RF Magnetron Sputtering at Room Temperature | |
| JP2012049086A (ja) | 酸化物超電導薄膜線材、酸化物超電導薄膜線材用金属基板およびその製造方法 | |
| KR20150059102A (ko) | 기판 제조 방법 및 발광 소자 제조 방법 | |
| JP2012129084A (ja) | 酸化物超電導薄膜線材の製造方法 | |
| JP2005294240A (ja) | 多結晶配向中間薄膜とその製造方法及び酸化物超電導導体とその製造方法 | |
| JP2021119554A (ja) | 超電導薄膜線材及び超電導薄膜線材の製造方法 | |
| KR20260061859A (ko) | 열 증착을 이용한 유기재료 결정 성장 방법 | |
| KR20250069758A (ko) | 상면이 (111)결정면으로 배향된 기판과, 이를 포함하는 그래핀 적층구조물 및 이를 포함하는 전기 소자 | |
| Zhang et al. | Effect of Deposition Parameters on Crystallization of RF Magnetron Sputtered BST Thin Films | |
| JP2012003966A (ja) | 酸化物超電導薄膜の製造方法 | |
| JP2012146418A (ja) | 酸化物超電導線材とその製造方法 | |
| JP2005314784A (ja) | 多結晶配向中間薄膜とその製造方法及び酸化物超電導導体とその製造方法 |