RU2012141305A - Ячейка магнитного оперативного запоминающего устройства (mram), способ записи и считывания ячейки mram с использованием операции самоотносительного считывания - Google Patents
Ячейка магнитного оперативного запоминающего устройства (mram), способ записи и считывания ячейки mram с использованием операции самоотносительного считывания Download PDFInfo
- Publication number
- RU2012141305A RU2012141305A RU2012141305/08A RU2012141305A RU2012141305A RU 2012141305 A RU2012141305 A RU 2012141305A RU 2012141305/08 A RU2012141305/08 A RU 2012141305/08A RU 2012141305 A RU2012141305 A RU 2012141305A RU 2012141305 A RU2012141305 A RU 2012141305A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- magnetization
- storage
- magnetic field
- thickness
- Prior art date
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract 53
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 13
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims abstract 53
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract 36
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract 5
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 claims abstract 5
- 230000008447 perception Effects 0.000 claims 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/165—Auxiliary circuits
- G11C11/1673—Reading or sensing circuits or methods
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
- G11C11/15—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements using multiple magnetic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/161—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
1. Ячейка магнитного оперативного запоминающего устройства (MRAM), содержащая магнитный туннельный переход, содержащий:синтетический слой хранения, образованный из первого ферромагнитного слоя, имеющего первую намагниченность хранения, второго ферромагнитного слоя, имеющего вторую намагниченность хранения, и разделительного слоя между первым и вторым слоями хранения, причем разделительный слой магнитно связывает первый и второй ферромагнитные слои, так что первая намагниченность хранения ориентирована, по существу, антипараллельно по отношению ко второй намагниченности;воспринимающий слой, имеющий намагниченность восприятия, которая является обратимой; итуннельный барьерный слой между воспринимающим слоем и слоем хранения;причем первая намагниченность хранения индуцирует первое локальное магнитное поле рассеяния, а вторая намагниченность хранения индуцирует второе локальное магнитное поле рассеяния, причем разность между первым и вторым локальными магнитными полями рассеяния соответствует результирующему локальному магнитному полю рассеяния, связывающему воспринимающий слой;причем толщина первого ферромагнитного слоя и толщина второго ферромагнитного слоя выбраны так, что результирующее локальное магнитное поле рассеяния, связывающее воспринимающий слой, составляет ниже около 50 Э.2. MRAM ячейка по п. 1, в которойтолщина первого ферромагнитного слоя и толщина второго ферромагнитного слоя выбраны так, что результирующее локальное магнитное поле рассеяния, связывающее воспринимающий слой, является, по существу, нулевым.3. MRAM ячейка по п. 1, в которойтолщина первого ферромагнитного слоя и толщин
Claims (15)
1. Ячейка магнитного оперативного запоминающего устройства (MRAM), содержащая магнитный туннельный переход, содержащий:
синтетический слой хранения, образованный из первого ферромагнитного слоя, имеющего первую намагниченность хранения, второго ферромагнитного слоя, имеющего вторую намагниченность хранения, и разделительного слоя между первым и вторым слоями хранения, причем разделительный слой магнитно связывает первый и второй ферромагнитные слои, так что первая намагниченность хранения ориентирована, по существу, антипараллельно по отношению ко второй намагниченности;
воспринимающий слой, имеющий намагниченность восприятия, которая является обратимой; и
туннельный барьерный слой между воспринимающим слоем и слоем хранения;
причем первая намагниченность хранения индуцирует первое локальное магнитное поле рассеяния, а вторая намагниченность хранения индуцирует второе локальное магнитное поле рассеяния, причем разность между первым и вторым локальными магнитными полями рассеяния соответствует результирующему локальному магнитному полю рассеяния, связывающему воспринимающий слой;
причем толщина первого ферромагнитного слоя и толщина второго ферромагнитного слоя выбраны так, что результирующее локальное магнитное поле рассеяния, связывающее воспринимающий слой, составляет ниже около 50 Э.
2. MRAM ячейка по п. 1, в которой
толщина первого ферромагнитного слоя и толщина второго ферромагнитного слоя выбраны так, что результирующее локальное магнитное поле рассеяния, связывающее воспринимающий слой, является, по существу, нулевым.
3. MRAM ячейка по п. 1, в которой
толщина первого ферромагнитного слоя и толщина второго ферромагнитного слоя выбраны так, что результирующее локальное магнитное поле рассеяния, связывающее воспринимающий слой, заключается между около 40 Э и около 50 Э.
4. MRAM ячейка по п. 1, в которой
воспринимающий слой имеет, по существу, круглую форму.
5. Магнитное запоминающее устройство, содержащее множество MRAM ячеек, причем каждая MRAM ячейка содержит магнитный туннельный переход, включающий в себя:
синтетический слой хранения, образованный из первого ферромагнитного слоя, имеющего первую намагниченность хранения, второго ферромагнитного слоя, имеющего вторую намагниченность хранения, и разделительного слоя между первым и вторым слоями хранения, причем разделительный слой магнитно связывает первый и второй ферромагнитные слои, так что первая намагниченность хранения ориентирована, по существу, антипараллельно по отношению ко второй намагниченности;
воспринимающий слой, имеющий намагниченность восприятия, которая является обратимой; и
туннельный барьерный слой между воспринимающим слоем и слоем хранения;
причем первая намагниченность хранения индуцирует первое локальное магнитное поле рассеяния, а вторая намагниченность хранения индуцирует второе локальное магнитное поле рассеяния, причем разность между первым и вторым локальными магнитными полями рассеяния соответствует результирующему локальному магнитному полю рассеяния, связывающему воспринимающий слой;
причем толщина первого ферромагнитного слоя и толщина второго ферромагнитного слоя выбраны так, что результирующее локальное магнитное поле рассеяния, связывающее воспринимающий слой, составляет ниже около 50 Э.
6. Способ записи MRAM ячейки, содержащей магнитный туннельный переход, включающий в себя:
синтетический слой хранения, образованный из первого ферромагнитного слоя, имеющего первую намагниченность хранения, второго ферромагнитного слоя, имеющего вторую намагниченность хранения, и разделительного слоя между первым и вторым слоями хранения, причем разделительный слой магнитно связывает первый и второй ферромагнитные слои, так что первая намагниченность хранения ориентирована, по существу, антипараллельно по отношению ко второй намагниченности;
воспринимающий слой, имеющий намагниченность восприятия, которая является обратимой; и
туннельный барьерный слой между воспринимающим слоем и слоем хранения;
причем первая намагниченность хранения индуцирует первое локальное магнитное поле рассеяния, а вторая намагниченность хранения индуцирует второе локальное магнитное поле рассеяния, причем разность между первым и вторым локальными магнитными полями рассеяния соответствует результирующему локальному магнитному полю рассеяния, связывающему воспринимающий слой;
причем толщина первого ферромагнитного слоя и толщина второго ферромагнитного слоя выбраны так, что результирующее локальное магнитное поле рассеяния, связывающее воспринимающий слой, составляет ниже около 50 Э;
причем способ содержит этапы, на которых:
нагревают магнитный туннельный переход до высокого температурного предела; и
как только магнитный туннельный переход достигает высокого температурного предела, переключают направление намагниченности первой и второй намагниченности хранения для записи данных на упомянутый слой хранения; причем
переключение направления намагниченности первой и второй намагниченности хранения содержит этап, на котором прикладывают внешнее магнитное поле записи.
7. Способ по п. 6, в котором
магнитное поле записи прикладывают с величиной, которая заключается между около 130 Э и около 160 Э.
8. Способ по п. 6, в котором
упомянутое переключение первой и второй намагниченности хранения содержит этап, на котором прикладывают внешнее магнитное поле записи, имеющее величину, такую чтобы насыщать намагниченность восприятия в направлении согласно направлению магнитного поля записи; причем первую и вторую намагниченности хранения переключают в соответствии с локальным магнитным полем рассеяния восприятия, индуцированного насыщенной намагниченностью восприятия.
9. Способ по п. 8, в котором
толщина воспринимающего слоя является такой, что намагниченность восприятия является больше суммы первой и второй намагниченностей хранения.
10. Способ по п. 9, в котором
толщина воспринимающего слоя является такой, что величина магнитного поля записи, требуемая для насыщения намагниченности восприятия, является ниже около 80 Э.
11. Способ считывания MRAM ячейки, содержащей магнитный туннельный переход, включающий в себя:
синтетический слой хранения, образованный из первого ферромагнитного слоя, имеющего первую намагниченность хранения, второго ферромагнитного слоя, имеющего вторую намагниченность хранения, и разделительного слоя между первым и вторым слоями хранения, причем разделительный слой магнитно связывает первый и второй ферромагнитные слои, так что первая намагниченность хранения ориентирована, по существу, антипараллельно по отношению ко второй намагниченности;
воспринимающий слой, имеющий намагниченность восприятия, которая является обратимой; и
туннельный барьерный слой между воспринимающим слоем и слоем хранения;
причем первая намагниченность хранения индуцирует первое локальное магнитное поле рассеяния, а вторая намагниченность хранения индуцирует второе локальное магнитное поле рассеяния, причем разность между первым и вторым локальными магнитными полями рассеяния соответствует результирующему локальному магнитному полю рассеяния, связывающему воспринимающий слой;
причем толщина первого ферромагнитного слоя и толщина второго ферромагнитного слоя выбраны так, что результирующее локальное магнитное поле рассеяния, связывающее воспринимающий слой, составляет ниже около 50 Э;
причем способ содержит этапы, на которых:
выравнивают намагниченность восприятия в первом направлении посредством приложения первого магнитного поля считывания;
измеряют первое сопротивление упомянутого магнитного туннельного перехода, причем первое сопротивление определяют первым направлением намагниченности восприятия относительно ориентации намагниченности хранения;
выравнивают намагниченность восприятия во втором направлении;
измеряют второе сопротивление упомянутого магнитного туннельного перехода, причем второе сопротивление определяют вторым направлением намагниченности восприятия относительно ориентации намагниченности хранения;
определяют разность между значением первого сопротивления и значением второго сопротивления;
причем упомянутое выравнивание намагниченности восприятия во втором направлении содержит этап, на котором прикладывают второе магнитное поле считывания, имеющее величину около 50 Э или ниже.
12. Способ по п. 11, в котором
толщина первого ферромагнитного слоя и толщина второго ферромагнитного слоя выбраны так, что результирующее локальное магнитное поле рассеяния, связывающее воспринимающий слой, является, по существу, нулевым.
13. Способ по п. 12, в котором
величина первого и второго магнитных полей считывания составляет около 20 Э.
14. Способ по п. 11, в котором
толщина первого ферромагнитного слоя и толщина второго ферромагнитного слоя выбраны так, что результирующее локальное магнитное поле рассеяния, связывающее воспринимающий слой, заключается между около 40 Э и около 50 Э.
15. Способ по п. 14, в котором
второе магнитное поле считывания является, по существу, нулевым.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP11290444.6 | 2011-09-28 | ||
| EP11290444.6A EP2575135B1 (en) | 2011-09-28 | 2011-09-28 | Magnetic random access memory (MRAM) cell and method for reading the MRAM cell using a self-referenced read operation |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2012141305A true RU2012141305A (ru) | 2014-04-10 |
Family
ID=45787061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012141305/08A RU2012141305A (ru) | 2011-09-28 | 2012-09-27 | Ячейка магнитного оперативного запоминающего устройства (mram), способ записи и считывания ячейки mram с использованием операции самоотносительного считывания |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20130077390A1 (ru) |
| EP (1) | EP2575135B1 (ru) |
| JP (1) | JP2013093558A (ru) |
| KR (1) | KR20130034622A (ru) |
| CN (1) | CN103035280B (ru) |
| RU (1) | RU2012141305A (ru) |
| TW (1) | TW201329974A (ru) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2608208B1 (en) * | 2011-12-22 | 2015-02-11 | Crocus Technology S.A. | Self-referenced MRAM cell and method for writing the cell using a spin transfer torque write operation |
| EP2615610B1 (en) * | 2012-01-16 | 2016-11-02 | Crocus Technology S.A. | Mram cell and method for writing to the mram cell using a thermally assisted write operation with a reduced field current |
| EP2736045B1 (en) * | 2012-11-27 | 2016-09-21 | Crocus Technology S.A. | Magnetic random access memory (MRAM) cell with low power consumption |
| EP2741296B1 (en) * | 2012-12-07 | 2019-01-30 | Crocus Technology S.A. | Self-referenced magnetic random access memory (MRAM) and method for writing to the MRAM cell with increased reliability and reduced power consumption |
| EP2775480B1 (en) * | 2013-03-07 | 2018-11-14 | Crocus Technology S.A. | Self-referenced TAS-MRAM cell that can be read with reduced power consumption |
| US20150129946A1 (en) * | 2013-11-13 | 2015-05-14 | International Business Machines Corporation | Self reference thermally assisted mram with low moment ferromagnet storage layer |
| EP2905783B1 (en) | 2014-02-06 | 2018-09-19 | Crocus Technology S.A. | Method for writing to a multibit TAS-MRAM device configured for self-referenced read operation with improved reproducibly |
| EP2958108B1 (en) * | 2014-06-17 | 2019-08-28 | CROCUS Technology | Self-referenced multibit MRAM cell having a synthetic antiferromagnetic storage layer |
| EP2966453B1 (en) * | 2014-07-11 | 2018-10-31 | Crocus Technology | MLU based accelerometer using a magnetic tunnel junction |
| EP3045928B1 (en) * | 2015-01-16 | 2017-07-12 | Crocus Technology | Magnetic logic unit (MLU) cell for sensing magnetic fields with improved programmability and low reading consumption |
| KR20170064018A (ko) * | 2015-11-30 | 2017-06-09 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 전자 장치 |
| US10672976B2 (en) * | 2017-02-28 | 2020-06-02 | Spin Memory, Inc. | Precessional spin current structure with high in-plane magnetization for MRAM |
| KR102097204B1 (ko) | 2018-05-04 | 2020-04-03 | 한양대학교 산학협력단 | 다중 기준 저항 레벨을 적용하는 자기 저항 메모리 소자 및 이에 있어서 최적 기준 저항 레벨을 선택하는 방법 |
| GB2576174B (en) * | 2018-08-07 | 2021-06-16 | Ip2Ipo Innovations Ltd | Memory |
| CN111370573B (zh) * | 2018-12-26 | 2021-12-24 | 中电海康集团有限公司 | 磁存储单元及sot-mram存储器 |
| US11894029B1 (en) * | 2022-10-27 | 2024-02-06 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Spiking neural network hardware based on magnetic-tunnel-junction layer stacks |
| CN119212398B (zh) * | 2024-11-21 | 2025-04-22 | 青岛海存微电子有限公司 | 半导体存储器件及其制作方法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3234814B2 (ja) * | 1998-06-30 | 2001-12-04 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録装置 |
| US6693826B1 (en) * | 2001-07-30 | 2004-02-17 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Magnetic memory sensing method and apparatus |
| US6538917B1 (en) * | 2001-09-25 | 2003-03-25 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Read methods for magneto-resistive device having soft reference layer |
| FR2832542B1 (fr) | 2001-11-16 | 2005-05-06 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif magnetique a jonction tunnel magnetique, memoire et procedes d'ecriture et de lecture utilisant ce dispositif |
| DE10158795B4 (de) * | 2001-11-30 | 2005-12-22 | Infineon Technologies Ag | Magnetoresistive Speicherzelle mit dynamischer Referenzschicht |
| US6850433B2 (en) * | 2002-07-15 | 2005-02-01 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Magnetic memory device and method |
| JP5015600B2 (ja) * | 2003-10-14 | 2012-08-29 | エージェンシー フォー サイエンス，テクノロジー アンド リサーチ | 磁気メモリデバイス |
| JP4767861B2 (ja) * | 2003-10-31 | 2011-09-07 | エージェンシー フォー サイエンス，テクノロジー アンド リサーチ | ナノコンタクト磁気メモリデバイス |
| US7023724B2 (en) * | 2004-01-10 | 2006-04-04 | Honeywell International Inc. | Pseudo tunnel junction |
| US20060114616A1 (en) * | 2004-11-30 | 2006-06-01 | Tdk Corporation | Film and method for producing nano-particles for magnetoresistive device |
| JP5077802B2 (ja) * | 2005-02-16 | 2012-11-21 | 日本電気株式会社 | 積層強磁性構造体、及び、ｍｔｊ素子 |
| JP2007053143A (ja) * | 2005-08-15 | 2007-03-01 | Sony Corp | 記憶素子、メモリ |
| JP4380707B2 (ja) * | 2007-01-19 | 2009-12-09 | ソニー株式会社 | 記憶素子 |
| US20090303779A1 (en) * | 2008-06-05 | 2009-12-10 | Young-Shying Chen | Spin Torque Transfer MTJ Devices with High Thermal Stability and Low Write Currents |
| US20100091564A1 (en) * | 2008-10-10 | 2010-04-15 | Seagate Technology Llc | Magnetic stack having reduced switching current |
| US8289756B2 (en) * | 2008-11-25 | 2012-10-16 | Seagate Technology Llc | Non volatile memory including stabilizing structures |
| EP2276034B1 (en) * | 2009-07-13 | 2016-04-27 | Crocus Technology S.A. | Self-referenced magnetic random access memory cell |
| US8558331B2 (en) * | 2009-12-08 | 2013-10-15 | Qualcomm Incorporated | Magnetic tunnel junction device |
-
2011
- 2011-09-28 EP EP11290444.6A patent/EP2575135B1/en active Active
-
2012
- 2012-09-18 JP JP2012203976A patent/JP2013093558A/ja active Pending
- 2012-09-19 US US13/622,513 patent/US20130077390A1/en not_active Abandoned
- 2012-09-26 TW TW101135219A patent/TW201329974A/zh unknown
- 2012-09-27 KR KR1020120107900A patent/KR20130034622A/ko not_active Withdrawn
- 2012-09-27 CN CN201210373394.6A patent/CN103035280B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-09-27 RU RU2012141305/08A patent/RU2012141305A/ru not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2575135B1 (en) | 2015-08-05 |
| JP2013093558A (ja) | 2013-05-16 |
| EP2575135A1 (en) | 2013-04-03 |
| TW201329974A (zh) | 2013-07-16 |
| US20130077390A1 (en) | 2013-03-28 |
| KR20130034622A (ko) | 2013-04-05 |
| CN103035280A (zh) | 2013-04-10 |
| CN103035280B (zh) | 2016-07-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2012141305A (ru) | Ячейка магнитного оперативного запоминающего устройства (mram), способ записи и считывания ячейки mram с использованием операции самоотносительного считывания | |
| CN202083786U (zh) | 薄膜磁电阻传感元件、多个传感元件的组合及与该组合耦合的电子装置 | |
| US10720572B1 (en) | Skyrmion stack memory device | |
| CN102467954B (zh) | 切换向平面外的磁性隧道结单元的方法 | |
| RU2012155911A (ru) | Самоотносимая ячейка mram и способ для записи в упомянутую ячейку с использованием операции записи с переносом спинового момента | |
| WO2005082061A3 (en) | Spin transfer magnetic element with free layers having high perpendicular anisotropy and in-plane equilibrium magnetization | |
| WO2014031442A1 (en) | Multi-level memory cell using multiple magentic tunnel junctions with varying mgo thickness | |
| US8817530B2 (en) | Data-masked analog and digital read for resistive memories | |
| US8809978B2 (en) | Magnetic memory element and memory apparatus having multiple magnetization directions | |
| RU2012121194A (ru) | Многобитовая ячейка с синтетическим запоминающим слоем | |
| RU2011143173A (ru) | Многоуровневый магнитный элемент | |
| KR20160062809A (ko) | 재쓰기를 이용하여 로우 비트 에러 레이트를 개선하는 메모리 시스템 및 그에 따른 재쓰기 방법 | |
| RU2012153710A (ru) | Самоотносимый элемент магнитной оперативной памяти, содержащий синтетический запоминающий слой | |
| KR20160034821A (ko) | 자기 접합을 사용한 온도 검출을 위한 시스템 및 방법 | |
| KR20120114611A (ko) | 자화성 저장 소자를 구비한 반도체 메모리 장치 및 그 구동방법 | |
| RU2012140509A (ru) | Ячейка магнитного оперативного запоминающего устройства (mram) с самоадресацией, содержащая ферримагнитные слои | |
| KR100905737B1 (ko) | 수직자기이방성을 갖는 스핀밸브 자기저항소자 | |
| US20130163316A1 (en) | Memory element and memory apparatus | |
| KR20140136340A (ko) | Mtj소자를 이용한 열 감지 센서 | |
| US9111622B2 (en) | Self referencing sense amplifier for spin torque MRAM | |
| JP2007513502A (ja) | 磁界センサを有するｍｒａｍチップの不均一シールド | |
| US20140328119A1 (en) | Storage element and memory | |
| RU2013104558A (ru) | Самоотносимая ячейка магнитной памяти типа mram c линейным считывающим сигналом | |
| EP2791940B1 (en) | Random access memory architecture for reading bit states | |
| CN103268658A (zh) | 识别磁条上磁性图形的磁矩取向装置及其识别方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA94 | Acknowledgement of application withdrawn (non-payment of fees) |
Effective date: 20170508 |