RU2012142682A - Устройство фотоэлектрического преобразования и система формирования изображений - Google Patents

Устройство фотоэлектрического преобразования и система формирования изображений Download PDF

Info

Publication number
RU2012142682A
RU2012142682A RU2012142682/28A RU2012142682A RU2012142682A RU 2012142682 A RU2012142682 A RU 2012142682A RU 2012142682/28 A RU2012142682/28 A RU 2012142682/28A RU 2012142682 A RU2012142682 A RU 2012142682A RU 2012142682 A RU2012142682 A RU 2012142682A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
photoelectric conversion
conversion elements
semiconductor region
conversion device
conductivity
Prior art date
Application number
RU2012142682/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2561233C2 (ru
Inventor
Масахиро КОБАЯСИ
Такафуми КИШИ
Юитиро ЯМАСИТА
Original Assignee
Кэнон Кабусики Кайся
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Кэнон Кабусики Кайся filed Critical Кэнон Кабусики Кайся
Publication of RU2012142682A publication Critical patent/RU2012142682A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2561233C2 publication Critical patent/RU2561233C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/60—Control of cameras or camera modules
    • H04N23/67—Focus control based on electronic image sensor signals
    • H04N23/672—Focus control based on electronic image sensor signals based on the phase difference signals
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/60—Control of cameras or camera modules
    • H04N23/68—Control of cameras or camera modules for stable pick-up of the scene, e.g. compensating for camera body vibrations
    • H04N23/682—Vibration or motion blur correction
    • H04N23/685—Vibration or motion blur correction performed by mechanical compensation
    • H04N23/687—Vibration or motion blur correction performed by mechanical compensation by shifting the lens or sensor position
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/703—SSIS architectures incorporating pixels for producing signals other than image signals
    • H04N25/704—Pixels specially adapted for focusing, e.g. phase difference pixel sets
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/802—Geometry or disposition of elements in pixels, e.g. address-lines or gate electrodes
    • H10F39/8023—Disposition of the elements in pixels, e.g. smaller elements in the centre of the imager compared to larger elements at the periphery
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/803—Pixels having integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H10F39/8033—Photosensitive area
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/806—Optical elements or arrangements associated with the image sensors
    • H10F39/8063—Microlenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/813—Electronic components shared by multiple pixels, e.g. one amplifier shared by two pixels
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/50—Control of the SSIS exposure
    • H04N25/57—Control of the dynamic range
    • H04N25/58—Control of the dynamic range involving two or more exposures
    • H04N25/581—Control of the dynamic range involving two or more exposures acquired simultaneously
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H04N25/778—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising amplifiers shared between a plurality of pixels, i.e. at least one part of the amplifier must be on the sensor array itself
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

1. Устройство фотоэлектрического преобразования, включающее в себя множество блоков фотоэлектрического преобразования, причем каждый включает в себя множество элементов фотоэлектрического преобразования, и суммирующее сигналы множества элементов фотоэлектрического преобразования, включенных в блоки фотоэлектрического преобразования,в котором каждый из множества элементов фотоэлектрического преобразования включает в себя первую полупроводниковую область первого типа удельной проводимости для сбора сигнального заряда,в котором вторая полупроводниковая область второго типа удельной проводимости размещена между первыми полупроводниковыми областями элементов фотоэлектрического преобразования, размещенных рядом друг с другом и включенных в блок фотоэлектрического преобразования,в котором третья полупроводниковая область второго типа удельной проводимости размещена между первыми полупроводниковыми областями элементов фотоэлектрического преобразования, размещенных рядом друг с другом среди множества элементов фотоэлектрического преобразования, включенных в разные блоки фотоэлектрического преобразования, размещенные рядом друг с другом, ив котором концентрация примеси второго типа удельной проводимости, по меньшей мере, участка второй полупроводниковой области ниже концентрации примеси второго типа удельной проводимости третьей полупроводниковой области.2. Устройство фотоэлектрического преобразования по п.1, в котором каждый из блоков фотоэлектрического преобразования включает в себя множество элементов фотоэлектрического преобразования, на которые падает свет, сконцентрирован�

Claims (19)

1. Устройство фотоэлектрического преобразования, включающее в себя множество блоков фотоэлектрического преобразования, причем каждый включает в себя множество элементов фотоэлектрического преобразования, и суммирующее сигналы множества элементов фотоэлектрического преобразования, включенных в блоки фотоэлектрического преобразования,
в котором каждый из множества элементов фотоэлектрического преобразования включает в себя первую полупроводниковую область первого типа удельной проводимости для сбора сигнального заряда,
в котором вторая полупроводниковая область второго типа удельной проводимости размещена между первыми полупроводниковыми областями элементов фотоэлектрического преобразования, размещенных рядом друг с другом и включенных в блок фотоэлектрического преобразования,
в котором третья полупроводниковая область второго типа удельной проводимости размещена между первыми полупроводниковыми областями элементов фотоэлектрического преобразования, размещенных рядом друг с другом среди множества элементов фотоэлектрического преобразования, включенных в разные блоки фотоэлектрического преобразования, размещенные рядом друг с другом, и
в котором концентрация примеси второго типа удельной проводимости, по меньшей мере, участка второй полупроводниковой области ниже концентрации примеси второго типа удельной проводимости третьей полупроводниковой области.
2. Устройство фотоэлектрического преобразования по п.1, в котором каждый из блоков фотоэлектрического преобразования включает в себя множество элементов фотоэлектрического преобразования, на которые падает свет, сконцентрированный посредством одной микролинзы.
3. Устройство фотоэлектрического преобразования по п.1, в котором концентрация примеси третьей полупроводниковой области в три раза или более превышает концентрацию примеси участка второй полупроводниковой области.
4. Устройство фотоэлектрического преобразования по п.3, в котором концентрация примеси третьей полупроводниковой области в десять раз или более превышает концентрацию примеси участка второй полупроводниковой области.
5. Устройство фотоэлектрического преобразования по п.1, в котором вторая полупроводниковая область включает в себя первый участок и второй участок, и концентрация примеси первого участка ниже концентрации примеси второго участка, или ширина первого участка меньше ширины второго участка относительно вида сверху.
6. Устройство фотоэлектрического преобразования по п.5, в котором первый участок размещен на глубине, отличающейся от глубины второго участка.
7. Устройство фотоэлектрического преобразования по п.5, в котором первый участок размещен в позиции, планарно отличающейся от второго участка относительно вида сверху второй полупроводниковой области.
8. Устройство фотоэлектрического преобразования по п.5, в котором глубина пика концентрации примеси первого участка отличается от глубины пика концентрации примеси первой полупроводниковой области.
9. Устройство фотоэлектрического преобразования по п.5, в котором каждый из блоков фотоэлектрического преобразования включает в себя множество элементов фотоэлектрического преобразования, на которые падает свет, сконцентрированный посредством одной микролинзы, и
в котором первый участок размещен со смещением в, по меньшей мере, одном направлении относительно позиции проекции центральной позиции микролинзы на светоприемной поверхности.
10. Устройство фотоэлектрического преобразования по п.9, в котором величина смещения составляет 0,1 мкм или более.
11. Устройство фотоэлектрического преобразования по любому из пп.1-10, в котором каждый из множества элементов фотоэлектрического преобразования размещен в другой позиции относительно вида сверху элементов фотоэлектрического преобразования.
12. Устройство фотоэлектрического преобразования, включающее в себя множество блоков фотоэлектрического преобразования, включающих в себя множество элементов фотоэлектрического преобразования, и суммирующее сигналы множества элементов фотоэлектрического преобразования, включенных в блоки фотоэлектрического преобразования,
в котором каждый из множества элементов фотоэлектрического преобразования включает в себя первую полупроводниковую область первого типа удельной проводимости для сбора сигнального заряда,
в котором высота потенциального барьера относительно сигнального заряда, по меньшей мере, участка области между первыми полупроводниковыми областями элементов фотоэлектрического преобразования, размещенных рядом друг с другом и включенных в один тот же блок фотоэлектрического преобразования, ниже высоты потенциального барьера, расположенного между первыми полупроводниковыми областями элементов фотоэлектрического преобразования, размещенных рядом друг с другом среди множества элементов фотоэлектрического преобразования, включенных в разные блоки фотоэлектрического преобразования, размещенные рядом друг с другом.
13. Устройство фотоэлектрического преобразования по п.12, в котором вторая полупроводниковая область второго типа удельной проводимости размещена в, по меньшей мере, участке между первыми полупроводниковыми областями элементов фотоэлектрического преобразования, размещенных рядом друг с другом и включенных в блок фотоэлектрического преобразования, и
в котором изолятор размещен в области между первыми полупроводниковыми областями элементов фотоэлектрического преобразования, размещенных рядом друг с другом среди множества элементов фотоэлектрического преобразования, включенных в разные блоки фотоэлектрического преобразования, размещенные рядом друг с другом.
14. Устройство фотоэлектрического преобразования по п.13, в котором третья полупроводниковая область второго типа удельной проводимости размещена в нижней части изолятора.
15. Устройство фотоэлектрического преобразования по п.12,
в котором вторая полупроводниковая область второго типа удельной проводимости размещена в, по меньшей мере, участке между первыми полупроводниковыми областями элементов фотоэлектрического преобразования, размещенных рядом друг с другом и включенных в блок фотоэлектрического преобразования, и
в котором третья полупроводниковая область второго типа удельной проводимости размещена в области между первыми полупроводниковыми областями элементов фотоэлектрического преобразования, размещенных рядом друг с другом среди множества элементов фотоэлектрического преобразования, включенных в разные блоки фотоэлектрического преобразования, размещенные рядом друг с другом.
16. Система формирования изображений, содержащая:
устройство фотоэлектрического преобразования по п.1,
при этом система формирования изображений выполнена с возможностью захватывать изображение на основе сигнала, получаемого посредством суммирования сигналов множества элементов фотоэлектрического преобразования, включенных в блок фотоэлектрического преобразования, и
выполнять определение фокусировки, когда изображение захватывается с использованием, по меньшей мере, одного сигнала из сигналов множества элементов фотоэлектрического преобразования, включенных в блок фотоэлектрического преобразования.
17. Система формирования изображений по п.16, в которой, если величина заряда одного или более элементов фотоэлектрического преобразования в блоке фотоэлектрического преобразования превышает величину заряда, которая может быть накоплена, то определение фокусировки прекращается.
18. Система формирования изображений, содержащая:
устройство фотоэлектрического преобразования по п.12,
при этом система формирования изображений выполнена с возможностью захватывать изображение на основе сигнала, получаемого посредством суммирования сигналов множества элементов фотоэлектрического преобразования, включенных в блок фотоэлектрического преобразования, и
выполнять определение фокусировки, когда изображение захватывается с использованием, по меньшей мере, одного сигнала из сигналов множества элементов фотоэлектрического преобразования, включенных в блок фотоэлектрического преобразования.
19. Система формирования изображений по п.18, в которой, если величина заряда одного или более элементов фотоэлектрического преобразования в блоке фотоэлектрического преобразования превышает величину заряда, которая может быть накоплена, то определение фокусировки прекращается.
RU2012142682/28A 2011-10-07 2012-10-05 Устройство фотоэлектрического преобразования и система формирования изображений RU2561233C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011223293A JP5743837B2 (ja) 2011-10-07 2011-10-07 光電変換装置、撮像装置および撮像システム
JP2011-223293 2011-10-07

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2015128615A Division RU2608319C1 (ru) 2011-10-07 2012-10-05 Устройство фотоэлектрического преобразования и система формирования изображений

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012142682A true RU2012142682A (ru) 2014-04-10
RU2561233C2 RU2561233C2 (ru) 2015-08-27

Family

ID=47143511

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2015128615A RU2608319C1 (ru) 2011-10-07 2012-10-05 Устройство фотоэлектрического преобразования и система формирования изображений
RU2012142682/28A RU2561233C2 (ru) 2011-10-07 2012-10-05 Устройство фотоэлектрического преобразования и система формирования изображений

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2015128615A RU2608319C1 (ru) 2011-10-07 2012-10-05 Устройство фотоэлектрического преобразования и система формирования изображений

Country Status (6)

Country Link
US (2) US8736005B2 (ru)
EP (1) EP2579311B1 (ru)
JP (1) JP5743837B2 (ru)
CN (2) CN105405858B (ru)
BR (1) BR102012024031A2 (ru)
RU (2) RU2608319C1 (ru)

Families Citing this family (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5755111B2 (ja) * 2011-11-14 2015-07-29 キヤノン株式会社 撮像装置の駆動方法
JP6172888B2 (ja) 2012-01-18 2017-08-02 キヤノン株式会社 撮像装置および撮像システム
JP5584270B2 (ja) 2012-11-08 2014-09-03 オリンパス株式会社 撮像装置
JP6021613B2 (ja) * 2012-11-29 2016-11-09 キヤノン株式会社 撮像素子、撮像装置、および、撮像システム
JP6231741B2 (ja) * 2012-12-10 2017-11-15 キヤノン株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
JP6264616B2 (ja) * 2013-01-30 2018-01-24 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 撮像装置及び固体撮像装置
KR102007277B1 (ko) * 2013-03-11 2019-08-05 삼성전자주식회사 3차원 이미지 센서의 거리 픽셀 및 이를 포함하는 3차원 이미지 센서
JP6238546B2 (ja) * 2013-04-08 2017-11-29 キヤノン株式会社 光電変換装置および撮像システム
JP6119432B2 (ja) * 2013-05-31 2017-04-26 ソニー株式会社 固体撮像素子、電子機器、および製造方法
JP2015088621A (ja) * 2013-10-30 2015-05-07 株式会社東芝 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法
JP6305028B2 (ja) 2013-11-22 2018-04-04 キヤノン株式会社 光電変換装置の製造方法および光電変換装置
JP2015115402A (ja) * 2013-12-10 2015-06-22 キヤノン株式会社 導電体パターンの形成方法および半導体装置の製造方法
KR102136852B1 (ko) * 2013-12-30 2020-07-22 삼성전자 주식회사 Tfa 기반의 시모스 이미지 센서 및 그 동작방법
JP6355362B2 (ja) * 2014-02-28 2018-07-11 キヤノン株式会社 光電変換装置および撮像システム
US9711553B2 (en) 2014-04-28 2017-07-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Image sensor including a pixel having photoelectric conversion elements and image processing device having the image sensor
JP2015233270A (ja) * 2014-05-13 2015-12-24 キヤノン株式会社 撮像装置およびその制御方法
JP6600170B2 (ja) 2014-07-07 2019-10-30 キヤノン株式会社 撮像素子及びその制御方法並びに撮像装置
KR102286109B1 (ko) 2014-08-05 2021-08-04 삼성전자주식회사 이미지 픽셀, 이를 포함하는 이미지 센서, 및 이를 포함하는 이미지 처리 시스템
CN104241310B (zh) * 2014-09-23 2017-11-07 上海集成电路研发中心有限公司 一种具有双微透镜层的cmos图像像素阵列
JP6585890B2 (ja) * 2014-09-30 2019-10-02 キヤノン株式会社 画像処理装置、画像処理方法およびプログラム、並びに撮像装置
CN105655362B (zh) * 2014-12-03 2018-12-21 比亚迪股份有限公司 防串扰图像传感器
KR20160100569A (ko) * 2015-02-16 2016-08-24 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이미지 센서를 포함하는 촬상 장치
KR102219941B1 (ko) 2015-03-10 2021-02-25 삼성전자주식회사 이미지 센서, 이를 포함하는 데이터 처리 시스템, 및 모바일 컴퓨팅 장치
US9768213B2 (en) 2015-06-03 2017-09-19 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state image sensor and camera
JP6764234B2 (ja) * 2015-06-03 2020-09-30 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びカメラ
KR20170019542A (ko) * 2015-08-11 2017-02-22 삼성전자주식회사 자동 초점 이미지 센서
JP2017045873A (ja) * 2015-08-27 2017-03-02 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2017059563A (ja) * 2015-09-14 2017-03-23 ルネサスエレクトロニクス株式会社 撮像素子
KR102437162B1 (ko) * 2015-10-12 2022-08-29 삼성전자주식회사 이미지 센서
JP6746301B2 (ja) 2015-11-30 2020-08-26 キヤノン株式会社 撮像装置の駆動方法、撮像装置、撮像システム
KR102481481B1 (ko) * 2015-12-15 2022-12-26 삼성전자 주식회사 이미지 센서 및 그 제조 방법
KR102541701B1 (ko) 2016-01-15 2023-06-13 삼성전자주식회사 씨모스 이미지 센서
JP2017162985A (ja) * 2016-03-09 2017-09-14 キヤノン株式会社 撮像装置
JP6789653B2 (ja) * 2016-03-31 2020-11-25 キヤノン株式会社 光電変換装置およびカメラ
JP6738200B2 (ja) 2016-05-26 2020-08-12 キヤノン株式会社 撮像装置
JP6789722B2 (ja) * 2016-08-12 2020-11-25 キヤノン株式会社 撮像装置及びその駆動方法
JP6833430B2 (ja) * 2016-09-27 2021-02-24 東芝情報システム株式会社 固体撮像素子の製造方法
JP6776079B2 (ja) * 2016-09-27 2020-10-28 東芝情報システム株式会社 固体撮像素子及びその製造方法
US10075663B2 (en) * 2017-01-20 2018-09-11 Semiconductor Components Industries, Llc Phase detection pixels with high speed readout
JP7121468B2 (ja) * 2017-02-24 2022-08-18 ブリルニクス シンガポール プライベート リミテッド 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器
JP7316764B2 (ja) * 2017-05-29 2023-07-28 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置、及び電子機器
US10818715B2 (en) * 2017-06-26 2020-10-27 Canon Kabushiki Kaisha Solid state imaging device and manufacturing method thereof
JP7256608B2 (ja) * 2017-06-26 2023-04-12 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
JP7039205B2 (ja) * 2017-07-27 2022-03-22 キヤノン株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、及び撮像装置
JP6506814B2 (ja) * 2017-10-18 2019-04-24 キヤノン株式会社 固体撮像装置およびカメラ
JP2019080141A (ja) * 2017-10-24 2019-05-23 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置及び電子機器
KR102412278B1 (ko) * 2017-11-06 2022-06-24 삼성전자 주식회사 보색관계의 필터 어레이를 포함하는 카메라 모듈 및 그를 포함하는 전자 장치
JP2019102494A (ja) * 2017-11-28 2019-06-24 キヤノン株式会社 光電変換装置およびその製造方法、機器
JP7250427B2 (ja) * 2018-02-09 2023-04-03 キヤノン株式会社 光電変換装置、撮像システム、および移動体
US11107853B2 (en) * 2018-10-19 2021-08-31 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion apparatus
JP2020113573A (ja) * 2019-01-08 2020-07-27 キヤノン株式会社 光電変換装置
KR102642977B1 (ko) 2019-02-13 2024-03-05 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센싱 장치 및 그 제조 방법
JP7379230B2 (ja) * 2020-03-19 2023-11-14 株式会社東芝 光検出器、光検出システム、ライダー装置、及び車
TWI910139B (zh) * 2020-03-27 2026-01-01 日商索尼半導體解決方案公司 攝像裝置及電子機器
KR102904474B1 (ko) 2020-10-05 2025-12-24 삼성전자 주식회사 이미지 센서 및 이를 포함하는 전자 시스템
WO2022080124A1 (ja) * 2020-10-12 2022-04-21 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置および撮像装置の製造方法
TW202236656A (zh) * 2021-02-18 2022-09-16 日商索尼半導體解決方案公司 固態攝像裝置及電子機器
WO2022201835A1 (ja) * 2021-03-24 2022-09-29 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子及び撮像装置
JP2021103793A (ja) * 2021-03-31 2021-07-15 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 受光素子及び電子機器
JP2023012890A (ja) * 2021-07-14 2023-01-26 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出装置及び電子機器
JP7403506B2 (ja) * 2021-08-05 2023-12-22 キヤノン株式会社 光電変換装置、撮像装置、機器及び光電変換装置の駆動方法
JP2024153347A (ja) * 2023-04-17 2024-10-29 キヤノン株式会社 光電変換装置および光電変換システム
JP2025165287A (ja) * 2024-04-22 2025-11-04 キヤノン株式会社 光電変換装置、機器

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3511772B2 (ja) * 1995-12-21 2004-03-29 ソニー株式会社 固体撮像素子、固体撮像素子の駆動方法、カメラ装置及びカメラシステム
JP2001250931A (ja) * 2000-03-07 2001-09-14 Canon Inc 固体撮像装置およびこれを用いた撮像システム
JP4500434B2 (ja) * 2000-11-28 2010-07-14 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム、並びに撮像方法
US7719040B2 (en) * 2005-08-03 2010-05-18 Panasonic Corporation Solid-state imaging device
JP5076528B2 (ja) * 2007-02-06 2012-11-21 株式会社ニコン 光電変換部の連結／分離構造、固体撮像素子及び撮像装置
JP2008270298A (ja) * 2007-04-16 2008-11-06 Nikon Corp 固体撮像素子及びこれを用いた撮像装置
JP5171158B2 (ja) * 2007-08-22 2013-03-27 浜松ホトニクス株式会社 固体撮像装置及び距離画像測定装置
JP5314914B2 (ja) * 2008-04-04 2013-10-16 キヤノン株式会社 光電変換装置、撮像システム、設計方法、及び光電変換装置の製造方法
JP5213501B2 (ja) * 2008-04-09 2013-06-19 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP5283965B2 (ja) * 2008-05-09 2013-09-04 キヤノン株式会社 光電変換装置及びそれを用いた撮像システム
JP5279352B2 (ja) * 2008-06-06 2013-09-04 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP2010206181A (ja) * 2009-02-06 2010-09-16 Canon Inc 光電変換装置及び撮像システム
JP5558857B2 (ja) * 2009-03-09 2014-07-23 キヤノン株式会社 光電変換装置およびそれを用いた撮像システム
KR101420710B1 (ko) * 2009-10-09 2014-07-17 캐논 가부시끼가이샤 고체 촬상장치 및 그 제조방법
JP5564909B2 (ja) * 2009-11-30 2014-08-06 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
JP6039165B2 (ja) * 2011-08-11 2016-12-07 キヤノン株式会社 撮像素子及び撮像装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP2579311A3 (en) 2013-08-28
US8736005B2 (en) 2014-05-27
CN103035661B (zh) 2015-11-18
US9123603B2 (en) 2015-09-01
US20130087875A1 (en) 2013-04-11
JP2013084742A (ja) 2013-05-09
EP2579311B1 (en) 2019-04-10
CN103035661A (zh) 2013-04-10
JP5743837B2 (ja) 2015-07-01
BR102012024031A2 (pt) 2013-09-03
EP2579311A2 (en) 2013-04-10
RU2608319C1 (ru) 2017-01-17
CN105405858A (zh) 2016-03-16
RU2561233C2 (ru) 2015-08-27
CN105405858B (zh) 2018-12-11
US20140225213A1 (en) 2014-08-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2013084742A5 (ja) 光電変換装置、撮像装置および撮像システム
RU2013102275A (ru) Устройство снятия изображения и система снятия изображения
JP2014204043A5 (ru)
JP2015188049A5 (ru)
JP2018064086A5 (ru)
JP2020504507A5 (ru)
KR101373132B1 (ko) 마이크로 렌즈를 이용한 위상차 검출 픽셀
RU2012118396A (ru) Твердотельное устройство захвата изображения
RU2015118892A (ru) Устройство захвата изображения и система захвата изображения
US8441087B2 (en) Direct readout focal plane array
JP2014003243A5 (ru)
JP2017084892A5 (ru)
JP2013080797A5 (ru)
JP2021192452A (ja) 光検出器
WO2015147963A3 (en) Anti-reflection layer for back-illuminated sensor
JP2019145619A5 (ru)
JP2013149740A5 (ru)
TW200943938A (en) Solid-state imaging device and camera
JP2011129785A5 (ru)
RU2011113183A (ru) Твердотельный датчик изображения и система формирования изображения
RU2011127865A (ru) Твердотельное устройство формирования изображения и система формирования изображения
JP2010206178A5 (ru)
JP2012129371A5 (ru)
EP2579311A3 (en) Photoelectric conversion device and imaging system
RU2014139258A (ru) Твердотельное устройство формирования изображения, способ изготовления этого устройства и система формирования изображения

Legal Events

Date Code Title Description
FA94 Acknowledgement of application withdrawn (non-payment of fees)

Effective date: 20150129

FZ9A Application not withdrawn (correction of the notice of withdrawal)

Effective date: 20150319