RU2012143942A - Мультиспектральное светочувствительное устройство и способ его изготовления - Google Patents

Мультиспектральное светочувствительное устройство и способ его изготовления Download PDF

Info

Publication number
RU2012143942A
RU2012143942A RU2012143942/28A RU2012143942A RU2012143942A RU 2012143942 A RU2012143942 A RU 2012143942A RU 2012143942/28 A RU2012143942/28 A RU 2012143942/28A RU 2012143942 A RU2012143942 A RU 2012143942A RU 2012143942 A RU2012143942 A RU 2012143942A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
photosensitive
pixels
base layer
multispectral
sides
Prior art date
Application number
RU2012143942/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2512074C1 (ru
Inventor
Сяопин ХУ
Original Assignee
Боли Медиа Коммуникейшнз (Шэньчжэнь) Ко., Лтд.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Боли Медиа Коммуникейшнз (Шэньчжэнь) Ко., Лтд. filed Critical Боли Медиа Коммуникейшнз (Шэньчжэнь) Ко., Лтд.
Application granted granted Critical
Publication of RU2512074C1 publication Critical patent/RU2512074C1/ru
Publication of RU2012143942A publication Critical patent/RU2012143942A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/10—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
    • H04N25/17—Colour separation based on photon absorption depth, e.g. full colour resolution obtained simultaneously at each pixel location
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
    • H10F39/182—Colour image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/802—Geometry or disposition of elements in pixels, e.g. address-lines or gate electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/803—Pixels having integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H10F39/8033—Photosensitive area
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/805—Coatings
    • H10F39/8053—Colour filters
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/805—Coatings
    • H10F39/8057—Optical shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N2209/00—Details of colour television systems
    • H04N2209/04—Picture signal generators
    • H04N2209/041—Picture signal generators using solid-state devices
    • H04N2209/042—Picture signal generators using solid-state devices having a single pick-up sensor
    • H04N2209/047—Picture signal generators using solid-state devices having a single pick-up sensor using multispectral pick-up elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
    • H10F39/182—Colour image sensors
    • H10F39/1825—Multicolour image sensors having stacked structure, e.g. NPN, NPNPN or multiple quantum well [MQW] structures
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
    • H10F39/184—Infrared image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/813—Electronic components shared by multiple pixels, e.g. one amplifier shared by two pixels
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Color Television Image Signal Generators (AREA)
  • Spectrometry And Color Measurement (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

1. Мультиспектральное светочувствительное устройство, содержащее, по меньшей мере, один непрозрачный слой основы, причем каждый слой основы содержит, по меньшей мере, две стороны, по меньшей мере, две из сторон снабжены группами светочувствительных пикселей, каждая группа светочувствительных пикселей используется для восприятия света спектра, представляющего интерес, излучаемого с фронтального направления стороны, на которой расположена группа светочувствительных пикселей.2. Мультиспектральное светочувствительное устройство по п.1, в котором существует один слой основы, снабженный двумя сторонами восприятия, две стороны восприятия соответственно содержат светочувствительные пиксели, используемые для восприятия различных спектров, причем светочувствительные пиксели расположены с одинаковым или различным распределением.3. Мультиспектральное светочувствительное устройство по п.1, в котором набор линз установлен соответственно напротив каждой стороны слоя основы.4. Мультиспектральное светочувствительное устройство по пп.1-3, в котором спектр, представляющий интерес, содержит один или более из спектров синего, зеленого, красного, голубого, желтого, белого, инфракрасного, красного плюс инфракрасный, желтого плюс инфракрасный и белого плюс инфракрасный спектр.5. Способ изготовления мультиспектрального светочувствительного устройства, содержащий этапы, на которыхобеспечивают, по меньшей мере, один непрозрачный слой основы, причем каждый слой основы содержит, по меньшей мере, две стороны, ипо меньшей мере, две из сторон снабжены группами светочувствительных пикселей, каждая группа светочувствительных п

Claims (16)

1. Мультиспектральное светочувствительное устройство, содержащее, по меньшей мере, один непрозрачный слой основы, причем каждый слой основы содержит, по меньшей мере, две стороны, по меньшей мере, две из сторон снабжены группами светочувствительных пикселей, каждая группа светочувствительных пикселей используется для восприятия света спектра, представляющего интерес, излучаемого с фронтального направления стороны, на которой расположена группа светочувствительных пикселей.
2. Мультиспектральное светочувствительное устройство по п.1, в котором существует один слой основы, снабженный двумя сторонами восприятия, две стороны восприятия соответственно содержат светочувствительные пиксели, используемые для восприятия различных спектров, причем светочувствительные пиксели расположены с одинаковым или различным распределением.
3. Мультиспектральное светочувствительное устройство по п.1, в котором набор линз установлен соответственно напротив каждой стороны слоя основы.
4. Мультиспектральное светочувствительное устройство по пп.1-3, в котором спектр, представляющий интерес, содержит один или более из спектров синего, зеленого, красного, голубого, желтого, белого, инфракрасного, красного плюс инфракрасный, желтого плюс инфракрасный и белого плюс инфракрасный спектр.
5. Способ изготовления мультиспектрального светочувствительного устройства, содержащий этапы, на которых
обеспечивают, по меньшей мере, один непрозрачный слой основы, причем каждый слой основы содержит, по меньшей мере, две стороны, и
по меньшей мере, две из сторон снабжены группами светочувствительных пикселей, каждая группа светочувствительных пикселей используется для восприятия света спектра, представляющего интерес, излучаемого с фронтального направления стороны, на которой расположена группа светочувствительных пикселей.
6. Мультиспектральное светочувствительное устройство, содержащее, по меньшей мере, один прозрачный слой основы, причем каждый слой основы содержит, по меньшей мере, две стороны, по меньшей мере, две из сторон снабжены группами светочувствительных пикселей, каждая группа светочувствительных пикселей используется для восприятия света спектра, представляющего интерес, излучаемого с фронтального направления или тыльного направления стороны, на которой расположена группа светочувствительных пикселей.
7. Мультиспектральное светочувствительное устройство по п.6, в котором существует один слой основы, снабженный двумя сторонами восприятия, две стороны восприятия соответственно содержат светочувствительные пиксели, используемые для восприятия различных спектров, причем светочувствительные пиксели расположены с одинаковым или различным распределением.
8. Мультиспектральное светочувствительное устройство по п.6, в котором спектр, представляющий интерес, содержит один или более из спектров синего, зеленого, красного, голубого, желтого, белого, инфракрасного, красного плюс инфракрасный, желтого плюс инфракрасный и белого плюс инфракрасный спектр.
9. Мультиспектральное светочувствительное устройство по п.6, в котором пиксели на фронтальной стороне и тыльной стороне симметричны по направлению.
10. Мультиспектральное светочувствительное устройство по п.6, в котором при облучении с одного направления, спектр, воспринимаемый светочувствительными пикселями на тыльной стороне, ортогонален спектру, воспринимаемому светочувствительными пикселями в тех же позициях на фронтальной стороне.
11. Мультиспектральное светочувствительное устройство по п.10, в котором при облучении с одного направления, спектр, воспринимаемый светочувствительными пикселями на тыльной стороне, дополнителен спектру, воспринимаемому светочувствительными пикселями в тех же позициях на фронтальной стороне.
12. Мультиспектральное светочувствительное устройство по п.11, дополнительно содержащее средство выбора направления, причем средство выбора направления предназначено для, когда все или часть пикселей на выбранной стороне воспринимают, экранирования пикселей в соответствующей позиции на стороне, симметричной выбранной стороне.
13. Мультиспектральное светочувствительное устройство по п.12, в котором средство выбора направления является синхронной многозатворной системой, каждый затвор которой располагается напротив каждой стороны слоя основы, и два затвора в группе напротив двух сторон, противоположных друг другу, одновременно находятся соответственно в открытом состоянии и закрытом состоянии.
14. Мультиспектральное светочувствительное устройство по п.12, в котором средство выбора направления является экранирующей пленкой, покрывающей часть пикселей на каждой стороне слоя основы в соответствии с заранее установленным шаблоном выбора направления пикселем, и, самое большее, один из двух пикселей в одной и той же позиции на фронтальной стороне и тыльной стороне покрыт экранирующей пленкой.
15. Мультиспектральное светочувствительное устройство по п.14, в котором шаблон выбора направления пикселем выбран из диагонального шаблона, горизонтального шаблона каждых трех столбцов, горизонтального шаблона каждых двух столбцов, вертикального шаблона каждых трех строк, вертикального шаблона каждых двух строк и шаблона разделения области.
16. Способ изготовления мультиспектрального светочувствительного устройства, содержащий этапы, на которых
обеспечивают, по меньшей мере, один прозрачный слой основы, причем каждый слой основы содержит, по меньшей мере, две стороны, и
по меньшей мере, две из сторон снабжены группами светочувствительных пикселей, причем каждая воспринимающая светочувствительная группа используется для восприятия света спектра, представляющего интерес, излучаемого с фронтального направления или тыльного направления стороны, на которой расположены группы светочувствительных пикселей.
RU2012143942/28A 2010-06-01 2010-06-01 Мультиспектральное светочувствительное устройство и способ его изготовления RU2512074C1 (ru)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2010/073441 WO2011150552A1 (zh) 2010-06-01 2010-06-01 多光谱感光器件及其制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2512074C1 RU2512074C1 (ru) 2014-04-10
RU2012143942A true RU2012143942A (ru) 2014-04-20

Family

ID=45066112

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012143942/28A RU2512074C1 (ru) 2010-06-01 2010-06-01 Мультиспектральное светочувствительное устройство и способ его изготовления

Country Status (8)

Country Link
US (1) US10008522B2 (ru)
EP (1) EP2509108B1 (ru)
JP (1) JP6017311B2 (ru)
KR (2) KR101461405B1 (ru)
CA (1) CA2788714C (ru)
ES (1) ES2763182T3 (ru)
RU (1) RU2512074C1 (ru)
WO (1) WO2011150552A1 (ru)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9077910B2 (en) * 2011-04-06 2015-07-07 Dolby Laboratories Licensing Corporation Multi-field CCD capture for HDR imaging
DE102012109987B4 (de) * 2012-05-15 2017-08-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. BSI-Bildsensor-Chips mit integrierten Farbfiltern und Verfahren zu deren Herstellung
US9349769B2 (en) 2012-08-22 2016-05-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Image sensor comprising reflective guide layer and method of forming the same
JP2015060121A (ja) * 2013-09-19 2015-03-30 株式会社東芝 カラーフィルタアレイおよび固体撮像素子
US9883149B2 (en) * 2014-08-01 2018-01-30 Sri International Imaging sensor and method for color night vision
JP6561571B2 (ja) * 2015-05-12 2019-08-21 ソニー株式会社 医療用撮像装置、撮像方法及び撮像装置
US10644073B2 (en) * 2016-12-19 2020-05-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Image sensors and electronic devices including the same
DE102019102176B4 (de) * 2019-01-29 2022-11-24 Senorics Gmbh Hybrides multispektrales Bauelement

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3971065A (en) 1975-03-05 1976-07-20 Eastman Kodak Company Color imaging array
US4388532A (en) 1981-04-27 1983-06-14 Eastman Kodak Company Solid state image sensor with image sensing elements having charge coupled photocapacitors and a floating gate amplifier
US4514755A (en) * 1983-07-08 1985-04-30 Fuji Photo Film Co., Ltd. Solid-state color imager with two layer three story structure
US4679068A (en) 1985-07-25 1987-07-07 General Electric Company Composite visible/thermal-infrared imaging system
JPH02177474A (ja) 1988-12-28 1990-07-10 Victor Co Of Japan Ltd 固体撮像素子
US5134274A (en) 1991-03-18 1992-07-28 Hughes Aircraft Company Two-sided solid-state imaging device
JP2920702B2 (ja) 1991-03-19 1999-07-19 株式会社ニコン 半導体装置
US5244817A (en) 1992-08-03 1993-09-14 Eastman Kodak Company Method of making backside illuminated image sensors
US6865000B2 (en) * 1994-12-06 2005-03-08 Canon Kabushiki Kaisha Image reading apparatus for grouping sensors according to characteristics
JPH08248473A (ja) * 1995-03-10 1996-09-27 Nikon Corp 閃光撮影可能なカメラの制御装置
US5696371A (en) * 1996-05-23 1997-12-09 Eastman Kodak Company Diffractive/refractive lenslet array
US6137100A (en) 1998-06-08 2000-10-24 Photobit Corporation CMOS image sensor with different pixel sizes for different colors
US6198147B1 (en) * 1998-07-06 2001-03-06 Intel Corporation Detecting infrared and visible light
US6150708A (en) * 1998-11-13 2000-11-21 Advanced Micro Devices, Inc. Advanced CMOS circuitry that utilizes both sides of a wafer surface for increased circuit density
US6429036B1 (en) 1999-01-14 2002-08-06 Micron Technology, Inc. Backside illumination of CMOS image sensor
US6169369B1 (en) 1999-09-29 2001-01-02 General Electric Company Low cost, precision electronic starter
JP2001284631A (ja) 2000-03-30 2001-10-12 Toshiba Corp 光検出器及び光検出システム
US7265397B1 (en) 2000-08-30 2007-09-04 Sarnoff Corporation CCD imager constructed with CMOS fabrication techniques and back illuminated imager with improved light capture
JP4278080B2 (ja) * 2000-09-27 2009-06-10 富士フイルム株式会社 高感度受光素子及びイメージセンサー
JP4000449B2 (ja) * 2002-02-26 2007-10-31 ソニー株式会社 イメージセンサ、撮像装置および携帯電話機
US7129466B2 (en) 2002-05-08 2006-10-31 Canon Kabushiki Kaisha Color image pickup device and color light-receiving device
FR2849273B1 (fr) * 2002-12-19 2005-10-14 Commissariat Energie Atomique Matrice de detecteurs multispectraux
US7619683B2 (en) 2003-08-29 2009-11-17 Aptina Imaging Corporation Apparatus including a dual camera module and method of using the same
JP2006005762A (ja) 2004-06-18 2006-01-05 Sharp Corp 画像入力装置およびそれを備えた携帯情報端末装置
JP2006237361A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Iwate Toshiba Electronics Co Ltd Ｃｍｏｓイメージセンサ
RU2351038C2 (ru) * 2005-08-31 2009-03-27 Кэнон Кабусики Кайся Устройство обнаружения излучения, устройство формирования изображения излучения и система формирования изображения излучения
JP2007202107A (ja) * 2005-12-27 2007-08-09 Sanyo Electric Co Ltd 撮像装置
CN100563018C (zh) 2006-05-09 2009-11-25 台湾积体电路制造股份有限公司 背照式传感器及其形成方法
JP4855192B2 (ja) 2006-09-14 2012-01-18 富士フイルム株式会社 イメージセンサ及びデジタルカメラ
JP2008245217A (ja) 2007-03-29 2008-10-09 Sony Corp 固体撮像装置及び撮像装置
EP1994866A1 (en) 2007-05-23 2008-11-26 Rhea Vendors S.p.A. Device for grinding coffee or other alimentary substances
CN101345248B (zh) * 2007-07-09 2010-07-14 博立码杰通讯(深圳)有限公司 多光谱感光器件及其制作方法
JP2008172258A (ja) 2008-01-28 2008-07-24 Toshiba Corp 光検出器
US7888763B2 (en) * 2008-02-08 2011-02-15 Omnivision Technologies, Inc. Backside illuminated imaging sensor with improved infrared sensitivity
KR101475464B1 (ko) * 2008-05-09 2014-12-22 삼성전자 주식회사 적층형 이미지 센서
CN101740587B (zh) 2008-11-05 2012-08-29 博立码杰通讯(深圳)有限公司 多光谱感光器件及其制作方法
JPWO2010100896A1 (ja) 2009-03-05 2012-09-06 パナソニック株式会社 撮像装置および両面照射型固体撮像素子
JP2010239076A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Sony Corp 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
JP2011082215A (ja) * 2009-10-02 2011-04-21 Olympus Corp 撮像素子、撮像ユニット
US8810698B2 (en) 2009-10-07 2014-08-19 Panasonic Intellectual Property Corporation Of America Two sided solid state image sensor and an image capture device
CN102804379B (zh) * 2010-05-24 2015-12-09 全视科技有限公司 双面图像传感器
WO2011150551A1 (zh) * 2010-06-01 2011-12-08 博立码杰通讯(深圳)有限公司 多光谱感光器件
US8878969B2 (en) * 2011-07-27 2014-11-04 Aptina Imaging Corporation Imaging systems with color filter barriers

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120125664A (ko) 2012-11-16
KR20140097386A (ko) 2014-08-06
EP2509108B1 (en) 2019-10-02
US20130062512A1 (en) 2013-03-14
US10008522B2 (en) 2018-06-26
KR101461405B1 (ko) 2014-11-13
EP2509108A1 (en) 2012-10-10
EP2509108A4 (en) 2017-12-27
WO2011150552A1 (zh) 2011-12-08
KR101517798B1 (ko) 2015-05-06
ES2763182T3 (es) 2020-05-27
CA2788714A1 (en) 2011-12-08
CA2788714C (en) 2016-04-19
JP2013515405A (ja) 2013-05-02
JP6017311B2 (ja) 2016-10-26
RU2512074C1 (ru) 2014-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2012143942A (ru) Мультиспектральное светочувствительное устройство и способ его изготовления
EP2475010B1 (en) Organic light emitting diode (OLED) display apparatus having light sensing function
TWI581411B (zh) 色彩濾波器及光二極體型樣化組配技術
TWI579600B (zh) 用以最小化顏色混疊之紅綠藍色彩色濾光器陣列圖案
JP6630927B2 (ja) 発光デバイスを含むプレノプティック・カメラ
KR101714978B1 (ko) 컬러 앨리어싱의 감소를 위한 컬러 필터 어레이 패턴
RU2013139022A (ru) Устройство формирования цветного изображения
JP2012235472A5 (ru)
CA2599833A1 (en) Stereoscopic image display method
RU2015122935A (ru) Устройство автостереоскопического отображения
RU2010104436A (ru) Многоспектральное считывающее устройство и способы его изготовления
US9857603B2 (en) 2D/3D switchable display device
WO2015193868A3 (en) One way display
CN105093553A (zh) 一种屏障式裸眼3d显示屏及显示装置
US20220239881A1 (en) Image processing method, image processing apparatus, and photographing apparatus
CN106331662A (zh) 一种图像撷取装置及图像撷取方法
TWI515458B (zh) A device for displaying a three-dimensional image
JP2012088506A5 (ru)
CN108873330A (zh) 头戴式显示装置以及适应性遮罩方法
JP2014203458A5 (ru)
CN104010173B (zh) 图像传感器及包含多个可选择经啮合滤光器组的彩色滤光器阵列
US20160358532A1 (en) Array substrate, optical grating, display panel and display device
US20200203434A1 (en) Cross-Talk Reduction in Display With Optical Scanner
CN103984105A (zh) 影像分层组合结构
JP2012088505A5 (ru)

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20200602