RU2012145889A - Электропроводные тонкие пленки с высокой термостойкостью - Google Patents

Электропроводные тонкие пленки с высокой термостойкостью Download PDF

Info

Publication number
RU2012145889A
RU2012145889A RU2012145889/07A RU2012145889A RU2012145889A RU 2012145889 A RU2012145889 A RU 2012145889A RU 2012145889/07 A RU2012145889/07 A RU 2012145889/07A RU 2012145889 A RU2012145889 A RU 2012145889A RU 2012145889 A RU2012145889 A RU 2012145889A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
thin film
aluminum
electrically conductive
heat resistance
high heat
Prior art date
Application number
RU2012145889/07A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2562239C2 (ru
Inventor
Йохен БАРДОНГ
Гудрун БРИКНЕР
Рене ФАХБЕРГЕР
Берт ВАЛЛЬ
Original Assignee
Вектрон Интернэшнл Гмбх
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Вектрон Интернэшнл Гмбх filed Critical Вектрон Интернэшнл Гмбх
Publication of RU2012145889A publication Critical patent/RU2012145889A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2562239C2 publication Critical patent/RU2562239C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
    • H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C14/024—Deposition of sublayers, e.g. to promote adhesion of the coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C23C14/5806—Thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H10N30/06—Forming electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H10N30/877—Conductive materials
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14538—Formation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)

Abstract

1. Электропроводная тонкая пленка с высокой термостойкостью для нанесения на твердую подложку, отличающаяся тем, что эта тонкая пленка состоит из двух взаимосвязанных компонентов: электропроводного металла (проводящего металла) с температурой плавления >1500°С и компонента в виде оксида алюминия в качестве структурирующего агента для проводящего металла.2. Электропроводная тонкая пленка с высокой термостойкостью по п.1, в которой компонент в виде оксида алюминия состоит из стехиометрического оксида алюминия (III) (AlO).3. Электропроводная тонкая пленка с высокой термостойкостью по п.1, в которой компонент в виде оксида алюминия состоит из обогащенных алюминием оксидов алюминия в форме нестехиометрических оксидов или смесей "оксид алюминия (III)/алюминий".4. Электропроводная тонкая пленка с высокой термостойкостью по п.3, в которой химически доступный алюминий из компонентов в виде обогащенных алюминием оксидов алюминия образует сплав с проводящим металлом и, таким образом, заметно влияет на электрические и/или термомеханические свойства проводящего металла.5. Электропроводная тонкая пленка с высокой термостойкостью по п.3, в которой химически доступный алюминий из компонента в виде обогащенных алюминием оксидов алюминия полностью или частично препятствует окислению проводящего металла при повышенных температурах.6. Электропроводная тонкая пленка с высокой термостойкостью по любому из пп. 1-5, в которой, в частности, для регулирования ее физическими и/или химическими свойствами соотношение "алюминий/оксид алюминия (III)" в компонентах в виде оксида алюминия изменяют локально, в зависимости от положения внутри тонк�

Claims (19)

1. Электропроводная тонкая пленка с высокой термостойкостью для нанесения на твердую подложку, отличающаяся тем, что эта тонкая пленка состоит из двух взаимосвязанных компонентов: электропроводного металла (проводящего металла) с температурой плавления >1500°С и компонента в виде оксида алюминия в качестве структурирующего агента для проводящего металла.
2. Электропроводная тонкая пленка с высокой термостойкостью по п.1, в которой компонент в виде оксида алюминия состоит из стехиометрического оксида алюминия (III) (Al2O3).
3. Электропроводная тонкая пленка с высокой термостойкостью по п.1, в которой компонент в виде оксида алюминия состоит из обогащенных алюминием оксидов алюминия в форме нестехиометрических оксидов или смесей "оксид алюминия (III)/алюминий".
4. Электропроводная тонкая пленка с высокой термостойкостью по п.3, в которой химически доступный алюминий из компонентов в виде обогащенных алюминием оксидов алюминия образует сплав с проводящим металлом и, таким образом, заметно влияет на электрические и/или термомеханические свойства проводящего металла.
5. Электропроводная тонкая пленка с высокой термостойкостью по п.3, в которой химически доступный алюминий из компонента в виде обогащенных алюминием оксидов алюминия полностью или частично препятствует окислению проводящего металла при повышенных температурах.
6. Электропроводная тонкая пленка с высокой термостойкостью по любому из пп. 1-5, в которой, в частности, для регулирования ее физическими и/или химическими свойствами соотношение "алюминий/оксид алюминия (III)" в компонентах в виде оксида алюминия изменяют локально, в зависимости от положения внутри тонкой пленки.
7. Электропроводная тонкая пленка с высокой термостойкостью по п. 1, в которой проводящий металл включает платину, палладий, молибден, хром, титан, тантал, вольфрам, иридий, родий или сплавы этих элементов.
8. Электропроводная тонкая пленка с высокой термостойкостью по п.7, в которой доля проводящего металла во всей тонкой пленке составляет, по меньшей мере, 50% (об./об.), предпочтительно - от 60% до 80% (об./об.).
9. Электропроводная тонкая пленка с высокой термостойкостью по п. 1, в которой отношение компонентов "проводящий металл/оксид алюминия" изменяют локально, в зависимости от положения внутри пленки.
10. Элемент с высокой термостойкостью, содержащий подложку и электропроводную тонкую пленку по любому из пп. 1-9.
11. Элемент с высокой термостойкостью по п.10, в котором между подложкой и электропроводной тонкой пленкой расположен адгезионный слой и/или диффузионный барьер, предпочтительно, на основе оксида алюминия.
12. Элемент с высокой термостойкостью по п.10 или 11, в котором тонкая пленка и/или подложка покрыты, по меньшей мере, одной пассивирующей покрывающей пленкой, которая создана предпочтительно на основе оксида алюминия.
13. AOFW-элемент (элемент, работающий с применением поверхностных акустических волн), в частности, для использования при повышенных температурах, составляющих 300°С и выше, который содержит пьезоэлектрическую подложку и электропроводную тонкую пленку по любому из пп. 1-9.
14. AOFW-элемент по п.13, в частности, для использования при повышенных температурах, составляющих 300°С и выше, в котором пьезоэлектрическую подложку выбирают из группы:
- термически устойчивые материалы из семейства LGX, в частности лангасит (La3Ga5SiO14), ланганит (La3Ga5,5Nb0,5O14) или ланганат (La3Ga5,5Ta0,5O14), либо их замещенные изоморфные соединения, например, такие как La3Ga5,25Ta0,25Si0,5O14 или La3Ga5Zr0,5Si0,5O14; или
- структурно-изоморфные соединения общего состава A3BC3Si2O14, например, такие как Sr3TaGa3Si2O14, Sr3NbGa3Si2O14, Ca3TaGa3Si2O14 или Ca3TaAl3Si2O14; или
- оксиборат лантаноида - кальция, в частности GdCa4O(BO3)3, YCa4O(BO3)3 или LaCa4O(BO3)3; или
- ниобаты лития (LiNbOx, x≈3); или
- ортофосфат галлия (GaPO4).
15. AOFW-элемент по п.13, в котором пьезоэлектрическая подложка образована из пьезоэлектрических пленок из нитрида металла, выращенных на непьезоэлектрической подложке, с полупроводниковой природой соединения групп III-V, в частности, AlN или GaN.
16. Способ получения электропроводной тонкой пленки с высокой термостойкостью по любому из пп. 1-9, в котором компоненты тонкой пленки наносят на поверхность с чередованием в виде составов с малой толщиной, предпочтительно, соответствующих в каждом случае пленкам из проводящего металла и оксида алюминия с толщиной от 5 нм до 20 нм, до тех пор, пока не будет достигнута требуемая толщина пленки.
17. Способ получения электропроводной тонкой пленки с высокой термостойкостью по любому из пп. 1-9, в котором два компонента тонкой пленки наносят на поверхность одновременно, в частности, путем одновременного осаждения из паровой фазы или напыления проводящего металла и чистого алюминия в окислительной реакционноспособной газовой атмосфере.
18. Способ получения электропроводной тонкой пленки с высокой термостойкостью по п.16 или 17, в котором, перед и/или после нанесения электропроводной тонкой пленки, на подложку и/или электропроводную тонкую пленку наносят дополнительные адгезионные пленки, диффузионные барьеры и/или покрывающие пленки.
19. Способ получения электропроводных тонких пленок с высокой термостойкостью по п. 16 или 17, в котором перед эксплуатацией нанесенные пленки подвергают этапу многочасового отпуска, как правило, при температуре 600°С или выше.
RU2012145889/07A 2010-03-29 2011-03-10 Электропроводные тонкие пленки с высокой термостойкостью RU2562239C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
AT0050210A AT509633A1 (de) 2010-03-29 2010-03-29 Hochtemperaturbeständige, elektrisch leitfähige dünnschichten
ATA502/2010 2010-03-29
PCT/AT2011/000124 WO2011120060A2 (de) 2010-03-29 2011-03-10 Hochtemperaturbeständige, elektrisch leitfähige dünnschichten

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012145889A true RU2012145889A (ru) 2014-05-10
RU2562239C2 RU2562239C2 (ru) 2015-09-10

Family

ID=44148781

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012145889/07A RU2562239C2 (ru) 2010-03-29 2011-03-10 Электропроводные тонкие пленки с высокой термостойкостью

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9117567B2 (ru)
EP (1) EP2553687B1 (ru)
AT (2) AT509633A1 (ru)
RU (1) RU2562239C2 (ru)
TW (1) TWI543196B (ru)
WO (1) WO2011120060A2 (ru)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016060072A1 (ja) * 2014-10-17 2016-04-21 株式会社村田製作所 圧電デバイス、圧電デバイスの製造方法
US10333494B2 (en) 2014-12-24 2019-06-25 Qorvo Us, Inc. Simplified acoustic RF resonator parallel capacitance compensation
US10581156B2 (en) 2016-05-04 2020-03-03 Qorvo Us, Inc. Compensation circuit to mitigate antenna-to-antenna coupling
US10581403B2 (en) * 2016-07-11 2020-03-03 Qorvo Us, Inc. Device having a titanium-alloyed surface
US11050412B2 (en) 2016-09-09 2021-06-29 Qorvo Us, Inc. Acoustic filter using acoustic coupling
US11165413B2 (en) 2017-01-30 2021-11-02 Qorvo Us, Inc. Coupled resonator structure
US11165412B2 (en) 2017-01-30 2021-11-02 Qorvo Us, Inc. Zero-output coupled resonator filter and related radio frequency filter circuit
JP2018182615A (ja) * 2017-04-18 2018-11-15 株式会社村田製作所 弾性波装置
US10873318B2 (en) 2017-06-08 2020-12-22 Qorvo Us, Inc. Filter circuits having acoustic wave resonators in a transversal configuration
US11152913B2 (en) 2018-03-28 2021-10-19 Qorvo Us, Inc. Bulk acoustic wave (BAW) resonator
CN109754055B (zh) * 2018-12-31 2024-12-17 上海仪电特镭宝信息科技有限公司 一种硅胶封装的耐高温标签
CN109881152B (zh) * 2019-03-05 2023-04-28 深圳市烈变科技有限公司 一种多层结构的导电膜及制备工艺
US11146247B2 (en) 2019-07-25 2021-10-12 Qorvo Us, Inc. Stacked crystal filter structures
US11757430B2 (en) 2020-01-07 2023-09-12 Qorvo Us, Inc. Acoustic filter circuit for noise suppression outside resonance frequency
US11146246B2 (en) 2020-01-13 2021-10-12 Qorvo Us, Inc. Phase shift structures for acoustic resonators
US11146245B2 (en) 2020-01-13 2021-10-12 Qorvo Us, Inc. Mode suppression in acoustic resonators
US11632097B2 (en) 2020-11-04 2023-04-18 Qorvo Us, Inc. Coupled resonator filter device
US11575363B2 (en) 2021-01-19 2023-02-07 Qorvo Us, Inc. Hybrid bulk acoustic wave filter
US12170515B2 (en) 2022-01-31 2024-12-17 Qorvo Us, Inc. Reversed semilattice filter
US12587172B2 (en) 2023-03-15 2026-03-24 Qorvo Us, Inc. Pin reconfigurable baw filters

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62272610A (ja) * 1986-05-21 1987-11-26 Hitachi Ltd 弾性表面波素子
US5089172A (en) 1987-08-31 1992-02-18 Ferro Corporation Thick film conductor compositions for use with an aluminum nitride substrate
JPH0969748A (ja) 1995-09-01 1997-03-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｓａｗデバイスおよびその製造方法
DE19758198A1 (de) * 1997-12-30 1999-08-19 Siemens Ag Oberflächenwellen-(SAW-)Bauelement auf auch pyroelektrischem Einkristall-Substrat
DE10006241A1 (de) 1999-02-23 2001-02-08 Siemens Ag Substratplättchen aus Langasit/Langatat mit einem Kristallschnitt mit hohem Kopplungsfaktor und niedriger Ausbreitungsgeschwindigkeit für Oberflächenwellen
JP3300812B2 (ja) * 2000-01-19 2002-07-08 独立行政法人産業技術総合研究所 光電変換素子
US7148610B2 (en) * 2002-02-01 2006-12-12 Oc Oerlikon Balzers Ag Surface acoustic wave device having improved performance and method of making the device
JP4060090B2 (ja) * 2002-02-15 2008-03-12 沖電気工業株式会社 弾性表面波素子
KR100669688B1 (ko) 2003-03-12 2007-01-18 삼성에스디아이 주식회사 박막트랜지스터 및 이를 구비한 평판표시소자
JP2005056754A (ja) * 2003-08-06 2005-03-03 Sumitomo Electric Ind Ltd 超電導線材およびその製造方法
US7888842B2 (en) 2004-02-13 2011-02-15 University Of Maine System Board Of Trustees Ultra-thin film electrodes and protective layer for high temperature device applications
US7285894B1 (en) * 2004-02-13 2007-10-23 University Of Maine System Board Of Trustees Surface acoustic wave devices for high temperature applications
US6958565B1 (en) * 2004-04-05 2005-10-25 Honeywell International Inc. Passive wireless piezoelectric smart tire sensor with reduced size
JP4756461B2 (ja) * 2005-10-12 2011-08-24 宇部興産株式会社 窒化アルミニウム薄膜およびそれを用いた圧電薄膜共振子
JP4761071B2 (ja) * 2007-03-05 2011-08-31 セイコーエプソン株式会社 圧電素子、インクジェット式記録ヘッド、およびインクジェットプリンター
JP5780407B2 (ja) 2008-03-12 2015-09-16 アクタール リミテッド 薄層構造（ｔｈｉｎ−ｌａｙｅｒｅｄｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）
JP2010066723A (ja) 2008-09-12 2010-03-25 Kobe Steel Ltd 表示装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201140612A (en) 2011-11-16
AT12768U1 (de) 2012-11-15
US20130033150A1 (en) 2013-02-07
AT509633A1 (de) 2011-10-15
RU2562239C2 (ru) 2015-09-10
WO2011120060A2 (de) 2011-10-06
EP2553687A2 (de) 2013-02-06
US9117567B2 (en) 2015-08-25
EP2553687B1 (de) 2015-06-10
WO2011120060A3 (de) 2011-12-01
TWI543196B (zh) 2016-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2012145889A (ru) Электропроводные тонкие пленки с высокой термостойкостью
JP5477670B2 (ja) サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ
JP5509393B1 (ja) 薄膜サーミスタ素子およびその製造方法
US11805700B2 (en) Laminated substrate having piezoelectric film, element having piezoelectric film and method for manufacturing this laminated substrate
US10497855B2 (en) Ferroelectric thin-film laminated substrate, ferroelectric thin-film device, and manufacturing method of ferroelectric thin-film laminated substrate
Da Cunha et al. P4L-1 enabling very high temperature acoustic wave devices for sensor & frequency control applications
Taguett et al. Ir-Rh thin films as high-temperature electrodes for surface acoustic wave sensor applications
Rane et al. Tungsten/molybdenum thin films for application as interdigital transducers on high temperature stable piezoelectric substrates La3Ga5SiO14 and Ca3TaGa3Si2O14
JP6850870B2 (ja) 圧電体膜、圧電素子、及び、圧電素子の製造方法
KR101825111B1 (ko) 압전 장치 및 그 제조 및 사용 방법
EP2695966A1 (en) Insulator material for use in RRAM
Briand et al. Processing influence on the reliability of platinum thin films for MEMS applications
Bharadwaja et al. Highly textured laser annealed Pb (Zr0. 52Ti0. 48) O3 thin films
JP4802013B2 (ja) 温度センサおよびその製造方法
JP6319568B2 (ja) サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ
JP6319566B2 (ja) サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ
JP7085208B2 (ja) 圧電体およびそれを用いたｍｅｍｓデバイス
EP3276687B1 (en) Ferroelectric thin-film laminate substrate, ferroelectric thin-film element, and manufacturing method of ferroelectric thin-film laminate substrate
Richter et al. High-temperature stable electrodes for langasite based surface acoustic wave devices
Kim Electrical properties of CrSix, Cr/CrSix/Cr/CrSix, and CrSix/Si/CrSix/Si sputtered on alumina plates
CN116180075B (zh) 一种低应力强结合高温绝缘涂层的制备方法
JP6394939B2 (ja) サーミスタ及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ
JP5699299B2 (ja) 強誘電体膜の製造方法、強誘電体膜及び圧電素子
JP2000346716A (ja) 圧電体膜
JP6601614B2 (ja) サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ