RU2012146332A - Структура, чип для датчика локализованного поверхностного плазменного резонанса, датчик локализованного поверхностного плазменного резонанса и способы их изготовления - Google Patents
Структура, чип для датчика локализованного поверхностного плазменного резонанса, датчик локализованного поверхностного плазменного резонанса и способы их изготовления Download PDFInfo
- Publication number
- RU2012146332A RU2012146332A RU2012146332/28A RU2012146332A RU2012146332A RU 2012146332 A RU2012146332 A RU 2012146332A RU 2012146332/28 A RU2012146332/28 A RU 2012146332/28A RU 2012146332 A RU2012146332 A RU 2012146332A RU 2012146332 A RU2012146332 A RU 2012146332A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- plasma resonance
- chip
- surface plasma
- localized surface
- resonance sensor
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract 9
- DMLAVOWQYNRWNQ-UHFFFAOYSA-N azobenzene Chemical group C1=CC=CC=C1N=NC1=CC=CC=C1 DMLAVOWQYNRWNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims abstract 2
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 claims abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 3
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 claims 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims 2
- 239000004634 thermosetting polymer Substances 0.000 claims 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/55—Specular reflectivity
- G01N21/552—Attenuated total reflection
- G01N21/553—Attenuated total reflection and using surface plasmons
- G01N21/554—Attenuated total reflection and using surface plasmons detecting the surface plasmon resonance of nanostructured metals, e.g. localised surface plasmon resonance
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/27—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands using photo-electric detection ; circuits for computing concentration
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B1/00—Nanostructures formed by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/65—Raman scattering
- G01N21/658—Raman scattering enhancement Raman, e.g. surface plasmons
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
- G01N21/645—Specially adapted constructive features of fluorimeters
- G01N21/648—Specially adapted constructive features of fluorimeters using evanescent coupling or surface plasmon coupling for the excitation of fluorescence
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
- Y10T428/24612—Composite web or sheet
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Pathology (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
Abstract
1. Структура, отличающаяся тем, что содержитплоскую секцию и трубчатые тела таким образом, что трубчатые тела размещены вертикально, так что их отверстия открыты на плоской поверхности упомянутой плоской секции, в которойсредний внутренний диаметр отверстий упомянутых трубчатых тел находится в пределах диапазона от 5 нм до 2000 нм;отношение (A/B) внутреннего диаметра A отверстий упомянутых трубчатых тел к внутреннему диаметру В в средней точке глубины от отверстий упомянутых трубчатых тел находится в пределах диапазона от 1,00 до 1,80; иупомянутые трубчатые тела имеют асферическую нижнюю часть и выполнены из светочувствительного материала, который подвергается переносу материала посредством облучения светом.2. Структура по п. 1, отличающаяся тем, что упомянутое отношение (A/B) находится в пределах диапазона от 1,00 до 1,50.3. Структура по п. 1 или 2, отличающаяся тем, что дисперсионная плотность упомянутых трубчатых тел в плоской секции находится в пределах диапазона от 1 до 500000 тел на 100 мкм.4. Структура по п. 1, отличающаяся тем, что упомянутый чувствительный к стимуляции материал содержит производное азополимера.5. Структура по п. 1, отличающаяся тем, что упомянутый светочувствительный материал включает производное азополимера, которое содержит азобензольную группу в своей основной цепи и/или боковой цепи.6. Чип для датчика локализованного поверхностного плазменного резонанса, отличающийся формированием структуры по любому из пп. 1-5 на подложке и формированием металлического слоя, чтобы покрывать по меньшей мере часть поверхности упомянутой структуры и отражать структуру поверхности упомянутой структуры.7. Чип для датчик�
Claims (18)
1. Структура, отличающаяся тем, что содержит
плоскую секцию и трубчатые тела таким образом, что трубчатые тела размещены вертикально, так что их отверстия открыты на плоской поверхности упомянутой плоской секции, в которой
средний внутренний диаметр отверстий упомянутых трубчатых тел находится в пределах диапазона от 5 нм до 2000 нм;
отношение (A/B) внутреннего диаметра A отверстий упомянутых трубчатых тел к внутреннему диаметру В в средней точке глубины от отверстий упомянутых трубчатых тел находится в пределах диапазона от 1,00 до 1,80; и
упомянутые трубчатые тела имеют асферическую нижнюю часть и выполнены из светочувствительного материала, который подвергается переносу материала посредством облучения светом.
2. Структура по п. 1, отличающаяся тем, что упомянутое отношение (A/B) находится в пределах диапазона от 1,00 до 1,50.
3. Структура по п. 1 или 2, отличающаяся тем, что дисперсионная плотность упомянутых трубчатых тел в плоской секции находится в пределах диапазона от 1 до 500000 тел на 100 мкм2.
4. Структура по п. 1, отличающаяся тем, что упомянутый чувствительный к стимуляции материал содержит производное азополимера.
5. Структура по п. 1, отличающаяся тем, что упомянутый светочувствительный материал включает производное азополимера, которое содержит азобензольную группу в своей основной цепи и/или боковой цепи.
6. Чип для датчика локализованного поверхностного плазменного резонанса, отличающийся формированием структуры по любому из пп. 1-5 на подложке и формированием металлического слоя, чтобы покрывать по меньшей мере часть поверхности упомянутой структуры и отражать структуру поверхности упомянутой структуры.
7. Чип для датчика локализованного поверхностного плазменного резонанса по п. 6, отличающийся тем, что упомянутый металлический слой имеет толщину в пределах диапазона от 10 нм до 500 нм.
8. Чип для датчика локализованного поверхностного плазменного резонанса по п. 6 или 7, отличающийся формированием органического молекулярного слоя для фиксации биомолекул на поверхности упомянутого металлического слоя.
9. Чип для датчика локализованного поверхностного плазменного резонанса по п. 8, отличающийся тем, что упомянутый органический молекулярный слой содержит молекулы, длина которых от поверхности металлического слоя находится в диапазоне от 50 нм до 200 нм, и молекулы, длина которых от поверхности металлического слоя находится в диапазоне от 1 нм до менее чем 50 нм.
10. Чип для датчика локализованного поверхностного плазменного резонанса по п. 6, в котором упомянутый металлический слой выполнен из Au, Ag или их сплава.
11. Датчик локализованного поверхностного плазменного резонанса, отличающийся тем, что содержит
чип для датчика локализованного поверхностного плазменного резонанса по любому из пп. 6-10;
источник света, облучающий светом упомянутый чип для датчика локализованного поверхностного плазменного резонанса; и
фотодетектор, принимающий свет, отражаемый от или пропускаемый через упомянутый чип для датчика локализованного поверхностного плазменного резонанса.
12. Датчик локализованного поверхностного плазменного резонанса по п. 11, отличающийся прохождением света с двумя или более длинами волн вертикально к поверхности упомянутого чипа для датчика локализованного поверхностного плазменного резонанса и измерением с использованием упомянутого фотодетектора, коэффициентов отражения света с соответствующими длинами волн, отражаемых на упомянутом чипе для датчика локализованного поверхностного плазменного резонанса, коэффициентов пропускания с соответствующими длинами волн, пропускаемых через упомянутый чип для датчика локализованного поверхностного плазменного резонанса, или интенсивностей света с соответствующими длинами волн, отражаемых или пропускаемых.
13. Способ изготовления структуры, отличающийся тем, что включает в себя
этап нанесения жидкого покрытия для нанесения покрытия не содержащей материала дисперсной жидкостью на светочувствительный материал, который подвергается переносу материала посредством облучения светом; и
этап облучения светом для облучения светом светочувствительного материала, на который нанесено покрытие жидкостью на упомянутом этапе нанесения жидкого покрытия.
14. Способ изготовления структуры по п. 13, отличающийся тем, что упомянутая жидкость представляет собой по меньшей мере одну, выбранную из группы, включающей воду, спирт и органический растворитель, способный растворять светочувствительный материал.
15. Способ изготовления структуры, отличающийся тем, что включает в себя:
(i) получение первой структуры посредством этапа нанесения жидкого покрытия для нанесения покрытия не содержащей материала дисперсной жидкостью на светочувствительный материал, который подвергается переносу материала посредством облучения светом, и этапа облучения светом для облучения светом светочувствительного материала, на который нанесено покрытие жидкостью на этапе нанесения жидкого покрытия; и
(ii) получение второй структуры, которая выполняет функцию литейной формы первой структуры посредством нанесения покрытия термоотверждаемой смолой или фотоотверждаемой смолой, чтобы полностью покрыть поверхность упомянутой первой структуры, и удаление упомянутой термоотверждаемой смолы или фотоотверждаемой смолы после ее отвердения; и
(iii) получение третьей структуры, которая представляет собой дубликат первой структуры, посредством заполнения термоотверждаемой смолой или фотоотверждаемой смолой части упомянутой второй структуры, которая выполняет функцию литейной формы первой структуры, и удаление термоотверждаемой смолы или фотоотверждаемой смолы после ее отвердения.
16. Способ изготовления структуры по п. 15, отличающийся повторением упомянутого этапа (iii).
17. Способ изготовления чипа для датчика локализованного поверхностного плазменного резонанса, отличающийся тем, что включает в себя
этап изготовления структуры согласно способу изготовления структуры по любому из пп. 13-16; и
этап формирования металлического слоя, который имеет профиль, отраженный профилем упомянутой структуры, посредством покрытия поверхности структуры, полученной на вышеупомянутом этапе, металлом.
18. Структура, отличающаяся тем, что изготовлена способом изготовления структуры по п. 13 или 14.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010-083684 | 2010-03-31 | ||
| JP2010083684 | 2010-03-31 | ||
| PCT/JP2010/072055 WO2011121857A1 (ja) | 2010-03-31 | 2010-12-08 | 構造体、局在型表面プラズモン共鳴センサ用チップ、及び局在型表面プラズモン共鳴センサ、並びにこれらの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2012146332A true RU2012146332A (ru) | 2014-05-10 |
Family
ID=44711630
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012146332/28A RU2012146332A (ru) | 2010-03-31 | 2010-12-08 | Структура, чип для датчика локализованного поверхностного плазменного резонанса, датчик локализованного поверхностного плазменного резонанса и способы их изготовления |
Country Status (14)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20130003070A1 (ru) |
| EP (1) | EP2554973A4 (ru) |
| JP (2) | JP5657645B2 (ru) |
| KR (1) | KR20130062274A (ru) |
| CN (1) | CN102884414B (ru) |
| AU (1) | AU2010349617A1 (ru) |
| BR (1) | BR112012024411A2 (ru) |
| CA (1) | CA2792756A1 (ru) |
| MX (1) | MX2012011301A (ru) |
| PH (1) | PH12012501850A1 (ru) |
| RU (1) | RU2012146332A (ru) |
| SG (1) | SG184007A1 (ru) |
| WO (1) | WO2011121857A1 (ru) |
| ZA (1) | ZA201206951B (ru) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5945192B2 (ja) | 2012-08-10 | 2016-07-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | 表面増強ラマン散乱ユニット |
| JP6058313B2 (ja) | 2012-08-10 | 2017-01-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | 表面増強ラマン散乱ユニット |
| CN104508466B (zh) | 2012-08-10 | 2018-07-17 | 浜松光子学株式会社 | 表面增强拉曼散射元件 |
| CN104520696B (zh) | 2012-08-10 | 2018-01-12 | 浜松光子学株式会社 | 表面增强拉曼散射元件及其制造方法 |
| WO2014168237A1 (ja) * | 2013-04-12 | 2014-10-16 | 株式会社カネカ | 構造体の複製方法及び当該複製方法を含む局在型表面プラズモン共鳴センサ用チップの製造方法、並びに、構造体、局在型表面プラズモン共鳴センサ用チップ及び局在型表面プラズモン共鳴センサ |
| CN114089597B (zh) | 2013-12-19 | 2025-03-14 | Illumina公司 | 包括纳米图案化表面的基底及其制备方法 |
| CN103926222B (zh) * | 2014-04-15 | 2016-04-20 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 一种小型化低功耗的生物芯片检测装置 |
| WO2015161136A1 (en) | 2014-04-17 | 2015-10-22 | Femtometrix, Inc. | Wafer metrology technologies |
| WO2016021516A1 (ja) | 2014-08-04 | 2016-02-11 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 局在型表面プラズモン共鳴センシングチップおよび局在型表面プラズモン共鳴センシングシステム |
| WO2016077617A1 (en) | 2014-11-12 | 2016-05-19 | Femtometrix, Inc. | Systems for parsing material properties from within shg signals |
| KR101698667B1 (ko) * | 2015-04-03 | 2017-01-20 | 아주대학교산학협력단 | 변색 센서 및 이의 제조 방법 |
| KR102533125B1 (ko) | 2015-09-03 | 2023-05-15 | 캘리포니아 인스티튜트 오브 테크놀로지 | 높은-ｋ 유전체를 특징화하는 시스템 및 방법 |
| CN105277514A (zh) * | 2015-11-25 | 2016-01-27 | 厦门大学 | 可见光折射率传感器及其加工方法 |
| TWI649259B (zh) * | 2016-12-05 | 2019-02-01 | 中央研究院 | 寬頻超穎光學裝置 |
| US10433387B2 (en) * | 2016-12-28 | 2019-10-01 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Light emitting device and light emitting and receiving device |
| JP6926731B2 (ja) | 2017-06-30 | 2021-08-25 | コニカミノルタ株式会社 | 検出チップ、検出キット、検出システムおよび被検出物質の検出方法 |
| WO2019210229A1 (en) * | 2018-04-27 | 2019-10-31 | SK Hynix Inc. | Field-biased nonlinear optical metrology using corona discharge source |
| WO2019210265A1 (en) | 2018-04-27 | 2019-10-31 | Femtometrix, Inc. | Systems and methods for determining characteristics of semiconductor devices |
| US11946863B2 (en) | 2018-05-15 | 2024-04-02 | Femtometrix, Inc. | Second Harmonic Generation (SHG) optical inspection system designs |
| CN111272666B (zh) * | 2020-02-27 | 2022-01-25 | 电子科技大学 | 一种基于磁光表面等离激元共振的生物蛋白传感器 |
| WO2022020725A1 (en) * | 2020-07-24 | 2022-01-27 | Board Of Supervisors Of Louisiana State University And Agricultural And Mechanical College | Development of a biosensor device using localized surface plasmon resonance (lspr) |
| CN112420466B (zh) * | 2020-10-29 | 2021-11-19 | 清华大学 | 表面等离激元诱导的电子发射源 |
| CA3210240C (en) * | 2021-03-08 | 2024-06-25 | Udayan Kanade | System and method for finding the peak wavelength of the spectrum sensed by an lspr spectrometer |
| CN114166799A (zh) * | 2021-11-30 | 2022-03-11 | 大连海事大学 | 一种基于非对称纳米结构完美吸收体的折射率传感器、传感测试装置及方法 |
| WO2024015777A1 (en) | 2022-07-12 | 2024-01-18 | Femtometrix, Inc. | Method and apparatus for non-invasive, non-intrusive, and ungrounded, simultaneous corona deposition and shg measurements |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3795867B2 (ja) * | 2003-01-30 | 2006-07-12 | 株式会社ルネサステクノロジ | エッチング装置、エッチング方法および半導体装置の製造方法 |
| JP4329014B2 (ja) * | 2003-09-05 | 2009-09-09 | ソニー株式会社 | 微細構造体の製造方法および微細構造体、表示装置、ならびに記録装置の製造方法および記録装置 |
| JP2005305634A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-11-04 | Fujitsu Ltd | ナノホール構造体及びその製造方法、スタンパ及びその製造方法、磁気記録媒体及びその製造方法、並びに、磁気記録装置及び磁気記録方法 |
| JP5082186B2 (ja) * | 2004-03-29 | 2012-11-28 | 住友電気工業株式会社 | 炭素系材料突起の形成方法及び炭素系材料突起 |
| RU2361193C2 (ru) * | 2004-05-19 | 2009-07-10 | Вп Холдинг, Ллс | Оптический датчик с многослойной плазмонной структурой для усовершенствованного обнаружения химических групп посредством sers |
| JP4868493B2 (ja) | 2004-08-13 | 2012-02-01 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | ヘテロ環アゾ化合物による光応答性材料とそれを用いた光情報記録媒体 |
| WO2007119123A2 (en) * | 2005-08-26 | 2007-10-25 | Smoltek Ab | Interconnects and heat dissipators based on nanostructures |
| JP2007080966A (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-29 | Tosoh Corp | 酸化ハフニウム用エッチング組成物 |
| JP4939182B2 (ja) * | 2006-11-22 | 2012-05-23 | キヤノン株式会社 | 検知素子、該検知素子を用いた標的物質検知装置及び標的物質を検知する方法 |
| JP4743122B2 (ja) * | 2007-01-10 | 2011-08-10 | 株式会社豊田中央研究所 | 光固定化用固相担体及びその製造方法 |
| JP5397577B2 (ja) | 2007-03-05 | 2014-01-22 | オムロン株式会社 | 表面プラズモン共鳴センサ及び当該センサ用チップ |
| US8049896B2 (en) * | 2007-05-31 | 2011-11-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Detecting element, detecting device, and method of producing the detecting element |
| JP5125341B2 (ja) * | 2007-09-11 | 2013-01-23 | 株式会社豊田中央研究所 | 固相材料及びその製造方法 |
| JP2009133787A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Kaneka Corp | 局在プラズモン共鳴センサーユニット、およびその製造方法 |
| WO2010011939A2 (en) * | 2008-07-25 | 2010-01-28 | Life Bioscience, Inc. | Assay plates, methods and systems having one or more etched features |
| WO2010088585A1 (en) * | 2009-01-30 | 2010-08-05 | Trustees Of Boston University | Chemical/biological sensor employing scattered chromatic components in nano-patterned aperiodic surfaces |
| WO2010140616A1 (ja) * | 2009-06-03 | 2010-12-09 | 株式会社カネカ | 構造体、局在型表面プラズモン共鳴センサ用チップ、及び局在型表面プラズモン共鳴センサ |
-
2010
- 2010-12-08 KR KR1020127027586A patent/KR20130062274A/ko not_active Withdrawn
- 2010-12-08 RU RU2012146332/28A patent/RU2012146332A/ru unknown
- 2010-12-08 AU AU2010349617A patent/AU2010349617A1/en not_active Abandoned
- 2010-12-08 US US13/636,597 patent/US20130003070A1/en not_active Abandoned
- 2010-12-08 BR BR112012024411A patent/BR112012024411A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2010-12-08 MX MX2012011301A patent/MX2012011301A/es not_active Application Discontinuation
- 2010-12-08 EP EP10849027.7A patent/EP2554973A4/en not_active Withdrawn
- 2010-12-08 WO PCT/JP2010/072055 patent/WO2011121857A1/ja not_active Ceased
- 2010-12-08 SG SG2012067260A patent/SG184007A1/en unknown
- 2010-12-08 CN CN201080065629.4A patent/CN102884414B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-12-08 PH PH1/2012/501850A patent/PH12012501850A1/en unknown
- 2010-12-08 JP JP2012508031A patent/JP5657645B2/ja active Active
- 2010-12-08 CA CA2792756A patent/CA2792756A1/en not_active Abandoned
-
2012
- 2012-09-17 ZA ZA2012/06951A patent/ZA201206951B/en unknown
-
2014
- 2014-11-26 JP JP2014239362A patent/JP5899298B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102884414B (zh) | 2016-06-29 |
| JP5657645B2 (ja) | 2015-01-21 |
| KR20130062274A (ko) | 2013-06-12 |
| CN102884414A (zh) | 2013-01-16 |
| BR112012024411A2 (pt) | 2016-05-31 |
| MX2012011301A (es) | 2012-10-15 |
| JPWO2011121857A1 (ja) | 2013-07-04 |
| EP2554973A4 (en) | 2014-04-02 |
| JP2015038515A (ja) | 2015-02-26 |
| SG184007A1 (en) | 2012-10-30 |
| ZA201206951B (en) | 2013-05-29 |
| US20130003070A1 (en) | 2013-01-03 |
| AU2010349617A1 (en) | 2012-10-04 |
| WO2011121857A1 (ja) | 2011-10-06 |
| EP2554973A1 (en) | 2013-02-06 |
| JP5899298B2 (ja) | 2016-04-06 |
| PH12012501850A1 (en) | 2013-02-04 |
| CA2792756A1 (en) | 2011-10-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2012146332A (ru) | Структура, чип для датчика локализованного поверхностного плазменного резонанса, датчик локализованного поверхностного плазменного резонанса и способы их изготовления | |
| Ahmed | Optical study on poly (methyl methacrylate)/poly (vinyl acetate) blends | |
| Xie et al. | Demonstration of a 3D radar‐like SERS sensor micro‐and nanofabricated on an optical fiber | |
| Chen et al. | Self‐assembled large Au nanoparticle arrays with regular hot spots for SERS | |
| CN103196867B (zh) | 局域等离子体谐振折射率传感器及其制造方法 | |
| Canalejas-Tejero et al. | Passivated aluminum nanohole arrays for label-free biosensing applications | |
| Kochuveedu et al. | Revolutionizing the FRET-based light emission in core-shell nanostructures via comprehensive activity of surface plasmons | |
| Wang et al. | Tape‐imprinted hierarchical lotus seedpod‐like arrays for extraordinary surface‐enhanced Raman spectroscopy | |
| Lin et al. | Fabrication of flexible paper‐based Surface‐enhanced Raman scattering substrate from Au nanocubes monolayer for trace detection of crystal violet on shell | |
| CN104020151A (zh) | 一种表面增强拉曼金属纳米圆盘阵列基底的制备方法 | |
| Xu et al. | A SERS‐active microfluidic device with tunable surface plasmon resonances | |
| Badshah et al. | Glass nanoimprinted plasmonic nanostructure for high power laser stable surface-enhanced Raman spectroscopy substrate | |
| Ledin et al. | Light-responsive plasmonic arrays consisting of silver nanocubes and a photoisomerizable matrix | |
| Zhao et al. | Enhancing photoluminescence of carbon quantum dots doped PVA films with randomly dispersed silica microspheres | |
| Conti et al. | Colloidal Silver Nanoparticle Plasmonic Arrays for Versatile Lasing Architectures via Template‐Assisted Self‐Assembly | |
| CN102798615A (zh) | 一种基于周期性纳米结构的生物传感器及其制备方法 | |
| Lenyk et al. | Surface plasmon-enhanced switching kinetics of molecular photochromic films on gold nanohole arrays | |
| Wang et al. | Noncontact metal–Spiropyran–metal nanostructured substrates with ag and au@ SiO2 nanoparticles deposited in Nanohole arrays for surface-enhanced fluorescence and trace detection of metal ions | |
| Jeon et al. | Direct fabrication of hexagonally ordered ridged nanoarchitectures via dual interference lithography for efficient sensing applications | |
| Cargioli et al. | Active control of polariton-enabled long-range energy transfer | |
| CN116618100B (zh) | 一种自对准式太赫兹超表面微流体传感器及制备方法 | |
| Jiang et al. | Large-scale fabrication of 5 nm plasmonic hybrid nanoslit arrays | |
| Berti et al. | Spectroscopic investigation of artificial opals infiltrated with a heteroaromatic quadrupolar dye | |
| Fularz et al. | Cellulose acetate-based plasmonic crystals for surface-enhanced Raman and fluorescence spectroscopy | |
| Shahzeb Khan et al. | Photonic crystals: a review as promising tool for the selective detection of toxic gases |