RU2012153178A - Устройство для измерения дозы ионной имплантации посредством погружения в плазму - Google Patents
Устройство для измерения дозы ионной имплантации посредством погружения в плазму Download PDFInfo
- Publication number
- RU2012153178A RU2012153178A RU2012153178/07A RU2012153178A RU2012153178A RU 2012153178 A RU2012153178 A RU 2012153178A RU 2012153178/07 A RU2012153178/07 A RU 2012153178/07A RU 2012153178 A RU2012153178 A RU 2012153178A RU 2012153178 A RU2012153178 A RU 2012153178A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- electrodes
- electrons
- hole
- determining
- passage
- Prior art date
Links
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 title claims abstract 3
- 230000009189 diving Effects 0.000 title 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract 4
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims abstract 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 3
- 230000001846 repelling effect Effects 0.000 claims 2
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/02—Dosimeters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32412—Plasma immersion ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32422—Arrangement for selecting ions or species in the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/24405—Faraday cages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2448—Secondary particle detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31701—Ion implantation
- H01J2237/31703—Dosimetry
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
1. Устройство для измерения дозы ионной имплантации, содержащее блок (CUR) для определения тока при имплантации, устройство обнаружения (DSE) вторичных электронов и схему (СС) управления для определения ионного тока посредством определения разности между током при имплантации и током от устройства обнаружения вторичных электронов, причем устройство обнаружения вторичных электронов с высокой энергией содержит коллектор (COL, Р), на котором размещены три взаимно изолированных электрода:- первый отталкивающий электрод (G1, А1, Т1) для отталкивания зарядов заранее заданного знака, предназначенных для отталкивания, имеющий по меньшей мере одно отверстие для прохождения электронов;- второй отталкивающий электрод (G2, А2, Т2) для отталкивания зарядов противоположного знака, предназначенных для отталкивания, также имеющий по меньшей мере одно отверстие для прохождения электронов и- селективный электрод (G3, A3, Т3), в котором также выполнено по меньшей мере одно отверстие для прохождения электронов.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что отверстия в указанных электродах расположены на одной оси на проводящем цилиндре (D), образуя отверстие указанного устройства (DSE) обнаружения электронов.3. Устройство по п.1 или 2, отличающееся тем, что указанный коллектор (COL) имеет чашевидную форму.4. Устройство по п.1 или 2, отличающееся тем, что указанные электроды (G1-A1-T1, G2-A2-T2, G3-A3-T3) выполнены из алюминия.5. Устройство по п.1 или 2, отличающееся тем, что расстояние между двумя последовательно расположенными электродами (G1-G2, G2-G3) лежит в диапазоне 6-10 мм.6. Устройство по п.1 или 2, отличающееся тем, что площадь отверстий в указанных электродах (G1-A1-T1, G2-A2-T2, G3
Claims (13)
1. Устройство для измерения дозы ионной имплантации, содержащее блок (CUR) для определения тока при имплантации, устройство обнаружения (DSE) вторичных электронов и схему (СС) управления для определения ионного тока посредством определения разности между током при имплантации и током от устройства обнаружения вторичных электронов, причем устройство обнаружения вторичных электронов с высокой энергией содержит коллектор (COL, Р), на котором размещены три взаимно изолированных электрода:
- первый отталкивающий электрод (G1, А1, Т1) для отталкивания зарядов заранее заданного знака, предназначенных для отталкивания, имеющий по меньшей мере одно отверстие для прохождения электронов;
- второй отталкивающий электрод (G2, А2, Т2) для отталкивания зарядов противоположного знака, предназначенных для отталкивания, также имеющий по меньшей мере одно отверстие для прохождения электронов и
- селективный электрод (G3, A3, Т3), в котором также выполнено по меньшей мере одно отверстие для прохождения электронов.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что отверстия в указанных электродах расположены на одной оси на проводящем цилиндре (D), образуя отверстие указанного устройства (DSE) обнаружения электронов.
3. Устройство по п.1 или 2, отличающееся тем, что указанный коллектор (COL) имеет чашевидную форму.
4. Устройство по п.1 или 2, отличающееся тем, что указанные электроды (G1-A1-T1, G2-A2-T2, G3-A3-T3) выполнены из алюминия.
5. Устройство по п.1 или 2, отличающееся тем, что расстояние между двумя последовательно расположенными электродами (G1-G2, G2-G3) лежит в диапазоне 6-10 мм.
6. Устройство по п.1 или 2, отличающееся тем, что площадь отверстий в указанных электродах (G1-A1-T1, G2-A2-T2, G3-A3-T3) лежит в диапазоне 15-30 мм2.
7. Устройство по п.1 или 2, отличающееся тем, что указанные электроды представляют собой сетки (G1, G2, G3).
8. Устройство по п.7, отличающееся тем, что прозрачность указанных сеток (G1, G2, G3) больше чем 50%.
9. Устройство по п.7, отличающееся тем, что отношение h/D больше чем 1, где h - расстояние между двумя последовательно расположенными сетками, a D - диаметр отверстий в указанных сетках.
10. Устройство по п.1 или 2, отличающееся тем, что указанные электроды представляют собой кольца (А1-Т1, А2-Т2, А3-Т3).
11. Устройство по п.10, отличающееся тем, что отношение h/D больше чем 1, где h - расстояние между двумя последовательно расположенными кольцами, а D - диаметр указанного проводящего цилиндра.
12. Устройство по п.1 или 2, отличающееся тем, что также содержит спектрометр (SPC) для определения пропорционального содержания заранее заданного типа ионов, а схема (СС) управления содержит средства для поддержания указанного пропорционального содержания в указанном ионном токе.
13. Устройство по п.1 или 2, отличающееся тем, что содержит по меньшей мере одно дополнительное устройство обнаружения вторичных электронов.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR1002353A FR2961010A1 (fr) | 2010-06-03 | 2010-06-03 | Dispositif de mesure de dose pour l'implantation ionique en mode immersion plasma |
| FR1002353 | 2010-06-03 | ||
| PCT/FR2011/000323 WO2011151540A1 (fr) | 2010-06-03 | 2011-06-01 | Dispositif de mesure de dose pour l'implantation ionique en mode immersion plasma |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2012153178A true RU2012153178A (ru) | 2014-07-20 |
Family
ID=43447936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012153178/07A RU2012153178A (ru) | 2010-06-03 | 2011-06-01 | Устройство для измерения дозы ионной имплантации посредством погружения в плазму |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8895945B2 (ru) |
| EP (1) | EP2577708B1 (ru) |
| JP (1) | JP5815025B2 (ru) |
| KR (1) | KR101799891B1 (ru) |
| CN (1) | CN103003912B (ru) |
| BR (1) | BR112012030760A2 (ru) |
| FR (1) | FR2961010A1 (ru) |
| RU (1) | RU2012153178A (ru) |
| SG (1) | SG186791A1 (ru) |
| WO (1) | WO2011151540A1 (ru) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2976400B1 (fr) * | 2011-06-09 | 2013-12-20 | Ion Beam Services | Machine d'implantation ionique en mode immersion plasma pour procede basse pression. |
| FR2981193B1 (fr) * | 2011-10-06 | 2014-05-23 | Ion Beam Services | Procede de commande d'un implanteur ionique en mode immersion plasma. |
| FR3033079B1 (fr) * | 2015-02-19 | 2018-04-27 | Ion Beam Services | Procede de passivation d'un substrat et machine pour la mise en oeuvre de ce procede |
| FR3045206B1 (fr) * | 2015-12-10 | 2020-01-03 | Ion Beam Services | Procede de commande pour un implanteur fonctionnant en immersion plasma |
| CN112397367B (zh) * | 2020-11-02 | 2024-04-16 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体工艺设备及其法拉第杯 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59201355A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-14 | Hitachi Ltd | 荷電ビ−ム測定装置 |
| NL9001512A (nl) * | 1990-07-03 | 1992-02-03 | Philips Nv | Elektronenbundelapparaat voor topografische detectie. |
| GB2262649B (en) * | 1991-12-13 | 1995-03-01 | Marconi Gec Ltd | Energy analyser |
| US5319212A (en) * | 1992-10-07 | 1994-06-07 | Genus, Inc. | Method of monitoring ion beam current in ion implantation apparatus for use in manufacturing semiconductors |
| US6300643B1 (en) | 1998-08-03 | 2001-10-09 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Dose monitor for plasma doping system |
| US6020592A (en) | 1998-08-03 | 2000-02-01 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Dose monitor for plasma doping system |
| US6050218A (en) * | 1998-09-28 | 2000-04-18 | Eaton Corporation | Dosimetry cup charge collection in plasma immersion ion implantation |
| US7132672B2 (en) * | 2004-04-02 | 2006-11-07 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Faraday dose and uniformity monitor for plasma based ion implantation |
| FR2871812B1 (fr) * | 2004-06-16 | 2008-09-05 | Ion Beam Services Sa | Implanteur ionique fonctionnant en mode plasma pulse |
| JP2008147402A (ja) | 2006-12-08 | 2008-06-26 | Sharp Corp | モニタリング方法 |
| US7777179B2 (en) | 2008-03-31 | 2010-08-17 | Tokyo Electron Limited | Two-grid ion energy analyzer and methods of manufacturing and operating |
| US20100155600A1 (en) * | 2008-12-23 | 2010-06-24 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Method and apparatus for plasma dose measurement |
-
2010
- 2010-06-03 FR FR1002353A patent/FR2961010A1/fr not_active Withdrawn
-
2011
- 2011-06-01 BR BR112012030760A patent/BR112012030760A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2011-06-01 RU RU2012153178/07A patent/RU2012153178A/ru not_active Application Discontinuation
- 2011-06-01 CN CN201180035123.3A patent/CN103003912B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-06-01 EP EP11730719.9A patent/EP2577708B1/fr not_active Not-in-force
- 2011-06-01 WO PCT/FR2011/000323 patent/WO2011151540A1/fr not_active Ceased
- 2011-06-01 JP JP2013512963A patent/JP5815025B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-06-01 US US13/701,291 patent/US8895945B2/en active Active
- 2011-06-01 SG SG2012094439A patent/SG186791A1/en unknown
- 2011-06-01 KR KR1020137000187A patent/KR101799891B1/ko active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5815025B2 (ja) | 2015-11-17 |
| CN103003912B (zh) | 2016-01-13 |
| BR112012030760A2 (pt) | 2016-11-01 |
| EP2577708B1 (fr) | 2014-12-10 |
| US8895945B2 (en) | 2014-11-25 |
| KR101799891B1 (ko) | 2017-11-22 |
| US20130153779A1 (en) | 2013-06-20 |
| KR20130118854A (ko) | 2013-10-30 |
| CN103003912A (zh) | 2013-03-27 |
| SG186791A1 (en) | 2013-02-28 |
| WO2011151540A1 (fr) | 2011-12-08 |
| JP2013534693A (ja) | 2013-09-05 |
| FR2961010A1 (fr) | 2011-12-09 |
| EP2577708A1 (fr) | 2013-04-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| AU2020200901B2 (en) | Passive compound strong-ionization discharging plasma lightning rejection device | |
| US8288718B2 (en) | Ion mobility spectrometer and detecting method using the same | |
| US6803705B2 (en) | Plasma accelerator arrangement | |
| RU2010146630A (ru) | Рентгеновская трубка с пассивным ионособирающим электродом | |
| WO1999039368A3 (en) | Time-of-flight mass spectrometer | |
| JP2017535040A5 (ru) | ||
| WO2003088440A3 (en) | Method and apparatus for bipolar ion generation | |
| JP2017504148A5 (ru) | ||
| RU2002125110A (ru) | Плазменный ускоритель | |
| CL2024002466A1 (es) | Detector de muones para tomografía de muones | |
| CN105869693A (zh) | 一种中子源 | |
| EA202190038A1 (ru) | Устройство генерирования филаментированного вспомогательного разряда для устройства генерирования рентгеновского и корпускулярного излучений, а также для термоядерного реактора с устройством генерирования рентгеновского и корпускулярного излучений, и способ генерирования рентгеновского и корпускулярного излучений | |
| CN103003912A (zh) | 用于等离子体浸没离子注入的剂量测量设备 | |
| ATE535007T1 (de) | Ionisationsdetektor für ein environmental scanning electron microscope | |
| RU2389990C2 (ru) | Комбинированный ионизационный вакуумметрический преобразователь | |
| RU2515212C2 (ru) | Высокочувствительный ионизационный вакуумметрический преобразователь | |
| CN201508347U (zh) | 离子迁移谱仪 | |
| RU2003116203A (ru) | Ионный источник с холодным катодом | |
| CN210429734U (zh) | 一种四极漏斗结构的离子分子反应管 | |
| RU209936U1 (ru) | Импульсный нейтронный генератор | |
| CN209357691U (zh) | 一种新型离子源 | |
| RU2012150107A (ru) | Детектор вторичных электронов с высокой энергией | |
| RU2773038C1 (ru) | Импульсный нейтронный генератор | |
| CN204741167U (zh) | 一种覆膜的高压气体火花隙开关电极 | |
| RU2012130707A (ru) | Ампульный химический источник тока |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA92 | Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted) |
Effective date: 20151022 |