RU2199170C2 - Способ формирования сверхпроводящего пленочного покрытия и проводник на его основе - Google Patents
Способ формирования сверхпроводящего пленочного покрытия и проводник на его основе Download PDFInfo
- Publication number
- RU2199170C2 RU2199170C2 RU2000130355/28A RU2000130355A RU2199170C2 RU 2199170 C2 RU2199170 C2 RU 2199170C2 RU 2000130355/28 A RU2000130355/28 A RU 2000130355/28A RU 2000130355 A RU2000130355 A RU 2000130355A RU 2199170 C2 RU2199170 C2 RU 2199170C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- coating
- substrate
- superconducting
- lead
- conductor
- Prior art date
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 239000007888 film coating Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000009501 film coating Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 4
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 abstract description 17
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N azanylidyneniobium Chemical compound [Nb]#N CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 4
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910001257 Nb alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- KJSMVPYGGLPWOE-UHFFFAOYSA-N niobium tin Chemical compound [Nb].[Sn] KJSMVPYGGLPWOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000657 niobium-tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910001134 stannide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001281 superconducting alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области формирования пленочных сверхпроводников, сверхпроводящих композиций и проводников на их основе. Способ включает магнетронное распыление материала мишени в потоке плазмы и осаждение его на подготовленную поверхность металлической подложки, перемещаемой относительно мишени. При этом в качестве материала мишени используют свинец, формирование покрытия ведут послойным осаждением частиц свинца при температуре подложки не выше 150oС и скорости роста толщины покрытия по меньшей мере 0,5 нм•с-1 с преимущественной ориентацией кристаллов на поверхности пленки (200). Поддержание температуры подложки осуществляют соотношением времени пребывания подложки по меньшей мере в одном потоке плазмы, формирующем покрытие, и охлаждением вне его. Проводник включает сверхпроводящее пленочное покрытие, полученное по указанному способу, а в качестве материала подложки - металл, выбранный из группы 1В Периодической системы, или сплав из указанных металлов. При этом поверх сверхпроводящего свинцового пленочного покрытия проводник может содержать покрытие из металла, выбранного из группы 1В Периодической системы, или сплава из указанных металлов. В результате получается сверхпроводник с высоким значением критического тока по упрощенной технологии. 2 с. и 1 з.п. ф-лы, 1 табл., 1 ил.
Description
Изобретение относится к области формирования пленочных сверхпроводников, сверхпроводящих композиций и проводников на их основе и может быть использовано в электротехнической, радиотехнической, медицинской и других отраслях промышленности.
Известен способ формирования высокотемпературного сверхпроводника на поверхности металлической подложки (заявка ЕПВ 0490784, кл. Н 01 L 39/24, С 04 В 35/00, 1990), в котором сверхпроводящая тонкая пленка содержит кристаллическую сверхпроводящую фазу, характеризующуюся кубической осью кристаллографической ячейки, и предусмотрено формирование на поверхности подложки, содержащей серебро, золото или платину, пленки материала-предшественника, содержащего висмут, свинец, медь и комбинацию щелочноземельного кальция со стронцием и 0-10% бария, впоследствии термически превращаемого в сверхпроводящую тонкую пленку с кубической ориентацией кристаллографической ячейки.
Способ достаточно сложен технологически, так как предусматривает большое количество операций и не обеспечивает получение проводников с высоким значением критического тока, используемых для изготовления мощных электромагнитов.
Известен также способ получения сверхпроводящих пленок из нитрида ниобия с высоким значением критической температуры (патент США 4726890, кл. С 23 С 14/34, 1988), в соответствии с которым формирование пленки нитрида ниобия осуществляют реакционным магнетронным распылением ниобия на подложку в реакционной газовой смеси высокочистых аргона и азота в вакууме 10-8 Торр при поддержании температуры подложки равной 20oС и постоянного давления в процессе распыления ниобия 16-21 мТорр, парциального давления азота в пределах 3-4 мТорр, парциального давления газа носителя - аргона 12,9-17 мТорр.
Способ нанесения пленочного покрытия из нитрида ниобия достаточно сложен технически и технологически.
Наиболее близким по технической сущности к заявляемому является способ формирования сверхпроводящих тонких пленок (заявка ЕПВ 0462906, кл. Н 01 L 39/24, 1990) на подложке путем магнетронного распыления оксидного соединения, в котором подложку и мишень располагают в вакуумной камере параллельно друг другу с возможным перемещением одной относительно другой.
Способ позволяет получить сверхпроводящее пленочное покрытие, но с малым значением критического тока.
Известны конструкции сверхпроводников на основе сверхпроводящих пленочных покрытий.
Известен высокотемпературный сверхпроводник (патент Германии 294155, Н 01 В 12/00, 1993), в котором гибкий проволочный или ленточный сердечник из неэлектропроводного материала окружен слоем сверхпроводящего материала, причем между сердечником и этим слоем имеется обеспечивающий адгезию промежуточный слой. Вся структура окружена слоем с нормальной проводимостью, имеющим высокую тепло- и электропроводность, причем между высокотемпературным сверхпроводящим слоем и слоем с нормальной проводимостью может находиться адгезионный слой. Проводник отличают высокая прочность на растяжение и пластичность.
Сверхпроводник по своей конструкции предполагает достаточно сложную технологию изготовления вследствие большого количества операций и не может быть применен в устройствах, использующих большую силу тока, из-за проблемы отвода тепла.
Известен также композитный сверхпроводящий слой (заявка ЕПВ 0300499, кл. Н 01 L 39/24, 39/08, 1987), в котором пленки высокотемпературного сверхпроводника формируют на подложках, имеющих буферные покрытия из платины, золота, серебра, палладия, никеля или титана, нанесенные при температуре ниже 700oС.
Покрытия улучшают характеристики сверхпроводящей пленки, однако дополнительные операции усложняют технологию изготовления, а конструкция не позволяет использовать ее в качестве сверхпроводника для больших значений критического тока из-за сложности отвода тепла через буферное покрытие при возврате к обычной проводимости.
Наиболее близким по технической сущности к заявляемому является сверхпроводник ниобий-олово (заявка ЕПВ 0487240, Н 01 L 39/14, 39/24, 1990), содержащий подложку-сердечник из сплава ниобия и внешнее покрытие из сверхпроводящего сплава ниобий-олово, в котором для увеличения критической силы тока диспергирован преципитат оксида гафния.
Использование в сверхпроводнике диспергированного оксида гафния предполагает процесс по его введению в сплав, что усложняет технологию изготовления проводников с высоким значением критического тока.
Технический результат от совокупности влияния признаков, предлагаемых в изобретении, заключается в получении сверхпроводников с высоким значением критического тока по упрощенной технологии.
Указанный технический результат обеспечивается в способе формирования сверхпроводящего пленочного покрытия, включающем магнетронное распыление материала мишени в потоке плазмы и осаждение его на подготовленную поверхность металлической подложки, перемещаемой относительно мишени, при этом в качестве материала мишени используют свинец, формирование покрытия ведут послойным осаждением частиц свинца при температуре подложки не выше 150oС и скорости роста толщины покрытия по меньшей мере 0,5 нм•с-1, с преимущественной ориентацией кристаллов на поверхности пленки (200), а поддержание температуры подложки осуществляют соотношением времени пребывания подложки по меньшей мере в одном потоке плазмы, формирующем покрытие, и охлаждением вне его.
Технический результат обеспечивается также в конструкции проводника, включающего подложку и сверхпроводящее свинцовое пленочное покрытие, при этом в качестве материала подложки использованы металлы 1В группы Периодической системы или их сплавы. Проводник поверх сверхпроводящего пленочного покрытия с высоким значением критического тока содержит покрытие из металлов 1В группы Периодической системы или их сплавов.
Использование свинца в качестве материала для изготовления пленочных сверхпроводников с высоким значением критического тока с учетом простоты его получения и обработки, высокой скорости распыления значительно упрощает технологический процесс изготовления. Послойное формирование покрытия осаждением кластерных частиц свинца, полученных магнетронным распылением и осаждаемых на перемещаемую подложку, способствует заращиванию дефектов каждого предыдущего слоя последующим и созданию равномерного покрытия на подложках большой длины и площади. Преимущественная ориентация кристаллов свинца на поверхности пленочного покрытия (200), реализуемая в том же процессе напыления покрытия, способствует увеличению величины критического тока и упрощает технологию получения. Иная ориентация кристаллов на поверхности снижает критические параметры сверхпроводящего покрытия. Заданные значения скорости роста толщины покрытия и температуры подложки при его формировании направлены на достижение определенной микроструктуры пленочного покрытия, наиболее предпочтительной для сверхпроводящих свойств. Увеличение температуры более 150oС и снижение скорости роста толщины покрытия менее 0,5 нм•с-1 приводят к появлению анизотропии физических свойств и ухудшают сверхпроводящие свойства пленочного свинцового покрытия. Осуществление процесса формирования с соблюдением указанных условий позволяет получить пленочное свинцовое покрытие с высоким значением критического тока.
Использование в качестве подложки металлов 1В группы Периодической системы или их сплавов, обладающих высокой теплопроводностью и склонностью к растворению в свинце и обеспечивающих отвод тепла при возврате проводника к обычной проводимости и высокую величину адгезии формируемого покрытия к подложке, позволяет в результате одной технологической операции изготовить сверхпроводник с высоким значением критического тока, что значительно упрощает технологию в сравнении с используемыми в настоящее время.
Изготовление проводника с покрытием из металлов 1В группы Периодической системы или их сплавов, нанесенным поверх пленочного свинцового покрытия, способствует стабилизации покрытия из свинца. Возможность нанесения данного покрытия магнетронным распылением также способствует достижению технического результата.
На чертеже приведена схема сечения проводника: а - со сверхпроводящим пленочным покрытием с высоким значением критического тока; б - то же с нанесенным покрытием из металлов 1В группы Периодической системы или их сплавов.
На подложке 1 из меди, серебра, золота или их сплавов, преимущественно в виде фольги, изготовлено свинцовое пленочное покрытие 2. Поверх пленочного покрытия 2 проводник может иметь покрытие 3 из металлов 1 В группы Периодической системы или их сплавов.
Формирование сверхпроводящего пленочного покрытия с высоким значением критического тока и изготовление проводника реализованы на вакуумной установке с двумя однотипными планарными магнетронами постоянного тока и устройством карусельного типа для поочередного пересечения ленточной подложкой потока или потоков плазмы. Магнетроны снабжены: один - мишенью из свинца, второй - из металла 1В группы периодической системы высокой чистоты, с содержанием основного элемента более чем 99,99 мас.%, или их сплава. Причем второй магнетрон включали при формировании стабилизирующего покрытия поверх покрытия из свинца. Установка снабжена системой очистки, регулировки и стабилизации подачи газа. В качестве плазмообразующего использован инертный газ аргон. Пленочный свинцовый сверхпроводник формировали на ленточной подложке, представляющей собой фольгу, полученную обработкой давлением или магнетронным напылением. Фольгу из меди (прокатанную) предварительно подвергали обезжириванию и очистке. Фольга, полученная магнетронным напылением, дополнительной обработке не подвергалась. Температуру подложки поддерживали с точностью 10oС. Толщину слоев определяли ядерно-физическим методом Резерфордовского обратного рассеяния с энергией первичного протонного пучка 1 Мэв. Ориентацию частиц на поверхности пленки относительно подложки определяли рентгенографическим методом. Размеры частиц в основе сверхпроводника составили более 100 нм. Условия формирования проводника, его характеристики и результаты криогенных испытаний некоторых образцов представлены в таблице.
Из данных, приведенных в таблице, следует, что сверхпроводник на основе свинца по величине критического тока соответствует, а в некоторых случаях превышает данную величину для технически используемых в настоящее время сверхпроводников на основе сплавов ниобия и титана [(3-8)•104 А/см2], станнида ниобия [(1-8)•(105 А/см2] и нитрида ниобия [(2-5)•107 А/см2].
Таким образом, использование предлагаемого способа формирования сверхпроводящего пленочного покрытия на основе свинца и предлагаемой конструкции проводника позволяет значительно упростить технологию получения подобных изделий, применяющихся в устройствах для генерации сильных магнитных полей и в других областях криогенной техники.
Claims (3)
1. Способ формирования сверхпроводящего пленочного покрытия, включающий магнетронное распыление материала мишени в потоке плазмы и осаждение его на подготовленную поверхность металлической подложки, перемещаемой относительно мишени, отличающийся тем, что в качестве материала мишени используют свинец, формирование покрытия ведут послойным осаждением частиц свинца при температуре подложки не выше 150oС и скорости роста толщины покрытия, по меньшей мере, 0,5 нм•с-1 с преимущественной ориентацией кристаллов на поверхности пленки (200), а поддержание температуры подложки осуществляют соотношением времени пребывания подложки, по меньшей мере, в одном потоке плазмы, формирующем покрытие, и охлаждением вне его.
2. Проводник, включающий подложку и сверхпроводящее покрытие, отличающийся тем, что он содержит сверхпроводящее пленочное покрытие, полученное по п.1, а в качестве материала подложки - металл, выбранный из группы 1В Периодической системы, или сплав из указанных металлов.
3. Проводник по п.2, отличающийся тем, что поверх сверхпроводящего свинцового пленочного покрытия он содержит покрытие из металла, выбранного из группы 1В Периодической системы, или сплава из указанных металлов.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KZ2000/0711.1 | 2000-06-27 | ||
| KZ20000711 | 2000-06-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2000130355A RU2000130355A (ru) | 2002-11-27 |
| RU2199170C2 true RU2199170C2 (ru) | 2003-02-20 |
Family
ID=19720708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2000130355/28A RU2199170C2 (ru) | 2000-06-27 | 2000-12-04 | Способ формирования сверхпроводящего пленочного покрытия и проводник на его основе |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2199170C2 (ru) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4316785A (en) * | 1979-11-05 | 1982-02-23 | Nippon Telegraph & Telephone Public Corporation | Oxide superconductor Josephson junction and fabrication method therefor |
| US4927513A (en) * | 1988-01-09 | 1990-05-22 | Leybold Aktiengesellschaft | Method and arrangement for fabricating magneto-optical, storable, and/or deletable data carriers |
| US5034374A (en) * | 1988-06-13 | 1991-07-23 | Fujitsu Limited | Method of producing high temperature superconductor Josephson element |
| RU2030811C1 (ru) * | 1991-05-24 | 1995-03-10 | Инженерный центр "Плазмодинамика" | Установка для плазменной обработки твердого тела |
-
2000
- 2000-12-04 RU RU2000130355/28A patent/RU2199170C2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4316785A (en) * | 1979-11-05 | 1982-02-23 | Nippon Telegraph & Telephone Public Corporation | Oxide superconductor Josephson junction and fabrication method therefor |
| US4927513A (en) * | 1988-01-09 | 1990-05-22 | Leybold Aktiengesellschaft | Method and arrangement for fabricating magneto-optical, storable, and/or deletable data carriers |
| US5034374A (en) * | 1988-06-13 | 1991-07-23 | Fujitsu Limited | Method of producing high temperature superconductor Josephson element |
| RU2030811C1 (ru) * | 1991-05-24 | 1995-03-10 | Инженерный центр "Плазмодинамика" | Установка для плазменной обработки твердого тела |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Сверхпроводящие материалы /Под ред. Е.М. Савицкого. - М.: Металлургия, 1976, с.18-23. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5158933A (en) | Phase separated composite materials | |
| JP2829221B2 (ja) | 熱プラズマ蒸発法による金属基板上への酸化物の成膜方法 | |
| CA2037481C (en) | Method of preparing oxide superconducting film | |
| CA1322514C (en) | Thin film of single crystal of lna_cu_o___ having three-layered perovskite structure and process for producing the same | |
| RU2173733C2 (ru) | Способ формирования сверхпроводящего пленочного покрытия из нитрида ниобия и проводника на его основе | |
| JPH0365502A (ja) | 超電導薄膜の作製方法 | |
| JPH0320007A (ja) | 磁性体薄膜の製造方法 | |
| US5362711A (en) | Method for producing single crystal superconducting LnA2 Cu3 O7-x films | |
| JP2639544B2 (ja) | 三層ペロブスカイト構造をもつＬａＡ▲下２▼Ｃｕ▲下３▼Ｏ▲下７▼▲下−▼ｘの単結晶薄膜及びＬａＡ▲下２▼Ｃｕ▲下３▼Ｏ▲下７▼▲下−▼ｘ薄膜の製造法 | |
| JPH0393110A (ja) | 超電導線材 | |
| JP2721322B2 (ja) | 酸化物超電導成形体 | |
| JPH01100816A (ja) | 高温超電導材 | |
| JPH01260717A (ja) | 金属酸化物超伝導材料層の製造方法及び装置 | |
| JPH03261605A (ja) | 酸化物超電導膜の製造方法 | |
| JPH04318934A (ja) | 金属薄膜及びその製造方法 | |
| JPH03197306A (ja) | 酸化物超電導薄膜を作製する装置および方法 | |
| JP2009501414A (ja) | 超伝導材料の改善及び超伝導材料に関連する改善 | |
| JP3607940B2 (ja) | 酸化物超伝導体の製造方法 | |
| JPH02248323A (ja) | Ｂｉ系酸化物超電導導体の製造方法 | |
| JPH11322341A (ja) | 酸化物超電導材の製造方法および酸化物超電導材 | |
| CA1281247C (en) | Methods for high tc superconductor film deposition | |
| JPH03261606A (ja) | 酸化物超電導膜の製造方法 | |
| JPH01259582A (ja) | 酸化物系超電導薄膜の製造方法 | |
| JPH0244786A (ja) | ジョセフソン素子の製造方法 | |
| JPH01275405A (ja) | 超電導体構造物の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20111205 |