SE456874B - Integrerat kretsorgan med ett flertal elektriska komponenter bildade i ett integrerat kretschip och ett saett foer dess framstaellning - Google Patents

Integrerat kretsorgan med ett flertal elektriska komponenter bildade i ett integrerat kretschip och ett saett foer dess framstaellning

Info

Publication number
SE456874B
SE456874B SE8403978A SE8403978A SE456874B SE 456874 B SE456874 B SE 456874B SE 8403978 A SE8403978 A SE 8403978A SE 8403978 A SE8403978 A SE 8403978A SE 456874 B SE456874 B SE 456874B
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
joining
chip
connecting wire
pads
pad
Prior art date
Application number
SE8403978A
Other languages
English (en)
Other versions
SE8403978L (sv
SE8403978D0 (sv
Inventor
R K Reusch
Original Assignee
R K Reusch
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by R K Reusch filed Critical R K Reusch
Publication of SE8403978D0 publication Critical patent/SE8403978D0/sv
Publication of SE8403978L publication Critical patent/SE8403978L/sv
Publication of SE456874B publication Critical patent/SE456874B/sv

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/40—Leadframes
    • H10W70/421—Shapes or dispositions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
    • H10W76/10—Containers or parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07531—Techniques
    • H10W72/07532—Compression bonding, e.g. thermocompression bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07531—Techniques
    • H10W72/07532—Compression bonding, e.g. thermocompression bonding
    • H10W72/07533—Ultrasonic bonding, e.g. thermosonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/541—Dispositions of bond wires
    • H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/541—Dispositions of bond wires
    • H10W72/547—Dispositions of multiple bond wires
    • H10W72/5473—Dispositions of multiple bond wires multiple bond wires connected to a common bond pad
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/59—Bond pads specially adapted therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H10W72/931—Shapes of bond pads
    • H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H10W72/951—Materials of bond pads
    • H10W72/952—Materials of bond pads comprising metals or metalloids, e.g. PbSn, Ag or Cu
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49121—Beam lead frame or beam lead device

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

456- 874 2 uppbära tyngden hos monteringsdynan och chippet, ett jordfinger intill chippet och minst två sammanfogningsdynor bildade på chippet. Ett sätt att jorda chipmonteringsdynan innefattar följande moment: (a) på chippet bildas ett metalliserat skikt som förbin- der sammanfogningsdynorna elektriskt, I (b) en anslutningstrâd tillkopplas med sin ena ände till en sammanfogningsdyna och med sin andra ände till konstruk- tionsorganet, varigenom ohmska kontakter bildas, och (c) en annan anslutningstråd tillkopplas med sin ena än- Z de till en annan sammanfogningsdyna och med sin andra ände till jordfingret, varvid ohmska kontakter bildas. n Uppfinningen kommer att beskrivas'i detalj i det följan- de under hänvisning till bifogade ritning, på vilken fig 1 är en planvy som visar en del av en ledarram på vilket ett inte- grerat kretschip är monterat, varvid en jordanslutning till den chippet uppbärande dynan enligt teknikens ståndpunkt är visad, fig 2 är'en planvy som är likartad den i fig 1 visade vyn och som visar en jordanlsutning i enlighet med föreliggande uppfin- ning, och fig 3 är en planvy som är likartad vyn enligt fig 2 men som visar en variant av den i fig 2 visade jordanslut- ningen.
Fig 1,_2 och 3 visar en del av en ledarram 10, på vilken en chipmonteringsdyna 12 är uppburen av ett par konstruktions- organ 1H. En serie ledare 16 med var sin kontaktände 18 är an- ordnad kring monteringsdynans 12 omkrets på så sätt att kon- t taktändarna 18 är belägna på avstånd från och intill dynan 12.
Ledarramen 10 är silverpläterad och har en yttre del (inte vi- sad) som uppbär de andra ändarna hos ledarna 16 och konstruk- tionsorganen 1U. Sedan organet har inkapslats och ledarna 16 har formats slutgiltigt avskiljs och kasseras denna yttre del.
Dessa ledarramar samt deras framställningssätt och användning är allmänt kända inom tekniken, och de kommer därför inte att beskrivas ytterligare här.
Ett chip 20, på vilket en integrerad krets är bildad, är sammanfogat med en yta 22 hos monteringsdynan 12 på i och för sig känt sätt. En serie små sammanfogningsdynor är bildade på chippets 20 yta nära dess ytterkanter och intill kontaktändarna 456 874 3 18. Sammanfogningsdynorna 30, som t ex kan bestå av aluminium,' är elektriskt anslutna till skilda punkter i den integrerade kretsen och utgör de medel via vilka den integrerade kretsen är sammankopplad med andra kretsar och organ. Fina anslutningstrå- dar 32 sammankopplar elektriskt sammanfogningsdynorna 30 och ledarna 16. Trådarna 32 består i regel av guld och har en dia- meter lika med ca 25 pm. Den ena änden av varje tråd 32 är sam- manfogad med en dyna 30 medelst i och för sig kända sammanfog- níngsmetoder med termoljud, och den andra änden är på likantat sätt sammanfogad med en kontaktände 18 hos en lämplig ledare 16. Man kan utnyttja sammanfogning medelst ultraljud och ter- misk komprimering på i och för sig känt sätt, men man föredrar sammanfogning med termoljud.
Ett jordfinger 3H med en kontaktände 36 anordnad intill chippet 20 har sin andra ände uppburen av ledarramens 70 yttre del på likartat sätt som då det gäller ledarna 16. En samman- fogningsdyna 30a är elektriskt sammankopplad med den integre- rade kretsens jordpunkter via en metalliserad ledare H0, såsom är visat i fig 1. En fin anslutningstråd 32a är sammanfogad med och sammankopplar elektriskt dynan 30a och jordfingrets 3H kon- taktände 36 på det ovan beskrivna sättet.
Ett viktigt kännetecken hos föreliggande uppfinning lig- ger i det sätt på vilket chipmonteringsdynan 12 är elektriskt ansluten till jordfingret 3U. Den i fig 1 visade anordningen enligt tidigare känd teknik åskådliggör en fin anslutningstråd 32b förbunden med kontaktänden 36 och med en sammanfognings- punkt U2 på monteringsdynan 12. I detta fall måste man emeller- tid använda sig av en större monteringsdyna 12 än vad som annars vore nödvändigt för att säkerställa att ett tillräckligt utrymme står till buds för att man skall kunna erhålla en av- sedd sammanfogning vid sammanfogningspunkten H2. Medelst före- liggande uppfinning får man å andra sidan ett likartat resul- tat genom att sammanfoga den ena änden hos en fin anslutnings- tråd 32c med en sammanfogningspunkt UU på ett av konstruktions- organen 14 och den andra änden med en sammanfogningsdyna 30b, såsom är visat i fig 2 och 3. Sammanfogningsdynan 30b förbinds därefter antingen med Jordledaren 40, såsom är visat i fig 2, eller förbinda med en annan sammanfogningsdyna 300 som är bil- 456 8724 U dad på chippet 20 intill jordfingret 33, såsom är visat i fig 3. Denna förbindning görs via en metalliserad ledare H6. I det sistnämnda fallet sammanfogas den ena änden hos en fin an- slutningstråd 32d med dynan 30c, medan den andra änden samman- fogas med kontaktänden 36 hos jordfingret 34.
De viktiga fördelarna som uppnås genom att man utnyttjar den ovan beskrivna anordningen är att chipmonteringsdynan 12 blir betydligt mindre och att de av guld bestående anslutnings- trådarna 32 blir betydligt kortare än vad som är fallet enligt teknikens ståndpunkt. Vad som är viktigast är att de kortare anslutningstrådarna 32 blir mindre känsliga för böjning under inkapslingen, varigenom de sammanfogade anslutningarnas inte- gritet ökas; Slutligen ökas integriteten hos monteringsdynans jordanslutning också därför att, till följd av läget hos sam- manfogningspunkten UU, inga störningar kan ske genom överström- ning av materialet som används för att sammanfoga chippet 20 med monteringsdynan 12, eftersom jordanslutningstrâden 32c är vid sin ena ände sammanfogad med en av aluminium bestående sam- manfogningsdyna 32c på chippet 20 och vid sin andra ände med en av silver bestående sammanfogningspunkt ÄH på ledarramen 10 på likartat sätt som då det gäller sammanfogningsarrangemanget av alla de andra fina anslutningstrådarna. Härigenom undviker man behovet av att för monteringsdynans jordanslutningstråd ha ett sammanfogningsmoment som är olika mot då det gäller alla de andra anslutningstrådarna 32 i motsats till vad som har varit fallet enligt teknikens ståñdpunkt.
Såsom ett exempel monteras en integrerad kretschip med *beteckningen RCA CA3084 på konventionellt sätt på en ledarram med en monteringsdyna med en ytarea som uppgår till ca 6,U5 mme. I denna konfiguration jordas monteringsdynan me- delst en anslutningstråd vars ena ände sammanfogas med jord- fingret och vars andra ände sammanfogas med monteringsdynan i området mellan chippets sida och monteringsdynans kant. Genom att man tillämpar lärdomarna enligt föreliggande uppfinning kan å andra sidan samma chip monteras i en ledarram med en monte- ringsdyna som har en ytarea på ca U,13 mmg, vilket medför en minskning med 36% i monteringsdynans storlek i förhållande till det konventionella arrangemanget. Pâ likartat sätt har de av å» f»

Claims (12)

456 874 5 guld bestående anslutningstrådarna i den konventionella anord- ningen en genomsnittslängd av ca 1,91 mm, medan de enligt före- liggande uppfinning har en genomsnittslängd av ca 1,64 mm, vil- ket innebär en minskning av 1ü% i anslutningstrådens längd. Det är således uppenbart att man ytterligare får fördelen med redu- cerade tillverkningskostnader. PATENTKRAV
1. Sätt att framställa ett integrerat kretsorgan som har ett flertal elektriska komponenter bildade i ett integrerat kretschip (20), en monteringsdyna (12) för att uppbära nämnda chip (20), ett konstruktivt organ (1U) utformat integralt med nämnda monteringsdyna (20) och anordnat att uppbära tyngden hos nämnda monteringsdyna (12) och nämnda chip (20), ett intill nämnda chip (20) beläget jordfinger (34) och två på nämnda chip (20) bildade sammanfogningsdynor (30b, 300), k ä n n e t e c k- n a t därav, att en metalliserad strömledare (Ä6) bildas på nämnda chip (20) och elektriskt förbinder nämnda båda samman- fogníngsdynor (30b, 300), att den ena änden hos en första an- slutnignstråd (320) sätts fast vid den ena (30b) av nämnda båda sammanfogningsdynor (30b, 300) medan den andra änden hos nämnda första anslutningstråd (32c) sätts fast vid nämnda konstruktiva organ (1U) och att den ena änden hos en andra anslutningstrâd (32d) sätts fast vid den andra (30c)_av de nämnda båda samman- fogningsdynorna (30b, 30c) medan den andra änden hos nämnda andra anslutningstrâd (32d) sätts fast vid nämnda jordfinger (3N), varvid var och en av nämnda fastsättningar åstadkommer ohmska förbindelser.
2. Sätt enligt krav 1, k ä n n e t e c k n a t därav, att nämnda organ inkluderar en tredje sammanfogningsdyna (30a) som är bildad på nämnda chip (20) och som är elektriskt oberoende av nämnda båda sammanfogningsdynor (30b, 30c) och att den ena änden hos en tredje anslutningstrâd (32a) sätts fast vid nämnda tredje sammanfogningsdyna (30a) medan den andra änden hos den tredje anslutningstráden (32a) sätts fast vid nämnda jordfinger (3H).
3. Sätt enligt krav 1, k ä n n e t e c k n a t därav, att på nämnda chip (20) bildas en metalliserad ledare (40) som. 456 874 6 elektriskt förbinder den ena (30b) av nämnda båda sammanfog- ningsdynor (30b, 30c) med en av nämnda elektriska komponenter.
4. U. ' Sätt enligt krav 3. k ä n n e t e c k n a t därav, att nämnda fastsättning sker genom sammanfogning under värme och tryck.
5. Sätt enligt krav 3, k ä n n e t e c k n a t därav, att nämnda fastsättning sker genom sammanfogning medelst ultraljud.
6. Sätt enligt krav 3, k ä n n e t e c k n alt därav, att nämnda fastsättning sker genom sammanfogning medelst värme och ljud.
7. Integrerat kretsorgan med ett flertal elektriska kompo- nenter bildade i ett integrerat kretschip (20), en monterings- dyna (12) för att uppbära nämnda chip (20), ett integralt med nämnda monteringsdyna (12) utformat konstruktivt organ (1U) som är anordnat att uppbära tyngden hos nämnda monteringsdyna (12) och nämnda chip (20), ett intill nämnda chip (20) beläget jord- finger (32)'och två sammanfogningsdynor (30b, 300) bildade på nämnda chip (20), k ä n n e t e c k n a t därav, att en metal- liserad ledare (H6) på nämnda chip (20) elektriskt inkopplar nämnda båda sammanfogningsdynor (30b, 30c), att den ena änden hos en första anslutningstråd (32c) är elektriskt förbunden med den ena (30b) av nämnda båda sammanfogningsdynor (30b. 30c), 3 medan den andra änden hos nämnda första anslutningstråd (320) är elektriskt förbunden med nämnda konstruktiva organ (lä) och att den ena änden hos en andra anslutningstråd (32d) är elek- triskt förbunden med den andra (30c) av nämnda båda sammanfog- ningsdynor (30b, 30c) medan den andra änden hos nämnda andra- anslutningstråd (32d) är elektriskt förbunden med nämnda jord- finger (3U). _
8. - Organ enligt krav 7, k ä n n e t e c k n a t därav. att det inkluderar en tredje på nämnda chip (20) bildad sammanfog- níngsdyna (30a) som är elektriskt oberoende av nämnda båda sam- manfogningsdynor (30b. 300) och att det ytterligare inkluderar en tredje anslutningstråd (32a), varvid den ena änden hos nämn- da tredje anslutningstråd (32a) är elektriskt förbunden med nämnda tredje anslutningsdyna (30a) medan den andra änden hos nämnda tredje anslutningstråd (32a) är elektriskt förbunden med nämnda jordfinger (34). ' I 641 1: 456 874 7
9. Organ enligt krav 7, k ä n n e t e_c k n a t därav, att det inkluderar en på nämnda chip (20) bildad metalliserad le- dare (NO) som elektriskt förbinder den ena (30b) av nämnda båda sammanfogningsdynor (30b, 300) med den ena av nämnda elektriska komponenter. w
10. Organ enligt krav 9, k ä n n e t e c k n a t därav, att nämnda anslutningstrâdar (3Éc, 32d) är inkopplade medelst sam- manfogning under värme och tryck.
11. Organ enligt krav 9, k ä n n e t e c k n a t därav, att nämnda anslutningstrådar (320, 32d) är inkopplade medelst sam- manfogning med hjälp av ultraljud;
12. Organ enligt krav 9. k ä n n e t e c k n a t därav. att nämnda anslutningstrådar (32c, 32d) är inkopplade medelst sam- manfogning under värme och ljud.
SE8403978A 1983-08-10 1984-08-03 Integrerat kretsorgan med ett flertal elektriska komponenter bildade i ett integrerat kretschip och ett saett foer dess framstaellning SE456874B (sv)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/521,897 US4534105A (en) 1983-08-10 1983-08-10 Method for grounding a pellet support pad in an integrated circuit device

Publications (3)

Publication Number Publication Date
SE8403978D0 SE8403978D0 (sv) 1984-08-03
SE8403978L SE8403978L (sv) 1985-02-11
SE456874B true SE456874B (sv) 1988-11-07

Family

ID=24078595

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE8403978A SE456874B (sv) 1983-08-10 1984-08-03 Integrerat kretsorgan med ett flertal elektriska komponenter bildade i ett integrerat kretschip och ett saett foer dess framstaellning

Country Status (10)

Country Link
US (1) US4534105A (sv)
JP (1) JPS6054461A (sv)
KR (1) KR930002386B1 (sv)
DE (1) DE3428881C2 (sv)
FR (1) FR2550661B1 (sv)
GB (1) GB2144910B (sv)
IN (1) IN160929B (sv)
IT (1) IT1174170B (sv)
SE (1) SE456874B (sv)
YU (1) YU119484A (sv)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61108160A (ja) * 1984-11-01 1986-05-26 Nec Corp コンデンサ内蔵型半導体装置及びその製造方法
DE3680265D1 (de) * 1985-02-28 1991-08-22 Sony Corp Halbleiterschaltungsanordnung.
DE3787137T2 (de) * 1986-02-07 1993-12-09 Fujitsu Ltd Halbleiteranordnung.
US4829362A (en) * 1986-04-28 1989-05-09 Motorola, Inc. Lead frame with die bond flag for ceramic packages
JPS63205930A (ja) * 1987-02-21 1988-08-25 Ricoh Co Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
JP2734463B2 (ja) * 1989-04-27 1998-03-30 株式会社日立製作所 半導体装置
JPH088330B2 (ja) * 1989-07-19 1996-01-29 日本電気株式会社 Ｌｏｃ型リードフレームを備えた半導体集積回路装置
US5006919A (en) * 1990-03-01 1991-04-09 Advanced Micro Devices, Inc. Integrated circuit package
JP3011510B2 (ja) * 1990-12-20 2000-02-21 株式会社東芝 相互連結回路基板を有する半導体装置およびその製造方法
KR920018907A (ko) * 1991-03-23 1992-10-22 김광호 반도체 리드 프레임
KR940006187Y1 (ko) * 1991-10-15 1994-09-10 금성일렉트론 주식회사 반도체장치
KR100552353B1 (ko) * 1992-03-27 2006-06-20 가부시키가이샤 히타치초엘에스아이시스템즈 리이드프레임및그것을사용한반도체집적회로장치와그제조방법
US5256598A (en) * 1992-04-15 1993-10-26 Micron Technology, Inc. Shrink accommodating lead frame
KR0177744B1 (ko) * 1995-08-14 1999-03-20 김광호 전기적 특성이 향상된 반도체 장치
US5986334A (en) * 1996-10-04 1999-11-16 Anam Industrial Co., Ltd. Semiconductor package having light, thin, simple and compact structure
EP0954879A1 (de) * 1997-01-22 1999-11-10 Siemens Aktiengesellschaft Elektronisches bauelement
US5780772A (en) * 1997-01-24 1998-07-14 National Semiconductor Corporation Solution to mold wire sweep in fine pitch devices
IT1317559B1 (it) * 2000-05-23 2003-07-09 St Microelectronics Srl Telaio di supporto per chip avente interconnessioni a bassa resistenza.
US20050230850A1 (en) * 2004-04-20 2005-10-20 Taggart Brian C Microelectronic assembly having a redistribution conductor over a microelectronic die
EP2183778A2 (en) * 2007-07-23 2010-05-12 Nxp B.V. A leadframe structure for electronic packages
CN102201384A (zh) * 2010-03-22 2011-09-28 无锡华润安盛科技有限公司 一种led驱动电路的小外形封装引线框
US9337240B1 (en) * 2010-06-18 2016-05-10 Altera Corporation Integrated circuit package with a universal lead frame
CN102569233A (zh) * 2010-12-09 2012-07-11 登丰微电子股份有限公司 封装结构

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3685137A (en) * 1971-05-13 1972-08-22 Rca Corp Method for manufacturing wire bonded integrated circuit devices
US3611061A (en) * 1971-07-07 1971-10-05 Motorola Inc Multiple lead integrated circuit device and frame member for the fabrication thereof
US4065851A (en) * 1974-04-20 1978-01-03 W. C. Heraeus Gmbh Method of making metallic support carrier for semiconductor elements
US4068371A (en) * 1976-07-12 1978-01-17 Miller Charles F Method for completing wire bonds
US4142203A (en) * 1976-12-20 1979-02-27 Avx Corporation Method of assembling a hermetically sealed semiconductor unit
JPS5623759A (en) * 1979-08-01 1981-03-06 Hitachi Ltd Resin-sealed semiconductor device and manufacture thereof
JPS5662352A (en) * 1979-10-26 1981-05-28 Hitachi Ltd Semiconductor integrated circuit device for acoustic amplification circuit
DE3023528C2 (de) * 1980-06-24 1984-11-29 W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau Aluminium enthaltender Feinstdraht
US4454529A (en) * 1981-01-12 1984-06-12 Avx Corporation Integrated circuit device having internal dampening for a plurality of power supplies
GB2091035B (en) * 1981-01-12 1985-01-09 Avx Corp Integrated circuit device and sub-assembly

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6054461A (ja) 1985-03-28
IT8421350A0 (it) 1984-06-11
YU119484A (en) 1987-08-31
GB8419078D0 (en) 1984-08-30
IN160929B (sv) 1987-08-15
IT1174170B (it) 1987-07-01
GB2144910B (en) 1986-12-31
DE3428881A1 (de) 1985-02-28
KR930002386B1 (en) 1993-03-29
JPH0469432B2 (sv) 1992-11-06
DE3428881C2 (de) 1996-05-09
KR850002173A (ko) 1985-05-06
SE8403978L (sv) 1985-02-11
FR2550661A1 (fr) 1985-02-15
GB2144910A (en) 1985-03-13
FR2550661B1 (fr) 1988-11-25
US4534105A (en) 1985-08-13
SE8403978D0 (sv) 1984-08-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SE456874B (sv) Integrerat kretsorgan med ett flertal elektriska komponenter bildade i ett integrerat kretschip och ett saett foer dess framstaellning
US5089878A (en) Low impedance packaging
US6602778B2 (en) Apparatus and methods for coupling conductive leads of semiconductor assemblies
CA1232364A (en) Wafer-scale-integrated assembly
US5528083A (en) Thin film chip capacitor for electrical noise reduction in integrated circuits
US5233220A (en) Balanced capacitance lead frame for integrated circuits and integrated circuit device with separate conductive layer
US4021838A (en) Semiconductor integrated circuit devices
US5049973A (en) Heat sink and multi mount pad lead frame package and method for electrically isolating semiconductor die(s)
KR910008984B1 (ko) 동기 정류기용 저 저항 전기 상호접속 장치
US5225633A (en) Bridge chip interconnect system
EP0142938A1 (en) Semiconductor integrated circuit including a lead frame chip support
US4916506A (en) Integrated-circuit lead-frame package with low-resistance ground-lead and heat-sink means
US5309021A (en) Semiconductor device having particular power distribution interconnection arrangement
US5606199A (en) Resin-molded type semiconductor device with tape carrier connection between chip electrodes and inner leads of lead frame
JP2951573B2 (ja) 分離されたダイパッドを有する半導体パッケージ
US20050285249A1 (en) Multi-chip semiconductor connector assemblies
EP0917198B1 (en) Semiconductor device packaging process
US5994169A (en) Lead frame for integrated circuits and process of packaging
GB1184319A (en) Semiconductor Device Assembly
JPH0817870A (ja) 半導体装置
JPH0666354B2 (ja) 半導体装置
JPH0744243B2 (ja) 半導体集積回路モジユ−ル
JPS5854646A (ja) 混成集積回路装置
JPH0770666B2 (ja) 集積回路装置実装パツケ−ジ
JPH05251513A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
NAL Patent in force

Ref document number: 8403978-3

Format of ref document f/p: F

NUG Patent has lapsed

Ref document number: 8403978-3

Format of ref document f/p: F