SE522183C2 - Förfarande, anordning och datorprogramprodukt för litografi - Google Patents

Förfarande, anordning och datorprogramprodukt för litografi

Info

Publication number
SE522183C2
SE522183C2 SE0201242A SE0201242A SE522183C2 SE 522183 C2 SE522183 C2 SE 522183C2 SE 0201242 A SE0201242 A SE 0201242A SE 0201242 A SE0201242 A SE 0201242A SE 522183 C2 SE522183 C2 SE 522183C2
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
groove
exposure
substrate
lithographic
axis
Prior art date
Application number
SE0201242A
Other languages
English (en)
Other versions
SE0201242L (sv
SE0201242D0 (sv
Inventor
Lennart Olsson
Original Assignee
Obducat Ab
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Obducat Ab filed Critical Obducat Ab
Priority to SE0201242A priority Critical patent/SE522183C2/sv
Publication of SE0201242D0 publication Critical patent/SE0201242D0/sv
Priority to CNB03809147XA priority patent/CN1313884C/zh
Priority to JP2004500121A priority patent/JP2005524104A/ja
Priority to PCT/SE2003/000654 priority patent/WO2003091805A1/en
Priority to US10/512,274 priority patent/US7468784B2/en
Priority to KR1020047017157A priority patent/KR100787701B1/ko
Priority to AU2003224565A priority patent/AU2003224565A1/en
Priority to EP03721234A priority patent/EP1497698A1/en
Publication of SE0201242L publication Critical patent/SE0201242L/sv
Publication of SE522183C2 publication Critical patent/SE522183C2/sv
Priority to JP2010246532A priority patent/JP5248574B2/ja

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/855—Coating only part of a support with a magnetic layer
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
    • G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
    • G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
    • G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
    • G11B7/261—Preparing a master, e.g. exposing photoresist, electroforming

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

lO 15 20 25 30 35 522 183 I n ~ u . nu u I - o o . .- 2 lagring av data i ett område förändrar data i ett in- tilliggande område.
Ett sätt att komma till rätta med detta är att på förhand definiera magnetiserbara områden i vart och ett av skikten, vilka områden är åtskilda. Exempelvis kan sådana magnetiserbara områden ta sig formen av ett antal koncentriska ringar, hädanefter benämnda ”spår”, vilka är fördelade över en roterbar skivas yta.
Vid tillverkning av reliefmönster för trycklitografi av substrat som skall erhålla sådana spår, är det önsk- värt att kunna åstadkomma en stämpel i samma format som den avsedda produkten, och som har ett stort antal koncentriska spår, där varje spår har så små radiella variationer som möjligt.
Ett problem i samband med skapandet av sådana kon- centriska spår, är toleransvariationer i det av lito- grafistrålen skapade spåret, vilka orsakas av i sig okontrollerbara och svårhanterliga mekaniska glapp eller spel i den utrustning som används. Detta problem uppstår särskilt i samband med att mycket små strukturer med hög precision skall skapas på en relativt stor yta. För att skapa sådana strukturer, används företrädesvis partikel- strålar såsom elektron- eller jonstrålar, eftersom elektromagnetisk strålning, vid exempelvis optiska våg- längder eller röntgenvåglängder, normalt inte kan foku- seras till lika små dimensioner.
US 5 621 216 visar ett sätt att i samband med till- verkning av röntgenmasker för elektronstrålelitografi hantera positionsfel vid punktgränser. Detta görs genom att elektronstråleresisten under ett flertal exponeringar exponeras partiellt, varvid en genomsnittlig exponering erhålls. Den i US 5 621 216 föreslagna tekniken lämpar sig emellertid endast för exponering av små ytor, efter- som elektronstrålen endast kan styras över en mycket liten area.
Det finns således ett behov av ett förfarande för att med hjälp av en litografistråle åstadkomma koncen- 10 15 20 25 30 35 n u uno u . v a. . 1 1 -".."¿ H' Q n u.. . ß - v a . . . , ' O n n . n. v un; va. .. , _ _"I~ -ø n apa. . . : , _ __ _ _ _ z -. ...a n o . . v o n _ “ ~ ~ v a .. . .. .- I l in I!! 3 triska spår i ett ytskikt, med vilket förfarande inverkan av mekaniska glapp eller spel av ovan nämnda typ redu- ceras.
Sammanfattning av uppfinningen Ett ändamål med föreliggande uppfinning är således att åstadkomma ett förfarande, en anordning och en dator- programprodukt för litografi, varmed ovan nämnda problem helt eller delvis elimineras.
Detta ändamål uppnås helt eller delvis med hjälp av ett förfarande enligt bifogade krav 1, en datorprogram- produkt enligt krav 18 och en anordning enligt krav 19.
Utföringsformer av uppfinningen framgår av bifogade osjälvständiga krav samt av den följande beskrivningen.
Enligt en första aspekt av föreliggande uppfinning åstadkoms ett förfarande för att genom exponering för en litografistråle bilda ett spår av till en förutbestämd grad exponerat material i ett ytskikt på ett väsentligen plant, kring en axel vridbart substrat. Förfarandet ut- märks av att litografistràlen och axeln, under det att substratet vrids eller roteras kring axeln, styrs rela- tivt varandra så att en del av spåret utsätts för mer än en exponering för litografistrålen, varvid spåret bildas som en summa av nämnda mer än en exponering.
Den förutbestämda grad till vilken spåret exponeras år tillräcklig för att möjliggöra senare behandling av ytskiktet genom exempelvis framkallning av ytskiktet då detta är en resist.
Med väsentligen plant avses att substratet är till- räckligt plant för att kunna utsättas för litografisk behandling med litografistrålen. I fallet med en foku- serad stråle är planheten hos substratet och strälens skärpedjup anpassade till varandra.
Genom att summan av nämnda mer än en exponeringar väsentligen motsvarar nämnda förutbestämda grad av exponering, minskar känsligheten för mekaniska glapp eller spel, genom att varje exponering endast till viss del bidrar till det slutgiltiga spåret. Därmed minskar 10 l5 20 25 30 35 522 185 gg den inverkan som en avvikelse hos en enskild exponering får pà det slutgiltiga spàret.
Enligt förfarandet kan litografistràlen och axeln hållas på ett väsentligen konstant avstånd från varandra under det att substratet roteras ett flertal gånger kring axeln, för bildande av ett cirkulärt och med axeln kon- centriskt spàr. Litografistràlen och axeln kan då styras relativt varandra för bildande av ett flertal med axeln koncentriska spàr, varvid varje spàr exponeras till väsentligen nämnda förutbestämda grad av exponering, oavsett spàrets radiella avstànd till axeln. Därmed kan ett flertal spàr med samma grad av exponering àstad- kommas. Detta kan ske pà ett flertal olika sätt.
Enligt en första variant, kan det antal exponeringar spàret utsätts för vara en funktion av spärets radiella avstànd till axeln. En förde med detta är att det är enkelt att variera antalet varv som exponering sker.
Enligt en andra variant, kan litografistràlens intensitet styras sà att denna är en funktion av spàrets radiella avstånd till axeln. Detta ger en noggrannare exponering, men kräver att litografistrálens intensitet kan styras.
Enligt en tredje variant, kan en vinkelhastighet med vilken substratet roteras vara en funktion av spàrets radiella avstånd till axeln. Detta ger en noggrannare exponering och är användbart om inte litografistràlens intensitet kan styras.
Vidare kan spåret utsättas för kontinuerlig expo- nering för litografistràlen, för bildande av ett konti- nuerligt spàr av exponerat material, eller för inter- mittent exponering för litografistràlen, för bildande av ett spàr bestående av ett flertal helt eller delvis i tangentens riktning àtskilda partier av exponerat mate- rial.
Som ännu ett alternativ kan litografistràlen och substratet styras relativt varandra för bildande av ett väsentligen spiralformat spàr, med varierande radiellt avstånd till axeln. Även i detta fall, kan litografi- 'Åš .L =í å, . dfljiï: c c c lO 15 20 25 30 35 . - . ~ a n. stràlen och substratet styras relativt varandra i enlighet med vad som beskrivits ovan i syfte att åstadkomma ett flertal spår eller spårpartier med väsentligen samma grad av exponering.
Enligt en andra aspekt av uppfinningen, en datorprogramprodukt instruktioner, styr en anordning, innefattar som vid exekvering i vilken en litografistråle bildar ett spår av till en förutbestämd grad exponerat material i ett ytskikt på ett väsentligen plant, kring en axel vrid- bart eller roterbart substrat. Datorprogramproduktens instruktioner utmärkes av att de säkerställer att lito- grafistrålen och axeln, under det att substratet vrids eller roteras kring axeln, styrs relativt varandra så att en del av spåret utsätts för mer än en exponering för litografistrålen, varvid spåret bildas som en summa av nämnda mer än en exponering.
Datorprogramprodukten kan vara ett för ändamålet lämpligt minnesmedium på vilket programvara och/eller styrinstruktioner för styrning av litografianordningen är lagrade och vilket vid exekvering utför förfarandet enligt uppfinningen. Exempel på sådana lagringsmedier är disketter, CD-ROM, DVD-ROM, hårddiskar osv. Det är även tänkbart att instruktionerna distribueras över ett dator- nätverk, såsom Internet.
Enligt en tredje aspekt av uppfinningen, innefattar en anordning för litografi en strålkälla för alstring av en litografistråle, vridorgan för uppbärande av ett väsentligen plant, kring nämnda vridorgan vridbart eller roterbart substrat, positioneringsorgan för förflyttning av litografistrålen och substratet relativt varandra samt styrorgan för styrning av nämnda litografistråle, vrid- organ, och positioneringsorgan. Anordningen utmärkes av att nämnda styrorgan, under det att substratet vrids kring vridorganet, styr litografistrålen och vridorganet relativt varandra så att en del av spåret utsätts för mer än en exponering för litografistrålen, varvid spåret bildas som en summa av nämnda mer än en exponering. ...se 10 15 20 25 30 35 522 183 6 I anordningen enligt uppfinningen kan nämnda sträl- källa vara en partikelkälla, företrädesvis en jonkälla eller en elektronkälla. Alternativt kan en elektro- magnetisk stràlkälla, exempelvis en röntgenkälla eller en ljuskälla användas, även om strålningen fràn denna typ av källor normalt inte kan fokuseras lika väl som partikel- strålning. Med ljuskälla avses exempelvis en punktformig ljuskälla som avbildas pà ytskiktet eller en laser vars ljus fokuseras pä ytskiktet. Emellertid är det först vid den upplösning som möjliggörs av partikelkällor, som uppfinningen har sin huvudsakliga tillämpning.
Vridorganet kan vara en anordning pà vilken substra- tet anordnas för att med tillräcklig precision och has- tighet kunna vridas eller roteras kring en rotationsaxel.
Positioneringsorganet kan vara en anordning för för- flyttning av litografistràlen relativt substratet.
Exempelvis kan strálkällan eller substratet förskjutas, eller stràlen på känt sätt styras genom exempelvis av- länkning. Styrorganet kan exempelvis vara ett förut känt numeriskt styrsystem för generering av signaler till positioneringsorganet och eventuellt även till vrid- organet och/eller strälkällan.
Givetvis är de olika särdragen som beskrivits ovan även kombinerbara i samma utföringsform.
Kort beskrivning av ritningarna Utföringsformer av uppfinningen kommer nu att be- skrivas närmare i form av icke begränsande exempel, under hänvisning till de bifogade ritningarna.
Fig 1 är en schematisk perspektivvy av ett första system med vilket föreliggande uppfinning kan implemen- teras.
Fig 2 är en mer detaljerad schematisk toppvy av ett substrat som kan erhållas i enlighet med föreliggande uppfinning.
Fig 3 är en schematisk toppvy av en första variant av ett substrat i enlighet med föreliggande uppfinning. an: lO 15 20 25 30 35 522 185 7 Fig 4 är en schematisk toppvy av en andra variant av ett substrat i enlighet med föreliggande uppfinning.
Fig 5 är en schematisk toppvy av en tredje variant av ett substrat i enlighet med föreliggande uppfinning.
Fig 6 är en schematisk toppvy av en fjärde variant av ett substrat i enlighet med föreliggande uppfinning.
Fig 7 är en schematisk tvärsektionsvy av en anord- ning för litografi, med vilken föreliggande uppfinning kan implementeras.
Beskrivning av utföringsformer av uppfinningen Med hänvisning till fig 1, visas ett system för bildande av väsentligen cirkulära spår i ett ytskikt på ett roterbart medium, såsom exempelvis ett optiskt eller magnetiskt minnesmedium, eller en mall/stämpel för till- verkning av sådana minnesmedier. I det i fig 1 visade systemet är ett väsentligen plant substrat 3 vridbart eller roterbart anordnat på en axel 5. Ett pà substratet 3 anordnat ytskikt 4 kan vara väsentligen plant, dvs tillräckligt plant för att kunna utsättas för litografisk behandling med hjälp av en litografistràle 2, i syfte att på skiktet 3 bilda ett spår 6. Litografistràlen 2 kan komma från en stràlkälla 1, och vara en elektronstràle eller jonstråle. Andra typer av partikelstrålar som lämpar sig för litografi är också tänkbara. Alternativt kan en elektromagnetisk strålkälla, exempelvis en rönt- genkälla eller en ljuskälla användas, även om strålningen från denna typ av källor normalt inte kan fokuseras lika väl som partikelstrålning. Med ljuskälla avses exempelvis en punktformig ljuskälla som avbildas på ytskiktet eller en laser vars ljus fokuseras pà ytskiktet. Ytskiktet 4 kan vara av något för litografi lämpligt material, såsom en positiv eller negativ resist. Det inses också att substratet 3 kan vara försett med ett flertal helt eller delvis överlappande ytskikt, varvid något av dessa har sådana egenskaper att det påverkas av litografistrålen 2.
Det är alltså inte endast det yttersta ytskiktet som kan behandlas enligt förfarandet, givet att utanpåliggande , :sno . o , .sgø :av o oc: o nano oana- 10 15 20 25 30 35 522 183 a | . ~ o: » n . . ..
I n . 8 skikt släpper igenom litografistràlen så att den kan absorberas av det skikt som är pàverkbart. Typiskt sett infaller litografistràlen 2 på substratets ytskikt i endast en liten punkt, vars tvärsnitt väsentligen mot- svarar litografistrålens 2 tvärsnitt.
Strålkällan 1 och substratet 3 år anordnade så att den på substratets ytskikt 4 infallande litografistràlen kan förskjutas i åtminstone en riktning över substratets ytskikt 4. Detta kan exempelvis ske genom att stràlkällan eller substratet förskjuts så att den pà ytskiktet 4 infallande litografistràlen förflyttas längs en radie pà det roterbara substratet 3. Förskjutningen av litografi- stràlen kan ske på lämpligt känt sätt, genom exempelvis fysisk förflyttning av stràlkällan 1, genom fysisk förskjutning av substratet 3, eller genom en kombination av dessa. Substratet 3 kan vara upphängt på axeln 5 med hjälp av ett för ändamålet lämpligt rotationslager, exempelvis ett rotations lager (ej visat) med hög preci- sion, samt vara försett med en drivmekanism (ej visad).
Systemet i fig l fungerar så, att substratets ytskikt 4 i en punkt exponeras för litografistràlen 2 under det att substratet roteras kring axeln 5. Om litografistràlen 2 hålls på ett konstant avstånd från rotationscentrum, kommer ett med rotationsaxeln kon- centriskt spår 6 av exponerat material att bildas i substratets ytskikt 4.
Vid litografi behöver ytskiktet 4 exponeras till en förutbestämd grad för att man skall kunna framkalla mönstret. Framkallning görs genom att man löser upp de exponerade eller oexponerade delarna av ytskiktet be- roende på om ytskiktet består av en positiv eller negativ resist. Därefter kan någon typ av efterbehandling, såsom exempelvis deponering av ytterligare skikt eller etsning utföras. Eventuellt kan deponering utföras innan fram- kallning, för att åstadkomma ihåliga strukturer. Den förutbestämda graden av exponering är enligt uppfinningen lO 15 20 25 30 35 - - ~ . nu 1 . 522 183 - - - . . - - . - . ø p. 9 sådan att den önskade efterbehandlingen av ytskiktet 4 kan ske.
Såsom beskrivits ovan, åstadkoms spåret 6 genom att ytskiktet 4 där spåret önskas upprepade gånger exponeras för litografistràlen 2, varvid varje exponering ger en exponeringsgrad som år mindre än den förutbestämda grad av exponering som är nödvändig för det önskade spårets bildande. Denna upprepade exponering kan i den i fig 1 visade utföringsformen åstadkommas genom att substratet 3 roteras ett flertal varv kring axeln 5 samtidigt som litografistrålen 2 hålles vid ett konstant avstånd från rotationscentrum. Därmed kan exempelvis inverkan av eventuella glapp eller spel som är förknippade med den mekaniska upphängnings- och rotationsmekanismen (ej visade) reduceras.
Som ett exempel, kan man välja att istället för en exponering, utföra 10 exponeringar, dvs rotera substratet 10 gånger varvid litografistrålen 2 hålles vid en fast position. Om den förutbestämda exponeringsgraden år Q, kan man alltså välja att exponera området 10 gånger med en exponeringsgrad som är Q/10. Därmed kommer varje expo- nerings avvikelse endast att bidra med 10% till den totala avvikelsen, medan exponeringarnas ”medelområde” erhåller väsentligen fullständig exponering som motsvarar den förutbestämda exponeringsgraden. Enligt ett annat exempel, väljs 100 exponeringar med en exponeringsgrad Q/100, där varje exponerings avvikelse bidrar med 1% till den totala avvikelsen. Det inses att andra antal expone- ringar kan väljas och att litografistrålens intensitet kan varieras inom en exponeringssekvens.
I syfte att erhålla lika stor exponeringsgrad vid de yttre spåren på ett roterbart substrat 3, som vid de inre spåren, kommer nu några styrstrategier att beskrivas.
Enligt en första styrstrategi, kan det antal expone- ringar spåret utsätts för vara en funktion av spårets radie. uucø » non 10 15 20 25 30 35 522 183 - . - - - u. 10 Enligt en andra styrstrategi kan litografistràlens intensitet styras sà att denna är en funktion av spàrets radie.
Enligt en tredje styrstrategi, kan en vinkelhastig- het med vilken litografisträlen och ytskiktet styrs relativt varandra vara en funktion av spårets radiella avstånd till axeln 5.
Dessa tre styrstrategier kan kombineras för att uppnå för respektive tillämpning optimal styrning.
Fig 2 är en mer detaljerad schematisk toppvy av ett substrat som kan erhållas i enlighet med föreliggande uppfinning. Specifikt visar fig 2 ett spår 6 av exponerat material, vilket bildats genom att litografistràlen 2 i tre omgångar förflyttats relativt substratet 3, så att tre spàr 10, 11 och 12 av exponerat material bildats. Som framgår avviker vart och ett av de tre spåren 10, 11 och 12 från det önskvärda spåret 13. Denna avvikelse kan vara en följd av exempelvis spel i rotationslagret eller stör- ningar av litografistràlen till följd av omgivande sta- tisk elektricitet, magnetfält eller elektriska fält.
Såsom framgår av fig 2, är emellertid bidraget från varje exponerings avvikelse mindre än om endast en exponering hade utförts, varför ett spår 6 erhålls i form av en summa av de tre spåren 10, 11 och 12, vilken summa bättre approximerar det önskvärda spåret 13.
Fig 3 är en schematisk toppvy av en första variant av ett substrat i enlighet med föreliggande uppfinning.
Enligt denna variant har ett flertal med substratets 3 rotationsaxel koncentriska och kontinuerliga spår 6 bildats i substratets ytskikt 4, i enlighet med något av de ovan beskrivna förfarandena.
Fig 4 är en schematisk toppvy av en andra variant av ett substrat i enlighet med föreliggande uppfinning.
Enligt denna variant har ett flertal med substratets 3 rotationsaxel koncentriska och icke kontinuerliga spår 6 bildats i substratets ytskikt 4, i enlighet med nàgot av de ovan beskrivna förfarandena. Dessa spår 6 består av 10 15 20 25 30 35 522 183 . . - ; ~ .u ll ett flertal helt eller delvis i tangentens riktning åt- skilda partier av exponerat material. Dessa icke kontinu- erliga spår kan bildas genom att de exponerats intermit- tent, dvs genom att litografistràle 2 bringats att in- falla på ytskiktet i form av pulser. Detta kan åstad- kommas genom att själva litografistràlen pulsas eller genom att en konstant litografistràle passerar genom en strålningsventil.
Fig 5 är en schematisk toppvy av en tredje variant av ett substrat i enlighet med föreliggande uppfinning.
Enligt denna variant har ett spiralformat, kontinuerligt spår 6 bildats i substratets ytskikt 4, i enlighet med något av de ovan beskrivna förfarandena. Detta spiral- formiga spår kan bildas genom att substratets ytskikt 4 upprepade gånger exponerats för litografistràlen under det att litografistràlen förskjutits radiellt i för- hållande till substratet 3, såsom visades i fig 1.
Alternativt kan spåret bildas genom avlänkning, såsom visades i fig 4. Det inses att ett flertal spiralformade spår kan bildas på substratets ytskikt.
Fig 6 är en schematisk toppvy av en fjärde variant av ett substrat i enlighet med föreliggande uppfinning.
Enligt denna variant har ett spiralformat, icke kontinu- erligt spår 6 bildats i substratets ytskikt 4, i enlighet med något av de ovan beskrivna förfarandena. Dessa spår består av ett flertal helt eller delvis i tangentens riktning åtskilda partier av exponerat material.
Fig 7 är en schematisk tvårsektionsvy av en anord- ning för litografi, med vilken föreliggande uppfinning kan implementeras.
Anordningen innefattar en strålkälla 1, av önskad typ, exempelvis en partikelstrålkälla såsom en jonkälla eller en elektronkälla samt därmed nödvändiga komponenter för att bilda en för ändamålet lämplig litografistràle 2.
Alternativt kan en elektromagnetisk strålkälla, exempel- vis en röntgenkälla eller en ljuskälla användas, även om strålningen från denna typ av källor normalt inte kan vol 10 15 20 25 30 35 ...H . . _ . 1 ; _--_ _--_ -- - .. ... ...... .. .z H -.. _ ... ... .. . . . ... 22.2. "' 0 o a nu w , _ _ _ ' I ' ' ~ I ~. u.. ,.
- - ~ . Q n. 12 fokuseras lika väl som partikelstràlning. Med ljuskälla avses exempelvis en punktformig ljuskälla som avbildas pà ytskiktet eller en laser vars ljus fokuseras pà ytskik- tet.
Vidare har anordningen organ 5 för att vrid- eller roterbart uppbära ett substrat 3 med ett ytskikt 4 som är avsett att exponeras för litografistràlen 2. Detta vrid- organ 5 skall vara anordnat sä att det med minimalt glapp eller spel och med väl kontrollerbar hastighet kan bringa substratet 3 att rotera. Enligt en utföringsform har vridorganet en vridbar kropp pà vilken substratet an- ordnas och eventuellt fästs under behandlingen. Vrid- organet 5 kan vara försett med för ändamålet lämpligt rullningslager samt försett med en drivmekanism för att driva vridorganets 5 rotation.
Vidare innefattar anordningen ett positionerings- organ 7 för positionering av stràlkällan 1 relativt substratet 3. Detta positioneringsorgan 7 kan utformas pà en mängd olika sätt. Exempelvis kan det, såsom visas i fig 7 innefatta en längs en radie pà substratet för- skjutbar släde 7, varvid stràlkällan 1 är fast anordnad och substratet 3 förskjuts relativt stràlkällan. Alterna- tivt kan stràlkällan vara förskjutbar eller vridbar och det substratet uppbärande vridorganet 5 vara fast anord- nat. Som ytterligare ett alternativ kan litografistràlen vara avlänkningsbar med hjälp av ett lämpligt fält, sàsom exempelvis ett magnetfält eller elektriskt fält (visas ej). Kombinationer av ovan nämnda olika typer av positio- neringsorgan är också möjliga.
Vidare innefattar anordningen styrorgan 14, vilket kan vara någon för ändamålet lämplig styrenhet. Exempel- vis kan en mikrodator (ej visad) kopplad till lämpliga reglerkretsar (ej visade) användas för styrning av en eller flera av stràlkällan 1, vridorganet 5 och positio- neringsorganet 7. oc; n no oo o v n . a u u; anno II u oc: nano lO 5 2 2 1 8 3 ¿f::¿ g; _ = - . » - - .u 13 Styrorganet kan förses med instruktioner som styr anordningen i enlighet med det ovan beskrivna för- farandet.
Förfarandet enligt föreliggande uppfinning kan också implementeras med hjälp av en datorprogramprodukt för styrning av en litografianordning. En sådan dator- programprodukt kan innehålla instruktioner genom vilka litografianordningen styrs i enlighet med något av ovan- stående förfaranden.

Claims (20)

10 15 20 25 30 35 . . s n q . . - | . o. . » » . - 1 522 183 »r PATENTKRAV
1. l. Förfarande för att genom exponering för en litografi- stråle (2) bilda ett spår (6) av till en förutbestämd grad exponerat material i ett ytskikt (4) på ett väsentligen plant, (5) (3), c k n a t av att litografistrålen (2) och axeln (5), under det att substratet (3) vrids kring axeln, styrs relativt kring en axel vridbart substrat k ä n n e t e varandra så att en del av spåret (6) utsätts för mer än en exponering för litografistrålen (2), varvid spåret (6) bildas som en summa av nämnda mer än en exponering, vilken summa väsentligen motsvarar nämnda förutbestämda grad av exponering.
2. Förfarande enligt krav 1, k ä n n e t e c k n a t av att litografistrålen (2) och axeln (5) hålles på ett väsentligen konstant avstånd från varandra under det att substratet (3) roteras ett flertal gånger kring axeln, för bildande av ett cirkulärt och med axeln koncentriskt spår.
3. Förfarande enligt krav 1, k ä n nye t e c k n a t av (2) (5) varandra för bildande av ett flertal med axeln (5) att litografistrålen och axeln styrs relativt koncentriska spår, varvid varje spår (6) exponeras till väsentligen nämnda förutbestämda grad av exponering, oavsett spårets (6) radiella avstånd till axeln (5).
4. Förfarande enligt krav 1, k ä n n e t e c k n a t av att det antal exponeringar spåret (6) utsätts för är en funktion av spårets (6) radiella avstånd till axeln (5)
5. Förfarande enligt krav 1, k ä n n e t e c k n a t av att litografistrálens (2) intensitet styrs så att denna är en funktion av spårets (6) radiella avstånd till axeln (5).
6.Förfarande enligt krav 1, k ä n n e t e c k n a t av att en vinkelhastighet med vilken substratet (3) roteras är en funktion av spårets (6) (5). radiella avstånd till axeln 10 15 20 25 30 35 . - » - . Q a - ø - .. 522 183 /s~
7. Förfarande enligt krav l, k ä n n e t e c k n a t av att litografistrålen (2) och substratet styrs relativt varandra för bildande av ett väsentligen spiralformat spår (6) med varierande radiellt avstånd till axeln (5).
8. Förfarande enligt krav 7, k ä n n e t e c k n a t av att spåret bildas såsom ett flertal spårpartier (8), varvid varje spårparti (8) exponeras till väsentligen nämnda förutbestämda grad av exponering, oavsett spårpartiets (8) radiella avstånd till axeln (5).
9.Förfarande enligt krav 8, k ä n n e t e c k n a t av att det antal exponeringar spårpartiet (8) utsätts för är en funktion av spårpartiets (8) radiella avstånd till axeln (5).
10. n a t av att litografistrålens Förfarande enligt krav 8 eller 9, k ä n n e t e c k (2) denna är en funktion av spårpartiets (8) radiella avstånd intensitet styrs så att till axeln (5).
11. ll. Förfarande enligt något av krav 8-10, k ä n n e t e c k n a t av att en vinkelhastighet med vilken substratet (3) roteras är en funktion av spårpartiets radiella avstånd till axeln (5). (8)
12. Förfarande enligt något av föregående krav, k ä n n e t e c k n a t av spåret (6) utsätts för kontinuerlig för bildande av ett kontinuerligt spår av exponerat material. exponering för litografistrålen (2),
13. ä n n e t e c k n a t av spåret Förfarande enligt något av föregående krav l-ll, k (6) exponering för litografistrålen, för bildande av ett spår utsätts för intermittent bestående av ett flertal helt eller delvis i tangentens riktning åtskilda partier (9) av exponerat material.
14. Förfarande enligt något av föregående krav, k ä n n (3) vinkelrät rotationsaxel e t e c k n a t av att substratet (4) roteras kring en mot nämnda ytskikt (5). 10 15 20 25 30 35 - . ø - u . - . - . n. a . . . . n u e» u. 522 183 /6
15. Förfarande enligt något av föregående krav, k ä n n e t e c k n a t av att litografistràlen (2) är en partikelstråle, företrädesvis en jonstråle eller en elektronstråle.
16. c k n a t av att litografistràlen (2) är en elektromagnetisk stråle. Förfarande enligt något av krav 1-14, k ä n n e t e
17. Datorprogramprodukt innefattande instruktioner, som vid exekvering styr en anordning, i vilken en lito- grafistråle (2) bildar ett spår (6) av till en förutbestämd grad exponerat material i ett ytskikt (4) på ett väsentligen (5) (3), c k n a d av att litografistràlen (2) och axeln (5), det att substratet (3) varandra så att en del av spåret (6) utsätts för mer än en plant, kring en axel vridbart substrat k ä n n e t e under vrids kring axeln, styrs relativt exponering för litografistràlen (2), varvid spåret (6) bildas som en summa av nämnda mer än en exponering, vilken summa väsentligen motsvarar nämnda förutbestämda grad av exponering.
18. Anordning för litografi, vilken anordning innefattar en strålkälla (1) för alstring av en litografi- stråle (2), vridorgan (5) för uppbärande av ett väsentligen plant, kring nämnda vridorgan vridbart substrat (3), positioneringsorgan (7) för förflyttning av litografistràlen (2) och substratet (3) relativt varandra samt styrorgan (14) för styrning av nämnda litografistråle (2), vridorgan (5), k ä n n e t e c k n a d av att (14), under det att substratet (3) (5), (2) och vridorganet (5) relativt varandra så att en del av spåret (6) och positioneringsorgan (7), nämnda styrorgan vrids kring vridorganet styr litografistràlen utsätts för mer än en exponering för litografistràlen (2), varvid spåret (6) bildas som en summa av nämnda mer än en exponering, vilken summa väsentligen motsvarar nämnda förutbestämda grad av exponering. n . n . n n n n » n nn n n .nn n n n. nn n n n n n a n n n n n n n n a n n n »n n. . a a n n n u n n a n .nn n n . . n nn- nun n n n n n n n n n . n n n n n n n nn n n . n n n n n n n .__ n n n u n. .n n, nn. - n n . n n nn n « I?
19. Anordning för litografi enligt krav 18, k ä n n e t e c k n a d av att nämnda stràlkälla (1) är en partikelkälla, företrädesvis en jonkälla eller en elektronkälla. 5
20. Anordning för litografi enligt krav 19, k ä n n e t e c k n a d av att nämnda strålkälla (1} är en elektromagnetisk strålkälla. 10
SE0201242A 2002-04-24 2002-04-24 Förfarande, anordning och datorprogramprodukt för litografi SE522183C2 (sv)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE0201242A SE522183C2 (sv) 2002-04-24 2002-04-24 Förfarande, anordning och datorprogramprodukt för litografi
EP03721234A EP1497698A1 (en) 2002-04-24 2003-04-24 Method, device and computer program product for lithography
US10/512,274 US7468784B2 (en) 2002-04-24 2003-04-24 Method and device for forming optical or magnetic memory media or a template for the same
JP2004500121A JP2005524104A (ja) 2002-04-24 2003-04-24 リソグラフィ装置、方法およびコンピュータプログラムプロダクト
PCT/SE2003/000654 WO2003091805A1 (en) 2002-04-24 2003-04-24 Method, device and computer program product for lithography
CNB03809147XA CN1313884C (zh) 2002-04-24 2003-04-24 光刻术的方法和装置
KR1020047017157A KR100787701B1 (ko) 2002-04-24 2003-04-24 리소그래피용 방법, 장치 및 컴퓨터 판독가능한 기록 매체
AU2003224565A AU2003224565A1 (en) 2002-04-24 2003-04-24 Method, device and computer program product for lithography
JP2010246532A JP5248574B2 (ja) 2002-04-24 2010-11-02 リソグラフィ装置及び方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE0201242A SE522183C2 (sv) 2002-04-24 2002-04-24 Förfarande, anordning och datorprogramprodukt för litografi

Publications (3)

Publication Number Publication Date
SE0201242D0 SE0201242D0 (sv) 2002-04-24
SE0201242L SE0201242L (sv) 2003-10-25
SE522183C2 true SE522183C2 (sv) 2004-01-20

Family

ID=20287673

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE0201242A SE522183C2 (sv) 2002-04-24 2002-04-24 Förfarande, anordning och datorprogramprodukt för litografi

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR100787701B1 (sv)
SE (1) SE522183C2 (sv)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100727781B1 (ko) * 2006-09-01 2007-06-14 주식회사 대우일렉트로닉스 광정보 처리장치와 처리방법

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0448735B1 (en) 1990-03-23 1997-08-06 Ushio Denki Kabushiki Kaisha Method of exposing a peripheral part of wafer
US5854671A (en) 1993-05-28 1998-12-29 Nikon Corporation Scanning exposure method and apparatus therefor and a projection exposure apparatus and method which selectively chooses between static exposure and scanning exposure

Also Published As

Publication number Publication date
KR100787701B1 (ko) 2007-12-21
KR20050003391A (ko) 2005-01-10
SE0201242L (sv) 2003-10-25
SE0201242D0 (sv) 2002-04-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20100264335A1 (en) Pattern writing on a rotating substrate
JP5248574B2 (ja) リソグラフィ装置及び方法
US20080137051A1 (en) Lithography and Associated Methods, Devices, and Systems
JP2011118049A (ja) 露光装置及び当該露光装置により作製されたナノインプリント用モールド
JP2009175402A (ja) 電子ビーム描画方法、微細パターン描画システムおよび凹凸パターン担持体
JPWO2011115139A1 (ja) 電子ビーム露光方法および電子ビーム露光装置
JP2000011464A (ja) 電子ビーム照射方法及び装置
JP2009134788A (ja) 電子ビーム描画方法、微細パターン描画システム、凹凸パターン担持体および磁気ディスク媒体
US20090194711A1 (en) Electron beam writing method, fine pattern writing system, method for manufacturing uneven pattern carrying substrate, and method for manufacturing magnetic disk medium
WO2011013219A1 (ja) パターンドメディア用原盤の製造方法及び磁気記録媒体の製造方法
JP4350471B2 (ja) 電子ビーム描画方法および描画装置
EP1593002B1 (en) Method for generating a circular periodic structure on a basic support material
WO2004038508A1 (ja) 電子線露光方法及び電子線露光装置
KR100787701B1 (ko) 리소그래피용 방법, 장치 및 컴퓨터 판독가능한 기록 매체
JP4746677B2 (ja) ディスク原盤製造方法
JP2002288890A (ja) ビーム照射方法及び装置並びに記録媒体作成方法
JP4382550B2 (ja) パターン描画装置およびパターン描画方法
US7554896B2 (en) Electron beam recording apparatus
JP2009170044A (ja) 電子ビーム描画方法、微細パターン描画システムおよび凹凸パターン担持体
JP2012141249A (ja) 回転制御装置及び回転制御方法
JP5283410B2 (ja) 電子ビーム描画方法、微細パターン描画システム、凹凸パターン担持体の製造方法および磁気ディスク媒体の製造方法
JP3034584B2 (ja) アブソリュート型エンコーダ
JP2012053975A (ja) 媒体上にサーボパターンを生成するための配置、サーボパターニングされたマスタを形成する方法、およびサーボパターニングされた媒体を形成する方法
JP2005043631A (ja) 露光方法及び露光装置
JP2014203499A (ja) 記録装置、記録方法、パターン形成媒体

Legal Events

Date Code Title Description
NUG Patent has lapsed