SU1111215A1 - Способ дл наклонной установки поверхностных лучевых зондов и устройство дл его осуществлени - Google Patents

Способ дл наклонной установки поверхностных лучевых зондов и устройство дл его осуществлени Download PDF

Info

Publication number
SU1111215A1
SU1111215A1 SU797770560A SU7770560A SU1111215A1 SU 1111215 A1 SU1111215 A1 SU 1111215A1 SU 797770560 A SU797770560 A SU 797770560A SU 7770560 A SU7770560 A SU 7770560A SU 1111215 A1 SU1111215 A1 SU 1111215A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
polarity
deflecting
lens
axis
field
Prior art date
Application number
SU797770560A
Other languages
English (en)
Inventor
Хан Эберхард
Original Assignee
Феб Карл-Цейсс-Йена (Инопредприятие)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Феб Карл-Цейсс-Йена (Инопредприятие) filed Critical Феб Карл-Цейсс-Йена (Инопредприятие)
Application granted granted Critical
Publication of SU1111215A1 publication Critical patent/SU1111215A1/ru

Links

Landscapes

  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

1. Способ наклонной установки поверхностных лучевых зондов, при котором сформированное поперечное сечение луча отражают в плоскость объекта по меньшей мере одной электромагнитной передающей линзой и проектируют плоскость объекта на . экран, отличающийс  тем, что перед передающей линзой создают воздействующее на сформированный лз параллельное к оптической оси магнитное поле переменной пол рности , дл  установки центра переполюсовки на угол обработки поверхности перпендикул рно к оптической оси создают отклон ющее поле с регулируемыми силой и направлением, пол рность которого мен ют синхронно с полем, параллельным оси. 2. Способ по П.1, отлич а ю-г щ и и с   тем, что создают другое отклон ющее поле, параллельное оси, переменное по величине и направлению , пол рность которого мен ют синхронно с полем, параллельным оси. /IJр I S 5 ЬЛ807МА 3.Способ по пп. 1 и 2, о т л ичающийс  тем, что накладывают на магнитное поле, параллельное оси, магнитное посто нное поле с регулируемой напр женностью. 4.Способ по П.1, отличающийс  тем, что осуществл ют анализ критериев, создаваемьгх при отображении плоскости облучени  на экран, путем периодического изменени  углового положени , формата или позиционировани  поперечного сечени  луча. 5.Устройство дл  наклонной установки поверхностных лучевых зондов, содержащее систему генерации 1 электронного луча, генераторы 33, 38 управл ющих сигналов, электромагнитную передающую ли11,зу 17, диафрагму 8 и отклон ющую систему 29,30, отличающеес  тем, что, с целью расширени  функциональных возможностей , введена дополнительна  линза 26, состо ща  из нескольких круговых витков проволоки, котора  расположена коаксиально к оптической оси между диафрагмой 8, ограничивающей луч, и передающей линзой 17 и через переключатель перейолюсовки 32 соединена с генератором тока 33, и по крайней мере с одного торца дополнительной линзы 26 расположена отклон юща  система 29,соединенна  через переключатель пере- полюсовки 36 с генератором тока 38. 6.Устройство по п.5, отличающеес  тем, что отклон ющие системы 29,30 размещены на обоих торцах дополнительной линзы. 7.Устройство по пп. 5 и 6, отличающеес  тем, что встреч

Description

но к отклон ющим системам 29, 30 включены дополнительные отклон ющие системы 40, 41. 8. Устройство по п.5, отличающеес  тем, что дополни111 1215 тельна  линза 26 состоит из двух частичных обмоток 27, 28,причём втора  частична  обмотка 28 соединена с генератором тока 43, который вырабатывает посто нный ток регулируемой силы.
Изобретение относитс  к электрон ной технике, в частности к электрон но-лучевым установкам, предназначен ным дл  обработки поверхности, которые имеют как устройство дл  отклонени  электронного пучка, так и устройство ,дл  формировани  сечени  электронного луча на поверхности. Электронно-лучевые установки такого рода примен ютс , например д получени  запрограммированного . экспонируемого рисунка на покрытой слоем фоторезиста полупроводниковой пластинке при изготовлении полу проводниковых приборов. В электронно-лучевых установках, относ щихс  к указанной области применени ,элек тронный луч образует на поверхности освещаемое поле, получаемое с помощью ограничивающих диафрагм и фокусировки с помощью электронных линз, и отклон етс  отклон ющей сис , темой в точку, оп)едел емую управ л ющей программой. Известны установки, в кчторых сечение луча на объекте имеет форму пр моугольника, причем возможно электронное регулирование длины сто рон пр моугольника, что дает возмож ность значительно увеличить скорост экспонировани  по сравнению с электронно-лучевыми установками, создаю щими электронный луч с посто нным поперечным сечением. Элементарна   чейка электронного луча на поверхности представл ет собой квадрат, величина которого равна величине наименьшей экспонируемой детали структуры, причем стрроны квадрата всегда ориентированы параллельно направле- , ни м отклонени  X и у . В этих направлени х в течение нескольких микросекунд раст нуть форму луча - без потерь интенсивности излучени  . . ф- до пр моугольника, размеры которого определ ютс  управл ющей программой. На практике при проектировании интегральных микросхем кроме экспонируемых рисунков, которые мб/(шо с хорощей точностью разложить на совокупность параллельных друг другу пр моугольников в изображении электронного луча,на поверхности встречаютс  также структуры, дл  которых скорость экспонировани  значительно снижаетс ,так как сечение луча необходимо отрегулировать на величину наименьшего элемента таких структур. Структурами такого рода  вл ютс , например, наклонные токоведущие дОрожки . Желательно расшир ть совокупность поверхностных лучевых зондов пр моугольными формами с углом наклона , например 45. Дп  создани  поверхностных лучевых зондов, которые могут принимать также форму круговых поверхностей или наклонных пр моугольников, св зывают принцип смещаемого отображени  первой диафрагмы на вторую, который лежит в основе установок с поверхностными лучевыми зондами, с принципом отображени  шаблонов (DD- 126 438). Трудностью при этом  вл етс  то, что казвда  дополнительна  форма должна быть представлена отверстием соответствующей формы во второй диафрагме , выполненной в виде шаблона. Возможно дополнение расположенных под пр мым углом ограничивающих луч ножей первой или второй диафрагмы лучевых установок другими ножами, расположенными в форме ломаной линии, таким образом, чтобы при наложении отображений обеих диафрагм на объект мож го было бы получать сечени  луча в Аорме наклонных пр моугольников (Т)В - OS 2 647 855). 3 Недостаток такого решени  состои в том, что равномерно освещаемое по ле должно быть значительно больше, чем наибольшее пр моугольное сечени луча, которое можно установить, вследствие чего снижаетс  плотность тока луча. Возможен поворот изображени  на любой угол с помощью магнитной линзы, расположенной между второй диафрагмой и объектом. Этот метод до сих пор. не удалось реализовать, так как с поворотом изображени  неизбежно св заны дефокусировка и большое отклонение , несовместимые с требованием вы сокой точности. Чтобы исключить дефокусировку, возникающую с поворотом изображени  комбинируют магнитную линзу с злектростатической , устанавлива  у магнитной линзы цилиндрический электро и подава  на него напр жение, завис щее от возбуждени  магнитной линзы (DB-OS 2721704). Такое решение не создает лучших условий дл  поворота изображени  без отклонени . Цель изобретени  - создание способа и устройства дл  его осуществл ни , которые снимают ограничени  поверхностных лучевых зондов, образующих совокупность пр моугольных форм первого класса, параллельных друг другу, и дополн ют эту совокутт . ность бторым классом, содержащим, в свою очередь, пр моугольные формы параллельные друг другу, причем отличие первого класса от второго сос тоит в том, что пр моугольные формы второго класса повернуты на угол предпочтительно 45 по Ьтношению к пр моугольным формам первого класса. Преимущество изобретени  состоит в том, что без ограничени  точности с высокой скоростью экспонировани  можно проводить микрогравировку наклонных токоведущих дорожек, имею щих, в частности, угол наклона 45 , вследствие чего значительно расшир ю с  возможности и повьппаетс  производительность электронно-лучевых установок с поверхностными лучевыми зондами. Задачей изобретени   вл етс  создание способа и реализующего его устройства, которое позвол ет г 154 с высокой точностью поворачивать поверхностный лу гевой зонд с измен емой пр моугольной формой на угол предпочтительно 45, а также обеспечивать поворот поверхностного лучевого зонда вокруг верпшны угла без его смещени . Врем  перестройки с одного класса на другой без потери резкости и точности должно составл ть менее 1 мс. .Согласно способу дл  наклонной электронно-лучевой обработки поверхности , в частности, в электрон- но-лучевой установке, в которой ограничение поперечного сечени  электронного луча в плоскости обрабатываемой поверхности, называемой поверхностным лучевьм зондом, осуществл етс  с помощью отображени  диафрагм или ножей, формирующих луч, которое передаетс  по меньшей мере одной электромагнитной линзой, и в котором поверхность объекта отображаетс  на экране с помощью проекционной системы , дл  наклонной установки поверхностного лучевого зонда отображение диафрагм, формирующих луч, поворачиваетс  в плоскости обрабатываемой поверхности путем создани  магнитного пол , воздействующего на сформированньй луч, параллельного оптической оси перед передающей линзой в направлении луча, и изменени  его пол рности . Дл  установки центра изменени  пол рности при повороте изображени  на вершину угла поверхностного лучевого зонда, котора   вл етс  точкой фиксации при изменении формата, осуществл етс  отклонение его изображени  в плоскости обрабатываемой поверхности путем создани  магнитного пол , перпендикул рного оптической оси, и изменени  его пол рности синхронно с изменением Пол рностей магнитного пол , параллельного оптической оси, и путем такой регулировки величины и направлени  отклонени , чтобы точка фикса1щи при изменении формата  вл лась также точкой фиксацией при изменении пол рности. Дп  исключени  сферической аберрации в апертурной диафрагме при изменении пол рности необходимо пучок отклон ть путем создани  другого перпендикул рного оси отклон ющего пол  и его переполюсовки синхронно с магнитным полем,параллельным оси,устанавлива  его напр женность и направление таким образом, чтобы компенсировать отклонени  пучка . Дл  предотвращени  дефокусировки поверхностного лучевого зонда в плос кости обрабатываемой поверхности це лесообразно при изменении пол рности магнитного пол  накладывать на него магнитное поле посто нного тока, напр женность которого можно регулировать . Дп  регулировки амплитуды переполюсовки магнитного пол ,амплитуд переполюсоьки первого и второго отклон ющих полей и амплитуды магнитного пол  посто нного тока целесообразно выводить на индикацию и характер поведени  поверхностного лучевого зонда в плоскости обрабатываемой поверхности, а поведени  пучка в апертурной диафрагме, путем отображени  плоскости обработки или плоскости апертурной диафрагмы на экране с помощью проекционной системы. Дп  реализации способа дл  наклонной установки поверхностных лучевых зондов используетс  электроннолучева  установка, котора  дл  форми ровани  поперечного сечени  луча име ет первую и вторую диафрагмы, ограни чивающие луч, по меньшей мере одну электромагнитную передающую линзу дл  отображени  диафрагм, ограничивающих луч, в плоскость обработки и отображающую систему дл  проектировани  плоскости обработки на экран, В такой электронно-лучевой установке между второй диафрагмой, ограничивающей луч, и передающей линзой коаксиально. к оптической оси располагаетс  дополнительна  линза, состо ща  из нескольких круговых прово лочных витков, и соедин етс  через переключатель пол рности с генератором тока. Путем изменени  пол рности тока измен етс  также пол рность магнитного пол , создаваемого этим электрическим током, вследствие чего также поворачиваетс  изображение диафрагмы, формирующей луч, т.е. поверхностного лучевого зонда.Кроме этого, на торцах дополнительной линзы размещаетс  отклон юща  система дл  фиксации центра переполюсовки на точке фиксации при изменении . формата и при необходимости друга  отклон юща  система дл  предотвращени  сферической аберрации в апертурной диафрагме, котора  соедин етс  с генератором тока через переключатель пол рности. К ОТКЛОНЯЮ1ЦИМ системам можно встречно подкгхючать дополнительные отклон ющие системы, чтобы устанавливать точки опрокидывани  отклонени  луча в желаемой плоскости. Дп  ограничени  пол  в пространстве дополнительна  линза может быть заключена в ферритовую оболочку, а в качестве отклон ющей системы может быть использована тороидальна  отклон юща  система с ферритовым тороидом. Переключение пол рности тока в дополнительной линзе и в отклон ющих системах электронное. Так как при переполюсовке тока дополнительной линзы могут возникать нежелательные  влени  де- . фокусировки, предпочтительно Накладывать на дополнительную линзу вторую коаксиальную обмотку, питаемую пос то нным током. Возможно также к току переполюсовки в обмотке возбуждени  дополнительной линзы добавл ть посто нный ток. Кроме того, возможно добавл ть к току переполюсовки в обмотках возбуждени  отклон ющей системь не измен ю1циес  при изменении пол 1)ности посто нные токи,регулируемые с целью изменени  центровки электронного луча. На фиг.1 приведено схематическое изображение электронно-лучевой установки; на фиг.2 - электрическа  схема устройства; фиг.З служит дл  по снени  настройки регулировочного устройства дл  наклонной установки поверхностного лучевого зонда. Выход щий из точки фокусировани  1 системы генерации луч 2 формируетс  расположенными вертикально друг на друге ножами 3 и 4 первой диафрагмы 5, ограничивающей луч, и расположенными вертикально друг на друге ножами 6 и 7 второй диафрагмы 8,ограничивающей луч, таким образом, что в плоскости второй диафрагмы 8, ограничивающей луч, поперечное сечение луча имеет форму пр моугольника, путем дополнительного отражени  с помощью конденсорных линз 9 и 10 диафрагмы 5 на диафрагму 8. Формат пр моугольного поперечного сечени  луча можно регулировать, перемеща  перпендикул рно к оси изображение первой диафрагмы 5 в плоскости второй диафрагмы 8 с помощью отклонени , луча отклон ющей по формату системой 11. Чтобы при регулировке формата в плоскости апертурной диафрагмы 12 не смещалось и ображение точки фокусировани  1, так называемого кроссовера , на высоте виртуальной плоскост 9прокидьшани  отклон ющей по формату системы 11 формируешьс  промежуточное изображение 13 точки фокусировани  с помощью конденсорной линзы 9, отоб ражаемое конденсорной линзой 10 в плоскость 14 второго промежуточного п тна, Ki-Topoe оптически передаетс  через промежзггочную линзу 15 к плоскости апертурной диафрагмы 12. Промежуточна  линза 15 отображает с уменьшением в промежуточной плоскости 16 поперечное сечение луча пр мо- угольной формы с регулируемым форматом в плоскости второй диафрагмы 8 с посто нной ориентировкой сторон, а состо щий из передающей линзы 17 и отклон ющей системы 18 отклон ющий объектив 19 передает это поперечное сечение луча на любое место в пределах рабочего пол  в плоскости 20 обрабатьшающей поверхности путем отображени  плоскости 16 на плоскость 20 с помощью линзы 1/ и отклонени  луча отклон ющей системой 18. Направл ющие сторон пр моугольного поверхностного лучевого зонда расположены оптически параллельно направлени м отклонени  ;с и у отклон ющей системы 18, путем предварительной механической юстировки ножей диафрагм 5 и 8, ограничивающих луч, с учетом поворота изображени  линзами 15 и 17. Отклон юща  система 21 обеспечивает возможность центровки п тна на середину апертурной диафрагмы 12. Система из линз 22 23 и 24 служит дл  отображени  плоскости 20 или апертурной диафрагмы 12 на экране 25. I Вращение поверхностного лучевого зонда в принципе возможно путем изме нени  возбу здени  промежуточной линзы 15. Однако при этом вследствие дефокусирующего воздействи  промежуточной линзы 15 возникают осевые сме щени  плоскостей 16 и 20 изображени  сопр женных с плоскостью диафрагмы 8, ограничивающей луч, и осевое смещение п тна. Чтобы компенсировать св занные с этим нежелательные побоч ные эффекты, необходимо вновь провес ти регулировку возбзгждени  линз 17 1 158 и 10, что вызывает расстройку формата, котора  обуславливает необходимость новой настройки и калибровки формата. Так как при изменении возбуждени  линзы 15 изображение точки пересечени  обоих ножей 6 и 7 второй диафрагмы 8, ограничивающей луч, в плоскости 20 может сместитьс , то после каждого поворота формата необходимо вновь производить позиционирование , что однако не просто, так как параллельность поверхностного ключевого зонда к краю метки первого позиционировани  не регистрируетс . Кроме того,при изьенении возбуждени  линзы 15 концентрическое положение п тна по- отношению к отверстию апертурной диафрагмы 12 измен етс , так что необходимо проводц ,ть новую настройку, компенсиру  возникающее смещение п тна путем отклонени  луча с помощью отклон ющей системы 21. Дп  усовершенствовани  способа функци  наклонной установки поверхностного лучевого зонда передаетс  дополнительной линзе 26, котора  размещаетс  между второй диафрагмой 8, ограничивающей ЛУЧ. и промежуточной линзой 15. Через обмотку возбуждени  27 дополнительной линзы 26 посто нно протекает, электрический ГОК, и наклонна  установка поверхностного лучевого зонда осуществл етсй путем изменени  пол рности этого тока. Перва  юстировка электроннооптической системы происходит таким образом уже при возбужденной дополнительной линзе 26. При изменении пол рности тока дополнительной линзы 26 могут возникать незначительные  влени  дефокусировки вследствие того, что в окрестности оси дополнительной линзы 26 существует посто нное магнитное поле, которое не создаетс  обмоткой возбуждени  27. Чтобы исключить этот мешающий эффект , создаетс  неизменное по сравнению с магнитным полем переполюсовани  обмотки возбуждени  27 магнитное поле посто нного тока путем добавлени  к току переполюсовки обмотки возбуждени  27 неизменного посто нного тока либо путем введени  второй обмотки возбуждени  28, запитьшаемой неизменным посто нным током. Величина и направление посто нного тока подбираютс  таким образом, чтобы исключить дефокусировку поверхностного лучевого зонда как в нормальном, так и в нак лонном положении.Дл  того,чтобы точ ка пересечени  ножей 6 и 7 в изобра жении диафрагмы 8  вл лась точкой поворота поверхностного лучевого зо да при переходе от нормального поло жени  к наклонному и наоборот, предусмотрена отклон юща  система 29, запитываема  током, пол рность кото рого измен етс  синхронно с поворотом поверхностного лучевого зонда. Сила тока настраиваетс  таким образом , чтобы отклонение, возникающее при переполюсовке отклон ющей системы 29, компенсировало смещение на ванного угла диафрагмы 8, возникающее при переполюсовке обмотки возбуждени  27. Изменение пол рности пол  отклон ющей системы может производитьс  также путем наложени  на ток переполюсовки неизменного посто нного тока отклон ющей системы. Аналогичным образом обеспечиваетс  сохранение центровки п тна по отношению к апертурной диафрагме при по вороте поверхностного лучевого зонда путем использовани  отклон ющей системы 30, запитываемой током, направление которого мен етс  синхронно с поворотом поверхностного лучевого зонда. Ток подбираетс  т,аким образом, чтобы отклонение, возникающее при переполюсовке отклон ющей системы 30, компенсиро вало смещение п тна, возникающее при переполюсовке обмотки возбуждени  27. На фиг.2 представлена обмотка возбуждени  27, соединенна  проводами 31 черезпере1спючатель пол рности 32 с генератором тока 33. То но также отклон ющие системы 29 и 30 соединены проводами 34 или 35 и через переключатели пол рности 36 или 37 с генераторами тока 38 или Кажда  из отклон ющих систем 29 и 30 состоит из двух дефлекторов с раздельной регулировкой, один из к торых предназначен дл  направлени  отклонени  х , а второй - дл  направлени  отклонени  U . Каждьй из дефлекторов дл  направлени  отклонени  vj не предста ленный на фиг.2, такж соединен проводами через переключатель пол рности с соответствующим генератором тока. По команде, вьщаваемой управл ющей программой, производит одновременное переключение п ти переключателей пол рности. Точки опрокидывани  отклонени  луча с помощью отклон ющих систем 29 и 30 целесообразно располагать в плоскость 14 промежуточного п тна или второй Диафрагмы 8, ограничивающей луч, путем встречного включени  дополнительных отклон ющих систем 40 и 41 к отклон ющим системам 29 или 30. Обмотка возбзгдцени  28 соедин етс  проводом 42 с генератором 43 тока. Сила и направление тока генеpavopoM тока регулируетс . Дл  юстировки регулирующего устройства дл  наклонной электронно-лучевой обработки поверхности можно по управл ющей программе периодически измен ть, например, с частотой 50 Гц параметры поперечного сечени  луча, положени , формата и/или местонахождени . Можно с помощью проекционной системы отображать на зкране 25 в виде устойчивого изображени  соответствующую периодическую последовательность состо ний поперечного сечени  луча. На фиг. За-Зе на примерах по сн ютс  различные возможности. На фиг.За изображен квадратный исходньй фор- мат 44 поверхностного лзгчевого зонда в нормальном положении, которьй ползгааетс  при отсутствии возбуждени  отклон ющих систем по формату 11 и позиционированию 18. При переполюсовке возбужденной обмотки 27 исходный формат принимает положение 45. Изображение точки 46 пересечени  ножей 6 и 7 при повернутом состо нии поверхностного лучевого зонда отклонено в точку 47 изображени . Синхронно переполюсовьюаемые пол  отклон ющей системы 29 устанавливаютс  по величине и направлению таким образом, чтобы обе точки изображени  46 и 47 совпадали , как это представлено на фиг.3& Если дополнительно к повороту измен етс  также формат способом, показанным на фиг.ЭЬ, то получают критерий настройки возбуждени  обмотки 27. На фиг.З угол поворота меньше заданного угла 45, а на фиг.Зг. УГОЛ поворота равен точно 45. Критерии настройки дл  амплитуды возбуждени  обмотки 27 можно получать согласно примерам, представленным на фиг.З ив. 15)и этом служащие дл  калибровки формата последовательности позиционировани  исходного формата поворачиваютс  на 45° или на заданный угол с помощью поворота направлени  отклонени  Системы позиционировани , как это показано на фиг.Зж ну и используютс  дл  повернутого исходного формата. На фиг.Зд угол поворот исходного формата меньше, а на фиг.Зв больше, чем заданный угол, который определ етс  электронным поворотом отклон ющего направлени  ситемы 18 позиционировани , кроме того данна  позицц  позвол ет установить угол.наклонного положени  поверхностного лучевого зонда путем исключени  неосвещенной пов,ерхности 48.
Регулировку целесообразно прово-. дить, если циклы последовательности позиционировани , согласно фиг.Зж и периодически следуют друг за другом и, создают устойчивое изображние на экране 25. При настройке амплитуды переполюсовки обмотки 27 на исключение части поверхности 48 исходный формат поворачиваетс  в нормальное положение, вследствие чего в цикле позиционировани  нормального положени , согласно фиг.Зж часть поверхности за счет контраста Бьщел етс  от окрестности. Эту часть можно исключить путем поворота изображени , подбира  возбузвдение промежуточной линзы 15.
Отклонение п тна в апертурной диафрагме 12 можно непосредственно просматривать путем отображени 
гапертурной диафрагмы на экране или оценивать косвенно путем сравнени   ркости четырех углов исходного фор
мата, примыкрющих друг к другу 8центре последовательноёти позиционировани  . Корректировкаотклонени  п тна ocJf цecтвл eтc  путем настройки силы и направлени  пол  синзфонно переполюсованной отклон ющей системы 30. Различи  в резкости краев поверхностного лучевого зонда в нормальном и наклонном положни х устран ютс  регулировкой возбуж (ени  обмотки 28. . ,
Признано изобретеиием по результатам экспертизы, осуществленной ведомством по изобретательству Германской Демократической Республики .
19
(PUi.f
фиг.2
эл
I
т
т
ж /
L-jT-J

Claims (8)

1. Способ наклонной установки поверхностных лучевых зондов, при котором сформированное поперечное сечение луча отражают в плоскость объекта по меньшей мере одной электромагнитной передающей линзой и проектируют плоскость объекта на экран, отличающийся тем, что перед передающей линзой создают воздействующее на сформированный луч параллельное к оптической оси магнитное поле переменной полярности, для установки центра переполюсовки на угол обработки поверхности перпендикулярно к оптической оси создают отклоняющее поле с регулируемыми силой и направлением, полярность которого меняют синхронно с полем, параллельным оси.
2. Способ поп.1, отличают щ и й с я тем, что создают другое отклоняющее поле, параллельное оси, переменное по величине и направлению, полярность которого меняют синхронно с полем, параллельным оси.
3. Способ по пп. 1 и 2, о т л ичающийся тем, что накладывают на магнитное поле, параллельное оси, магнитное постоянное поле с регулируемой напряженностью.
4. Способ поп.1, отличающийся тем, что осуществляют анализ критериев, создаваемых при отображении плоскости облучения на экран, путем периодического изменения углового положения, формата или позиционирования поперечного сечения луча.
5. Устройство для наклонной установки поверхностных лучевых зондов, о содержащее систему генерации 1 элек- S тронного луча, генераторы 33, 38 управляющих сигналов, электромагнитную передающую лицзу 17, диафрагму 8 и отклоняющую систему 29,30, отличающееся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, введена дополнительная линза 26, состоящая из нескольких круговых витков проволоки, которая ‘ расположена коаксиально к оптической оси между диафрагмой 8, ограничивающей луч, и передающей линзой 17 и через переключатель перейолюсовки 32 соединена с генератором тока 33, и по крайней мере с одного торца дополнительной линзы 26 расположена отклоняющая система 29,соединенная через переключатель пере-7 полюсовки 36 с генератором тока 38.
6. Устройство по п.5, отличающееся тем, что отклоняющие системы 29,30 размещены на обоих торцах дополнительной линзы.
7. Устройство по пп. 5 и 6, отличающееся тем, что встреч-
SU „„ 1111215 но к отклоняющим системам 29, 30 включены дополнительные отклоняющие системы 40, 41.
8. Устройство по п.5, отличающееся тем, что дополни тельная линза 26 состоит из двух частичных обмоток 27, 28,причем вто рая частичная обмотка 28 соединена с генератором тока 43, который вырабатывает постоянный ток регулируемой силы.
SU797770560A 1978-05-31 1979-05-07 Способ дл наклонной установки поверхностных лучевых зондов и устройство дл его осуществлени SU1111215A1 (ru)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DD20567678A DD139983A3 (de) 1978-05-31 1978-05-31 Verfahren und einrichtung zur schraegstellung von flaechenstrahlsonden

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1111215A1 true SU1111215A1 (ru) 1984-08-30

Family

ID=5512846

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU797770560A SU1111215A1 (ru) 1978-05-31 1979-05-07 Способ дл наклонной установки поверхностных лучевых зондов и устройство дл его осуществлени

Country Status (2)

Country Link
DD (1) DD139983A3 (ru)
SU (1) SU1111215A1 (ru)

Also Published As

Publication number Publication date
DD139983A3 (de) 1980-02-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4260897A (en) Method of and device for implanting ions in a target
JPS5856332A (ja) マスクの欠陥修正方法
US5192867A (en) Electron optical measurement apparatus
US4112305A (en) Method of projecting a beam of charged particles
US3702398A (en) Electron beam apparatus
US2547994A (en) Electronic microscope
JPH03119717A (ja) 荷電粒子露光装置および露光方法
US4929838A (en) Magnetic object lens for an electron beam exposure apparatus which processes a wafer carried on a continuously moving stage
JP3101114B2 (ja) 走査電子顕微鏡
EP0088457A2 (en) Charged particle beam apparatus
US4924104A (en) Ion beam apparatus and method of modifying substrate
SU1111215A1 (ru) Способ дл наклонной установки поверхностных лучевых зондов и устройство дл его осуществлени
EP0035556B1 (en) Electron beam system
US3504176A (en) Method and apparatus for focusing the objective lens of a particle beam microscope
US4264822A (en) Electron beam testing method and apparatus of mask
US4021674A (en) Charged-particle beam optical apparatus for irradiating a specimen in a two-dimensional pattern
US2485754A (en) Electron microscope
US3644733A (en) Electron microscope deflection system for directing the beam at a predetermined angle and direction at the object
GB2055243A (en) Tilting planar beam probes
US4095104A (en) Electron microscope
US4321468A (en) Method and apparatus for correcting astigmatism in scanning electron microscopes and similar equipment
US4945237A (en) Transmission electron microscope
US4152599A (en) Method for positioning a workpiece relative to a scanning field or a mask in a charged-particle beam apparatus
JP3790646B2 (ja) 低エネルギー反射電子顕微鏡
US4439681A (en) Charged particle beam scanning device