QD СО 111 Изобретение относитс к контролю параметров готовых полупрЬводниковых приборов и моуцет быть использовано при определении области безопасных режимов транзисторов. Известен способ определени степени локализации тока в транзисторе, основанный на том, что при заданных величинах тока и напр жени на приборе с помощью детектора теплового излучени определ ют суммарную площадь кристалла, температура которой максимальна, и по отношению этой площади к полной эффективной площади эмиттера суд т о степени локализации тока l. - Данный способ применим только на стадии изготовлени транзисторов (ил дл бескорпусных транзисторов), поскольку требует непосредственного визуального контакта с кристаллом. Кроме того, способ требует весьма сложной тепловизионной аппаратуры и вместе с тем не дает достаточно точных количественных характеристик степени локализации. В процессе изме рений согласно данному способу существует опасность выхода транзистор из стро при возникновении регенеративного режима,привод щего к вторичн му пробою, ввиду того, что тепловое сканирование поверхности кристалла транзистора требует времени, существеннб большего, чем врем развити вторичного пробо .. Наиболее близким к изобретению по технической сущности вл етс спо соб определени степени локализации тока в транзисторе, включающий подач на эмиттер транзистора суммы посто н ного измерительного тока и импульсов греющего тока, подачу между базой и коллектором транзистора коллекторного напр жени , при котором локализаци заведомо отсутствует, и измерение после окончани импульса греющего тока установившегос значени напр жени эмиттер - база, увеличени коллекторного напр жени до значени при котором определ ют степень локализации тока, повторное измерение установившегос значени напр жени эмиттер - база после окончани импульса гредащего тока и определение степени локализации тока из соотноше-55 ни этих двух измерений, при этом полученные значени напр жени изображают на графике в функции корн квадратного от времени первого измерени , инерполируют их пр мой линией, и по отношению угловых коэффициентов этих линий определ ют степень концентрации тока 21. . В течение первых 100-500 мкс остывани транзистора после сброса мощности остывание происходит в соответствии с одномерной моделью распространени теплового потока, дл которого температура зависит линейно от корн квадратного времени, а также линейной зависимости напр жени эмиттер - база от температуры при посто нном токе эмиттера. Известный способ дает более определенную количественную характеристику степени концентрации, но требует большого количества замеров напр жени эмиттер база дл того, чтобы вьщелить линейный участок графика, и представл ет сравнительно сложный и трудоемкий процесс математической обработки ввиду отсутстви измерени , пропорционального степени локализации, вследствие чего сложно реализовать функцию защиты, предотвращающей развитие вторичного пробо . Целью изобретени вл етс повышение производительности способа. I Указанна цель достигаетс тем, что согласно способу определени степени локализации тока в транзисторе, включающему подачу на эмиттер транзИстора суммы посто нного измерительного тока и импульсов греющего тока, подачу между базой и коллектором транзистора коллекторного напр жени , при котором локализаци заведомо от-, сутствует, и измерение после окончани импульса греющего тока установившегос значени напр жени эмиттер база , увеличение коллекторного напр жени до значени , при котором определ ют степень локализации тока, повторное измерение установившегос значени напр жени эмиттер - база после окончани импульса греющего тока, дополнительно измер ют пиковое значение напр жени эмиттер - база в момент окончани первого импульса греющего тока, фиксируют величину разности между измеренными пиковыми и установившимс значени ми, измен крутизну заданного фронта импульсов греющего тока, измер ют пиковое зна чение напр жени в момент окончани второго импульса греющего тока, определ ют величину разности значений, измеренных после воздействи второго импульса греющего тока, по превышени которой фиксированного значени суд т о степени локализации тока, На фиг,1 приведены временные диаг раммы токов и напр жений в транзисто ре; на фиг.2 - пример блок-схемы устройства, реализующего предлагаемы способ, Способ определени степени локали зации тока в транзисторе основан на следующих физических процессах. При скачкообразном изменении тока эмиттера транзистора, включенного по схеме с общей базой, от большего зна чени до меньшего избыточный зар д неосновных носителей в базе рассасываетс по базовой цепи и в ней возни кает пик тока, амплитуда которого np порциональна протекавшему ранее змит терному току и существенно больше установившегос значени тока базы, а направление противоположно. Амплитуда пика зависит также от скорости сброса тока, поэтому мен ее, можно мен ть и амплитуду пика. Импульс тока, протека по области базы, создает падение напр жени на .ее внутреннем распределенном сопротивлении . До тех пор, пока ток эмиттера равномерно распределен по площади кристалла, равномерно распределен и зар д в базе и импульс тока равномерно распредел етс по всей пассивной области базы. При этом ее эквивалентное сопротивление мало и падение напр жени незначительно. При возникновении локализации ток концентрируетс на отдельных участка структуры транзистора,, ток рассасывани базового зар да протекает такж по малой части области базы и падение напр жени возрастает. Поскольку эффективное сопротивление задействованной области базы обратно пропорционально площади, по которой протекает эмиттерный ток, то величина падени напр жени на этом сопротивлении от импульса тока, а она равна разности напр жений эмиттер - база непосредственно после сброса тока эмиттера и напр жени после установлени электрических процессов в базе, пропорциональна отношению полной электрической площади эмиттер к площади эмиттера задействованной в данномэлектрическом режиме, т.е. степени локализации. Способ определени степени локализации тока в транзисторе осуществл етс следующим образом. Ток эмиттера периодически сбрасываетс от величины греющего тока 1 до величины измерительного тока 2. При значени х 3 и 4 напр жени коллектора локализаци отсутствует, разность между пиковым значением напр жени эмиттер - база и его уста- новившимс значением при измерительном токе 2 фиксируетс на заданном уровне, например 0,1 В, путем изменени скорости сброса тока эмиттера. Затем устанавливаетс заданное зн; чение напр жени 5 коллектор - база. При этом напр жении развиваетс локализаци тока, величина пика напр жени 6 база - эмиттер и разности этого пика в момент t и установившегос значени в момент ,увепичч аютс . Превышение над Л U, пропорционально степени локализации тока в транзисторе. Устройство (фиг.2) содержит испытуемый транзистор 7, управл емьЕЙ источник 8 тока эмиттера, источник 9 коллекторного напр жени , регистрирующие блоки (например, цифровые вольтметры с внешним запуском) 10 и 11, блок 12 синхронизации, блок 13 временной задержки, электронный быстродействующий ключ 14, блок 15 сравнени и источник 16 напр жени сравнени . Управл емый источник 8 эмиттерного тока задает ток в транзисторе 7, а источник 9 задает напр жение коллектор - база В момент времени -L ток эмиттера измен етс от большей величины до меньшей, и ток J-) в базовой цепи имеет вид, изображен ный на фиг.1. В момент времени блок синхронизации запускает блок 11, фиксирующий пиковое значение напр жени эмиттер - база, и блок 13 временной задержки, который запускает блок 10 в момент времени ij, который фиксирует значение напр жени эмиттер - база после установлени переходных процессов в базе. Ризница S показани х регистрирующих устройств дает значение л U, которое при малых значени х напр жени на коллекторе незначительно (уровни 3 и 4), а начина с некоторого значени напр жени , начинает расти пропорционально степени локализации (уровень 5). Блок 15 сравнивает напр жение иа эмиттере с уровнем, задаваемым источником 16, и по его достижении размыкает ключ 14, который отключает источник коллекторного напр жени и предотвращает выход из транзистора 7. Использование предлагаемого способа определени степени локализации тока в транзисторе позвол ет существенно упростить процедуру определени области безопасных режимов транзисторов , что важно при массовом контроле предельно допустимых параметров транзисторов, сократить трудоемкость процесса измерений, а также существенно сократить выход из стро транзисторов при испытани х, что повышает общий коэффициент выхода годных приборов. Использование предлагаемого способа повышает также общую надежность испытательной аппаратуры, поскольку выход испытуемого транзистора часто приводит к выходу из стро испытательной аппаратуры. Все это повышает производительность способа определени степени локализации тока в транзисторе.