SU1117568A1 - Дихроичный пол ризатор - Google Patents
Дихроичный пол ризатор Download PDFInfo
- Publication number
- SU1117568A1 SU1117568A1 SU833652781A SU3652781A SU1117568A1 SU 1117568 A1 SU1117568 A1 SU 1117568A1 SU 833652781 A SU833652781 A SU 833652781A SU 3652781 A SU3652781 A SU 3652781A SU 1117568 A1 SU1117568 A1 SU 1117568A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- plane
- parallel plate
- crystal
- polarizer
- layers
- Prior art date
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 2
- 229940070527 tourmaline Drugs 0.000 description 2
- 229910052613 tourmaline Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011032 tourmaline Substances 0.000 description 2
- 229910005543 GaSe Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 235000020021 gose Nutrition 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Polarising Elements (AREA)
Abstract
1. ДИХРОИЧНЫЙ ПОЛЯРИЗАТОР, выполненный в виде плоскопараллельной пластины из анизотропного полупроводника , отличающи, йс тем, что, с целью увеличени степени дихроизма и повышени технологичности, плоскопараллельна пластина выполнена из слоистого кристалла группы симметрии с плоскостью симметрии (Ь ), ориентированной перпендикул рно сло м, который сколот вдоль слоев. i 10 СД СУ5 00 10
Description
2.Пол ризатор по п.1, о т л ич а.ю щ и и с тем, что плоскопараллельна пластина выполнена из слоистого кристалла TtGoiSei..
3.Пол ризатор по п.1, отличающийс тем, что ппоскопараллельна пластина выполнена из слоистого кристалла TtGaSj.
4. Пол ризатор по п.1, отличающийс тем, что плоскопараллельна пластина выполнена из слоистого кристалла TtJn5J ,
Изобретение относитс к пол ризационным оптическим устройствам, которые могут быть использованы дл получени линейно-пол ризованного света в оптико-электронных приборах: пол риметрах, эллипсометрах, дихрометрах , фотоэлектрических автоколлиматорах и т.д.
Известен дихроичный пол ризатор, выполненный в виде плоскопараллельной пластины из анизотропного кристалла, например турмалина. В этом кристалле один из лучей (обыкновенный) поглощаетс значительно сильнее, чем другой. Поэтому из пластинки турмалина оба луча , пол ризованных во взаимно перпендикул рных плоскост х, выход с весьма различной интенсивностью, и прошедший через нее свет оказываютс частично пол ризованными. При достаточно большой толщине пластины (около 1 мм) вьшедший свет в видимой области будет Практически плоскопол ркзованным f1К
Недостатками такого пол ризатора вл ютс сложность его изготовлени и слаба JSfcтoйчивocть к внешним климатическим воздействи м, так как при изготовлении таких пол ризаторов необходимо вьфезать из анизотропного кристалла плоскопараллельную пластину , особым образом ориентированную по отношению к элементам симметрии кристалла, что приводит к необходимости шлифовки и полировки кристалла, далее поверхность вьфезанной таким образом пластины обладает большим количеством оборванных св зей, что приводит к активному ее взаимодействию с атмосферой и, как следствие к быстрой деградации,
Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности вл етс дихроичный пол ризатор, выполненный в виде плоскопараллельной пластины
Л
из анизотропного полупроводника. Рабочим устройством служит шшскопараллельна пластина GoSe. , вырезанна перпендикул рно плоскости слоев. Отношение главных пропускаiНИИ при Х 540 нм составл ет 40 2.
Недостатками известного пол ризатора вл ютс низка технологичность и невысока степень дихроизма, обусловленна особе нност ми зонной структуры Qo-ie.
Цель изобретени - увеличение степени дихроизма и повьшение технологичности .
Поставленна цель достигаетс тем, что в дихроичном пол ризаторе, выполненном в виде плоскопараллельной пластины из анизотролного полупроводника , пж5скопараллел;ьна пластина выполнена из слоистого кристалла группы симметрии Cjfi с плоскостью симметрии ( fi ), ориентированной перпендикул рно сло м, который сколот вдоль слоев.
Илоскопараллельна пластина выполнена из слоистого кристалла TtGa&e или TiOaSi илиТЬЬ51.
На чертеже представлены зависимост поглощени о кристалла T&OnSej от длины волйы Л . при температуре 300 К дл случа , когда электрический вектор световой волны ориентирован перпендикул рно плоскости симметрии (h ) кристалла ( о ), и дл случа когда вектор Е параллелен этой плоскости ( ).
Дихроичный пол ризатор выполнен в виде Ш1оскопараллел1 ной пластины из анизотропного слоистого полупроводникового кристалла группы симметрии С,|(, с плоскостью симметрии ( h ), ориентированной перпендикул рно сло м который сколот вдоль слоев. При этом используютс слоистые кристаллы груп311175 пы , С , к которым относ тс T&GaSe .TfOoSj nTJ-JhSj. в предпочтительном варианте выполнени уст1ройства предусмотрено нанесени сло , защищающего пол ризатор от внещних 5 повреждений. Этот слой может представл ть собой, например, лак. Полиризатор работает следующим образом . При прохождении через пластину 10 слоистого кристалла указанной структуры естественный свет, вследствие сильной разницы в коэффициентах поглоf ни с и jj при ориентаци х I1i и Fllb соответственное см. чертеж)15 на выходе кристалла становитс линей- . но-пол ризованным. При этом направление олебаний электрического вектора Е , прошедшего через кристалл света, совпадает с направлением, перпендикул рным к плоскости СЮ . Пол ризатор на основе TLCaSecj. выбран в качестве примера дл демонстрации возможности использовани СЛОИС-. тых кристаллов с оптической осью, лежащей в плоскости сло , дл пол ризации излучени . Таллий-галлиевый диселенид вл етс слоистым полупроводниковым соединением , характеризук димс слабой св зью между сло ми и сильной внутрислоевой св зью. Особенности химической св зи таких соединений обуслав ливают инертность поверхности слоев по отношению к адсорбции. Сколотые в плоскости спайности (100) пластинки монокристаллов , чрезвычайно стабильны при длительном хране684 НИИ и температурных измерени х, поэто использование Т в качестве дихроичного пол ризатора имеет опре- деленные преимущества по сравнению с использованием других материалов, Кристаллы получены методом Бриджмена с применением технологических режимов, обеспечивакицих однородность выращенных кристаллов. Полученные путем скальшани в плоскости спайности (100), т.е. в плоскоети cjioejB, плоскопараллельные пластинки с рабочей площадью до 300 мм не нуждаютс в шлифовке и полиро.вке. Степень дихроизма, т.е. величина 00 „ - tt пол ризатора на основе TtCoSe, составл ет (при . 480 нм) 99,12%. Вследствие высокой степени дихроизма пол ризатора на основе ТВйобе нет надобности в дополнительных диафрагмах и поглощающих поверхност х, Пример 1. Дихроичньп пол ризатор на основе плоскопараллельной пластинки монокристаллов Т1С,аSe ,j. . Толщина пластинки 5 мкм. При длине волны А 480 нм отношениео(.,/)б, f 100, степень дихроизма при этом составл ет 99,12%. Приме р 2. Толщина пластинки 8 мкм. При длине волны Х- 540 нм отношение , 70. Таким образом, применение предложенного пол ризатора по сравнению с известным обеспечивает повышение степени дихроизма и упрощение технологии его изготовлени .
Claims (4)
1. ДИХРОИЧНЫЙ ПОЛЯРИЗАТОР, выполненный в виде плоскопараллельной пластины из анизотропного полупроводника, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени дихроизма и повышения технологичности, плоскопараллельная пластина выполнена из слоистого кристалла группы симметрии с плоскостью симметрии (Ь ), ориентированной перпендикулярно слоям, который сколот вдоль слоев.
2. Поляризатор по п.1, о т л и- ч а. ю щ' и й с я тем, что плоскопараллельная пластина выполнена из слоистого кристалла TtGa Se^..
3. Поляризатор по п.1, отличающийся тем, что плоскопарал лельная пластина выполнена из слоис того кристалла TIGaSj.
4. Поляризатор по п.1, отличающийся тем, что плоскопараллельная пластина выполнена из слоистого кристаллаTLJnSг .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU833652781A SU1117568A1 (ru) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | Дихроичный пол ризатор |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU833652781A SU1117568A1 (ru) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | Дихроичный пол ризатор |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1117568A1 true SU1117568A1 (ru) | 1984-10-07 |
Family
ID=21085605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU833652781A SU1117568A1 (ru) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | Дихроичный пол ризатор |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1117568A1 (ru) |
-
1983
- 1983-10-17 SU SU833652781A patent/SU1117568A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 1. Ландсберг Г.С. Оптика.М., Наука, 1976, с. 386-387. 2. Phys.,Letters, 1972, V.39A, № 4, 1972,.р. 279-280 (прототип). * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3998524A (en) | Birefringent polarization prism with a large angular aperture | |
| Venturini et al. | Elasto‐Optic Properties of Bi12GeO20, Bi12SiO20, and Sr x Ba1− x Nb2O6 | |
| EP0610440B1 (en) | An improved optical isolator | |
| EP0383923B1 (en) | Polarizing isolation apparatus and optical isolator using the same | |
| JPH04355412A (ja) | 結晶有機薄膜を含む偏光選択性集積オプトエレクトロニックス装置 | |
| US6384974B1 (en) | Polarization beam splitter | |
| WO1996025683A1 (fr) | Isolateur optique | |
| JP2786078B2 (ja) | ファラデー回転子および光アイソレータ | |
| JP2718057B2 (ja) | 偏光素子 | |
| Jewell et al. | Fabrication of GaAs bistable optical devices | |
| JP4797733B2 (ja) | 高出力レーザー用偏波無依存型光アイソレータ | |
| Katzka et al. | Noncollinear acousto-optic filter for the ultraviolet | |
| JP2003287713A (ja) | 光アイソレータ | |
| Koide et al. | Piezo-optical study of excitons in KI | |
| CN112596144A (zh) | 基于溴化亚汞晶体的偏振棱镜/偏振分光棱镜 | |
| CN112596145A (zh) | 基于氯化亚汞晶体的偏振棱镜/偏振分光棱镜 | |
| JPS5828716A (ja) | 光アイソレ−タ | |
| CN1700057A (zh) | 一种偏振分束方法及其装置 | |
| JP4756853B2 (ja) | 電気光学結晶素子 | |
| SU1528183A1 (ru) | Оптический узкополосный фильтр на св занных ортогонально пол ризованных волнах | |
| SU857904A1 (ru) | Пол ризатор | |
| JPS54115143A (en) | Reflection type liquid crystal display device | |
| JP3057578B2 (ja) | 磁気光学素子およびそれを用いた光アイソレータ | |
| JP2553358B2 (ja) | 光アイソレ−タ | |
| JPS5977409A (ja) | 光アイソレ−タ |