SU112331A1 - Селеновый выпр мительный элемент - Google Patents
Селеновый выпр мительный элементInfo
- Publication number
- SU112331A1 SU112331A1 SU570734A SU570734A SU112331A1 SU 112331 A1 SU112331 A1 SU 112331A1 SU 570734 A SU570734 A SU 570734A SU 570734 A SU570734 A SU 570734A SU 112331 A1 SU112331 A1 SU 112331A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- selenium
- layer
- rectifier element
- thallium
- magnesium
- Prior art date
Links
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 12
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 title description 12
- 239000011669 selenium Substances 0.000 title description 12
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 6
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 3
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
При изготоВоТении селеновых выпр мительных элементов дл повышени пробивного напр жени и увеличени термостойкости между селеном и катодным электродом ввод т слой металла (тали или магни ), образующего с селеном электронный полупроводник.
Однако стабильность параметров таких элементов и срок их службы в значительной степени завис т от равномерности и непрерывности сло металлического талли или магни .
В реальных услови х производства трудно получить идеально ровный и непрерывный слой магни или талли . Поэтому при последующем нанесении на этот слой катодного электрода (кадми или сплава, содержащего кадмий и олово) последний проникает через норы и отверсти в слое промежуточного металла (магни или талли ) и создает недостаточно устойчивый, особенно при повыщенной температуре и повышенном напр жении, контакт селена с кадмием или селена с оловом , а иногда и контакт других примесей , загр зн ющих селен и катодный сплав.
Дл того, чтобы уменьшить веро тность образовани таких нежелательных контактов и увеличить, тем , стабильность парал етрОБ селеновых выпр мительных элементов и срок их службы, предлагаетс отдел ть слой магни или талли от катодного электрода тонкой пористой пленкой изол ционного лака.
В этом случае метал.л катодного электрода будет иметь возможность контактировать со слоем металлического магни талли , наход щегос на поверхности селена, лишь через относительно небольщое количество пор в пленке изолирующего лака.
Поры в лаковой пленке лищь в крайне редких случа х будут совпадать с дефектами в слое магни или талли ,вследствие чего значительно сократитс возможность образовани «слабых мест в селеновом элементе .
Предмет изобретени
Селеновый выпр мительный элемент , в KOTODOM дл повышени
№ 112331- 2 -
пробивного напр жеийг: ц терме-тем, что, с целью повышени срока
стойкости между селек:ом и катод-службы, указанный промежуточный
ным электродом введен тонкий ,j,j, отделен от катодного электметалла (талли или изгни ), оо-„„„
разующего с селеном ,.:ектронныйР пористой пленкой изополупроводник . о т л к ч а ю щ и и с л ционного лака.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU570734A SU112331A1 (ru) | 1957-04-04 | 1957-04-04 | Селеновый выпр мительный элемент |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU570734A SU112331A1 (ru) | 1957-04-04 | 1957-04-04 | Селеновый выпр мительный элемент |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU112331A1 true SU112331A1 (ru) | 1957-11-30 |
Family
ID=48384904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU570734A SU112331A1 (ru) | 1957-04-04 | 1957-04-04 | Селеновый выпр мительный элемент |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU112331A1 (ru) |
-
1957
- 1957-04-04 SU SU570734A patent/SU112331A1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2949592A (en) | Adjustable transformer with stabilized contact track | |
| SU112331A1 (ru) | Селеновый выпр мительный элемент | |
| JP2975246B2 (ja) | 電気接点用Ｓｎめっき線とその製造方法 | |
| US2835615A (en) | Method of producing a semiconductor alloy junction | |
| US2246328A (en) | Asymmetrical conductor and method of making the same | |
| US2261725A (en) | Selenium rectifier | |
| US2717296A (en) | Electrical switch contacts | |
| US1872304A (en) | Copper hemisulphide rectifier | |
| US2229807A (en) | Method of manufacturing selenium rectifiers | |
| US1863254A (en) | Process for forming an amalgam and product thereof | |
| US2161600A (en) | Electrode system for rectifying or controlling high or intermediate frequency oscillations | |
| US2215999A (en) | Selenium rectifier having an insulating layer | |
| US1924300A (en) | Copper oxide rectifier | |
| US1989463A (en) | Electric current rectifier | |
| US1968571A (en) | Electric current rectifier | |
| JP2016020524A (ja) | 電気素子 | |
| US2226716A (en) | Photoelectric cell | |
| US2239771A (en) | Electrically conductive device and its manufacture | |
| SU8473A1 (ru) | Контактный металлоокисный выпр митель переменного тока | |
| US2328626A (en) | Manufacture of electrical rectifiers | |
| US2352283A (en) | Electrical rectifier | |
| US2887627A (en) | Rectifier and method of making the same | |
| US3130137A (en) | Manufacture of selenium rectifier cell | |
| GB808734A (en) | Unipolar "field-effect" transistor | |
| US1968570A (en) | Electric current rectifier |