SU1135378A1 - Способ изготовления биполярных интегральных транзисторов - Google Patents

Abstract

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ, включающий формирование в полупроводниковой подложке первого типа проводимости скрытого слоя второго типа проводимости, формирование эпитаксиального слоя второго типа проводимости, формирование боковой диэлектрической изоляции, нанесение поликремния, маскирование нитридом кремния области эмиттера, формирование пассивной базы ионным легированием примесью первого типа проводимости, термическое окисление поликремния, удаление нитрида кремния, формирование активной базы и эмиттера путем ионного легирования примесями первого и второго типа проводимости с последующей термообработкой, формирование контактов к активным областям транзистора, отличающийся тем, что, с целью повышения степени интеграции, одновременно с маскированием области эмиттера нитридом кремния маскируют также области контактов к базе и коллектору, а после удаления нитрида кремния одновременно с ионным легированием области эмиттера примесью первого типа проводимости легируют область контакта к базе, а одновременно с ионным легированием области эмиттера примесью второго типа проводимости легируют область контакта к коллектору.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что после формирования структуры наносят слой платины, формируют слой силицида платины на областях контактов и селективным травлением удаляют платину с остальной части поверхности.