SU113806A1 - Способ автоматического регулировани процесса выращивани монокристаллов из расплава - Google Patents

Способ автоматического регулировани процесса выращивани монокристаллов из расплава

Info

Publication number
SU113806A1
SU113806A1 SU560241A SU560241A SU113806A1 SU 113806 A1 SU113806 A1 SU 113806A1 SU 560241 A SU560241 A SU 560241A SU 560241 A SU560241 A SU 560241A SU 113806 A1 SU113806 A1 SU 113806A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
melt
single crystals
automatic control
growing single
radiation
Prior art date
Application number
SU560241A
Other languages
English (en)
Inventor
В.В. Добровенский
Original Assignee
В.В. Добровенский
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by В.В. Добровенский filed Critical В.В. Добровенский
Priority to SU560241A priority Critical patent/SU113806A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU113806A1 publication Critical patent/SU113806A1/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

Методом кристаллизации по Штоберу выращивают целый р д люминесцентных монокристаллов органических и неорганических веществ , имеющих невысокую температуру плавлени  и употребл емых дл  счета  дерных излучений. Обычно кристаллизаци  идет -со скоростью 3-6 мм, в час по высоте кристаллизатора, и ручное регулирование этого процесса приводит к большому браку монокристаллов.
Предлагаетс  способ автоматического регулировани  процесса выращивани  монокристаллов из расплава, позвол ющий управл ть процессом распределеНИЯ примесей в растущем кристалле, а значит и каче;ством последнего.
Сущность способа заключаетс  в изменении интенсивности радиоактивного излучени , попадающего на приемник излучени , при изменении границы раздела между жидкой и твердой фазами кристаллизуемого вещества . Способ осуществл етс  согла1сно следующей схеме (см. чертеж ) .
Пр мой пучок радиоактивного излучени  от 7 -излучател  /, пройд  через кристаллизатор 2 и границу раздела твердой 3 и жидкой 4 фаз кристаллизуемого вещества, попадает в приемник излучени  5; сигнал усиливаетс  усилителем 6 и попадает в электронный преобразо .ватель 7, где сравниваетс  с сигналом от эталонного устройства, состо щего из источника 8, приемника 9 излучени , кл ина-поглотител  10 и усилител  //.
Скорость кристаллизации задаетс  скоростью вращающихс  от мотора 12 винтов 13, с помощью которых перемещаютс  источник и приемник- излучени . Если скорость процесса кристаллизации изменитс , то изменитс  положение границы раздела твердой фазы и расплава. В этом случае изменитс  интенсивность попадающего на приемник излучени , а значит изменитс  разйостный сигнал на выходе электронного преобразовател . Этот сигнал, воздейству  на исполнительный механизм 14, перемещает сердечник индукционной катушки 15,  вл ющейс  задатчиком регул тора 16.
Регул тор будет измен ть количество охлаждающей воды и снова приведет всю систему в равновесие. Описанный способ регулировани  позвол ет получать кристалль; нужного качества.
Предметизобретени 
Способ автоматического регулировани  npoueicca выращивани  монокристаллов из расплава (по Штоберу), отличающийс  тем, что автоматическое регулирование указанного процесса. производ т по заданной (программной) желаемой скорости кристаллизации, устанавливаемой соответственным непрерывным перемещением пр мого пучка радиоактивного излучени  в направлении роста монокристалла, с пересечением в пути границы раздела жидкой и твердой фаз и контролируемой по положению границы раздела фаз этим же пучком с помощью измерени  поглощени  его в твердой и жидкой фазах и сравнени  этого поглощени  с эталонным, причем показатель разности в поглощении известным образом св зан с устройством дл  измерени  температурного режима кристаллизации.
/2 |||1111|11и|1|11
SU560241A 1956-11-02 1956-11-02 Способ автоматического регулировани процесса выращивани монокристаллов из расплава SU113806A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU560241A SU113806A1 (ru) 1956-11-02 1956-11-02 Способ автоматического регулировани процесса выращивани монокристаллов из расплава

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU560241A SU113806A1 (ru) 1956-11-02 1956-11-02 Способ автоматического регулировани процесса выращивани монокристаллов из расплава

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU113806A1 true SU113806A1 (ru) 1957-11-30

Family

ID=48386229

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU560241A SU113806A1 (ru) 1956-11-02 1956-11-02 Способ автоматического регулировани процесса выращивани монокристаллов из расплава

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU113806A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3621213A (en) Programmed digital-computer-controlled system for automatic growth of semiconductor crystals
US3493770A (en) Radiation sensitive control system for crystal growing apparatus
SU113806A1 (ru) Способ автоматического регулировани процесса выращивани монокристаллов из расплава
GB916390A (en) Method of drawing a semi-conductor rod from a melt
SU108648A1 (ru) Способ автоматического регулировани процесса выращивани монокристаллов из расплава методом выт гивани (по Чохральскому)
US3198929A (en) Electric control apparatus for zone melting of semiconductor rods
US5292486A (en) Crystal pulling method and apparatus for the practice thereof
US3814827A (en) Method and apparatus for floating zone melting of a semiconductor rod
US3259467A (en) Apparatus for pulling rod-shaped crystals of semiconductor material from a melt in acrucible
KR102662342B1 (ko) 잉곳 성장 제어 장치 및 방법
RU2128250C1 (ru) Способ управления процессом выращивания монокристаллов из расплава и устройство для его осуществления
DE69114162D1 (de) Verfahren zum Züchten eines Kristalls.
SU550958A3 (ru) Способ автоматического управлени процессом выращивани кристаллов методом бестигельной зонной плавки
SU859490A1 (ru) Способ управлени процессом выращивани монокристаллов из расплава
JPS55113696A (en) Semiconductor single crystal growing method by pulling method
JPS5490086A (en) Method of producing single crystal
RU2023063C1 (ru) Способ выращивания кристаллов из расплава в автоматическом режиме
DE1619967C3 (de) Verfahren zum Ziehen von Einkristallstäben gleichförmigen Durchmessers
SU599403A1 (ru) Система автоматического регулировани диаметра кристалла, выращиваемого из расплава
SU121237A1 (ru) Способ регулировани процесса выращивани монокристаллов из расплава
SU649299A3 (ru) Устройство дл автоматического управлени процессом выращивани кристаллов при бестигельной зонной плавке
SU430878A1 (ru) Способ регулирования мощности бестигельнойзонной плавки
GB1561112A (en) Zone melting
SU548312A1 (ru) Способ разращивани активированных монокристаллов
SU555761A1 (ru) Способ изготовлени р-п переходов