SU113806A1 - Способ автоматического регулировани процесса выращивани монокристаллов из расплава - Google Patents
Способ автоматического регулировани процесса выращивани монокристаллов из расплаваInfo
- Publication number
- SU113806A1 SU113806A1 SU560241A SU560241A SU113806A1 SU 113806 A1 SU113806 A1 SU 113806A1 SU 560241 A SU560241 A SU 560241A SU 560241 A SU560241 A SU 560241A SU 113806 A1 SU113806 A1 SU 113806A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- melt
- single crystals
- automatic control
- growing single
- radiation
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title description 8
- 239000000155 melt Substances 0.000 title description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 8
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 6
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 5
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 3
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
Методом кристаллизации по Штоберу выращивают целый р д люминесцентных монокристаллов органических и неорганических веществ , имеющих невысокую температуру плавлени и употребл емых дл счета дерных излучений. Обычно кристаллизаци идет -со скоростью 3-6 мм, в час по высоте кристаллизатора, и ручное регулирование этого процесса приводит к большому браку монокристаллов.
Предлагаетс способ автоматического регулировани процесса выращивани монокристаллов из расплава, позвол ющий управл ть процессом распределеНИЯ примесей в растущем кристалле, а значит и каче;ством последнего.
Сущность способа заключаетс в изменении интенсивности радиоактивного излучени , попадающего на приемник излучени , при изменении границы раздела между жидкой и твердой фазами кристаллизуемого вещества . Способ осуществл етс согла1сно следующей схеме (см. чертеж ) .
Пр мой пучок радиоактивного излучени от 7 -излучател /, пройд через кристаллизатор 2 и границу раздела твердой 3 и жидкой 4 фаз кристаллизуемого вещества, попадает в приемник излучени 5; сигнал усиливаетс усилителем 6 и попадает в электронный преобразо .ватель 7, где сравниваетс с сигналом от эталонного устройства, состо щего из источника 8, приемника 9 излучени , кл ина-поглотител 10 и усилител //.
Скорость кристаллизации задаетс скоростью вращающихс от мотора 12 винтов 13, с помощью которых перемещаютс источник и приемник- излучени . Если скорость процесса кристаллизации изменитс , то изменитс положение границы раздела твердой фазы и расплава. В этом случае изменитс интенсивность попадающего на приемник излучени , а значит изменитс разйостный сигнал на выходе электронного преобразовател . Этот сигнал, воздейству на исполнительный механизм 14, перемещает сердечник индукционной катушки 15, вл ющейс задатчиком регул тора 16.
Регул тор будет измен ть количество охлаждающей воды и снова приведет всю систему в равновесие. Описанный способ регулировани позвол ет получать кристалль; нужного качества.
Предметизобретени
Способ автоматического регулировани npoueicca выращивани монокристаллов из расплава (по Штоберу), отличающийс тем, что автоматическое регулирование указанного процесса. производ т по заданной (программной) желаемой скорости кристаллизации, устанавливаемой соответственным непрерывным перемещением пр мого пучка радиоактивного излучени в направлении роста монокристалла, с пересечением в пути границы раздела жидкой и твердой фаз и контролируемой по положению границы раздела фаз этим же пучком с помощью измерени поглощени его в твердой и жидкой фазах и сравнени этого поглощени с эталонным, причем показатель разности в поглощении известным образом св зан с устройством дл измерени температурного режима кристаллизации.
/2 |||1111|11и|1|11
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU560241A SU113806A1 (ru) | 1956-11-02 | 1956-11-02 | Способ автоматического регулировани процесса выращивани монокристаллов из расплава |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU560241A SU113806A1 (ru) | 1956-11-02 | 1956-11-02 | Способ автоматического регулировани процесса выращивани монокристаллов из расплава |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU113806A1 true SU113806A1 (ru) | 1957-11-30 |
Family
ID=48386229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU560241A SU113806A1 (ru) | 1956-11-02 | 1956-11-02 | Способ автоматического регулировани процесса выращивани монокристаллов из расплава |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU113806A1 (ru) |
-
1956
- 1956-11-02 SU SU560241A patent/SU113806A1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3621213A (en) | Programmed digital-computer-controlled system for automatic growth of semiconductor crystals | |
| US3493770A (en) | Radiation sensitive control system for crystal growing apparatus | |
| SU113806A1 (ru) | Способ автоматического регулировани процесса выращивани монокристаллов из расплава | |
| GB916390A (en) | Method of drawing a semi-conductor rod from a melt | |
| SU108648A1 (ru) | Способ автоматического регулировани процесса выращивани монокристаллов из расплава методом выт гивани (по Чохральскому) | |
| US3198929A (en) | Electric control apparatus for zone melting of semiconductor rods | |
| US5292486A (en) | Crystal pulling method and apparatus for the practice thereof | |
| US3814827A (en) | Method and apparatus for floating zone melting of a semiconductor rod | |
| US3259467A (en) | Apparatus for pulling rod-shaped crystals of semiconductor material from a melt in acrucible | |
| KR102662342B1 (ko) | 잉곳 성장 제어 장치 및 방법 | |
| RU2128250C1 (ru) | Способ управления процессом выращивания монокристаллов из расплава и устройство для его осуществления | |
| DE69114162D1 (de) | Verfahren zum Züchten eines Kristalls. | |
| SU550958A3 (ru) | Способ автоматического управлени процессом выращивани кристаллов методом бестигельной зонной плавки | |
| SU859490A1 (ru) | Способ управлени процессом выращивани монокристаллов из расплава | |
| JPS55113696A (en) | Semiconductor single crystal growing method by pulling method | |
| JPS5490086A (en) | Method of producing single crystal | |
| RU2023063C1 (ru) | Способ выращивания кристаллов из расплава в автоматическом режиме | |
| DE1619967C3 (de) | Verfahren zum Ziehen von Einkristallstäben gleichförmigen Durchmessers | |
| SU599403A1 (ru) | Система автоматического регулировани диаметра кристалла, выращиваемого из расплава | |
| SU121237A1 (ru) | Способ регулировани процесса выращивани монокристаллов из расплава | |
| SU649299A3 (ru) | Устройство дл автоматического управлени процессом выращивани кристаллов при бестигельной зонной плавке | |
| SU430878A1 (ru) | Способ регулирования мощности бестигельнойзонной плавки | |
| GB1561112A (en) | Zone melting | |
| SU548312A1 (ru) | Способ разращивани активированных монокристаллов | |
| SU555761A1 (ru) | Способ изготовлени р-п переходов |